JP2006258771A - 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 薄膜の表面に加速したイオン4を照射し、その表面から放出される二次電子5に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定する。
【選択図】 図1
Description
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、膜厚測定装置において、薄膜の表面に加速したイオン4を照射し、その表面から放出される二次電子5に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定することを特徴とする。
図2参照
図2は、本発明の実施例1の膜厚測定方法に用いる測定システムの概念的構成図であり、ファラデーカップ12を備えるとともに試料13を固定する金属製の試料ホルダー11、試料ホルダー11を負にバイアスするための負電源14、試料ホルダー11に流れる電流を測定する電流計15、試料13にイオン17を照射するイオンガン16からなる。
η=(Is −Iion )/Iion とする。
この二次電子収率ηは、試料表面の薄膜の膜厚及び構成元素によって異なるため、二次電子収率ηを測定することによって、薄膜の膜厚を評価することが可能になる。
図3は、シリコン基板21上に24nmのSiO2 膜22を成膜した試料13に対して−40Vの負電圧を印加した状態で5keVのNe+ を照射した時の累積Ne+ ドーズ量と二次電子収率の相関を示した図であり、累積Ne+ ドーズ量の増加とともに二次電子収率が減少している。
この場合、Siの二次電子収率はSiO2 の二次電子収率より小さいのでシリコン基板21からの二次電子の寄与を無視することができる。
ここでは、二次電子収率がほぼ一定であり、エッチングされる前の初期膜厚を反映した二次電子収率が得られる1.8×1016cm-2以下における二次電子収率を用いた。
図4は、膜厚が既知のSiO2 膜を設けた5つの試料について試料電流から二次電子収率を求め、最小二乗法によって検量線を求めたものであり、各測定点はかなりの精度で検量線に乗っている。
この検量線を用いて、膜厚が未知に試料について求めた二次電子収率から換算することによって膜厚を求めることができる。
但し、−200Vを超えると負の二次イオンの放出が増加し、試料電流から求める二次電子収率が不正確になるという問題が起こりやすくなる。
また、成膜時にファラデーカップが絶縁膜で被覆されることを防止するために、シャッター機構を設けるか、或いは、試料ホルダーとは別体に設けた可動式のファラデーカップを設け、成膜時には影になる領域に退避させる機構を設ける必要がある。
再び、図1参照
(付記1) 薄膜の表面に加速したイオン4を照射し、その表面から放出される二次電子5に起因する試料電流により前記薄膜の厚さを測定することを特徴とする膜厚測定方法。
(付記2) 上記イオン照射量と上記試料電流の比から二次電子収率を求め、前記二次電子収率から薄膜の厚さを測定することを特徴とする付記1記載の膜厚測定方法。
(付記3) 上記照射するイオン4として、Ne、Ar、Kr、Xe、Au、Bi、Ga、及び、Inのうちのいずれかを用いることを特徴とする付記1または2に記載の膜厚測定方法。
(付記4) 上記イオン4の照射量を、上記試料2を固定する金属製の試料ホルダー1に設けられたファラデーカップ7で測定した電流量とすることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の膜厚測定方法。
(付記5) 上記試料2に負のバイアスを印加することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1に記載の膜厚測定方法。
(付記6) 二次電子収率から膜厚への数値換算を、膜厚が既知の複数の標準試料から作成した検量線により行うことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の膜厚測定方法。
(付記7) イオン照射手段3、照射イオン量を測定するファラデーカップ7、金属製試料ホルダー1、及び、試料ホルダー1を流れる電流を測定する電流測定手段6とを少なくとも備えたことを特徴とする膜厚測定装置。
(付記8) 二次イオン質量分析手段、オージェ電子分光手段、或いは、X線光電子分光手段の内の少なくとも一つの手段と、付記7に記載の膜厚測定装置とを併せて備えたことを特徴とする分析装置。
(付記9) 付記7に記載の膜厚測定装置の内のイオン照射手段3、照射イオン量を測定するファラデーカップ7、及び、金属製試料ホルダー1を少なくとも成膜室内に備えたことを特徴とする成膜装置。
2 試料
3 イオン照射手段
4 イオン
5 二次電子
6 電流測定手段
7 ファラデーカップ
11 試料ホルダー
12 ファラデーカップ
13 試料
14 負電源
15 電流計
16 イオンガン
17 イオン
18 二次電子
21 シリコン基板
22 SiO2 膜
Claims (5)
- 薄膜の表面に加速したイオンを照射し、その表面から放出される二次電子に起因する試料電流により前記薄膜の厚さを測定することを特徴とする膜厚測定方法。
- 上記照射するイオンとして、Ne、Ar、Kr、Xe、Au、Bi、Ga、及び、Inのうちのいずれかを用いることを特徴とする請求項1記載の膜厚測定方法。
- 上記イオンの照射量を、上記試料を固定する金属製の試料ホルダーに設けられたファラデーカップで測定した電流量とすることを特徴とする請求項1または2に記載の膜厚測定方法。
- 二次電子収率から膜厚への数値換算を、膜厚が既知の複数の標準試料から作成した検量線により行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の膜厚測定方法。
- イオン照射手段、照射イオン量を測定するファラデーカップ、金属製試料ホルダー、及び、試料ホルダーを流れる電流を測定する電流測定手段とを少なくとも備えたことを特徴とする膜厚測定装置。
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