JPH0319309A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
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- JPH0319309A JPH0319309A JP1152391A JP15239189A JPH0319309A JP H0319309 A JPH0319309 A JP H0319309A JP 1152391 A JP1152391 A JP 1152391A JP 15239189 A JP15239189 A JP 15239189A JP H0319309 A JPH0319309 A JP H0319309A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要］
半導体装置の製造時に適用して好結果が得られる位置合
わせ方法に関し、 金属材料の埋め込みデポジション技術に依って電極・配
線膜を形戒する半導体装置であっても、そのマーク部分
を適確に検出できるようにして、製造工程に於ける位置
合わせを正確に行い得るようにすることを目的とし、 位置合わせに用いるマーク部分を構戒する為に被膜に形
成された開口が電極・配線を形或する為の金属材料で密
実に埋められ且つ同し金属材料が該被膜を覆って平坦化
しているウェハに電子ビームを照射し、前記マーク部分
から発生するＸ線を検出して得られる電気信号に基づい
て該ウェハの位置合わせを行うよう構或する。
わせ方法に関し、 金属材料の埋め込みデポジション技術に依って電極・配
線膜を形戒する半導体装置であっても、そのマーク部分
を適確に検出できるようにして、製造工程に於ける位置
合わせを正確に行い得るようにすることを目的とし、 位置合わせに用いるマーク部分を構戒する為に被膜に形
成された開口が電極・配線を形或する為の金属材料で密
実に埋められ且つ同し金属材料が該被膜を覆って平坦化
しているウェハに電子ビームを照射し、前記マーク部分
から発生するＸ線を検出して得られる電気信号に基づい
て該ウェハの位置合わせを行うよう構或する。
本発明は、半導体装置の製造時に適用して好結果が得ら
れる位置合わせ方法に関する。
れる位置合わせ方法に関する。
一般に、半導体装置を高集積化する為、微細化或いは多
層化に種々な手段が採られていてる。
層化に種々な手段が採られていてる。
そのように、新しい技術を採り入れることで問題を解決
した場合、新たに別の問題を生ずることが多い。
した場合、新たに別の問題を生ずることが多い。
現在、位置合わせに関して、同様な事態が生している。
第７図（Ａ）は半導体装置に於けるマーク部分を説明す
る為の要部切断側面図を表している。
る為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、１は半導体基板、２は絶縁膜、３は例えば
アルミニウム（Ａｌ）からなる第一層目の電極・配線、
４は眉間絶縁膜、５は例えばＡ／からなる第二層目の電
極・配線膜、Ｍはマーク部分をそれぞれ示している。
アルミニウム（Ａｌ）からなる第一層目の電極・配線、
４は眉間絶縁膜、５は例えばＡ／からなる第二層目の電
極・配線膜、Ｍはマーク部分をそれぞれ示している。
図示のマーク部分Ｍについて信号を得るには、マーク部
分Ｍに電子ビームを照射し、そこからの反射電子に依っ
て段差を検出している。
分Ｍに電子ビームを照射し、そこからの反射電子に依っ
て段差を検出している。
第７図（Ｂ）はマーク部分Ｍからの反射電子に依る信号
波形を表す線図であり、縦軸には反射電子強度を、そし
て、横軸にはウェハ上の位置をそれぞれ採ってある． 第７図（Ａ）及び（Ｂ）から明らかなように、マーク部
分Ｍに於ける段差は、反射電子の強度分布となって現れ
るので、その位置は正確に検出することができる。
波形を表す線図であり、縦軸には反射電子強度を、そし
て、横軸にはウェハ上の位置をそれぞれ採ってある． 第７図（Ａ）及び（Ｂ）から明らかなように、マーク部
分Ｍに於ける段差は、反射電子の強度分布となって現れ
るので、その位置は正確に検出することができる。
第７図（Ａ）及び（Ｂ）について説明したマーク部分Ｍ
の検出に関する確実性は充分に高く、従って、位置合わ
せは実用上で全く問題ないように実施することができる
。
の検出に関する確実性は充分に高く、従って、位置合わ
せは実用上で全く問題ないように実施することができる
。
ところが、近年、Ａ１などを用いた電極・配線膜を形戒
する場合、埋め込みデポジションと称して、金属材料を
熱処理、即ち、溶融させなから被着することが行われて
いる。
する場合、埋め込みデポジションと称して、金属材料を
熱処理、即ち、溶融させなから被着することが行われて
いる。
第８図（Ａ）は金属材料の埋め込みデポジション技術を
通用して得られた半導体装置の要部切断側面図を表し、
第７図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或
