JPS58155724A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58155724A JPS58155724A JP3827382A JP3827382A JPS58155724A JP S58155724 A JPS58155724 A JP S58155724A JP 3827382 A JP3827382 A JP 3827382A JP 3827382 A JP3827382 A JP 3827382A JP S58155724 A JPS58155724 A JP S58155724A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特に素子分離
技術として用いる選択酸化工程におtJ 麟4耐酸化性膜のエツチング方法に関する。
技術として用いる選択酸化工程におtJ 麟4耐酸化性膜のエツチング方法に関する。
半導体装置の製造工程には、耐酸化性膜例えば窒化シリ
コン膜(81,N4膜)をマスクとじた選択酸化が素子
分離技術として広く製品に適用されている。
コン膜(81,N4膜)をマスクとじた選択酸化が素子
分離技術として広く製品に適用されている。
従来、この選択酸化は、181図(畠)に示すようにシ
リコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、さらにこの熱酸
化膜2上に窒化シリコン膜3を形成した構造からなる。
リコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、さらにこの熱酸
化膜2上に窒化シリコン膜3を形成した構造からなる。
そして、この窒化シリコン膜s上に所望パターンのフォ
ト・レジスト膜4を形成し、このフォト・レジスト膜4
をマスクにしてCF、(フレオン)・01(酸素)によ
るケミカル・ドライ・エツチングを行い、第1図山)に
示すように窒化シリコン膜1をエツチングする。
ト・レジスト膜4を形成し、このフォト・レジスト膜4
をマスクにしてCF、(フレオン)・01(酸素)によ
るケミカル・ドライ・エツチングを行い、第1図山)に
示すように窒化シリコン膜1をエツチングする。
この窒化シリコン膜3をエツチングする際には、下地の
熱酸化膜2がシリコン基板1のエツチング防止膜となら
なければならない。
熱酸化膜2がシリコン基板1のエツチング防止膜となら
なければならない。
しかしながら、現在、窒化シリコン膜3のエツチングの
終点の判断は、肉眼あるいは時間計測により行われてい
るため、安定したエツチングが行うことができない、す
なわち、窒化νすコン膜3のエツチングの終点判断が困
難なこと、及び窒化シリコン膜3と熱酸化膜2とのエツ
チング選択比が充分数れないことから、たびたび熱酸化
膜2を通してシリコン基板1にまでエツチングが進行し
てしまうことがある。しかして、シリコン基板1に対し
てCF、ガスが照射されてしまうと、シリコン基板1の
表面が荒れてしまい、後工程で形成される素子の電気的
特性が悪化する。このため、窒化シリコン膜3のエツチ
ングの終点を確実に判断する方法が要望されている。
終点の判断は、肉眼あるいは時間計測により行われてい
るため、安定したエツチングが行うことができない、す
なわち、窒化νすコン膜3のエツチングの終点判断が困
難なこと、及び窒化シリコン膜3と熱酸化膜2とのエツ
チング選択比が充分数れないことから、たびたび熱酸化
膜2を通してシリコン基板1にまでエツチングが進行し
てしまうことがある。しかして、シリコン基板1に対し
てCF、ガスが照射されてしまうと、シリコン基板1の
表面が荒れてしまい、後工程で形成される素子の電気的
特性が悪化する。このため、窒化シリコン膜3のエツチ
ングの終点を確実に判断する方法が要望されている。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、選択酸化において耐酸化性膜のエツチングの終点の
判断が容易で基板へのエツチングの進行を防止でき、素
子特性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法
を提供することにある。
は、選択酸化において耐酸化性膜のエツチングの終点の
判断が容易で基板へのエツチングの進行を防止でき、素
子特性の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法
を提供することにある。
この発明は、選択酸化時に半導体基板上の酸化膜と窒化
シリコン膜との間に薄い多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜とエツチングガスとの化学反応によ
り螢光を発するいわゆるケミカル・ルえネセンス現象を
観察することにより、窒化シリコン膜のエツチングの終
点を判断するものである。
シリコン膜との間に薄い多結晶シリコン膜を形成し、こ
の多結晶シリコン膜とエツチングガスとの化学反応によ
り螢光を発するいわゆるケミカル・ルえネセンス現象を
観察することにより、窒化シリコン膜のエツチングの終
点を判断するものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第2図(1)において、11は半導体基板例えばシリコ
ン基板であり、このシリコン基鈑11上に例えば熱酸化
により熱酸化膜12を形成する。次にこの熱酸化膜12
上に例えばCV D (Chemical Vapou
r Deposition )法ζ:より数百Aの多結
晶シリコン膜13を形成し、しかる後この多結晶シリコ
ン膜13上(二例えばCVD法により窒化シリコン膜1
4を形成する〇そしてこの窒化シリコン膜14上に所望
パターンのフォト・レジスト膜15を形成し、CF。
ン基板であり、このシリコン基鈑11上に例えば熱酸化
により熱酸化膜12を形成する。次にこの熱酸化膜12
上に例えばCV D (Chemical Vapou
r Deposition )法ζ:より数百Aの多結
晶シリコン膜13を形成し、しかる後この多結晶シリコ
ン膜13上(二例えばCVD法により窒化シリコン膜1
4を形成する〇そしてこの窒化シリコン膜14上に所望
パターンのフォト・レジスト膜15を形成し、CF。
によるケミカル・ドライ・エツチングを行う。
このエツチングが進行し、窒化シリコン膜14のエツチ
ングが終了し、第2図(b)のように窒化シリコン膜1
4に所望の開口部16が形成されるとOF、ガスと多結
晶シリコン膜13の表面とが反応し、ケミカル・ルミネ
センス現象が生じ、螢光を発する。この螢光を観察する
ことにより窒化ンリコン膜13のエツチングの終点が確
実に判断できるものである。この後選択酸化が行われる
と開口部16の多結晶レリコン膜13は同時に酸化され
酸化膜となり、また開口部16以外の多結晶v9コン膜
13は、後工程の窒化シリコン膜13の除去時に該窒化
レリコン膜13と共に除去される。
ングが終了し、第2図(b)のように窒化シリコン膜1
4に所望の開口部16が形成されるとOF、ガスと多結
晶シリコン膜13の表面とが反応し、ケミカル・ルミネ
センス現象が生じ、螢光を発する。この螢光を観察する
ことにより窒化ンリコン膜13のエツチングの終点が確
実に判断できるものである。この後選択酸化が行われる
と開口部16の多結晶レリコン膜13は同時に酸化され
酸化膜となり、また開口部16以外の多結晶v9コン膜
13は、後工程の窒化シリコン膜13の除去時に該窒化
レリコン膜13と共に除去される。
尚、上記実施例においては耐酸化性膜として窒化シリコ
ン膜を用いて説明したが、これに限定するものではなく
、その他モリブデンMO、チタンTi等であってもよい
。
ン膜を用いて説明したが、これに限定するものではなく
、その他モリブデンMO、チタンTi等であってもよい
。
以上のようにこの発明によれば、選択酸化工程における
耐酸化性膜のエツチングの終了を確実に判断できるので
、基板へのエツチングの進行を防止でき、素子特性の向
上を図ることができる。
耐酸化性膜のエツチングの終了を確実に判断できるので
、基板へのエツチングの進行を防止でき、素子特性の向
上を図ることができる。
第1図(al (b)は従来の耐酸化性膜のエツチング
工程を示す断面図、第2図i11 (blはこの発明の
一実施例に係る耐酸化性膜のエツチング工程を示す断面
図である。 11・・・シリコン基板、12・・・熱酸化膜13・・
・多結晶シリコン膜 14・・・窒化シリコン膜 15・・・フォト・レジスト膜 16・・・開口部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦鎗1閣 l。 1!2図 99−
工程を示す断面図、第2図i11 (blはこの発明の
一実施例に係る耐酸化性膜のエツチング工程を示す断面
図である。 11・・・シリコン基板、12・・・熱酸化膜13・・
・多結晶シリコン膜 14・・・窒化シリコン膜 15・・・フォト・レジスト膜 16・・・開口部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦鎗1閣 l。 1!2図 99−
Claims (1)
- 半導体基板上に酸化膜、多結晶シリコン膜及び耐酸化性
膜を順次堆積させる工程と、所望パターンのマスク材料
をマスクとして前記耐酸化性膜のケミカル・ドライ・エ
ツチングを行う工程とを具備し、前記多結晶シリコン膜
とエツチングガスとの反応により螢光が生じた時点でエ
ツチングを終了させることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3827382A JPS58155724A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3827382A JPS58155724A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58155724A true JPS58155724A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12520696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3827382A Pending JPS58155724A (ja) | 1982-03-11 | 1982-03-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58155724A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60251626A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | エツチングの終点検出方法 |
US4599134A (en) * | 1985-06-10 | 1986-07-08 | Ibm Corporation | Plasma etching with tracer |
US5338415A (en) * | 1992-06-22 | 1994-08-16 | The Regents Of The University Of California | Method for detection of chemicals by reversible quenching of silicon photoluminescence |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5379383A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
JPS5538066A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Preparation of semiconductor device |
JPS5858736A (ja) * | 1981-10-02 | 1983-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-11 JP JP3827382A patent/JPS58155724A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5379383A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-13 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
JPS5538066A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Preparation of semiconductor device |
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US4599134A (en) * | 1985-06-10 | 1986-07-08 | Ibm Corporation | Plasma etching with tracer |
US5338415A (en) * | 1992-06-22 | 1994-08-16 | The Regents Of The University Of California | Method for detection of chemicals by reversible quenching of silicon photoluminescence |
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