JPS6042834A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6042834A JPS6042834A JP15028483A JP15028483A JPS6042834A JP S6042834 A JPS6042834 A JP S6042834A JP 15028483 A JP15028483 A JP 15028483A JP 15028483 A JP15028483 A JP 15028483A JP S6042834 A JPS6042834 A JP S6042834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- wet etching
- sio2
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N theophylline Chemical compound O=C1N(C)C(=O)N(C)C2=C1NC=N2 ZFXYFBGIUFBOJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、シリコン酸化膜(以下Si20膜と記す)の
パターン形成を含む半導体装置の製造方法に関するもの
である。
パターン形成を含む半導体装置の製造方法に関するもの
である。
(従来例の構成とその問題点)
S io、膜は半導体装置における絶縁層や保護膜とし
て多く使用されている。以下図面を参照し゛ながら従来
のS iO2膜の湿式食刻によるパターン形成方法につ
いて説明する。第1図は従来の湿式食刻によるS iO
2膜のノ4ターン形成方法を示した工程断面図で、まず
、半導体基板1の表面に形成されたS iO2膜2の、
食刻時にマスクとなるボッ型フォトレジスト膜3に所定
のパターン形式を行なう(第1図(a))。次に前記5
IO2膜2をフッ酸の緩衝液等の適当な食刻溶液で湿式
食刻を行ない、5i02膜2のパターン形成を行なう(
第1図(b))。パターンが1〜2μm程度の微細な場
合、フォトレノストは前記のポジ型フォトレノストが用
いられる。このとき、ボッ型フォトレジスト膜3と81
02膜2との界面における密着・性が充分でなく、前記
界面での食刻溶液の浸透によシ、第1図(b)に示した
5r02膜3の側面食刻長tが大きくなりやすぐ、Si
O□膜3の微細パターンの形成が困難になる傾向がある
という問題点を有していた。
て多く使用されている。以下図面を参照し゛ながら従来
のS iO2膜の湿式食刻によるパターン形成方法につ
いて説明する。第1図は従来の湿式食刻によるS iO
2膜のノ4ターン形成方法を示した工程断面図で、まず
、半導体基板1の表面に形成されたS iO2膜2の、
食刻時にマスクとなるボッ型フォトレジスト膜3に所定
のパターン形式を行なう(第1図(a))。次に前記5
IO2膜2をフッ酸の緩衝液等の適当な食刻溶液で湿式
食刻を行ない、5i02膜2のパターン形成を行なう(
第1図(b))。パターンが1〜2μm程度の微細な場
合、フォトレノストは前記のポジ型フォトレノストが用
いられる。このとき、ボッ型フォトレジスト膜3と81
02膜2との界面における密着・性が充分でなく、前記
界面での食刻溶液の浸透によシ、第1図(b)に示した
5r02膜3の側面食刻長tが大きくなりやすぐ、Si
O□膜3の微細パターンの形成が困難になる傾向がある
という問題点を有していた。
(発明の目的ン
本発明の目的はS 102膜の湿式食刻におけるS10
2膜とマスクとなるポジ型フォトレジスト膜との′界面
での食刻を減らし、もってS iO2膜の微細・り一ン
形成の難点を軽減しうろことを可能とする半導体装置の
製造方法を提供することである。
2膜とマスクとなるポジ型フォトレジスト膜との′界面
での食刻を減らし、もってS iO2膜の微細・り一ン
形成の難点を軽減しうろことを可能とする半導体装置の
製造方法を提供することである。
(発明の構成)
本発明の半導体装置の製造方法は、ポジ型フォトレジス
トを用いて半導体基板上に形成した5lo2膜のieタ
ーン形成を行なう・に際し、まず、ポジ型フォトレ・ノ
ストをマスクとし、フッ素を含むプラズマによるSio
2膜の乾式食刻を行ない、しかる後、さらに湿式・によ
るS s O2膜の食刻を行なうものであシ、これによ
!+ 5tO2膜の湿式食刻時におけるS t O2膜
とレジスト膜との界面での食刻を軽減でき、さらに前記
湿式食刻時間が短くなることと合わせて、同湿式食刻に
よるS r 02膜の側面食刻を減らすことができるも
のである。なお前記プラズマを四フッ化炭素(以下CH
4と略す)もしくは三フッ化−水素化炭素(以下CHF
3と略す)よシ生成することによシ前記の作用をよ)効
果的に行なうことができ−7る。
トを用いて半導体基板上に形成した5lo2膜のieタ
ーン形成を行なう・に際し、まず、ポジ型フォトレ・ノ
ストをマスクとし、フッ素を含むプラズマによるSio
2膜の乾式食刻を行ない、しかる後、さらに湿式・によ
るS s O2膜の食刻を行なうものであシ、これによ
!+ 5tO2膜の湿式食刻時におけるS t O2膜
とレジスト膜との界面での食刻を軽減でき、さらに前記
湿式食刻時間が短くなることと合わせて、同湿式食刻に
よるS r 02膜の側面食刻を減らすことができるも
のである。なお前記プラズマを四フッ化炭素(以下CH
4と略す)もしくは三フッ化−水素化炭素(以下CHF
3と略す)よシ生成することによシ前記の作用をよ)効
