JPS61166031A - 絶縁膜のエツチング方法 - Google Patents
絶縁膜のエツチング方法Info
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- JPS61166031A JPS61166031A JP27535084A JP27535084A JPS61166031A JP S61166031 A JPS61166031 A JP S61166031A JP 27535084 A JP27535084 A JP 27535084A JP 27535084 A JP27535084 A JP 27535084A JP S61166031 A JPS61166031 A JP S61166031A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁膜のエツチング方法に係わり、特に、半
導体装置で広範囲に使用されている燐珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）面に、コンタクトホールの如き開口部を設ける際の
開口部の側面を基板に対し傾斜をつける方法である。
導体装置で広範囲に使用されている燐珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）面に、コンタクトホールの如き開口部を設ける際の
開口部の側面を基板に対し傾斜をつける方法である。
従来、ＰＳＧ面に、コンタクトホール等の開口部を設け
る際のエツチングでは、開口部の側面が基板に対しほぼ
直角であり、傾斜が少ないために開口部の周辺のエツジ
部に配線がなされると、その直角のエツジ部分に被覆さ
れる配線の厚みが薄（なって断線するという欠点があり
、そのエツジ部を滑らかにして傾斜を有する断面にする
ことが要望されている。
る際のエツチングでは、開口部の側面が基板に対しほぼ
直角であり、傾斜が少ないために開口部の周辺のエツジ
部に配線がなされると、その直角のエツジ部分に被覆さ
れる配線の厚みが薄（なって断線するという欠点があり
、そのエツジ部を滑らかにして傾斜を有する断面にする
ことが要望されている。
半導体装置の製造工程では、熱酸化によって二酸化シリ
コン膜の形成や、ＣＶＤ法により二酸化シリコン膜やＰ
ＳＧが形成され、これらの形成膜上には用途に応じて所
定のパターニングがなされる。
コン膜の形成や、ＣＶＤ法により二酸化シリコン膜やＰ
ＳＧが形成され、これらの形成膜上には用途に応じて所
定のパターニングがなされる。
例えば、ＰＳＧを絶縁膜として、その表面にアルミニウ
ムの配線をする場合には、ＰＳＧに所定のコンタクトホ
ールを形成する必要があるが、−例としてコンタクトホ
ールの寸法としては３μｍｘ３μｍ程度である。
ムの配線をする場合には、ＰＳＧに所定のコンタクトホ
ールを形成する必要があるが、−例としてコンタクトホ
ールの寸法としては３μｍｘ３μｍ程度である。
従来、ＰＳＧのコンタクトホールを形成するには、ウェ
ットエツチング法で行う場合には、ＰＳＧの表面に被着
されたレジスト膜に所定のバターニングを行ない、弗酸
系の酸処理でエツチングが行われるが、例えばエツチン
グ液として弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ
）を１＝５の混酸等が使用される。
ットエツチング法で行う場合には、ＰＳＧの表面に被着
されたレジスト膜に所定のバターニングを行ない、弗酸
系の酸処理でエツチングが行われるが、例えばエツチン
グ液として弗酸（ＨＦ）と弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ
）を１＝５の混酸等が使用される。
又、ＰＳＧのドライエツチングの場合には、コンタクト
ホールを形成する基板を反応管に配置し、所定の真空度
にした後、四弗化炭素（ＣＦ４ ）を反応ガスとして用
いてドライエツチングを行っている。
ホールを形成する基板を反応管に配置し、所定の真空度
にした後、四弗化炭素（ＣＦ４ ）を反応ガスとして用
いてドライエツチングを行っている。
第２図は、従来の方法としてウッドエツチングにより形
成されたコンタクトホールの断面図であるが、基板１が
あり、その表面に形成されたＰＳＧ２があって、レジス
ト膜３があるが、コンタクトホール部４は断面が角型に
なり、エツジ部５ができる。
成されたコンタクトホールの断面図であるが、基板１が
あり、その表面に形成されたＰＳＧ２があって、レジス
ト膜３があるが、コンタクトホール部４は断面が角型に
なり、エツジ部５ができる。
このようなエツジ部は、ドライエツチングの場合も同様
であり、従って、アルミニウムの配線が真空蒸着等によ
りなされると、エツジ部の被膜厚さが薄くなり断線した
り、電極のパターニング時にイオンエツチングされる物
質が再付着して、電極間が短絡するという欠点があり、
これの改善が要望されている。
であり、従って、アルミニウムの配線が真空蒸着等によ
りなされると、エツジ部の被膜厚さが薄くなり断線した
り、電極のパターニング時にイオンエツチングされる物
質が再付着して、電極間が短絡するという欠点があり、
これの改善が要望されている。
上記従来のエツチングの方法では、絶縁膜の開口部の断
面が角型になることが問題点であり、そのためにエツジ
部に被着される配線層が薄くなって断線する等の不具合
