JPH0462857A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH0462857A JPH0462857A JP16713890A JP16713890A JPH0462857A JP H0462857 A JPH0462857 A JP H0462857A JP 16713890 A JP16713890 A JP 16713890A JP 16713890 A JP16713890 A JP 16713890A JP H0462857 A JPH0462857 A JP H0462857A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の検査方法、特に半導体装置のコン
タクト窓開孔不良となる不良箇所を検出する方法に関す
るものである。
タクト窓開孔不良となる不良箇所を検出する方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、半導体装置の微細化、高集積化が進み、デバイス
構造も複雑化している。例えば、・多層配線技術でも従
来の単層配線から２層、３層配線へと複雑化してきてい
る。このような微細化、高集積化が進むと、半導体装置
の不良箇所を検出することが困難になってきている。従
来は不良箇所検出のためにＡＩ配線をプローブ釧あるい
はレーザ光線等で切断し、Ａ１配線」−にプローブ針を
立てて、電圧または電流を測定しながら不良箇所を検出
していた。
構造も複雑化している。例えば、・多層配線技術でも従
来の単層配線から２層、３層配線へと複雑化してきてい
る。このような微細化、高集積化が進むと、半導体装置
の不良箇所を検出することが困難になってきている。従
来は不良箇所検出のためにＡＩ配線をプローブ釧あるい
はレーザ光線等で切断し、Ａ１配線」−にプローブ針を
立てて、電圧または電流を測定しながら不良箇所を検出
していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の検査方法では、微細化のため
にプローブ針を立てることが困難となりつつあり、高度
に集積された回路の局所的コンタクト不良を発見するの
に多大な時間と労力とを要するという欠点を有していた
。
にプローブ針を立てることが困難となりつつあり、高度
に集積された回路の局所的コンタクト不良を発見するの
に多大な時間と労力とを要するという欠点を有していた
。
本発明は、」−記従来の問題点を解決するもので、半導
体装置の不良箇所、特にコンタクト窓開孔不良箇所を簡
単に検出てきることを目的とする。
体装置の不良箇所、特にコンタクト窓開孔不良箇所を簡
単に検出てきることを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、半導体装置表面に集束イオ
ンビームを局所的に照射し、半導体装置表面を局所的に
帯電させ、前記半導体装置表面より放射される二次電子
量変化を測定し、二次電子に基づく画像を表示するとい
う構成を有している。
ンビームを局所的に照射し、半導体装置表面を局所的に
帯電させ、前記半導体装置表面より放射される二次電子
量変化を測定し、二次電子に基づく画像を表示するとい
う構成を有している。
また、半導体装置表面に集束イオンビームを局所的に照
射し、半導体装置表面を局所的に帯電させ、前記半導体
装置の基板電流量変化を測定し、表示するという構成を
有している。
射し、半導体装置表面を局所的に帯電させ、前記半導体
装置の基板電流量変化を測定し、表示するという構成を
有している。
作用
この構成によって、半導体装置表面に集束イオンビーム
を局所的に照射すると、半導体装置表面を正に帯電させ
る。また、半導体装置表面」−に金属表面が露出してい
ると、帯電した電荷は導電性のある配線部分に流れこみ
、コンタクト窓部ては、シリコン基板に流れこむ。コン
タクト窓部に酸化膜のような絶縁膜が残っていて、開孔
していない場合、電荷はシリコン基板に流れこまず、配
線部分を帯電させる。集束イオンビームによって励起さ
れた二次電子像を観察すると配線表面およびエツジ効果
によりコンタクト窓部が観察されるが、コンタクト窓が
開孔していない場合、シリコン基板への電荷の流れこみ