果的に行なうことができ−7る。
(実施例の説明)
以゛下本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第2図は、本発明の一実施例における半導体装置の製造
方法の各工程を示す半導体装置の断面図である。まず、
半導体基板1の表面に、減圧CVD法(装置はKoKu
aai Electric社製])J−8300゜基板
温度は320℃)によって、5io2膜2を厚さs o
00’Xに形成し、さらに前記S s O2膜2の表
面にポジ型フォトレジスト3として0FPR−800(
東京応化工業社製)を厚さ4000Xとなるようにスピ
ン塗、布し、90℃で25分間窒素ガス雰囲気中テア’
L/ ベーク後、露光、現像を行ないポジ型7オトレ
どスト3のパターンを形成し、130℃で15分間窒素
ガス雰囲気中でポストベークを行なう(第2図0)、次
に、CF4を用イS i O2膜のゾラズマ乾式食刻を
行なう。前記乾式食刻は日電アネルハ社製、DEM −
451を用イcF4ノ流量を4゜SCCM 、圧を50
mTorrとし、高周波電力を200 Wとして2分
間行なう(第2図(b))。このとき前記乾式食刻によ
るS 102膜の食刻深さXは約1200Xであり、同
時に食刻されるポジ型フォトレジスト4の食刻深さtも
同様に約1200Xである0しかる後、フッ化水$1(
47%)とフッ化アンモニウム水溶液(40%)を容量
比1:5に混合した食刻溶液(液温は25℃)に20秒
間浸漬し、S IO2膜2の湿式食刻を行なう(第2図
(c))。
方法の各工程を示す半導体装置の断面図である。まず、
半導体基板1の表面に、減圧CVD法(装置はKoKu
aai Electric社製])J−8300゜基板
温度は320℃)によって、5io2膜2を厚さs o
00’Xに形成し、さらに前記S s O2膜2の表
面にポジ型フォトレジスト3として0FPR−800(
東京応化工業社製)を厚さ4000Xとなるようにスピ
ン塗、布し、90℃で25分間窒素ガス雰囲気中テア’
L/ ベーク後、露光、現像を行ないポジ型7オトレ
どスト3のパターンを形成し、130℃で15分間窒素
ガス雰囲気中でポストベークを行なう(第2図0)、次
に、CF4を用イS i O2膜のゾラズマ乾式食刻を
行なう。前記乾式食刻は日電アネルハ社製、DEM −
451を用イcF4ノ流量を4゜SCCM 、圧を50
mTorrとし、高周波電力を200 Wとして2分
間行なう(第2図(b))。このとき前記乾式食刻によ
るS 102膜の食刻深さXは約1200Xであり、同
時に食刻されるポジ型フォトレジスト4の食刻深さtも
同様に約1200Xである0しかる後、フッ化水$1(
47%)とフッ化アンモニウム水溶液(40%)を容量
比1:5に混合した食刻溶液(液温は25℃)に20秒
間浸漬し、S IO2膜2の湿式食刻を行なう(第2図
(c))。
第3図は、前記実施例において、乾式食刻の時間をそれ
ぞれ0分、1分、2分、3分としたときのSiO2膜の
側面食刻長tと湿式食刻時間との関係を示した特性図で
ある。なお同第3図の縦呻tの値は走査型電子顕微鏡(
以下SEMと略す)を用いた観察によるものである。湿
式食刻を行なわない場合、すなわち前記第3図における
横軸が0分の場合にはいずれの乾式食刻時間においても
S iO2膜の側面食刻はみられなかった(すなわちL
= 0 )nn )。これより 8102膜の側面食刻
は主に湿式食刻によシ生じ、前記一実施例に示すように
湿式食刻を行なう前に乾式食刻を行なうことによシ湿式
食刻によシ除去すべきS 102膜の厚さが減少、湿式
食刻だけの場合に比べ湿式食刻時間が短くなシ、5I0
2膜の111II面食刻を軽減することができる。さら
゛に、前記第3図において乾式食刻時間の増加に伴い、
同一湿式食刻時間におけるS r 02腹側面食刻長t
が減少している。これはCF4プラズマによる乾式食刻
にょシ、マスクであるポジ型フォトレジストとS、J
O2膜との界面での密着性が増し、湿式食刻時における
前記界面での食刻溶液の浸透が少なくなったためと推定
される。なお、第4図は前記一実施例におけるCF4プ
ラズマ食刻時間とポジ型フォトレジストの食刻長tとの
関係を示した特性図で、前記食刻長tはCF4プラズマ
食刻時間と共に“増カル、前記一実施例の次に続く工程
(例えばリフトオフなど)においてポジ型フォ、トレジ
ストが必要な場合、CF4プラズマ食刻時間はレジスト
膜厚によシ゛異なるが、短時間が望ましい。前記一実施
例においては前記第3図よシ乾式食刻時間が2分以上で
はS i O?膜の側面食刻長tはほぼ同程度となる。
ぞれ0分、1分、2分、3分としたときのSiO2膜の
側面食刻長tと湿式食刻時間との関係を示した特性図で
ある。なお同第3図の縦呻tの値は走査型電子顕微鏡(
以下SEMと略す)を用いた観察によるものである。湿
式食刻を行なわない場合、すなわち前記第3図における
横軸が0分の場合にはいずれの乾式食刻時間においても
S iO2膜の側面食刻はみられなかった(すなわちL
= 0 )nn )。これより 8102膜の側面食刻
は主に湿式食刻によシ生じ、前記一実施例に示すように
湿式食刻を行なう前に乾式食刻を行なうことによシ湿式
食刻によシ除去すべきS 102膜の厚さが減少、湿式
食刻だけの場合に比べ湿式食刻時間が短くなシ、5I0
2膜の111II面食刻を軽減することができる。さら
゛に、前記第3図において乾式食刻時間の増加に伴い、
同一湿式食刻時間におけるS r 02腹側面食刻長t