いは同し意味を持つものとする。
通用して得られた半導体装置の要部切断側面図を表し、
第７図に於いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或
いは同し意味を持つものとする。
図示された部分は第７図（Δ〉に示した部分と同じくマ
ーク部分Ｍの近傍である。
ーク部分Ｍの近傍である。
図から明らかなように、この技術に依ると、層間絶縁膜
４に形成された開口はＡｎで密実に埋められ、その表面
に在る第二層目の配線５は平坦化されている。
４に形成された開口はＡｎで密実に埋められ、その表面
に在る第二層目の配線５は平坦化されている。
このようなマーク部分Ｍに電子ビームを照射しても、そ
こからの反射電子の強度は常に一定の値となってしまう
。
こからの反射電子の強度は常に一定の値となってしまう
。
第８図（Ｂ）は第８図（Ａ）に見られるマーク部分Ｍか
らの反射電子に依る信号波形を表す線図であり、縦軸に
は反射電子強度を、そして、横軸にはウェハ上の位置を
それぞれ採ってある。
らの反射電子に依る信号波形を表す線図であり、縦軸に
は反射電子強度を、そして、横軸にはウェハ上の位置を
それぞれ採ってある。
第８図（Ａ）及び（Ｂ）から判るように、マーク部分Ｍ
の眉間絶縁膜４に段差が在っても、反射電子の強度分布
には変化を生じないから、その位置は全く検出すること
ができない。尚、このマーク部分Ｍは、半導体装置に於
ける電極・配線の形成と同時に形成されるものであるか
ら、その工程とは別の工程で形成するか、眉間絶縁膜４
の開口を埋めているＡＮ及びその近傍にある第二層目の
電極・配線膜５を選択的に除去する工程を採れば問題は
生じないが、そのようなことをすれば、工程増になるこ
とは当然である。
の眉間絶縁膜４に段差が在っても、反射電子の強度分布
には変化を生じないから、その位置は全く検出すること
ができない。尚、このマーク部分Ｍは、半導体装置に於
ける電極・配線の形成と同時に形成されるものであるか
ら、その工程とは別の工程で形成するか、眉間絶縁膜４
の開口を埋めているＡＮ及びその近傍にある第二層目の
電極・配線膜５を選択的に除去する工程を採れば問題は
生じないが、そのようなことをすれば、工程増になるこ
とは当然である。
前記したような金属材料の埋め込みデポジション技術に
依る電極・配線膜の形成は、半導体装置の微細化、高集
積化に伴い、不可欠のものとなりつつある。
依る電極・配線膜の形成は、半導体装置の微細化、高集
積化に伴い、不可欠のものとなりつつある。
本発明は、金属材料の埋め込みデポジション技術に依っ
て電極・配線膜を形成する半導体装置であっても、その
マーク部分を適確に検出できるようにして、製造工程に
於ける位置合わせを正確に行い得るようにする。
て電極・配線膜を形成する半導体装置であっても、その
マーク部分を適確に検出できるようにして、製造工程に
於ける位置合わせを正確に行い得るようにする。
本発明では、第８図（Ａ）に見られるような埋め込みデ
ポジション技術を通用して電極・配線膜を形成した半導
体装置であっても、Ｘ線を利用すればマーク部分を確実
に検出し得る旨の知見が基礎になっている。
ポジション技術を通用して電極・配線膜を形成した半導
体装置であっても、Ｘ線を利用すればマーク部分を確実
に検出し得る旨の知見が基礎になっている。
第１図は第８図（Ａ）に見られるマーク部分ＭからのＸ
線に起因する信号の波形を表す線図であり、縦軸にはＸ
線強度を、そして、横軸にはウェハ上の位置をそれぞれ
採ってある。
線に起因する信号の波形を表す線図であり、縦軸にはＸ
線強度を、そして、横軸にはウェハ上の位置をそれぞれ
採ってある。
第８図（Ａ）に見られるマーク部分Ｍに電子ビームを照
射すると、微弱なＸ線が放射され、その強度は金属材料
からなる電極・配線膜の厚さに比例する． 従って、第１図に見られるように、マーク部分Ｍに於い
ては、Ｘ線強度のレベルは高くなって確実に検出するこ
とができるから、容易に位置合わせを行うことが可能で
ある。
射すると、微弱なＸ線が放射され、その強度は金属材料
からなる電極・配線膜の厚さに比例する． 従って、第１図に見られるように、マーク部分Ｍに於い
ては、Ｘ線強度のレベルは高くなって確実に検出するこ
とができるから、容易に位置合わせを行うことが可能で
ある。
このようなことから、本発明に於ける位置合わせ方法で
は、位置合わせに用いるマーク部分（例えばマーク部分
Ｍ）を構戒する為に被膜（例えば層間絶縁膜４）に形成
された開口が電極・配線を形戊する為の金属材料（例え
ばＡＩ！）で密実に埋められ且つ同し金属材料が該被膜
を覆って平坦化しているウェハ（例えばウェハＷＦ）に
電子ビーム（例えば電子ビームＥＢ）を照射し、前記マ
ーク部分から発生するＸ線（例えばＸ線ＸＬ）を検出し
て得られる電気信号に基づいて該ウェハの位置合わせを
行う． 〔作用〕 前記手段を採ることに依り、マーク部分を構威する為の
段差が存在する部分を含めて金属材料の埋め込みデポジ
ション技術に依って電極・配線膜を形成され、その表面
が平坦化されている半導体装置であっても、そのマーク
部分を適確に検出することが可能であり、製造工程に於
ける位置合わせを正確に行うことができる。
は、位置合わせに用いるマーク部分（例えばマーク部分
Ｍ）を構戒する為に被膜（例えば層間絶縁膜４）に形成
された開口が電極・配線を形戊する為の金属材料（例え
ばＡＩ！）で密実に埋められ且つ同し金属材料が該被膜
を覆って平坦化しているウェハ（例えばウェハＷＦ）に
電子ビーム（例えば電子ビームＥＢ）を照射し、前記マ
ーク部分から発生するＸ線（例えばＸ線ＸＬ）を検出し
て得られる電気信号に基づいて該ウェハの位置合わせを
行う． 〔作用〕 前記手段を採ることに依り、マーク部分を構威する為の
段差が存在する部分を含めて金属材料の埋め込みデポジ
ション技術に依って電極・配線膜を形成され、その表面
が平坦化されている半導体装置であっても、そのマーク
部分を適確に検出することが可能であり、製造工程に於
ける位置合わせを正確に行うことができる。
第２図乃至第５図は本発明実施の試料である半導体装置
の製造工程を解説する為の工程要所に於ける半導体装置
の要部切断側面図を表し、以下、これ等の図を参照しつ
つ説明する。向、第７図及び第８図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものと
する。
の製造工程を解説する為の工程要所に於ける半導体装置
の要部切断側面図を表し、以下、これ等の図を参照しつ
つ説明する。向、第７図及び第８図に於いて用いた記号
と同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものと
する。
第２図参照
（２１−１
悲酸化法を適用することに依り、例えばシリコンからな
る半導体基板１の上に厚さ例えば１〔μｍ〕程度の二酸
化シリコン（ＳｉＯｚ）からなる絶縁膜２を形成する。
る半導体基板１の上に厚さ例えば１〔μｍ〕程度の二酸
化シリコン（ＳｉＯｚ）からなる絶縁膜２を形成する。
尚、記号Ｅは電極部分を示している．
（２ｉ２
真空蒸着法を適用することに依り、厚さ例えばｌ 〔μ
ｍ〕程度のＡｌからなる第一層目の電極・配線膜を形或
する。
ｍ〕程度のＡｌからなる第一層目の電極・配線膜を形或
する。
（２１ − ３
通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・プ
ロセス及びエノチング・ガスを塩素系ガスとする反応性
イオン・エッチング（『ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ
ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を通用することに依り、前
記第一層目の電極・配線膜のパターニングを行って、第
一層目の電極・配線３Ｅ及び第一層目の金属マーク部分
３Ｍを形成する。
ロセス及びエノチング・ガスを塩素系ガスとする反応性
イオン・エッチング（『ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ
ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）法を通用することに依り、前
記第一層目の電極・配線膜のパターニングを行って、第
一層目の電極・配線３Ｅ及び第一層目の金属マーク部分
３Ｍを形成する。
第３図参照
＋３） − １
化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄ
ｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ：ＣＶＤ）法を適用するこ
とに依り、厚さが例えば１ 〔μｍ〕程度であるＳ ｉ
Ｏ ２からなる層間絶縁膜４を形戒する。
ｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ：ＣＶＤ）法を適用するこ
とに依り、厚さが例えば１ 〔μｍ〕程度であるＳ ｉ
Ｏ ２からなる層間絶縁膜４を形戒する。
第４図参照
（４ｉ１
通常のフォト・リソグラフィ技術に於けるレジスト・プ
ロセス並びにエッチング・ガスをＣＦ，十ＣＨＦ３とす
るＲＩＥ法を適用することに依り、眉間絶縁膜４の選択
的エソチングを行って電極コンタクト・ホール４Ｅ及び
マーク用開口４Ｍを形戒する。
ロセス並びにエッチング・ガスをＣＦ，十ＣＨＦ３とす
るＲＩＥ法を適用することに依り、眉間絶縁膜４の選択
的エソチングを行って電極コンタクト・ホール４Ｅ及び
マーク用開口４Ｍを形戒する。
第５図参照
（５１−１
熱処理を伴う埋め込みデポジション技術を適用すること
に依り、厚さ例えば１ 〔μｍ）（１も薄い部分）程度
のＡｆからなる第二層目の電極・配線膜５を形戒する。
に依り、厚さ例えば１ 〔μｍ）（１も薄い部分）程度
のＡｆからなる第二層目の電極・配線膜５を形戒する。
この第二層目の電極・配線ＩＩ！！ ５の表面が殆ど平
坦であることは云うまでもない。
坦であることは云うまでもない。
前記したように第二層目の電極・配線ＩＩＩ ５を形成
してから、これをパターニングして、第二層目の電極・
配線や第二層目の金属マーク部分を形成しなければなら
ないが、その際のウェハとマスクの位置合わせを行うに
は、マーク部分Ｍに電子ビームを照射することに依って
発生するＸ線を検出する． 第６図は本発明を実施する装置を例示する要部説明図を
表している． 図に於いて、ＥＧは電子銃、ＥＢは電子ビーム、ＷＦは
ウェハ、ＸＬはＸ線、ＤＴはＸ線検出器、ＡＲは増幅器
、ＬＧは演算器をそれぞれ示している． ここで用いているＸ線検出器ＤＴは、通常、ＳＳＤ （
ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）と呼
ばれ、その主体は逆バイアス電圧を印加したｐｎ接合ダ
イオードであって、そこに放射線（Ｘ線）が入射するし
た場合、前記逆バイアス電圧を印加したことに依ってｐ
ｎ接合から延び出ている空乏層に電子・正孔対が発生す
るので、それを電荷として取り出すものである．このよ
うなＸ検出器ＤＴとしては、走査型電子顕微鏡（ｓｃａ
ｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｓ：ＳＥＭ）にオブシッン部品となっているものを使
用することができる。
してから、これをパターニングして、第二層目の電極・
配線や第二層目の金属マーク部分を形成しなければなら
ないが、その際のウェハとマスクの位置合わせを行うに
は、マーク部分Ｍに電子ビームを照射することに依って
発生するＸ線を検出する． 第６図は本発明を実施する装置を例示する要部説明図を
表している． 図に於いて、ＥＧは電子銃、ＥＢは電子ビーム、ＷＦは
ウェハ、ＸＬはＸ線、ＤＴはＸ線検出器、ＡＲは増幅器
、ＬＧは演算器をそれぞれ示している． ここで用いているＸ線検出器ＤＴは、通常、ＳＳＤ （
ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）と呼
ばれ、その主体は逆バイアス電圧を印加したｐｎ接合ダ
イオードであって、そこに放射線（Ｘ線）が入射するし
た場合、前記逆バイアス電圧を印加したことに依ってｐ
ｎ接合から延び出ている空乏層に電子・正孔対が発生す
るので、それを電荷として取り出すものである．このよ
うなＸ検出器ＤＴとしては、走査型電子顕微鏡（ｓｃａ
ｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏ
ｐｓ：ＳＥＭ）にオブシッン部品となっているものを使
用することができる。
さて、この装置に於いて、電子銃ＥＧから放射される電
子ビームＥＢでウェハＷＦのマーク部分を照射すると、
前記説明したように、マーク部分からはＸ線ＸＬが発生
するので、それをＸ線検出器ＤＴで受けて電気信号に変
換し、増幅器ＡＲで増幅し、そして、演算器ＬＧに於い
て位置と信号強度との関係を演算する。
子ビームＥＢでウェハＷＦのマーク部分を照射すると、
前記説明したように、マーク部分からはＸ線ＸＬが発生
するので、それをＸ線検出器ＤＴで受けて電気信号に変
換し、増幅器ＡＲで増幅し、そして、演算器ＬＧに於い
て位置と信号強度との関係を演算する。
このようにすることで、演算器ＬＧからは、第ｌ図につ
いて説明した信号を得ることができるので、それを利用
して位置合わせを行うことが可能になる． 〔発明の効果〕 本発明に依る位置合わせ方法に於いては、マーク部分を
構威する為に被膜に形成された開口が電極・配線を形成
する為の金属材料で埋められ且つ同じ金属材料が該被膜
を覆って平坦化しているウェハに電子ビームを照射し、
そのマーク部分から発生するＸ，％Ｉを検出して得られ
る電気信号に基づいて該ウェハの位置合わせを行ってい
る．前記構成を採ることに依り、マーク部分を構威する
為の段差が存在する部分を含めて金属材料の埋め込みデ
ポジション技術に依って電極・配線膜を形成され、その
表面が平坦化されている半導体装置であっても、そのマ
ーク部分を適確に検出することが可能であり、製造工程
に於ける位置合わせを正確に行うことができる．
いて説明した信号を得ることができるので、それを利用
して位置合わせを行うことが可能になる． 〔発明の効果〕 本発明に依る位置合わせ方法に於いては、マーク部分を
構威する為に被膜に形成された開口が電極・配線を形成
する為の金属材料で埋められ且つ同じ金属材料が該被膜
を覆って平坦化しているウェハに電子ビームを照射し、
そのマーク部分から発生するＸ，％Ｉを検出して得られ
る電気信号に基づいて該ウェハの位置合わせを行ってい
る．前記構成を採ることに依り、マーク部分を構威する
為の段差が存在する部分を含めて金属材料の埋め込みデ
ポジション技術に依って電極・配線膜を形成され、その
表面が平坦化されている半導体装置であっても、そのマ
ーク部分を適確に検出することが可能であり、製造工程