かないため、帯電量が増加し放出される二次電子量が減
少する。よって、集束イオンビームによって励起された
二次電子像は輝度が減少する。このことにより、コンタ
クト窓開孔不良箇所が検出てきる。また、コンタクト窓
が開孔していない場合、シリコン基板の基板電流は微少
電流となる。このことにより、コンタクト窓開孔不良箇
所が検出できる。
を局所的に照射すると、半導体装置表面を正に帯電させ
る。また、半導体装置表面」−に金属表面が露出してい
ると、帯電した電荷は導電性のある配線部分に流れこみ
、コンタクト窓部ては、シリコン基板に流れこむ。コン
タクト窓部に酸化膜のような絶縁膜が残っていて、開孔
していない場合、電荷はシリコン基板に流れこまず、配
線部分を帯電させる。集束イオンビームによって励起さ
れた二次電子像を観察すると配線表面およびエツジ効果
によりコンタクト窓部が観察されるが、コンタクト窓が
開孔していない場合、シリコン基板への電荷の流れこみ
かないため、帯電量が増加し放出される二次電子量が減
少する。よって、集束イオンビームによって励起された
二次電子像は輝度が減少する。このことにより、コンタ
クト窓開孔不良箇所が検出てきる。また、コンタクト窓
が開孔していない場合、シリコン基板の基板電流は微少
電流となる。このことにより、コンタクト窓開孔不良箇
所が検出できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための半導体装置
の配線部分の断面を示すものである。なお、図では説明
を容易にするために集積回路の配線部分のみを示し、ト
ランジスタ領域の断面は示していない。図において、１
はシリコン基板、２は不純物拡散層、３は層間絶縁膜、
４はコンタクト窓、５は導電性被膜、６はコンタクト窓
である。
の配線部分の断面を示すものである。なお、図では説明
を容易にするために集積回路の配線部分のみを示し、ト
ランジスタ領域の断面は示していない。図において、１
はシリコン基板、２は不純物拡散層、３は層間絶縁膜、
４はコンタクト窓、５は導電性被膜、６はコンタクト窓
である。
第２図は本発明の一実施例を実現するだめの装置の構成
を示す図である。図において、１０は半導体装置、１１
はイオン源、１２は集束イオンビーム、１３は加速器、
１４−はコンデンサーレンズ、１５はコンデンサーレン
ズ電源、１６はブランカ、１７はブランキング電源、１
８は可動しぼり、１９はステイグメータ、２０は対物レ
ンズ、２１は偏向器、２２は二次電子検出器、２３は二
次電子測定回路、２４は時間微分回路、２５は差動増幅
器、２６は基準電圧源、２７は表示装置、２８はビーム
電流制御回路、２９は試料台である。
を示す図である。図において、１０は半導体装置、１１
はイオン源、１２は集束イオンビーム、１３は加速器、
１４−はコンデンサーレンズ、１５はコンデンサーレン
ズ電源、１６はブランカ、１７はブランキング電源、１
８は可動しぼり、１９はステイグメータ、２０は対物レ
ンズ、２１は偏向器、２２は二次電子検出器、２３は二
次電子測定回路、２４は時間微分回路、２５は差動増幅
器、２６は基準電圧源、２７は表示装置、２８はビーム
電流制御回路、２９は試料台である。
このような構成によって半導体装置１０のチップ表面に
局所的に走査集束イオンビームを照射し、かつチップ表
面の任意の位置に移動することができる。
局所的に走査集束イオンビームを照射し、かつチップ表
面の任意の位置に移動することができる。
まず、コンタクト窓開孔不良箇所を検出するため、集束
イオンビーム】２として例えば加速電圧３０ ｋ Ｖ
、イオンビーム電流１０ｐＡ、ビーム径０．１μｍの正
のＧａイオンを半導体装置１０表面上に照射し、１００
０倍以下の倍率で二次電子像を観察する。Ｇａイオンは
半導体装置１０表面を正に帯電させる。金属表面が露出
していると、帯電した電荷は導電性被膜９例えばＡ１合
金膜に流れこむ。またコンタクト窓４部分ては、導゛電
性披膜９．不純物拡散層２を通してシリコン基板１に流
れこみ、さらに入射イオンのエツジ効果により多量の二
次電子が放出される。二次電子像として、第２図に示し
た二次電子検出器２２に印加する高電圧、および、ビデ
オ信号ＤＣレヘルを的確に選ぶことにより導電性被膜９
表面およびコンタクト窓４が表示装置２７に表示される
。