が減少している。これはCF4プラズマによる乾式食刻
にょシ、マスクであるポジ型フォトレジストとS、J
O2膜との界面での密着性が増し、湿式食刻時における
前記界面での食刻溶液の浸透が少なくなったためと推定
される。なお、第4図は前記一実施例におけるCF4プ
ラズマ食刻時間とポジ型フォトレジストの食刻長tとの
関係を示した特性図で、前記食刻長tはCF4プラズマ
食刻時間と共に“増カル、前記一実施例の次に続く工程
(例えばリフトオフなど)においてポジ型フォ、トレジ
ストが必要な場合、CF4プラズマ食刻時間はレジスト
膜厚によシ゛異なるが、短時間が望ましい。前記一実施
例においては前記第3図よシ乾式食刻時間が2分以上で
はS i O?膜の側面食刻長tはほぼ同程度となる。
これは前記のCF4fラズマ食刻によるポジ型フォトレ
ジストトS10□膜の密着性を増す効果が2分以上では
増加しないためと推定される。以上のことよシ、前記一
実施例においては、その中に示すようにCF47’ラズ
マ食刻時間は、2分が望ましい。さらにプラズマk C
HF3より生成しても条件は異なるが、同様の効果が得
られる。
ジストトS10□膜の密着性を増す効果が2分以上では
増加しないためと推定される。以上のことよシ、前記一
実施例においては、その中に示すようにCF47’ラズ
マ食刻時間は、2分が望ましい。さらにプラズマk C
HF3より生成しても条件は異なるが、同様の効果が得
られる。
(発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明は、ボッ型フォ
トレノストをマスクとし、フッ素を含むプラズマによ’
I S 102膜の乾式食刻を行ない、しがる後さらに
5102膜を湿式食刻することにより、S 102膜と
ボッ型フォトレノストの、密着性が増し、さらに湿式食
刻時間を短かくできることと合わせて、5I02膜の側
面食刻を軽減するという優れた効果が得られ、その結果
、S+Q2膜の1〜2μmの微細パターン形成の困難さ
を緩和することが可能となる。さらに、本発明はフッ素
を含むプラズマの食刻が、ボッ型フォトレジストをも食
刻することから、ポジ型フォトレノストのパターン形成
時のレノスト残渣を除去するという効果も得られる。
トレノストをマスクとし、フッ素を含むプラズマによ’
I S 102膜の乾式食刻を行ない、しがる後さらに
5102膜を湿式食刻することにより、S 102膜と
ボッ型フォトレノストの、密着性が増し、さらに湿式食
刻時間を短かくできることと合わせて、5I02膜の側
面食刻を軽減するという優れた効果が得られ、その結果
、S+Q2膜の1〜2μmの微細パターン形成の困難さ
を緩和することが可能となる。さらに、本発明はフッ素
を含むプラズマの食刻が、ボッ型フォトレジストをも食
刻することから、ポジ型フォトレノストのパターン形成
時のレノスト残渣を除去するという効果も得られる。
第1図は従来の湿式食刻のみによるS 102膜のパ、
ターン形成における半導体装置の工程断面図、第2図は
本発明の一実施例における半導体装置の製造方法の工程
断面図、第3図は本発明の前記一実施例におけるCF4
7°ラズマ食刻の効果を示した特性図、第4図は前記C
F4fラズマによるボッ型7オトレノストの食刻を示し
た特性図である。 1・・・半導体基板、2・・・5102膜、3・・・ボ
ッ型フォトレノスト、t・二5102膜の測面食刻長。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司、°閂1 11 第1図 第2図 第 3 図。 温弐骨刺時’fll(分2 第4図 乾た111蒔閘(か2
ターン形成における半導体装置の工程断面図、第2図は
本発明の一実施例における半導体装置の製造方法の工程
断面図、第3図は本発明の前記一実施例におけるCF4
7°ラズマ食刻の効果を示した特性図、第4図は前記C
F4fラズマによるボッ型7オトレノストの食刻を示し
た特性図である。 1・・・半導体基板、2・・・5102膜、3・・・ボ
ッ型フォトレノスト、t・二5102膜の測面食刻長。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代理人星 野 恒 司、°閂1 11 第1図 第2図 第 3 図。 温弐骨刺時’fll(分2 第4図 乾た111蒔閘(か2
Claims (2)
- (1)半導体基板上に形成したシリコン酸化膜のパター
ン形成に際し、ポジ型フォトレノストヲマスクとし、フ
ッ素を含むプラズマによる乾式食刻を行ない、しかる後
、続いて湿式食刻を行なうことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - (2) プラズマが四フッ化炭素もしくは三ンッ化−水
素化炭素より生成することを特徴とする特許請求の範囲
