JP2011023629A - ドライエッチング方法、電子デバイスの製造方法、ドライエッチング装置、処理制御プログラム及び記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】ドライエッチング処理中に精度よくエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】ドライエッチング方法が、複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出する手順と、算出したエッチング速度とプラズマの発光強度とを関数で表す発光依存性グラフ２２を作成する手順と、発光依存性グラフ２２に、ドライエッチング処理中の被処理体６の発光強度をプロットしてエッチング速度を求める手順と、を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、各種電子部品、各種センサ、半導体集積回路素子等の電子デバイスを作製するためのドライエッチング方法、電子デバイスの製造方法、ドライエッチング装置、処理制御プログラム及び記録媒体に関する。

デバイスの製造プロセスにおいて、微細パターンを作製する場合がある。この微細パターンは、例えば、リソグラフィー技術によって作製したパターンをマスクとし、ドライエッチング処理することにより作製することができる。

ここで、ドライエッチング処理を重ねるにつれて処理チャンバ内にエッチング生成物が付着・残留し、チャンバ内の雰囲気が正常な状態から外れて、ドライエッチング処理の特性が変動（主に低下することが多い）することがある。特に、絶縁膜をドライエッチングする場合、絶縁膜が付着するとチャンバの電位状態等が変化し、プラズマの形成状態が変動するため、ドライエッチング処理の特性変動が見られる。この場合、ドライエッチング処理が正常に行われず、デバイスの性能不良（異常）に繋がってしまう。

そのため、ウエハの投入の度に、ドライエッチング処理が正常に実施されているか否かを確認する必要があり、分光エリプソメータ等の膜厚測定器によって、エッチング処理前後に膜厚を測定し、所定のエッチング量が実現できていることを確認していた。

図１１は、従来のドライエッチング方法における処理状態の確認手順を示す説明図である。

図１１に示すように、従来のドライエッチング方法において、まず検査１では、分光エリプソメータ等の膜厚測定器によって、ドライエッチング処理前の被処理物質の膜厚を測定している（ステップ２１；以下、「Ｓ２１」のように表記する。）。次に、従来の方法でドライエッチング処理を実施する（Ｓ２２）。さらに、検査２は、検査１と同様に膜厚測定器によって、ドライエッチング処理後の被処理物質の膜厚を測定している（Ｓ２３）。そして、検査１と検査２の双方の結果から、ドライエッチング処理によって除かれた被処理物質の膜厚を算出している。この膜厚差が、目的の値の範囲内にあれば「正常」と判断し、後工程の処理を行なう（Ｓ２４）。しかし、膜厚差が、目的の値の範囲から外れていた場合は「異常」と判断し、異常判定後の全ウエハを廃棄しなければならなかった（Ｓ２５）。

上記のように「正常」か「異常」かの判断は、ウエハ処理の生産に関する判断だけではなく、ドライエッチング処理におけるチャンバ内のメンテナンス時期を判断する指針でもあった。即ち、この「異常」の発生原因は、前述したように、エッチング生成物がチャンバ内に付着・残留し、チャンバ内の雰囲気が正常な状態から外れ、ドライエッチング処理の特性が変動することに起因する場合が多かった。このため「異常」が発生した段階で、チャンバ内に付着・残留した異物を除去するメンテナンス作業を実施し、装置性能を復旧させて次のウエハ処理へと進んでいる。

しかしながら、図１１のドライエッチング方法では、ドライエッチング処理前後に、検査１および検査２を実施する手順が必要であった。また、複数枚を１バッチとして、１枚ずつ連続的にドライエッチング処理する場合において、ドライエッチング処理の途中で不良を発見できないため、処理途中のウエハで不良が発生すると、残りの全数のウエハを不良にしなければならなかった。

