JPS6037146A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6037146A JPS6037146A JP14496783A JP14496783A JPS6037146A JP S6037146 A JPS6037146 A JP S6037146A JP 14496783 A JP14496783 A JP 14496783A JP 14496783 A JP14496783 A JP 14496783A JP S6037146 A JPS6037146 A JP S6037146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- psg4
- wiring
- semiconductor device
- psg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はタングステン（Ｗ）、モリブデン（ＭＯ）もし
くはそれらのシリサイドを電極配線に用いた半導体装置
の製造方法に関し、特に高温処理中のＷ、Ｍｏの酸化防
止効果とともに、シリコン＜ｓｉ）の酸化効果のある方
法を提供するものである。
くはそれらのシリサイドを電極配線に用いた半導体装置
の製造方法に関し、特に高温処理中のＷ、Ｍｏの酸化防
止効果とともに、シリコン＜ｓｉ）の酸化効果のある方
法を提供するものである。
Ｗ、Ｍｏは非常に酸化しやすいため、従来は酸化雰囲気
中で熱処理する仁とができなかった。したがって、ＰＳ
Ｇなどの拡散マスクでＷ、Ｍｏを覆った後に酸化工程を
通すことが行なわれていた。
中で熱処理する仁とができなかった。したがって、ＰＳ
Ｇなどの拡散マスクでＷ、Ｍｏを覆った後に酸化工程を
通すことが行なわれていた。
しかしながら、この場合、酸化雰囲気の一部がＰＳＧな
どを通り抜けＷ、ＭＯを酸化させるという欠点があった
。
どを通り抜けＷ、ＭＯを酸化させるという欠点があった
。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、Ｗ。
Ｍｏは酸化させずにＳｉを酸化できるような半導体装置
の製造方法を提供することである。
の製造方法を提供することである。
Ｗ、Ｍｏ電極、配線をＰＳＧで覆った後に、酸化雰囲気
で高温熱処理できれば、ＰＳＧ膜の緻密化と同時に、電
極・配線周辺のＳｌｚの再成長が可能となり、半導体装
置の信頼性・生産性の向上が期待できる。この場合、Ｗ
、Ｍｏの酸化が重大な問題であった。（Ｈｚ 十Ｈｚ
Ｏ）雰囲気による熱処理では、Ｗ、Ｍｏを酸化させずに
３ｉの酸化が可能であるため、この熱処理をＰＳＧでＷ
。
で高温熱処理できれば、ＰＳＧ膜の緻密化と同時に、電
極・配線周辺のＳｌｚの再成長が可能となり、半導体装
置の信頼性・生産性の向上が期待できる。この場合、Ｗ
、Ｍｏの酸化が重大な問題であった。（Ｈｚ 十Ｈｚ
Ｏ）雰囲気による熱処理では、Ｗ、Ｍｏを酸化させずに
３ｉの酸化が可能であるため、この熱処理をＰＳＧでＷ
。
ＭＯを覆った後に行なった。
以下、本発明を実施例により更に詳細な説明する。
実施例１
第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ結晶基板３上に形成し
た厚さ２０ｎｍＯ熱酸化膜２の上にＷｌを厚さ３５０１
１ｍ蒸着して、パターニングした後、ＰＳＧ４（ｒ５０
０ｎｍ程被着し、水を５チ含むＨ２中で１００ＯＵ、６
０分間加熱した。その結果、熱処理前には、第１図（ａ
）に示すように、Ｗｌの加工のためにｌＯ〜１５ｎｍ程
度まで薄くなったｗｉ周辺部の８１０２２が、熱処理後
では第１図（ｂ）に示すように、４０ｎｍまで厚くなっ
た。それに従って、Ｗゲート部のＳ ｉ Ｏｘの絶縁耐
圧が２Ｖ程度熱処理後大きくなった。また、Ｗｌ上に被
着したＰＳＧ４の段差形状も熱処理後なだらかとなり、
被覆形状が向上した。（この工程は、通常の半導体プロ
セスではグラスフローと呼ばれる）このことにより、Ｐ
ＳＧ４上のＡ４配線の段差部での断線が軽減できる。熱
処理後のＰＳＧを１／１０のＨＦ水溶液でエッチすると
、熱処理前に比べてエツチングレートが１／５程度に減
少し、ＰＳＧ膜が緻密になったことがわかった。
た厚さ２０ｎｍＯ熱酸化膜２の上にＷｌを厚さ３５０１
１ｍ蒸着して、パターニングした後、ＰＳＧ４（ｒ５０
０ｎｍ程被着し、水を５チ含むＨ２中で１００ＯＵ、６
０分間加熱した。その結果、熱処理前には、第１図（ａ
）に示すように、Ｗｌの加工のためにｌＯ〜１５ｎｍ程
度まで薄くなったｗｉ周辺部の８１０２２が、熱処理後
では第１図（ｂ）に示すように、４０ｎｍまで厚くなっ
た。それに従って、Ｗゲート部のＳ ｉ Ｏｘの絶縁耐
圧が２Ｖ程度熱処理後大きくなった。また、Ｗｌ上に被
着したＰＳＧ４の段差形状も熱処理後なだらかとなり、
被覆形状が向上した。（この工程は、通常の半導体プロ
セスではグラスフローと呼ばれる）このことにより、Ｐ
ＳＧ４上のＡ４配線の段差部での断線が軽減できる。熱
処理後のＰＳＧを１／１０のＨＦ水溶液でエッチすると
、熱処理前に比べてエツチングレートが１／５程度に減
少し、ＰＳＧ膜が緻密になったことがわかった。
しかし、同様の熱処理をｄｒｙＱ２中で行なうと、Ｗ配
線がすべて酸化してＳｉ基板から剥離してしまった。
線がすべて酸化してＳｉ基板から剥離してしまった。
本発明によれば、Ｗ、Ｍｏ等の高融点金属ならびにシリ
サイドを電極配線に用いた揚ｅ、ｐｓａのグラスフロー
（ＰＳＧ膜の緻密化２段差形状の向上）と同時に、Ｗ、
ＭＯ等を酸化させずにＰＳＧ下で５ｊＣｈが形成できる
ために、半導体装置の信頼性、生産性は著しく向上する
。１（２十ＨｔＯ雰囲気の熱処理は、石英チューブ、電
気炉とパブ２−とからなる通常の加熱装置で容易に実現
できるため、本発明は、量産性、経済性に浸れる。
サイドを電極配線に用いた揚ｅ、ｐｓａのグラスフロー
（ＰＳＧ膜の緻密化２段差形状の向上）と同時に、Ｗ、
ＭＯ等を酸化させずにＰＳＧ下で５ｊＣｈが形成できる
ために、半導体装置の信頼性、生産性は著しく向上する
。１（２十ＨｔＯ雰囲気の熱処理は、石英チューブ、電
気炉とパブ２−とからなる通常の加熱装置で容易に実現
できるため、本発明は、量産性、経済性に浸れる。
第１図は、本発明の一実施例を示す図である。
Claims (1)
- タングステン、モリブデンなどの高融点金属、もしくは
それらのシリサイドを用いた半導体装置の電極配線の熱
処理をＰＳＧ（，０んガラス）などの絶縁膜で積った後
に、Ｈ２＋Ｈ２Ｏ雰囲気で行なうことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496783A JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496783A JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037146A true JPS6037146A (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=15374351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14496783A Pending JPS6037146A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61268043A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02144941A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14496783A patent/JPS6037146A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61268043A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02144941A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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