に於ける位置合わせを正確に行うことができる．
第１図はマーク部分からのＸｗＡに起因する信号の波形
を表す線図、第２図乃至第５図は本発明を実施する試料
である半導体装置の製造工程を解説する為の工程要所に
於ける半導体装置の要部切断側面図、第６図は本発明を
実施する装置を例示する要部説明図、第７図（Ａ）は半
導体装置に於けるマーク部分を説明する為の要部切断側
面図、第７図（Ｂ）はマーク部分Ｍからの反射電子に依
る信号波形を表す線図、第８図（Ａ）は金属材料の埋め
込みデポジション技術を適用して得られた半導体装置の
要部切断側面図、第８図（Ｂ）は第８図（Ａ）に見られ
るマーク部分Ｍからの反射電子に依る信号波形を表す線
図である。 図に於いて、１は半導体基板、２は絶縁膜、３は例えば
Ａｌからなる第一層目の電極・配線、４は眉間絶縁膜、
５は例えばＡｌからなる第二層目の電極・配線膜、Ｍは
マーク部分、ＥＣは電子銃、ＥＢは電子ビーム、ＷＦは
ウェハ、ＸＬはＸ線、ＤＴはＸＩＩＡ検出器、ＡＲは増
幅器、ＬＧは演算器をそれぞれ示している．
を表す線図、第２図乃至第５図は本発明を実施する試料
である半導体装置の製造工程を解説する為の工程要所に
於ける半導体装置の要部切断側面図、第６図は本発明を
実施する装置を例示する要部説明図、第７図（Ａ）は半
導体装置に於けるマーク部分を説明する為の要部切断側
面図、第７図（Ｂ）はマーク部分Ｍからの反射電子に依
る信号波形を表す線図、第８図（Ａ）は金属材料の埋め
込みデポジション技術を適用して得られた半導体装置の
要部切断側面図、第８図（Ｂ）は第８図（Ａ）に見られ
るマーク部分Ｍからの反射電子に依る信号波形を表す線
図である。 図に於いて、１は半導体基板、２は絶縁膜、３は例えば
Ａｌからなる第一層目の電極・配線、４は眉間絶縁膜、
５は例えばＡｌからなる第二層目の電極・配線膜、Ｍは
マーク部分、ＥＣは電子銃、ＥＢは電子ビーム、ＷＦは
ウェハ、ＸＬはＸ線、ＤＴはＸＩＩＡ検出器、ＡＲは増
幅器、ＬＧは演算器をそれぞれ示している．
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 位置合わせに用いるマーク部分を構成する為に被膜に形
成された開口が電極・配線を形成する為の金属材料で密
実に埋められ且つ同じ金属材料が該被膜を覆って平坦化
しているウェハに電子ビームを照射し、 前記マーク部分から発生するＸ線を検出して得られる電
気信号に基づいて該ウェハの位置合わせを行うこと を特徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1152391A JPH0319309A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1152391A JPH0319309A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319309A true JPH0319309A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15539491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1152391A Pending JPH0319309A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985124A (en) * | 1997-01-29 | 1999-11-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Nickel or nickel alloy electroplating bath and plating process using the same |
| KR100610555B1 (ko) * | 2003-05-26 | 2006-08-10 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1152391A patent/JPH0319309A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985124A (en) * | 1997-01-29 | 1999-11-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Nickel or nickel alloy electroplating bath and plating process using the same |
| KR100610555B1 (ko) * | 2003-05-26 | 2006-08-10 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
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