第(1)項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15028483A JPS6042834A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15028483A JPS6042834A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6042834A true JPS6042834A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15493610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15028483A Pending JPS6042834A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6042834A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289818A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4847183A (en) * | 1987-09-09 | 1989-07-11 | Hewlett-Packard Company | High contrast optical marking method for polished surfaces |
US5354369A (en) * | 1992-05-13 | 1994-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, ink-jet recording process making use of the ink, and equipment therefor |
CN103646870A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-19 | 中国科学院物理研究所 | 薄膜窗口的制备方法 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15028483A patent/JPS6042834A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63289818A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4847183A (en) * | 1987-09-09 | 1989-07-11 | Hewlett-Packard Company | High contrast optical marking method for polished surfaces |
US5354369A (en) * | 1992-05-13 | 1994-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink, ink-jet recording process making use of the ink, and equipment therefor |
CN103646870A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-03-19 | 中国科学院物理研究所 | 薄膜窗口的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0345532B2 (ja) | ||
JPS6042834A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0545057B2 (ja) | ||
JPH0343777B2 (ja) | ||
JPS6255694B2 (ja) | ||
JP2794565B2 (ja) | 溝形キャパシタの製造方法 | |
JPH07307328A (ja) | パターン形成方法 | |
JPH0621020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59167021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05267246A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03261143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0582502A (ja) | 絶縁膜のエツチング方法 | |
JP2600839B2 (ja) | 窒化シリコン膜のエッチング方法 | |
JPH05175159A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0212822A (ja) | 完全にまたは部分的に埋められたフィールド酸化物層を有する半導体デバイスの製造方法 | |
JPH0222818A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05160105A (ja) | ウエットエッチング方法 | |
JPH0828359B2 (ja) | エツチング方法 | |
JP2004235297A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0286130A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01297822A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04155816A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6159735A (ja) | 結晶エツチング方法 | |
JPS6337502B2 (ja) | ||
JPH0821597B2 (ja) | パターンの形成法 |