そこで、ドライエッチング処理中の処理状態を取得する方法として、プラズマ発光強度の観測を利用した技術が種々提案されている。例えば、プラズマ発光強度波形の立ち上がり値を判定し、エッチングの終点領域でのプラズマ発光強度のサンプリング時間間隔を調整して、プラズマ発光強度の２次微分のピーク値を増大させるエッチング終点判定方法が提案されている（特許文献１参照）。また、プラズマ発光のうち、特定の波長をもつ被処理基板からの反射光の強度を観測し、この時間変化に基づきエッチング速度を算出するエッチングプレート測定方法が提案されている（特許文献２参照）。

特開２００１−７０８４号公報 特開２００８−２４４１０７号公報

しかしながら、特許文献１の処理状態の取得技術では、エッチングの終点を判定できるに留まっていた。

また、特許文献２の処理状態の取得技術では、被処理物質及びその下地膜からの反射光が干渉した光の強度を観測するので、基板におけるエッチング下地膜の種類や構造が異なっていたりすると、精度のよい結果を得ることが困難であった。したがって、ドライエッチング処理の正常・異常の判別が困難であり、処理の歩留まりが悪かった。

そこで本発明は、ドライエッチング処理中にエッチング速度を算出可能なドライエッチング方法、電子デバイスの製造方法、ドライエッチング装置、処理制御プログラム及び記録媒体を提供することを目的とする。

また本発明は、ドライエッチング処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させることができるドライエッチング方法、電子デバイスの製造方法、ドライエッチング装置、処理制御プログラム及び記録媒体を提供することを目的とする。

上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。

即ち、本発明に係るドライエッチング方法は、複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出する手順と、前記算出したエッチング速度とプラズマの発光強度とを関数で表す発光依存性グラフを作成する手順と、前記発光依存性グラフに、ドライエッチング処理中の被処理体の発光強度をプロットしてエッチング速度を求める手順と、を有することを特徴とするドライエッチング方法である。

また、本発明に係るドライエッチング装置は、処理容器の内部のプラズマ発光を受光し、受光した光を分光して分光スペクトルデータを生成する分光器と、前記分光器に接続され、ドライエッチング処理が正常であるか否かの判別の処理を行う正常又は異常判別手段と、を備え、前記正常又は異常判別手段は、複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出し、前記算出したエッチング速度とプラズマの発光強度との関数で作成された発光依存性グラフを有し、前記発光依存性グラフに、ドライエッチング処理中の被処理体の発光強度をプロットしてエッチング速度を求めることを特徴とするドライエッチング装置である。

本発明によれば、ドライエッチング処理中にエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させることができる。

本発明に係るドライエッチング装置の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係るドライエッチング方法の処理の流れを説明する図である。 本発明に係るドライエッチング方法の処理判定後の手順を示す説明図である。 被処理物質に起因するプラズマ発光強度の時間推移を示す説明図である。 エッチング速度とプラズマ発光強度の関係を示す説明図である。 エッチング速度の発光強度依存性（波長３９６ｎｍ）を示す説明図である。 エッチング速度の発光強度依存性（波長３０９ｎｍ）を示す説明図である。 エッチング速度の発光強度依存性（波長３０８ｎｍ）を示す説明図である。 エッチング速度の発光強度依存性（波長３９４ｎｍ）を示す説明図である。 エッチング速度の発光強度依存性（波長２６１ｎｍ）を示す説明図である。 従来のドライエッチング方法における処理状態の確認手順を示す説明図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。

まず、図１を参照して、本発明に係るドライエッチング装置について説明する。図１は、本発明に係るドライエッチング装置の一実施形態を示す模式図である。

図１に示すように、本実施形態のドライエッチング装置１は、処理空間を区画する処理容器（チャンバ）２を備えている。このチャンバ２には、その内部にエッチングガスを含む放電ガス２５を供給するガス供給手段８と、チャンバ２内を真空排気する排気手段１０と、チャンバ２内の圧力を所定の値に制御するバルブ９と、が備えられている。

チャンバ２内の処理空間の下方には、ドライエッチング処理の処理対象となる被処理物質５を有する被処理体６を支持するステージホルダ７を配設されている。

チャンバ２内の処理空間の上方には、ホルダ７に対向するようにプラズマ生成手段３が配設されており、例えば、高周波電源等の放電電源１１から電力を印加することよって、チャンバ２内の処理空間にプラズマ４を生成するようになっている。

