JPS5914548B2 - イオンエツチング法 - Google Patents
イオンエツチング法Info
- Publication number
- JPS5914548B2 JPS5914548B2 JP5056977A JP5056977A JPS5914548B2 JP S5914548 B2 JPS5914548 B2 JP S5914548B2 JP 5056977 A JP5056977 A JP 5056977A JP 5056977 A JP5056977 A JP 5056977A JP S5914548 B2 JPS5914548 B2 JP S5914548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- ion etching
- etching method
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電層のイオンエッチング法に関し、特にエッ
チングの終了の判定を正確に行なえる様にしたイオンエ
ッチング法に関するものである。
チングの終了の判定を正確に行なえる様にしたイオンエ
ッチング法に関するものである。
通常のイオンエッチング装置では、絶縁層等をエッチン
グするため、発生したイオンを加速した後二エートライ
ザーで電子を供給し、イオンを中性して、試料面に衝撃
を与える様にしていた。この様なイオンエッチングでは
、被エッチング層のエッチングの終了が正確に判定され
ないとエッチングされてはならない下層までエッチング
されてしまうため好ましくない。このため従来は、エッ
チング時に発生するガスの質量を分析して、エッチング
の終点を検知して5 いた。
グするため、発生したイオンを加速した後二エートライ
ザーで電子を供給し、イオンを中性して、試料面に衝撃
を与える様にしていた。この様なイオンエッチングでは
、被エッチング層のエッチングの終了が正確に判定され
ないとエッチングされてはならない下層までエッチング
されてしまうため好ましくない。このため従来は、エッ
チング時に発生するガスの質量を分析して、エッチング
の終点を検知して5 いた。
ところが、この質量分析を行なうための質量分析装置が
非常に高価である欠点がある。
非常に高価である欠点がある。
本発明はこの様な欠点を除去することを目的とし、この
様な目的は、基板上の導電層上にマスク70を形成し、
該マスクを介してイオンによシ該導電層をエッチングす
る様にしたイオンエッチング法において、エッチング中
に該導電層に流れ$電流を検出し、該電流が所定の値以
下になつた時エッチングを停止する様にしたことを特徴
とするイオ15 ンエソチング法によつて達成される。
様な目的は、基板上の導電層上にマスク70を形成し、
該マスクを介してイオンによシ該導電層をエッチングす
る様にしたイオンエッチング法において、エッチング中
に該導電層に流れ$電流を検出し、該電流が所定の値以
下になつた時エッチングを停止する様にしたことを特徴
とするイオ15 ンエソチング法によつて達成される。
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。第1図
は、本発明の一実施例を示す図で、第2図は検出器で検
出される電流の変化を示す図である。図中1はガラス基
板、2はTi層、3はレジスク0 卜層、4ぱ検出器、
15はイオンビームである。作用を説明すると、ガラス
基板1上に蒸着により、Ti層2を形成し、更にレジス
ト層3によりマスクを形成する。次に図示しないイオン
源からイオンビーム5を25レジストを介して、Ti層
2に衝突させて、Ti層2のエッチングを行なう。
は、本発明の一実施例を示す図で、第2図は検出器で検
出される電流の変化を示す図である。図中1はガラス基
板、2はTi層、3はレジスク0 卜層、4ぱ検出器、
15はイオンビームである。作用を説明すると、ガラス
基板1上に蒸着により、Ti層2を形成し、更にレジス
ト層3によりマスクを形成する。次に図示しないイオン
源からイオンビーム5を25レジストを介して、Ti層
2に衝突させて、Ti層2のエッチングを行なう。
この時ニユートライザーの作用を弱めて、エッチングす
ると、Ti層2にイオン電流が流れる。
ると、Ti層2にイオン電流が流れる。
第2図は、Ti層2に流れる電流を検出器4で30モニ
ターしたもので、横軸は時間、縦軸は電流値を示す。図
から明らかな様にエッチングが進み、所定時間経過する
と、急に電流値が減少する。これはTi層2がエッチン
グされてしまい、イオンがTi層2に衝突しなくなつた
ためである。35この方法において、ニユートラィザー
の作用を強めると逆に電子電流が流れ、極性は異なるが
、同様の電流変化を検出することが可能である。
ターしたもので、横軸は時間、縦軸は電流値を示す。図
から明らかな様にエッチングが進み、所定時間経過する
と、急に電流値が減少する。これはTi層2がエッチン
グされてしまい、イオンがTi層2に衝突しなくなつた
ためである。35この方法において、ニユートラィザー
の作用を強めると逆に電子電流が流れ、極性は異なるが
、同様の電流変化を検出することが可能である。
iCり周ニユートライザ一の働きを弱めるとレジストの
エツチングレートが低下する利点がある。
エツチングレートが低下する利点がある。
以上述べた様に本発明によれば、導電層に流れる電流の
変化を検出して、エツチングの終了を検知する様にして
いるので高価な質量分析装置を用いる必要がなくなる。
変化を検出して、エツチングの終了を検知する様にして
いるので高価な質量分析装置を用いる必要がなくなる。
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図は検出器に
流れる電流を示す図である。 図中1はガラス基板、2はTi層、3はレジスト層、4
は検出器である。
流れる電流を示す図である。 図中1はガラス基板、2はTi層、3はレジスト層、4
は検出器である。
Claims (1)
- 1 基板上の導電層上にマスクを形成し、該マスクを形
成し、該マスクを介してイオンにより該導電層をエッチ
ングする様にしたイオンエッチング法において、エッチ
ング中に該導電層に流れる電流を検出し、該電流が所定
の値以下になつた時エッチングを停止する様にしたこと
を特徴とするイオンエッチング法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5056977A JPS5914548B2 (ja) | 1977-04-30 | 1977-04-30 | イオンエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5056977A JPS5914548B2 (ja) | 1977-04-30 | 1977-04-30 | イオンエツチング法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53135842A JPS53135842A (en) | 1978-11-27 |
JPS5914548B2 true JPS5914548B2 (ja) | 1984-04-05 |
Family
ID=12862626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5056977A Expired JPS5914548B2 (ja) | 1977-04-30 | 1977-04-30 | イオンエツチング法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5914548B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0434682Y2 (ja) * | 1985-04-30 | 1992-08-18 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4358338A (en) * | 1980-05-16 | 1982-11-09 | Varian Associates, Inc. | End point detection method for physical etching process |
US6127237A (en) * | 1998-03-04 | 2000-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching end point detecting method based on junction current measurement and etching apparatus |
-
1977
- 1977-04-30 JP JP5056977A patent/JPS5914548B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0434682Y2 (ja) * | 1985-04-30 | 1992-08-18 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53135842A (en) | 1978-11-27 |
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