JPS5820140B2 - 半導体装置の解析方法 - Google Patents
半導体装置の解析方法Info
- Publication number
- JPS5820140B2 JPS5820140B2 JP50060676A JP6067675A JPS5820140B2 JP S5820140 B2 JPS5820140 B2 JP S5820140B2 JP 50060676 A JP50060676 A JP 50060676A JP 6067675 A JP6067675 A JP 6067675A JP S5820140 B2 JPS5820140 B2 JP S5820140B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cross
- semiconductor devices
- aluminum electrode
- sectional
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical class [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の断面構造を正確に検知する方法に
関するものである。
関するものである。
従来よシ半導体装置の解析には種々の方法が用いられて
おシ、その一方法として半導体基体を分割し、例えば走
査型電子顕微鏡（以降ＳＥＭという）によシ断面構造を
解析する方法がある。
おシ、その一方法として半導体基体を分割し、例えば走
査型電子顕微鏡（以降ＳＥＭという）によシ断面構造を
解析する方法がある。
従来例の一つとして第１図の如く、半導体基体１上にシ
リコン酸化膜２（以降ＳｉＯ２膜という）があシ、上記
ＳｉＯ２膜２上に配線されたアルミニウム電極３の断面
構造を解析する場合を述べると、上記半導体基体１を分
割してＳＥＭで観察するのであるが、上記アルミニウム
電極３は非常にやわらかく、分割した際上記アルミニウ
ム電極３が延びて上記ＳｉＯ２膜２の断面をおおったシ
（第２図４）、あるいは上記アルミニウム電極３の表面
６をおおう（第２図５）ことＫなシ完全な断面な観察す
ることは非常に困難であった。
リコン酸化膜２（以降ＳｉＯ２膜という）があシ、上記
ＳｉＯ２膜２上に配線されたアルミニウム電極３の断面
構造を解析する場合を述べると、上記半導体基体１を分
割してＳＥＭで観察するのであるが、上記アルミニウム
電極３は非常にやわらかく、分割した際上記アルミニウ
ム電極３が延びて上記ＳｉＯ２膜２の断面をおおったシ
（第２図４）、あるいは上記アルミニウム電極３の表面
６をおおう（第２図５）ことＫなシ完全な断面な観察す
ることは非常に困難であった。
ちなみに上記アルミニウム電極３の表面は６であシ、上
記アルミニウム電極３と上記ＳｉＯ２膜２の境界は７で
あって、第２図は第１図のｎ−ｆｆ面をみた断面図であ
る。
記アルミニウム電極３と上記ＳｉＯ２膜２の境界は７で
あって、第２図は第１図のｎ−ｆｆ面をみた断面図であ
る。
また別の従来例として、シリコンゲー）ＭＯ８集積回路
の製作において、第１電極である多結晶シリコン（以降
ポリシリコンという）と第２電極のアルミニウム膜がＳ
ｉＯ２膜にて分離された構造の解析法を述べる。
の製作において、第１電極である多結晶シリコン（以降
ポリシリコンという）と第２電極のアルミニウム膜がＳ
ｉＯ２膜にて分離された構造の解析法を述べる。
この時第１電極上にＳｉＯ□膜がどのような状態で堆積
されているかを解析する方法は、先の従来例と同じく半
導体基体を分割してＳＥＭにて観察する。
されているかを解析する方法は、先の従来例と同じく半
導体基体を分割してＳＥＭにて観察する。
しかしこの場合、ポリシリコンとＳｉＯ□では電子ビー
ムの二次電子像のコンテストがつきにく＼境界をみわけ
るのは非常に困難である。
ムの二次電子像のコンテストがつきにく＼境界をみわけ
るのは非常に困難である。
−このように半導体装置の断面解析は非常に重要にもか
かわらず不鮮明な状態から完全なデータは得られなかっ
た。
かわらず不鮮明な状態から完全なデータは得られなかっ
た。
本発明は半導体装置の解析法として重要な断面解析にお
いて、従来の欠点をなくし完全なデータを得る方法を提
供することを目的とするものである。
いて、従来の欠点をなくし完全なデータを得る方法を提
供することを目的とするものである。
以下図面とともに本発明について説明する。
第３図ａ、ｂ、Ｃは本発明の解析方法の一実施例を示す
ものであシ、半導体基体１１上に表面断差な有する第１
のＳｉＯ□膜１２があシ、上記第１のＳｉＯ２膜１２上
の一部にアルミニウム電極パターン１３がある（第３図
ａ）。
ものであシ、半導体基体１１上に表面断差な有する第１
のＳｉＯ□膜１２があシ、上記第１のＳｉＯ２膜１２上
の一部にアルミニウム電極パターン１３がある（第３図
ａ）。
この状態で上１記第１のＳｉＯ２膜１２′と上記アルミ
ニウム電極パターン１３上に、シランの熱分解法によシ
第２の８１０２膜１４を蒸着する（第３図ｂ）。
ニウム電極パターン１３上に、シランの熱分解法によシ
第２の８１０２膜１４を蒸着する（第３図ｂ）。
ついで上記半導体基体１１をダイヤモンド針等で裏面か
ら分割し、次に上記アルミニウム電極パターン・１３の
側面を数ミクロン程度、例えばリン酸系のエツチング液
でエツチングする。
ら分割し、次に上記アルミニウム電極パターン・１３の
側面を数ミクロン程度、例えばリン酸系のエツチング液
でエツチングする。
この状態を第３図すのｃ −ｃ’の面で切断すると第３
図Ｃのようになる。
図Ｃのようになる。
１５はアルミニウム電極パターン１３のエツチング面で
ある。
ある。
この状態をＳＥＭで観察すると、断面に段差を生じてい
るため、電子ビームを照射すると二次電子像は鮮明であ
シ正確なデータを得ることが可能となるのである。
るため、電子ビームを照射すると二次電子像は鮮明であ
シ正確なデータを得ることが可能となるのである。
またシリコンゲー）ＭＯ８集積回路において、ＳｉＯ□
膜の堆積状態を知る解析には多結晶シリコン層を、例え
ば弗酸、硝酸の混合液か、プラズマ法にてエツチングす
れば断面に段差が生じて鮮明な断面構造をＳＥＭで観察
することができる。
膜の堆積状態を知る解析には多結晶シリコン層を、例え
ば弗酸、硝酸の混合液か、プラズマ法にてエツチングす
れば断面に段差が生じて鮮明な断面構造をＳＥＭで観察
することができる。
以上のように本発明の表面が覆われた被計測物を、半導
体基板を分割した後エツチングを施し、被計測物の断面
を露出させて被計測物を解析する方法は、被計測物と他
の部分に段差が生じるので断面解析がし易く、半導体装
置の断面解析において正確なデータを得ることができ、
正確なデータから歩留シを向上させることもできる。
体基板を分割した後エツチングを施し、被計測物の断面