処理ガス（エッチングガス）としては、例えば、塩素を元素として含む塩素系ガス（Ｃｌ₂）が挙げられる。また、被処理物質（被処理膜）５としては、例えば、Ａｌ−Ｏ系（Ａｌ₂Ｏ₃等のアルミナなど）や、Ｍｇ−Ｏ系（ＭｇＯなど）などの金属酸化物膜が挙げられる。

被処理物質５の微細パターンの形成は、放電電源１１から供給した高周波電力等の電力によって生成したプラズマ４からの荷電粒子や中性活性種を被処理物質５の処理面に照射することによって実現する。

また、本実施形態のドライエッチング装置１は、プラズマ４からの発光を受光し、受光した光を分光して分光スペクトルデータを生成する分光器１６を備えている。チャンバ２内における被処理物質５の前面空間２６からのプラズマ４の発光は、ドライエッチング装置１の側壁に設けられたプラズマ測定用窓１３を介して取り出し、集光レンズ１４、光ファイバー１５を介して上記分光器１６に伝送されるようになっている。

前述したように、被処理体６としてのウェハは、ホルダ７の載置面に保持される。ホルダ７には高周波電源等のバイアス電源１２が接続されており、このバイアス電源１２からホルダ７にバイアス電力を印加することにより、プラズマ４中の荷電粒子をドライエッチングの処理対象であるウエハ表面の被処理物質５に誘引することができる。

また、分光器１６には、これを使用して予め所定のウエハを使用して作成したエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２に基づいて、ドライエッチング処理が正常か否かを判別するドライエッチング処理の正常又は異常判別手段１７が接続されている。この正常又は異常判別手段１７には、発光強度をプロットしたグラフを表示する表示手段２３と、ドライエッチング処理判別結果に基づいて、ドライエッチング処理を中断させる装置コントローラ２４と、が接続されている。装置コントローラ２４は、ドライエッチング処理の中断指令を送信すべく、上記ガス供給手段８およびプラズマ生成手段３に接続されている。なお、エッチング速度の発光強度依存性グラフ２２の作成方法などの詳細説明は、事前データ取得の方法において後述する。

正常又は異常判別手段１７は、分光器１６からの分光スペクトルデータを収集する分光データ収集部１８と、分光スペクトルデータから観測対象の波長の発光強度を抽出する波長選択部１９と、を備えている。さらに、正常又は異常判別別手段１７は、上記発光強度依存性グラフ２２に選択された所定の波長の発光強度をプロットする発光強度プロット部２０と、ドライエッチング処理の正常又は異常判別部２１と、を備えている。

次に、上記ドライエッチング装置１を使用して実施する本発明に係るドライエッチング方法について説明する。なお、本発明に係るドライエッチング方法のアルゴリズムは、ドライエッチング装置１の処理プロセスを制御する正常又は異常判別別手段１７の記憶部に処理制御プログラムとして記憶されており、処理プロセス開始の際にＣＰＵにより読み出されて実行される。

また、上記処理制御プログラムは、コンピュータ（ＰＣ）による読み取り可能な記録媒体に記録されて、ＰＣの記憶部にインストールされる。記録媒体としては、フロッピー（登録商標）ディスク、ＺＩＰ（登録商標）等の磁気記録媒体、ＭＯ等の光磁気記録媒体、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ＋Ｒ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷ（登録商標）、ＰＤ等の光ディスク等が挙げられる。また、コンパクトフラッシュ（登録商標）、スマートメディア（登録商標）、メモリースティック（登録商標）、マルチメディアカード、ＳＤメモリカード等のフラッシュメモリ系が挙げられる。さらに、マイクロドライブ（登録商標）、Ｊａｚ（登録商標）等のリムーバブルハードディスクが挙げられる。