イオンビーム】２として例えば加速電圧３０ ｋ Ｖ
、イオンビーム電流１０ｐＡ、ビーム径０．１μｍの正
のＧａイオンを半導体装置１０表面上に照射し、１００
０倍以下の倍率で二次電子像を観察する。Ｇａイオンは
半導体装置１０表面を正に帯電させる。金属表面が露出
していると、帯電した電荷は導電性被膜９例えばＡ１合
金膜に流れこむ。またコンタクト窓４部分ては、導゛電
性披膜９．不純物拡散層２を通してシリコン基板１に流
れこみ、さらに入射イオンのエツジ効果により多量の二
次電子が放出される。二次電子像として、第２図に示し
た二次電子検出器２２に印加する高電圧、および、ビデ
オ信号ＤＣレヘルを的確に選ぶことにより導電性被膜９
表面およびコンタクト窓４が表示装置２７に表示される
。
コンタクト窓が層間絶縁膜３によって覆われていて開孔
していないコンタクト窓６がある場合、層間絶縁膜３に
よりコンタクＩ・窓６部分への電荷の流れこみがな（な
る。よって帯電量が増加し放出される二次電子量が減少
する。表示装置２７に輝度が減少した二次電子像が観察
される。このことにより、コンタクト窓開孔不良箇所を
検出することができる。
していないコンタクト窓６がある場合、層間絶縁膜３に
よりコンタクＩ・窓６部分への電荷の流れこみがな（な
る。よって帯電量が増加し放出される二次電子量が減少
する。表示装置２７に輝度が減少した二次電子像が観察
される。このことにより、コンタクト窓開孔不良箇所を
検出することができる。
また、集束イオンビームによりコンタクト窓開孔不良箇
所をスパッタエツチングにより断面加工を施し、コンタ
クト窓部の構造を二次電子像観察することにより、コン
タクＩ・窓開孔不良原因を解明することかで・きる。
所をスパッタエツチングにより断面加工を施し、コンタ
クト窓部の構造を二次電子像観察することにより、コン
タクＩ・窓開孔不良原因を解明することかで・きる。
以下、本発明の第２の実施例として多層配線構造におけ
るコンタクト窓開孔不良箇所の検出方法について、図面
を参照しながら説明する。
るコンタクト窓開孔不良箇所の検出方法について、図面
を参照しながら説明する。
第３図は本実施例を説明するだめの半導体装置の配線部
分の断面を示す。図において、３１はジノコン基板、３
２は不純物拡散層、３３は層間絶縁膜、３４はコンタク
ト窓、３５は第１層Ａ１配線、３６は層間絶縁膜、３７
は第２層ＡＩ配線、３８はコンタクト窓、３９はコンタ
クト窓Ｂであるく第３図（ａ））。
分の断面を示す。図において、３１はジノコン基板、３
２は不純物拡散層、３３は層間絶縁膜、３４はコンタク
ト窓、３５は第１層Ａ１配線、３６は層間絶縁膜、３７
は第２層ＡＩ配線、３８はコンタクト窓、３９はコンタ
クト窓Ｂであるく第３図（ａ））。
まず、集束イオンビームとして例えば加速電圧３０ｋＶ
、イオンビーム電流１０ｐＡ、ビーム径０．１μｍの正
のＧａイオンを半導体装置１１表面上に照射し、１００
０倍以下の倍率で第１層ＡＩ配線の二次電子像を観察す
る。実施例１て説明したように、イオンビーム照射によ
る二次電子放出特性より二次電子像として、二次電子検
出器２２に印加する高電圧、および、ビデオ信号ＤＣレ
ベルを適確に選ぶことにより第２層Ａ１配線３７表面お
よびコンタクト部が観察される。
、イオンビーム電流１０ｐＡ、ビーム径０．１μｍの正
のＧａイオンを半導体装置１１表面上に照射し、１００
０倍以下の倍率で第１層ＡＩ配線の二次電子像を観察す
る。実施例１て説明したように、イオンビーム照射によ
る二次電子放出特性より二次電子像として、二次電子検
出器２２に印加する高電圧、および、ビデオ信号ＤＣレ
ベルを適確に選ぶことにより第２層Ａ１配線３７表面お
よびコンタクト部が観察される。
第２層Ａ１配線３７のコンタクト窓において層間絶縁膜
３６によって覆われていて開孔していないコンタクト窓
３８がある場合、実施例１て説明したように、電荷の流
れこみは層間絶縁膜３６によりコンタクト窓３８部分て
途絶える。よって、次電子像としてコンタクト窓３４部
分が観察されない。このことにより、第２層ＡＩ配線の
コンタクト窓開孔不良箇所を検出することができる。
３６によって覆われていて開孔していないコンタクト窓
３８がある場合、実施例１て説明したように、電荷の流
れこみは層間絶縁膜３６によりコンタクト窓３８部分て
途絶える。よって、次電子像としてコンタクト窓３４部
分が観察されない。このことにより、第２層ＡＩ配線の
コンタクト窓開孔不良箇所を検出することができる。
第１層Ａ１配線３５のコンタクト窓において層間絶縁膜
３３によって覆われていて開孔していないコンタクト窓
３９がある場合、まず第２層Ａ１配線３７および層間絶
縁膜３６をウエットエツヂングにより除去し、第１層Ａ
１配線３５を露出さぜる（第３図（ｂ））。実施例１て
説明したように、電荷の流れこみは層間絶縁膜３３によ
りコンタクト窓３９部分て途絶える。よって帯電量が増
加し放出される二次電子量が減少する。表示装置２７に
輝度が減少した二次電子像が観察される。このことによ
り、第１層ＡＩ配線のコンタクト窓開孔不良箇所を検出
することかて′きる。
３３によって覆われていて開孔していないコンタクト窓
３９がある場合、まず第２層Ａ１配線３７および層間絶
縁膜３６をウエットエツヂングにより除去し、第１層Ａ
１配線３５を露出さぜる（第３図（ｂ））。実施例１て
説明したように、電荷の流れこみは層間絶縁膜３３によ
りコンタクト窓３９部分て途絶える。よって帯電量が増
加し放出される二次電子量が減少する。表示装置２７に
輝度が減少した二次電子像が観察される。このことによ
り、第１層ＡＩ配線のコンタクト窓開孔不良箇所を検出
することかて′きる。
また、集束イオンビームによりコンタクト窓開孔不良箇
所をスパッタエツチングにより断面加工を施し、多層配
線のコンタクト窓部の構造を二次電子像観察することに
より、コンタクト窓開孔不良原因を解明することができ
る。
所をスパッタエツチングにより断面加工を施し、多層配
線のコンタクト窓部の構造を二次電子像観察することに
より、コンタクト窓開孔不良原因を解明することができ
る。
なお、本実施例では導電性被膜としてＡ１合金膜を用い
たが、多結晶シリコン膜やシリサイド膜、結晶シリコン
膜を含む多層膜、高融点金属膜についても同様の効果を
得る。
たが、多結晶シリコン膜やシリサイド膜、結晶シリコン
膜を含む多層膜、高融点金属膜についても同様の効果を
得る。
本発明の第３の実施例である半導体装置の検査方法につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第４図は本実施例において使用される検査装置の構成を
示す図である。図において、１０は半導体装置、１１は
イオン源、１２は集束イオンビーム、１３は加速器、１
４はコンデンサーレンズ、１５はコンデンサーレンズ電
源、１６はブランカ、１７はブランキング電源、１８は
可動しぼり、１９はステイグメータ、２０は対物レンズ
、２１は偏向器、２２は二次電子検出器、２３は二次電
子量足回路、２４は時間微分回路、２５は差動増幅器、
２６は基準電圧源、２７は表示装置、２８はビーム電流
制御回路、２つは試料台、４０は電流計である。
示す図である。図において、１０は半導体装置、１１は
イオン源、１２は集束イオンビーム、１３は加速器、１
４はコンデンサーレンズ、１５はコンデンサーレンズ電
源、１６はブランカ、１７はブランキング電源、１８は
可動しぼり、１９はステイグメータ、２０は対物レンズ
、２１は偏向器、２２は二次電子検出器、２３は二次電
子量足回路、２４は時間微分回路、２５は差動増幅器、
２６は基準電圧源、２７は表示装置、２８はビーム電流
制御回路、２つは試料台、４０は電流計である。
このような構成によって半導体装置１０のチップ表面に
局所的に走査集束イオンビームを照射し、かつチップ表
面の任意の位置に移動することができる。さらに半導体
装置１０の基板電流を測定することができる。
局所的に走査集束イオンビームを照射し、かつチップ表
面の任意の位置に移動することができる。さらに半導体
装置１０の基板電流を測定することができる。
まず、コンタクト窓開孔不良箇所を容易に検出するため
、集束イオンビーム１２として、例えば加速電圧３０
］＜ Ｖ 、イオンビーム電流１０２ｐＡ。
、集束イオンビーム１２として、例えば加速電圧３０
］＜ Ｖ 、イオンビーム電流１０２ｐＡ。
ビーム径０．４５μｍの正のＧａイオンを半導体装置１
０表面上に照射し、１０００倍以下の倍率で二次電子像
を観察する。Ｇａイオンは半導体装置１０表面を正に帯
電させる。金属表面が露出していると、帯電した電荷は