を露出させて被計測物を解析する方法は、被計測物と他
の部分に段差が生じるので断面解析がし易く、半導体装
置の断面解析において正確なデータを得ることができ、
正確なデータから歩留シを向上させることもできる。
第１図は表面が露出された半導体の構造断面図、第２図
は第１図の■−ｗ線で切断した時の構造断面図、第３図
ａ ｓ ｌ） ｔ Ｃは本発明の一実施例を示す断面工
程図である。 １１・・・・・・半導体基体、１２，１４・・・・・・
Ｓ ｔ０２膜、１３・・・・・・アルミニウム電極、１
５・・・・・・アルミニウム電極のエツチング面。
は第１図の■−ｗ線で切断した時の構造断面図、第３図
ａ ｓ ｌ） ｔ Ｃは本発明の一実施例を示す断面工
程図である。 １１・・・・・・半導体基体、１２，１４・・・・・・
Ｓ ｔ０２膜、１３・・・・・・アルミニウム電極、１
５・・・・・・アルミニウム電極のエツチング面。
Claims (1)
- １ 被計測物の表面を前記被計測物とは異なる物質で覆
うかもしくは被計測物の表面が前記被計測物とは異なる
物質で覆われた半導体基体を分割し、前記被計測物をエ
ツチングすることによって前記被計測物の一部を露出せ
しめ、同露出面を観察することを特徴とする半導体装置
の解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50060676A JPS5820140B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 半導体装置の解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50060676A JPS5820140B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 半導体装置の解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51135474A JPS51135474A (en) | 1976-11-24 |
| JPS5820140B2 true JPS5820140B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=13149151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50060676A Expired JPS5820140B2 (ja) | 1975-05-20 | 1975-05-20 | 半導体装置の解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820140B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931038A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の構造解析方法 |
| JPS5943275U (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | 川崎重工業株式会社 | 二輪車用サイドスタンドの取付構造 |
| JPS6064237A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 水分浸入度測定法 |
-
1975
- 1975-05-20 JP JP50060676A patent/JPS5820140B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51135474A (en) | 1976-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2001067509A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR20030051180A (ko) | 평가용 반도체장치의 제조방법 | |
| JPS5820140B2 (ja) | 半導体装置の解析方法 | |
| JPH09162102A (ja) | アライメントマーク検出方法 | |
| JPH02266517A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0810195B2 (ja) | ピンホールの検査方法 | |
| JP2002118159A (ja) | 不純物濃度プロファイル測定方法および薄膜試料の膜厚測定方法 | |
| US7762152B2 (en) | Methods for accurately measuring the thickness of an epitaxial layer on a silicon wafer | |
| EP0336515B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a silicon substrate with fully or partly sunken field oxide regions | |
| JP3287317B2 (ja) | 分析試料の作成方法 | |
| JPH0298955A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0798288A (ja) | ２次イオン質量分析用試料及びその製造方法、並びにこれを用いた質量分析方法 | |
| JP2001156137A (ja) | 半導体装置の解析方法 | |
| JPH0244748A (ja) | 半導体素子の製造におけるパターン測長方法 | |
| JP2917937B2 (ja) | 半導体デバイスの不純物濃度分布の分析方法 | |
| JP3120788B2 (ja) | 不純物濃度分布測定方法 | |
| JP2704054B2 (ja) | 層間絶縁膜の検査方法 | |
| JPS5811095B2 (ja) | ハンドウタイキバンニスル−ホ−ルオケイセイスルホウホウ | |
| JPH0729711A (ja) | 抵抗の形成方法 | |
| JPS63117428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59121836A (ja) | 位置合せマ−クの形成方法 | |
| JPH088236B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN112582422A (zh) | 三维存储器的制备方法及三维存储器 | |
| JPH0364915A (ja) | 絶縁膜のエッチング方法 | |
| JPS59158517A (ja) | 金属電極配線パタ−ンの形成方法 |