JPH0810195B2 - ピンホールの検査方法 - Google Patents
ピンホールの検査方法Info
- Publication number
- JPH0810195B2 JPH0810195B2 JP61262250A JP26225086A JPH0810195B2 JP H0810195 B2 JPH0810195 B2 JP H0810195B2 JP 61262250 A JP61262250 A JP 61262250A JP 26225086 A JP26225086 A JP 26225086A JP H0810195 B2 JPH0810195 B2 JP H0810195B2
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- Japan
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- silicon
- silicon nitride
- nitride film
- pinhole
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ピンホールの検査方法は、詳しくは、半導
体基板上の窒化シリコン膜中に存在するピンホールの検
出方法に関するものである。
体基板上の窒化シリコン膜中に存在するピンホールの検
出方法に関するものである。
従来の技術 MNOS（金属−窒化物−酸化物−半導体）構造の不揮発
性メモリでは、窒化物、すなわち、窒化シリコン膜の性
能が特性に影響し、とりわけ、窒化シリコン膜中のピン
ホールをなくすことが重要である。
性メモリでは、窒化物、すなわち、窒化シリコン膜の性
能が特性に影響し、とりわけ、窒化シリコン膜中のピン
ホールをなくすことが重要である。
発明が解決しようとする問題点 ところが、窒化シリコン膜中のピンホールはきわめて
微細であり、電子顕微鏡観察によって検出することが難
しく、その検出手段を工程管理に導入することができな
かった。
微細であり、電子顕微鏡観察によって検出することが難
しく、その検出手段を工程管理に導入することができな
かった。
本発明の目的は、このような問題点を解消し、窒化シ
リコン膜中のピンホールを簡易に検出する方法を提供す
ることにある。
リコン膜中のピンホールを簡易に検出する方法を提供す
ることにある。
問題点を解決するための手段 本発明はシリコン基板上に酸化シリコン膜と窒化シリ
コン膜を順次形成する工程と、前記シリコン基板を、窒
化シリコンと酸化シリコンおよびシリコンをエッチング
する弗硝酸溶液で侵食して、前記窒化シリコン膜中のピ
ンホールを拡大するとともに前記ピンホール領域の前記
酸化シリコン膜と前記シリコン基板表面をエッチングす
る工程と、この状態でピンホールを検査する工程をそな
えたものである。
コン膜を順次形成する工程と、前記シリコン基板を、窒
化シリコンと酸化シリコンおよびシリコンをエッチング
する弗硝酸溶液で侵食して、前記窒化シリコン膜中のピ
ンホールを拡大するとともに前記ピンホール領域の前記
酸化シリコン膜と前記シリコン基板表面をエッチングす
る工程と、この状態でピンホールを検査する工程をそな
えたものである。
作用 本発明によれば、弗硝酸溶液によって窒化シリコン膜
が侵食される過程で、同膜内の微細なピンホールも拡大
され、またこのピンホール領域の半導体基板表面も順次
食刻されるので、半導体基板に侵食跡が残る。
が侵食される過程で、同膜内の微細なピンホールも拡大
され、またこのピンホール領域の半導体基板表面も順次
食刻されるので、半導体基板に侵食跡が残る。
半導体基板上に堆積された窒化シリコン膜を除去して
も、あるいは窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去
しても、ピンホールの数と位置を正確に検査することが
できる。したがって、最も観察しやすい状態を選択する
ことができる。また、エッチング時間が長くなり、窒化
シリコン膜が除去されても、検査に支障を生じない。
も、あるいは窒化シリコン膜と酸化シリコン膜とを除去
しても、ピンホールの数と位置を正確に検査することが
できる。したがって、最も観察しやすい状態を選択する
ことができる。また、エッチング時間が長くなり、窒化
シリコン膜が除去されても、検査に支障を生じない。
実施例 次に、本発明を実施例によって詳しく説明する。
第１図および第２図は、本発明実施例を表す工程順断
面図であり、これらの各図を参照して、実施例を述べ
る。
面図であり、これらの各図を参照して、実施例を述べ
る。
まず、第１図のように、シリコン基板１の表面に、極
薄の酸化シリコン膜２を介在させて、窒化シリコン膜３
を形成する。このとき、窒化シリコン膜３には微細なピ
ンホール４が存在するが、通常の電子顕微鏡では、なか
なか検出できないものである。そこで、この窒化シリコ
ン膜３を、弗硝酸水溶液によって侵食処理する。弗硝酸
水溶液は、その混合比率が、HF:HNO3:H2O＝3:200:80の
割合であればよく、これによる侵食処理を約15分間行う
と、第２図のように、窒化シリコン膜３中のピンホール
４は、拡大され、併せて、極薄の酸化シリコン膜２およ
び直下のシリコン基板１も侵食させる。この状態になる
と、電子顕微鏡による観察が容易になり、その侵食処理
の条件から、初期のピンホールの状態を推定することが
可能である。
薄の酸化シリコン膜２を介在させて、窒化シリコン膜３
を形成する。このとき、窒化シリコン膜３には微細なピ
ンホール４が存在するが、通常の電子顕微鏡では、なか
なか検出できないものである。そこで、この窒化シリコ
ン膜３を、弗硝酸水溶液によって侵食処理する。弗硝酸
水溶液は、その混合比率が、HF:HNO3:H2O＝3:200:80の
割合であればよく、これによる侵食処理を約15分間行う
と、第２図のように、窒化シリコン膜３中のピンホール
４は、拡大され、併せて、極薄の酸化シリコン膜２およ
び直下のシリコン基板１も侵食させる。この状態になる
と、電子顕微鏡による観察が容易になり、その侵食処理
の条件から、初期のピンホールの状態を推定することが
可能である。
また、この方法は、完成製品のMNOS構造不揮発性メモ
リの解析手段としても、容易に利用できる。すなわち、
完成製品では、電極として、アルミニウム膜あるいは多
