JP2009059991A - プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009059991A JP2009059991A JP2007227396A JP2007227396A JP2009059991A JP 2009059991 A JP2009059991 A JP 2009059991A JP 2007227396 A JP2007227396 A JP 2007227396A JP 2007227396 A JP2007227396 A JP 2007227396A JP 2009059991 A JP2009059991 A JP 2009059991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- electrode
- plasma
- substrate
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマプロセス検出用センサ30は、ウェットエッチングにより、上部電極35のホール直径D10を殆ど広げることなく、絶縁膜34のホール直径D11を広げるようにしている。そのため、センサ30をプラズマ41に曝した場合、コンタクトホール底へ入射する正イオンhは絶縁膜34のホール本体内壁面に衝突し難くなる。その結果、絶縁膜34のホール本体内壁面はダメージを受け難くなり、電気伝導をアシストする欠陥準位の発生を抑制することができる。よって、プラズマエッチング条件の環境下で、チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化を抑制できる。
【選択図】図1
Description
センサ10をプラズマエッチング条件の環境であるプラズマ21に曝すと、上部電極15はマイナスに帯電し、コンタクトホール底つまり下部電極13はプラスに帯電し、チャージアップが発生する。この電荷の偏り度合い(チャージアップ量)は、上部電極15と下部電極13の電位差として電圧測定器20で計測し、プラズマエッチング条件に対するチャージアップ量を定量的に測定することができる。
図1は、本発明の実施例1を示すプラズマプロセス検出用センサの概略の断面図である。
このプラズマプロセス検出用センサ30は、プラズマ41により発生する電子e及び正イオンhの状態を測定するものであり、基板(例えば、シリコン基板)31を有している。シリコン基板31上には、膜厚約1.0μmのシリコン酸化膜(Si02膜)等からなる絶縁膜32が形成されている。絶縁膜32上には、膜厚約300nmのポリシリコン(Poly−Si)等の導電性物質からなる第1の電極(例えば、下部電極)33が選択的に形成され、この上に、膜厚約1.0μmのシリコン酸化膜等からなる絶縁膜34が堆積されている。絶縁膜34上には、膜厚約300nmのポリシリコン等の導電性物質からなる第2の電極(例えば、上部電極)35が選択的に形成されている。
図2−1〜図2−5は、図1のプラズマプロセス検出用センサ30の製造方法例を示す概略の断面工程図である。
図1において、図示しないプラズマ処理装置に設けられたプラズマチャンバ内にプラズマプロセス検出用センサ30を設置し、そのプラズマ処理装置にRFバイアスを印加してプラズマチャンバ内にプラズマ41を発生させ、プラズマエッチング条件を形成する。プラズマエッチング条件(プラズマ41)にセンサ30を曝すと、同一量の電子eと正イオンhがセンサ表面に向かってくる。この時、電子eは正イオンhほど垂直に入射しないため、コンタクトホール底方向に向かってくる電子eの一部はコンタクトホール36の内壁面に衝突し、コンタクトホール底まで到達できない。
図3は、本発明の実施例1のおける半導体装置の製造に使用されるプラズマ処理装置を示す概略の構成図である。
本実施例1によれば、次の(a)、(b)のような効果がある。
図4は、本発明の実施例2を示すプラズマプロセス検出用センサの概略の断面図であり、実施例1を示す図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
センサ30Aの他の構成及び製造方法は、実施例1と同様である。
プラズマエッチング条件にセンサ30Aを曝すと、同一量の電子eと正イオンhがセンサ表面に向かってくる。この時、電子eは正イオンhほど垂直に入射しないため、コンタクトホール底方向に向かってくる電子eの一部はホール本体36bの内壁面に衝突し、コンタクトホール底まで到達できない。そのため、下部電極33には、正イオンhの方が多く堆積する。一方、上部電極35には電子eの方が多く蓄積する。よって、上部電極35及び下部電極33間に電荷の偏りが発生し、プラズマエッチング条件に対する電荷の偏り度合い(チャージアップ量)を電圧測定器40により電極間の電位差として計測する。
本実施例2のセンサ30Aによれば、上部電極35及び下部電極33間の絶縁膜34のホール直径D11を広げるようにしているので、コンタクトホール底方向に向う正イオンhの絶縁膜34への衝突が減少する。そのため、絶縁膜34のホール本体内壁面はダメージを受け難くなって欠陥準位の発生が抑制され、チャージアップの測定中にセンサ機能の経時劣化を抑制することができる。この場合、次に述べる問題(1)〜(3)が懸念される。
本発明は、上記実施例に限定されず、例えば、センサ30,30Aの構成や製造方法等を図示以外のものに変更する等、種々の利用形態や変形が可能である。
31 シリコン基板
32,34,42 絶縁膜
33 下部電極
35 上部電極
36 コンタクトホール
40 電圧測定器
41 プラズマ
50 プラズマ処理装置
Claims (6)
- 基板と、
前記基板とは絶縁された状態で前記基板上に選択的に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に堆積された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面に選択的に形成され、プラズマエッチング中はプラズマに曝される第2の電極と、
前記第2の電極に形成された開口部と、
前記絶縁膜に穿設され、前記開口部よりも大きな口径で、前記第1の電極を露出する深さのコンタクトホールと、
前記第1及び第2の電極間の電位差を測定する測定器と、
を有することを特徴とするプラズマプロセス検出用センサ。 - 基板と、
前記基板とは絶縁された状態で前記基板上に選択的に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に堆積された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の表面に選択的に形成され、プラズマエッチング中はプラズマに曝される第2の電極と、
