JPH0364915A - 絶縁膜のエッチング方法 - Google Patents
絶縁膜のエッチング方法Info
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- JPH0364915A JPH0364915A JP20167589A JP20167589A JPH0364915A JP H0364915 A JPH0364915 A JP H0364915A JP 20167589 A JP20167589 A JP 20167589A JP 20167589 A JP20167589 A JP 20167589A JP H0364915 A JPH0364915 A JP H0364915A
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- etching
- insulating film
- ion beam
- secondary electron
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁膜をエツチングする方法に関し、特に、半
導体装置の表面の絶縁膜のエツチング方法に関する。
導体装置の表面の絶縁膜のエツチング方法に関する。
半導体装置の故障解析等においては、表面の絶縁膜がエ
ツチングされるが、そのエツチングの終点判定は、プラ
ズマエツチング法を用いる場合はプラズマ計測法（分光
分析／質量分析〉が用いられ、その他のエツチング方法
の場合は、光干渉法やエリプソメトリを使って試料の膜
厚を求め、その時間変化からエツチング速度を測定して
エツチングの終点を推定する試料計測法等が用いられて
いた。
ツチングされるが、そのエツチングの終点判定は、プラ
ズマエツチング法を用いる場合はプラズマ計測法（分光
分析／質量分析〉が用いられ、その他のエツチング方法
の場合は、光干渉法やエリプソメトリを使って試料の膜
厚を求め、その時間変化からエツチング速度を測定して
エツチングの終点を推定する試料計測法等が用いられて
いた。
上述した従来の絶縁膜のエツチング方法では、絶縁膜エ
ツチングの終点判定方法として、終点を間接的に観測し
推定しているので誤差が生じ易く、そのため、絶縁膜が
残ったり、その下の金属配線までもエツチングしてしま
うという欠点がある。
ツチングの終点判定方法として、終点を間接的に観測し
推定しているので誤差が生じ易く、そのため、絶縁膜が
残ったり、その下の金属配線までもエツチングしてしま
うという欠点がある。
また、エツチングを実施している最中に視覚的に判断出
来なかった。
来なかった。
本発明の絶縁膜のエツチング方法は、集束イオンビーム
を用いる絶縁膜のエツチング方法において、イオンビー
ム励起による２次電子像を観察しながらエツチングを行
なうものである。
を用いる絶縁膜のエツチング方法において、イオンビー
ム励起による２次電子像を観察しながらエツチングを行
なうものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体装置の断面図である。
めの工程順に示した半導体装置の断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上にＡ
ＩＩからなる第１層〜第３層配線２，４゜６が５ｉ０２
等からなる第１及び第２絶縁膜３゜５を介して形成され
、表面にパッシベーション膜としての第３絶縁膜７が形
成された半導体装置の所定の領域に、集束イオンビーム
装置によりイオンビームを照射する。
ＩＩからなる第１層〜第３層配線２，４゜６が５ｉ０２
等からなる第１及び第２絶縁膜３゜５を介して形成され
、表面にパッシベーション膜としての第３絶縁膜７が形
成された半導体装置の所定の領域に、集束イオンビーム
装置によりイオンビームを照射する。
以下第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、表面の第３絶
縁膜７をイオンビーム８によ゛リエッチングするが、こ
の間のエツチングは、イオンビーム８による２次電子像
を観察しながら行なう。
縁膜７をイオンビーム８によ゛リエッチングするが、こ
の間のエツチングは、イオンビーム８による２次電子像
を観察しながら行なう。
表面の第３絶縁膜７が完全に除去されると、エツチング
された部分の２次電子像には３層配線を構成するＡ１の
結晶粒が明確に確認できるので、この時をエツチングの
終点とする。
された部分の２次電子像には３層配線を構成するＡ１の
結晶粒が明確に確認できるので、この時をエツチングの
終点とする。
このように本実施例によれば、２次電子像を観察しなが
らエツチングを行うので、終点判定は正確となり、下層
の配線までオーバーエツチングすることはない。
らエツチングを行うので、終点判定は正確となり、下層
の配線までオーバーエツチングすることはない。
以上説明したように本発明は、集束イオンビームを用い
絶縁膜をエツチングするさい、イオンビーム励起による
２次電子像を観察しながらエツチングを行うことにより
、絶縁膜のエツチングの終点を正確に判定できる効果が
ある。
絶縁膜をエツチングするさい、イオンビーム励起による
２次電子像を観察しながらエツチングを行うことにより
、絶縁膜のエツチングの終点を正確に判定できる効果が
ある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体装置の断面図である。
めの工程順に示した半導体装置の断面図である。
Claims (1)
- 集束イオンビームを用いる絶縁膜のエッチング方法にお
いて、イオンビーム励起による２次電子像を観察しなが
らエッチングを行なうことを特徴とする絶縁膜のエッチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20167589A JPH0364915A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 絶縁膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20167589A JPH0364915A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 絶縁膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364915A true JPH0364915A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16445036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20167589A Pending JPH0364915A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | 絶縁膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364915A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| JPH01168029A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工方法及びその装置 |
| JPH01181529A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法とその装置 |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20167589A patent/JPH0364915A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208830A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-27 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法およびその装置 |
| JPH01168029A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工方法及びその装置 |
| JPH01181529A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Hitachi Ltd | 集束イオンビーム加工方法とその装置 |
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