結晶シリコン膜を用い、かつ、最表部にパシベーション
層を設けているが、あらかじめ、上記電極およびパシベ
ーション層を剥離除去したのち、弗硝酸溶液で侵食処理
することにより、ピンホールの存在を容易に検出するこ
とができる。
リの解析手段としても、容易に利用できる。すなわち、
完成製品では、電極として、アルミニウム膜あるいは多
結晶シリコン膜を用い、かつ、最表部にパシベーション
層を設けているが、あらかじめ、上記電極およびパシベ
ーション層を剥離除去したのち、弗硝酸溶液で侵食処理
することにより、ピンホールの存在を容易に検出するこ
とができる。
発明の効果 本発明によれば、半導体基板上の窒化シリコン膜中に
存在するピンホールを、弗硝酸溶液による侵食処理によ
って拡大して、容易に顕微鏡観察できる。あるいは、半
導体基板上に堆積された窒化シリコン膜と、酸化シリコ
ン膜とを除去して、半導体基板表面に形成された侵食跡
を観察することもできる。これにより、帯電しやすい絶
縁膜を除去しているので、電子顕微鏡による観察が極め
て容易になる。
存在するピンホールを、弗硝酸溶液による侵食処理によ
って拡大して、容易に顕微鏡観察できる。あるいは、半
導体基板上に堆積された窒化シリコン膜と、酸化シリコ
ン膜とを除去して、半導体基板表面に形成された侵食跡
を観察することもできる。これにより、帯電しやすい絶
縁膜を除去しているので、電子顕微鏡による観察が極め
て容易になる。
この技術を窒化シリコン膜の形成工程における工程管
理手段として利用し、窒化シリコン膜の形成工程の解
析、延いてはその形成工程の安定化を達成することに寄
与できる。
理手段として利用し、窒化シリコン膜の形成工程の解
析、延いてはその形成工程の安定化を達成することに寄
与できる。
第１図および第２図は本発明実施例を表す工程順断面図
である。 １……シリコン基板、２……極薄の酸化シリコン膜、３
……窒化シリコン膜、４……ピンホール、４′……同ピ
ンホール拡大部。
である。 １……シリコン基板、２……極薄の酸化シリコン膜、３
……窒化シリコン膜、４……ピンホール、４′……同ピ
ンホール拡大部。
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン基板上に酸化シリコン膜と窒化シ
リコン膜を順次形成する工程と、前記シリコン基板を、
窒化シリコンと酸化シリコンおよびシリコンをエッチン
グする弗硝酸溶液で侵食して、前記窒化シリコン膜中の
ピンホールを拡大するとともに、前記ピンホール領域の
前記酸化シリコン膜と前記シリコン基板表面をエッチン
グする工程と、この状態でピンホールを検査する工程を
そなえたピンホールの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262250A JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61262250A JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63115331A JPS63115331A (ja) | 1988-05-19 |
| JPH0810195B2 true JPH0810195B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17373163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61262250A Expired - Fee Related JPH0810195B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | ピンホールの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810195B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230815B1 (ko) * | 1997-03-18 | 1999-11-15 | 김영환 | 반도체 메모리 소자 격리 방법 |
| JP5157654B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-03-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2016514372A (ja) * | 2013-03-12 | 2016-05-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 金属酸化物半導体ｔｆｔ用誘電体膜のピンホール評価方法 |
| CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106681A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Toshiba Corp | Etching method |
| JPS5853859B2 (ja) * | 1978-03-07 | 1983-12-01 | 富士電機株式会社 | 薄膜のピンホ−ル測定方法 |
| JPS57208155A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | Toshiba Corp | Detecting method for pinhole |
| JPS61245538A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-10-31 | Hitachi Ltd | シリコン基板の部分エツチング法 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61262250A patent/JPH0810195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63115331A (ja) | 1988-05-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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