前記第2の電極に形成された第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜に穿設され、前記第1の開口部よりも大きな口径で、前記第1の開口部から前記第1の絶縁膜の表面に達する深さのコンタクトホールと、
前記コンタクトホール下の前記第1の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の口径よりも小さな口径の第2の開口部と、
前記プラズマエッチング中に前記第1及び第2の電極間の電位差を測定する測定器と、 を有することを特徴とするプラズマプロセス検出用センサ。 - 基板上に、前記基板とは絶縁された状態で選択的に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に絶縁膜を堆積する工程と、
プラズマエッチング中はプラズマに曝される第2の電極を前記絶縁膜の表面に選択的に形成する工程と、
ドライエッチングにより、前記第2の電極の表面から前記第1の電極の表面に達する深さまで前記第2の電極及び前記絶縁膜を削ってコンタクトホールを形成する工程と、
ウェットエッチングにより、前記絶縁膜に形成された前記コンタクトホールの内壁面を削って口径を広げる工程と、
前記第1及び第2の電極間の電位差を測定する測定器を、前記第1及び第2の電極に接続する工程と、
を有することを特徴とするプラズマプロセス検出用センサの製造方法。 - 基板上に、前記基板とは絶縁された状態で選択的に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積する工程と、
プラズマエッチング中はプラズマに曝される第2の電極を前記第2の絶縁膜の表面に選択的に形成する工程と、
ドライエッチングにより、前記第2の電極の表面から前記第1の電極の表面に達する深さまで前記第2の電極、前記第2の絶縁膜、及び前記第1の絶縁膜を削ってコンタクトホールを形成する工程と、
ウェットエッチングにより、前記第2の絶縁膜に形成された前記コンタクトホールの内壁面を削って口径を広げる工程と、
前記第1及び第2の電極間の電位差を測定する測定器を、前記第1及び第2の電極に接続する工程と、
を有することを特徴とするプラズマプロセス検出用センサの製造方法。 - 被処理基板の表面又は前記被処理基板の近傍に、請求項1又は2記載のプラズマプロセス検出用センサを設置する工程と、
プラズマを前記被処理基板の表面及び前記プラズマプロセス検出用センサの表面に照射し、前記プラズマプロセス検出用センサの前記第1の電極と前記第2の電極との電位差に基づいてプラズマエッチングの処理状態を制御しつつ、前記被処理基板に対しプラズマエッチング処理を施して半導体装置を製造する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記プラズマプロセス検出用センサは、前記被処理基板の表面内の異なる箇所に複数設けられていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227396A JP4914789B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US12/219,305 US8419892B2 (en) | 2007-09-03 | 2008-07-18 | Plasma process detecting sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007227396A JP4914789B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059991A true JP2009059991A (ja) | 2009-03-19 |
JP4914789B2 JP4914789B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=40408110
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007227396A Expired - Fee Related JP4914789B2 (ja) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8419892B2 (ja) |
JP (1) | JP4914789B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011171506A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップ |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5271768B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-08-21 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | プラズマモニタリング方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778829A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08124896A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Hitachi Ltd | プラズマ評価装置およびその製造方法 |
JPH09252038A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | プラズマ損傷評価装置及びプラズマ損傷評価方法 |
JP2000208486A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
JP2000311890A (ja) * | 1999-03-22 | 2000-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマエッチング方法および装置 |
JP2003282546A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | オンウエハ・モニタリング・システム |
JP2005236199A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | プラズマプロセスのリアルタイムモニタ装置 |