を生ずる。
面が角型になることが問題点であり、そのためにエツジ
部に被着される配線層が薄くなって断線する等の不具合
を生ずる。
本発明は上記問題点を解消した絶縁膜のエツチング方法
を提供するもので、その手段は、フォスヒン濃度の異な
る複数の燐珪酸ガラスを積層して形成し、該積層を緩衝
弗酸によるウェットエツチングを行なって、エツチング
領域の開口部側面に傾斜をつける絶縁膜のエツチング方
法によって達成できる。
を提供するもので、その手段は、フォスヒン濃度の異な
る複数の燐珪酸ガラスを積層して形成し、該積層を緩衝
弗酸によるウェットエツチングを行なって、エツチング
領域の開口部側面に傾斜をつける絶縁膜のエツチング方
法によって達成できる。
本発明は、エツチングレートの異なる二層の絶縁層を積
層して、その表面になる層をエツチングレートが大きい
層として、その表面をレジスト膜で被膜し、ウェットエ
ツチングを行うものであって、上層のエツチングレート
が大きい層が、その表面のレジスト膜と下層のエツチン
グレートの小なる層との眉間を、高速度でウェットエツ
チングすることにより、この眉間にエツチング液が浸漬
して、下層のエツチングレートの小なる層を、その上面
と側面からエツチングすることにより、傾斜のついたエ
ツチング断面にするように考慮したものである。
層して、その表面になる層をエツチングレートが大きい
層として、その表面をレジスト膜で被膜し、ウェットエ
ツチングを行うものであって、上層のエツチングレート
が大きい層が、その表面のレジスト膜と下層のエツチン
グレートの小なる層との眉間を、高速度でウェットエツ
チングすることにより、この眉間にエツチング液が浸漬
して、下層のエツチングレートの小なる層を、その上面
と側面からエツチングすることにより、傾斜のついたエ
ツチング断面にするように考慮したものである。
第１図（ａ）〜第１図（Ｃ１は本発明の一実施例を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
第１図（ａｌは、基板１１の表面に、第１層１２として
シリコンの熱酸化膜、又はフォスフイン（ＰＨ３）濃度
が１０モル％以下（本実施例では７モル％）のＰＳＧ膜
をＣＶＤ法により８０００人程度０厚さに成長し、それ
を７００℃以上の温度で熱処理したものである。
シリコンの熱酸化膜、又はフォスフイン（ＰＨ３）濃度
が１０モル％以下（本実施例では７モル％）のＰＳＧ膜
をＣＶＤ法により８０００人程度０厚さに成長し、それ
を７００℃以上の温度で熱処理したものである。
又第２層１３としては、フォスフイン濃度が２０モル％
以上（本実施例では２５モル％）のＰＳＧ膜をＣＶＤ法
により５００人〜２０００人程度に成長したものであっ
て、その表面にパターニングされたレジスト膜１４が被
着されている。
以上（本実施例では２５モル％）のＰＳＧ膜をＣＶＤ法
により５００人〜２０００人程度に成長したものであっ
て、その表面にパターニングされたレジスト膜１４が被
着されている。
第１図（ｂ）は、前記の緩衝弗酸によりウェットエツチ
ングを行ったもので、この場合にはエツチングレートの
大きい第２層１３が第１層１２よりもエツチング速度が
速くエツチングされ、第１層１２とレジスト膜１４の間
がエツチングされて間隙１５が作られる。
ングを行ったもので、この場合にはエツチングレートの
大きい第２層１３が第１層１２よりもエツチング速度が
速くエツチングされ、第１層１２とレジスト膜１４の間
がエツチングされて間隙１５が作られる。
第１図（Ｃ）は、前記の緩衝弗酸により第１層１２がレ
ジスト膜１４の開口部に対応する部分と、上記の間隙１
５からウェットエツチングがなされる結果、第１層１２
が上面と側面からエツチングがなされて、断面に傾斜の
ついたコンタクトホール１６が形成されたことを示して
いる。
ジスト膜１４の開口部に対応する部分と、上記の間隙１
５からウェットエツチングがなされる結果、第１層１２
が上面と側面からエツチングがなされて、断面に傾斜の
ついたコンタクトホール１６が形成されたことを示して
いる。
このような傾斜の角度は４５度〜６０度程度が望ましい
寸法である。
寸法である。
以上詳細に説明したように本発明の絶縁膜のエツチング
方法によれば、傾斜がついてエツジ部のない開口部が形
成でき、例えば断線のない配線か可能になる等、効果大
なるものがある。
方法によれば、傾斜がついてエツジ部のない開口部が形
成でき、例えば断線のない配線か可能になる等、効果大
なるものがある。
第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）は、本発明の絶縁膜のエツ
チングを説明するための断面図、 第２図は、従来の絶縁膜のエツチングを説明するための
断面図、 図において、 １１は基板、 １２は第１層の絶縁膜、１３
は第２層の絶縁膜、１４はレジスト膜、１５はエツチン
グされた間隙、 １６はコンタクトホール、 をそれぞれ示す。 第１図
チングを説明するための断面図、 第２図は、従来の絶縁膜のエツチングを説明するための
断面図、 図において、 １１は基板、 １２は第１層の絶縁膜、１３
は第２層の絶縁膜、１４はレジスト膜、１５はエツチン
グされた間隙、 １６はコンタクトホール、 をそれぞれ示す。 第１図
Claims (1)
- フォスヒン濃度の異なる複数の燐珪酸ガラスを積層して
形成し、該積層を緩衝弗酸によるウェットエッチングを
行なって、エッチング領域の開口部側面に傾斜をつける
ことを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27535084A JPS61166031A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27535084A JPS61166031A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166031A true JPS61166031A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=17554246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27535084A Pending JPS61166031A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166031A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908333A (en) * | 1987-03-24 | 1990-03-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for manufacturing a semiconductor device having a contact window defined by an inclined surface of a composite film |
| US5068707A (en) * | 1990-05-02 | 1991-11-26 | Nec Electronics Inc. | DRAM memory cell with tapered capacitor electrodes |
| US5225376A (en) * | 1990-05-02 | 1993-07-06 | Nec Electronics, Inc. | Polysilicon taper process using spin-on glass |
| US5246883A (en) * | 1992-02-06 | 1993-09-21 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor contact via structure and method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937578A (ja) * | 1972-08-09 | 1974-04-08 | ||
| JPS4994288A (ja) * | 1973-01-10 | 1974-09-06 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27535084A patent/JPS61166031A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937578A (ja) * | 1972-08-09 | 1974-04-08 | ||
| JPS4994288A (ja) * | 1973-01-10 | 1974-09-06 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908333A (en) * | 1987-03-24 | 1990-03-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Process for manufacturing a semiconductor device having a contact window defined by an inclined surface of a composite film |
| US5068707A (en) * | 1990-05-02 | 1991-11-26 | Nec Electronics Inc. | DRAM memory cell with tapered capacitor electrodes |
| US5225376A (en) * | 1990-05-02 | 1993-07-06 | Nec Electronics, Inc. | Polysilicon taper process using spin-on glass |
| US5354716A (en) * | 1990-05-02 | 1994-10-11 | Nec Electronics, Inc. | Method for forming a DRAM memory cell with tapered capacitor electrodes |
| US5246883A (en) * | 1992-02-06 | 1993-09-21 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor contact via structure and method |
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