導電性被膜９例えばＡ１合金膜に流れこむ。またコンタ
クト窓４部分ては、導電性被膜９．不純物拡散層２を通
してシリコン基板１に流れこむ。電流計４０により基板
電流を測定すると０．６ ｎ Ａ流れている。
０表面上に照射し、１０００倍以下の倍率で二次電子像
を観察する。Ｇａイオンは半導体装置１０表面を正に帯
電させる。金属表面が露出していると、帯電した電荷は
導電性被膜９例えばＡ１合金膜に流れこむ。またコンタ
クト窓４部分ては、導電性被膜９．不純物拡散層２を通
してシリコン基板１に流れこむ。電流計４０により基板
電流を測定すると０．６ ｎ Ａ流れている。
コンタクト窓が層間絶縁膜３によって覆われていて開孔
していないコンタクト窓６がある場合、層間絶縁膜３に
よりコンタクト窓６部分への電荷の流れこみがなくなる
。よって半導体装置の基板電流量が減少する。電流計４
０により基板電流を測定すると０．４ｎＡである。この
ことにより、コンタクト窓開孔不良箇所を検出すること
ができる。
していないコンタクト窓６がある場合、層間絶縁膜３に
よりコンタクト窓６部分への電荷の流れこみがなくなる
。よって半導体装置の基板電流量が減少する。電流計４
０により基板電流を測定すると０．４ｎＡである。この
ことにより、コンタクト窓開孔不良箇所を検出すること
ができる。
発明の効果
以上のように本発明は、簡単に不良箇所が検出でき半導
体装置が高密度に集積されたものでも不良箇所検出を容
易に実現できる。
体装置が高密度に集積されたものでも不良箇所検出を容
易に実現できる。
第１図は本発明にかかる半導体装置の検査方法の第１．
第３の実施例を説明するだめの半導体装置の配線部分の
断面図、第２図は本発明の第１の実施例を実現するため
の装置の構成を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ本発明の第２の実施例を説明するための半導体装置の
配線部分の断面図、第４図は本発明の第２の実施例を実
現するための装置の構成を示す図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・不純物拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コン
タクト窓、５・・・・・・導電性被膜、６・・・・・・
コンタクト窓、１０・・・・・・半導体装置、１１・・
・・・・イオン源、１２・・・・・・集束イオンビーム
、１３・・・・・・加速器、］４・・・・・・コンデン
ザーレンズ、１−５・・・・・・コンデンザーレンズ電
源、１６・・・・・・ブランカ、１７・・・・・・ブラ
ンキング電源、１８・・・・・・可動しぼり、１９・・
・・・・ステイグメータ、２０・・・・・対物レンズ、
２１・・・・・・偏向器、２２・・・・・・二次電子検
出器、２３・・・・・・二次電子測定回路、２４・・・
・・・時間微分回路、２５・・・・・・差動増幅器、２
６・・・・・・基準電圧源、２７・・・・・・表示装置
、２８・・・・・・ビーム電流制御回路、２９・・・・
・・試料台、４０・・・・・・電流計、３１・・・・・
・シリコン基板、３２・・・・・・不純物拡散層、３３
・・・・・・層間絶縁膜、３４・・・・・・コンタクト
窓、３５・・・・・・第１層Δｌ配線、３６・・・・・
・層間絶縁膜、３７・・・・・・第２層Ａ１配線、３８
・・・・・・コンタクト窓、３つ・・・・・・コンタク
ト窓。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名城 へ ↓収 塚
第３の実施例を説明するだめの半導体装置の配線部分の
断面図、第２図は本発明の第１の実施例を実現するため
の装置の構成を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞ
れ本発明の第２の実施例を説明するための半導体装置の
配線部分の断面図、第４図は本発明の第２の実施例を実
現するための装置の構成を示す図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・不純物拡
散層、３・・・・・・層間絶縁膜、４・・・・・・コン
タクト窓、５・・・・・・導電性被膜、６・・・・・・
コンタクト窓、１０・・・・・・半導体装置、１１・・
・・・・イオン源、１２・・・・・・集束イオンビーム
、１３・・・・・・加速器、］４・・・・・・コンデン
ザーレンズ、１−５・・・・・・コンデンザーレンズ電
源、１６・・・・・・ブランカ、１７・・・・・・ブラ
ンキング電源、１８・・・・・・可動しぼり、１９・・
・・・・ステイグメータ、２０・・・・・対物レンズ、
２１・・・・・・偏向器、２２・・・・・・二次電子検
出器、２３・・・・・・二次電子測定回路、２４・・・
・・・時間微分回路、２５・・・・・・差動増幅器、２
６・・・・・・基準電圧源、２７・・・・・・表示装置
、２８・・・・・・ビーム電流制御回路、２９・・・・
・・試料台、４０・・・・・・電流計、３１・・・・・
・シリコン基板、３２・・・・・・不純物拡散層、３３
・・・・・・層間絶縁膜、３４・・・・・・コンタクト
窓、３５・・・・・・第１層Δｌ配線、３６・・・・・
・層間絶縁膜、３７・・・・・・第２層Ａ１配線、３８
・・・・・・コンタクト窓、３つ・・・・・・コンタク
ト窓。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名城 へ ↓収 塚
Claims (3)
- （１）半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜の第１の所定領域にレジストパターンを形成する工
程と、前記レジストパターンをマスクに前記絶縁膜をエ
ッチングしてコンタクト窓を開孔する工程と、前記レジ
ストを除去する工程と、前記半導体基板の第２の所定領
域を集束イオンビームで照射しながら、移動する工程と
、前記集束イオンビームの照射によって前記第２の所定
領域より照射される二次電子を検出する工程を備えたこ
とを特徴とする半導体装置の検査方法。 - （２）半導体基板上に形成された第１の電極配線と第１
の絶縁膜を除去して第２の電極配線を露出する工程と、
前記半導体基板の所定領域に集束イオンビームを照射し
ながら、移動する工程と、前記集束イオンビームを照射
することで放射される二次電子を検出することを特徴と
する半導体装置の検査方法。 - （３）半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶
縁膜の第１の所定領域にレジストパターンを形成する工
程と、前記レジストパターンをマスクに前記絶縁膜をエ
ッチングしてコンタクト窓を開孔する工程と、前記レジ
ストを除去する工程と、前記半導体基板の第２の所定領
域を集束イオンビームで照射しながら、移動する工程と
、前記集束イオンビームの照射によって前記半導体基板
内に発生するイオン電流を検出する工程を備えたことを
特徴とする半導体装置の検査方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2167138A JP2953751B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2167138A JP2953751B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の検査方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462857A true JPH0462857A (ja) | 1992-02-27 |
| JP2953751B2 JP2953751B2 (ja) | 1999-09-27 |
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ID=15844133
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2167138A Expired - Fee Related JP2953751B2 (ja) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | 半導体装置の検査方法 |
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|---|---|---|---|
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