JP2009059880A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマモニタリング方法及びプラズマモニタリングシステム |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050011611A1 (en) * | 2002-07-12 | 2005-01-20 | Mahoney Leonard J. | Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments |
-
2007
- 2007-09-03 JP JP2007227396A patent/JP4914789B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-07-18 US US12/219,305 patent/US8419892B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778829A (ja) * | 1993-07-16 | 1995-03-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08124896A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Hitachi Ltd | プラズマ評価装置およびその製造方法 |
JPH09252038A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | プラズマ損傷評価装置及びプラズマ損傷評価方法 |
JP2000208486A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
JP2000311890A (ja) * | 1999-03-22 | 2000-11-07 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマエッチング方法および装置 |
JP2003282546A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | オンウエハ・モニタリング・システム |
JP2005236199A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk | プラズマプロセスのリアルタイムモニタ装置 |
JP2009059880A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマモニタリング方法及びプラズマモニタリングシステム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011171506A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090061540A1 (en) | 2009-03-05 |
US8419892B2 (en) | 2013-04-16 |
JP4914789B2 (ja) | 2012-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5837012B2 (ja) | モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム | |
JP5407019B2 (ja) | プラズマモニタリング方法 | |
KR0170456B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
CN101295624A (zh) | 缺陷的检测结构及其制作方法、检测方法 | |
JP3957705B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4914789B2 (ja) | プラズマプロセス検出用センサ、そのセンサの製造方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP3250465B2 (ja) | 電子シェーディングダメージの測定方法 | |
US6441398B2 (en) | Algorithm for detecting sloped contact holes using a critical-dimension waveform | |
JP5276926B2 (ja) | コンタクトホール側壁の抵抗値測定方法 | |
JP3846016B2 (ja) | 電子シェーディングダメージの測定方法 | |
JP3563446B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP7052367B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3307240B2 (ja) | 電子シェーディングダメージの測定方法 | |
US6859023B2 (en) | Evaluation method for evaluating insulating film, evaluation device therefor and method for manufacturing evaluation device | |
JP3780849B2 (ja) | イオン電流測定方法および測定装置 | |
CN114093785A (zh) | 用于监控微刻蚀风险的衬底结构及监控方法 | |
JP3269411B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5530214B2 (ja) | 半導体集積装置の評価システム及び評価用半導体チップ | |
JP2016514372A (ja) | 金属酸化物半導体tft用誘電体膜のピンホール評価方法 | |
JP4506181B2 (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
TW502362B (en) | Semiconductor device capable of detecting defects of gate contact | |
JP5255907B2 (ja) | プラズマモニタリングシステム | |
JP2003133383A (ja) | 絶縁膜の評価方法、その評価装置及びその評価装置の製造方法 | |
JP2005150208A (ja) | Soiウェーハの評価方法 | |
JP2003258048A (ja) | 電気的異物検出方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081224 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4914789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |