JPH03261143A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03261143A JPH03261143A JP6053290A JP6053290A JPH03261143A JP H03261143 A JPH03261143 A JP H03261143A JP 6053290 A JP6053290 A JP 6053290A JP 6053290 A JP6053290 A JP 6053290A JP H03261143 A JPH03261143 A JP H03261143A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、シリコン（Ｓｉ ）のウェットエツチング方
法に関し。
法に関し。
マスクとなる二酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜の表面を親
水性にして均一なエツチングを行うことを目的とし。
水性にして均一なエツチングを行うことを目的とし。
二酸化シリコン膜と窒化シリコン（ＳｉＪａ）Ｗｉ！が
積層されたシリコン基板を該二酸化シリコン膜をマスク
としてエツチングするに際して 該二酸化シリコン膜上の表面変質層を酸素プラズマにて
アッシングする工程と 該変質層をウェットエツチングにより除去した後、該二
酸化シリコン膜をマスクとして該シリコン基板をウェッ
トエツチングする工程とを含むように構成する。
積層されたシリコン基板を該二酸化シリコン膜をマスク
としてエツチングするに際して 該二酸化シリコン膜上の表面変質層を酸素プラズマにて
アッシングする工程と 該変質層をウェットエツチングにより除去した後、該二
酸化シリコン膜をマスクとして該シリコン基板をウェッ
トエツチングする工程とを含むように構成する。
本発明は、Ｓｉのウェットエツチング方法に関する。
近年、ＩＣの高集積化、高微細化に伴い、 Ｓｉのエツ
チングも微細なバタごンまで精密にエツチングする必要
がある。
チングも微細なバタごンまで精密にエツチングする必要
がある。
〔従来の技術］
第３図は従来例の説明図である。
図において、８はＳｉ基板、９はＳｉＯ□膜、 １０は
５ｉａＮｓ膜、１１はレジスト、１２はプラズマイオン
。
５ｉａＮｓ膜、１１はレジスト、１２はプラズマイオン
。
１３は変質層、１４は開口部である。
フィールド酸化膜を有するＳｉ基板上に、任意の深さを
持つＳｉのパターンを形成する場合に、それがエツチン
グシフト等を考慮する必要のない９例えば、電子ビーム
露光装置の位置決めパターンのような場合には、 Ｓｉ
Ｏ□膜をマスクとして、ウェットエツチングを行うのが
、工程も簡単であり１作業性も良い。
持つＳｉのパターンを形成する場合に、それがエツチン
グシフト等を考慮する必要のない９例えば、電子ビーム
露光装置の位置決めパターンのような場合には、 Ｓｉ
Ｏ□膜をマスクとして、ウェットエツチングを行うのが
、工程も簡単であり１作業性も良い。
［発明が解決しようとする課題〕
しかし、このＳｉ基板８のＳｉパターンを形成する場所
には、第３図（ａ）に示すように、 ５ｉＯｚ膜９上に
５ｉ３Ｎａ膜１０の薄い膜が形威されており、尚かつ、
該当パターン以外の場所でこの５ｉＪａ膜１０を残して
おきたい場合には、第３図（ｂ）に示すように、まずレ
ジスト１１をマスクとして、該当場所のＳｉＪｍ膜１０
をプラズマイオン１２などにより、ドライエツチングで
除去したあとに、Ｓｉ基板８をウェットエツチングする
ことになる。
には、第３図（ａ）に示すように、 ５ｉＯｚ膜９上に
５ｉ３Ｎａ膜１０の薄い膜が形威されており、尚かつ、
該当パターン以外の場所でこの５ｉＪａ膜１０を残して
おきたい場合には、第３図（ｂ）に示すように、まずレ
ジスト１１をマスクとして、該当場所のＳｉＪｍ膜１０
をプラズマイオン１２などにより、ドライエツチングで
除去したあとに、Ｓｉ基板８をウェットエツチングする
ことになる。
この場合、プラズマに曝された５ｉ０２膜９は２表面が
変質して撥水性の変質層１３となり、 Ｓｉのウェット
エツチング液をはじくため、第３図（Ｃ）に示すように
、微細な幅の開口部１４のパターンでは。
変質して撥水性の変質層１３となり、 Ｓｉのウェット
エツチング液をはじくため、第３図（Ｃ）に示すように
、微細な幅の開口部１４のパターンでは。
エツチング液が入り込めず、Ｓｉがエツチングされない
部分ができ、不均一なエツチングとなる。
部分ができ、不均一なエツチングとなる。
酸素プラズマによるアッシングで、成る程度の変質層の
軽減は可能であるが、充分効果があるまでアッシングを
行うと、逆にレジストがプラズマで侵され、またＳｉ３
上への表面Ｓｉ０ｇ膜形成といった弊害が生ずる。
軽減は可能であるが、充分効果があるまでアッシングを
行うと、逆にレジストがプラズマで侵され、またＳｉ３
上への表面Ｓｉ０ｇ膜形成といった弊害が生ずる。
本発明はＳｉＯ□膜をマスクとするＳｉのウェットエツ
チングを均一に微細パターンでも行なえることを目的と
して提供されるものである。
チングを均一に微細パターンでも行なえることを目的と
して提供されるものである。
〔課題を解決するための手段］
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、１はＳｉ基板、２はＳｉＯ□膜５３はＳｉ
３Ｎ、膜、６は変質層、７は酸素イオンである。
３Ｎ、膜、６は変質層、７は酸素イオンである。
このため、第１図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板８をエ
ツチングする前に、マスクとなるＳｉＯ２膜２の表面上
の変質層６の部分を、酸素イオン７で叩いた後、第１図
（ｂ）に示すように、変質層６をＳｉ０ｇ膜のウェット
エツチングにより除去し、Ｓｉエツチング液に対する基
板の親水性を得ることによって、均一なＳｉ基板８のエ
ツチングを行う。
ツチングする前に、マスクとなるＳｉＯ２膜２の表面上
の変質層６の部分を、酸素イオン７で叩いた後、第１図
（ｂ）に示すように、変質層６をＳｉ０ｇ膜のウェット
エツチングにより除去し、Ｓｉエツチング液に対する基
板の親水性を得ることによって、均一なＳｉ基板８のエ
ツチングを行う。
このとき、 Ｓｉ０ｇ膜２のエツチング液は、Ｓｉ基板
８のエツチング液に比較して濡れ性が良いのでより短時
間の酸素イオン７のアッシングで親水性を確保すること
ができる。
８のエツチング液に比較して濡れ性が良いのでより短時
間の酸素イオン７のアッシングで親水性を確保すること
ができる。
このウェットエツチングは、 ＳｉＯ□膜２表面の変質
層６を除去するだけなので、ごく短時間で済む。
層６を除去するだけなので、ごく短時間で済む。
〔作用］
本発明の手段により、ＳｉエツチングのマスクとなるＳ
ｉＯ２膜表面が撥水性から親水性に変わり、均一なエツ
チングが可能となる。
ｉＯ２膜表面が撥水性から親水性に変わり、均一なエツ
チングが可能となる。
［実施例］
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図である。
図において、１はＳｉ基板、２は５ｉｆ２膜、３はＳｉ
３Ｎ、膜、４はレジスト、５はプラズマイオン６は変質
層、７は酸素イオンである。
３Ｎ、膜、４はレジスト、５はプラズマイオン６は変質
層、７は酸素イオンである。
第２図（ａ）に示すように、 Ｓｉ基板１上に熱酸化に
より５ｉｏＪ１２が６，０００人の厚さに形威し、その
上に５００人の厚さにＣＶＤによりＳｉＪ、膜３を積層
する。
より５ｉｏＪ１２が６，０００人の厚さに形威し、その
上に５００人の厚さにＣＶＤによりＳｉＪ、膜３を積層
する。
第２図（ｂ）に示すように、レジスト４をパタニングに
し、５ｉＪａ膜３を四弗化メタン（ＣＦ４）と三弗化メ
タン（ＣＨＦ３）の混合ガスを５０対５０５ＣＣＭの割
合で流し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒ、 出力４００−で
５０秒のプラズマエツチングを行う。
し、５ｉＪａ膜３を四弗化メタン（ＣＦ４）と三弗化メ
タン（ＣＨＦ３）の混合ガスを５０対５０５ＣＣＭの割
合で流し、ガス圧０．３Ｔｏｒｒ、 出力４００−で
５０秒のプラズマエツチングを行う。
第２図（ｃ）に示すように、酸素（０□）の流量を２０
０ＳＣＣＭ、出力３００Ｗ、ガス圧力１ 、５Ｔｏｒｒ
で３分間酸素イオン７によるアッシングを行い、 Ｓｉ
Ｏ２膜表面の撥水性になっている変質層６を変化させた
後。
０ＳＣＣＭ、出力３００Ｗ、ガス圧力１ 、５Ｔｏｒｒ
で３分間酸素イオン７によるアッシングを行い、 Ｓｉ
Ｏ２膜表面の撥水性になっている変質層６を変化させた
後。
続いて、弗酸（）ＩＦ）と弗化アンモニウム（ＮＨ，Ｆ
）の混合エツチング液により２秒のエツチングを行って
。
）の混合エツチング液により２秒のエツチングを行って
。
変質層６を完全に取り除く。
第２図（ｄ）に示すように、弗化アンモニウムと硝酸Ｉ
ＨＮＯｓ）の混合エツチング液により０．５μｍの深さ
にＳｉ基板１をエツチングする。
ＨＮＯｓ）の混合エツチング液により０．５μｍの深さ
にＳｉ基板１をエツチングする。
５はプラズマイオン、６は変質層。
７は酸素イオン
〔発明の効果〕
以上説明したように１本発明によれば、ｍ水性のＳｉＯ
□膜を親水性に変換することにより、微細なＳｔパター
ンのエツチングが可能となり、素子の信頼度の向上に寄
与するところが大きい。
□膜を親水性に変換することにより、微細なＳｔパター
ンのエツチングが可能となり、素子の信頼度の向上に寄
与するところが大きい。
第１図は本発明の原理説明図。
第２図は本発明の一実施例の工程順模式断面図。
第３図は従来例の説明図
である。
図において。
１はＳｉ基板、 ２はＳｉＯ□膜。
３はＳｉＪ、膜、 ４はレジスト。
本発明の涼埋ｉ兇明図
第１ 図
従来例の説明図
ＷＪ３図
本発明の一実施例の工程項棟式哨面凶
第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 二酸化シリコン膜（２）と窒化シリコン膜（３）が積
層されたシリコン基板（１）を該二酸化シリコン膜（２
）をマスクとしてエッチングするに際して、 該二酸化シリコン膜（２）上の表面変質層（６）を酸素
プラズマにてアッシングする工程と、 該変質層（６）をウェットエッチングにより除去した後
、該二酸化シリコン膜（２）をマスクとして該シリコン
基板（１）をウェットエッチングする工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053290A JPH03261143A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6053290A JPH03261143A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261143A true JPH03261143A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13145016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6053290A Pending JPH03261143A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111554633A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 导电层图案化的方法及导电结构 |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP6053290A patent/JPH03261143A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111554633A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-08-18 | 业成科技（成都）有限公司 | 导电层图案化的方法及导电结构 |
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