まず、事前データの取得手順について説明する。

事前データの取得に際して、目的とするドライエッチング処理を実施するウエハと同様の構造の事前評価ウエハ（サンプル被処理体）を準備する。予め、この事前評価ウエハ上の被処理物質の膜厚を測定し、この測定結果の膜厚を膜厚値Ａとする。上記ドライエッチング装置１を使用し、事前評価ウエハを用いて、所定条件で所定の処理時間（プラズマ点灯時間）Ｔの間、ドライエッチング処理を行う。そして、処理開始から所定時間経過後（処理時間Ｔの終了間際）における分光スペクトルデータの所定の波長の発光強度Ｉを測定する。ドライエッチング処理後、再度、事前評価ウエハ上の被処理物質の膜厚を処理前と同様の方法で測定し、この測定結果の膜厚を膜厚値Ｂとする。

次の計算式を用いて、膜厚値Ａ，Ｂおよび処理時間Ｔからエッチング速度Ｒを算出する。

エッチング速度Ｒ＝（膜厚値Ａ−膜厚値Ｂ）／処理時間Ｔ

なお、上記計算式において、膜厚値Ａ−膜厚値Ｂ＝エッチング処理量であり、エッチング速度は処理時間の平均のエッチング速度となる。

次に、算出したエッチング速度Ｒと測定した発光強度Ｉとの対応をプロットし、同様の条件でエッチング処理及びエッチング速度の算出を繰り返し行う。そして、得られた複数のプロットから、エッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を作成したところ、このグラフが一次関数で表されることを見出した。

エッチング速度の発光強度依存性グラフ２２の直線に関して、正常処理が実施されている時の領域を正常範囲Ｋとする。

次に、目的となる実際のドライエッチング処理をおこなうウエハの正常又は異常を判別する手順について説明する。

処理を行うウエハ６に対して、目的とするドライエッチング処理を実施した。このときの分光スペクトルデータの所定の波長の発光強度Ｉ’を測定した。この発光強度Ｉ’が、先に作成したエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２の正常範囲Ｋ内にあれば、合格と判断した。これに対し、この発光強度Ｉ’が、先に作成したエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２の正常範囲Ｋ外であれば、異常と判断した。

図２は、本発明に係るドライエッチング方法の処理の流れを示す説明図である。

図２に示すように、まず、チャンバ２内でドライエッチング処理を行う際に発生するプラズマ４の発光をプラズマ測定用窓１３を介して取り出し、集光レンズ１４、光ファイバー１５を介して分光器１６に受光して分光し、分光スペクトルデータを生成する（Ｓ１）。分光器１６で生成された分光スペクトルデータは、分光データ収集部１８において各時刻におけるプラズマ分光スペクトルデータとして収集される。

次に、波長選択部１９は、上記時間Ｔにおける所定波長の発光強度を選択する（Ｓ２）。この所定波長としては、被処理物質を構成する原子の電子状態遷移に起因する波長や、被処理物質を構成する元素とエッチングガスを構成する元素からなる分子の電子状態遷移に起因する波長などを用いることができる。

次いで、波長選択部１９で選択した発光強度を、予め作成したエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２にプロットし（Ｓ３）、発光強度が正常範囲Ｋ内にあるか否かによってエッチング処理の正常・異常を判別する（Ｓ４）。そして、正常と判別された場合は処理を続行し（Ｓ５）、異常と判別された場合は次のウエハの処理の実施を中断する（Ｓ６）。

図３は、本発明に係るドライエッチング方法の処理判定後の手順を示す説明図である。

図３に示すように、ドライエッチング処理の正常又は異常判別部２１において（Ｓ１１）、正常である判別されたウエハは、そのまま後工程の処理が可能となる（Ｓ１２）。また、異常であると判別されたウエハは、ドライエッチング処理中に正常又は異常の判別を行っているので、この１枚のみが廃棄されることになる（Ｓ１３）。したがって、同じバッチで投入された残ウエハは処理が実施されない状態で保管することができ、残ウエハを無駄に消費することが無くなった。

異常と判別されたときには、その処理途中のウエハの処理が完了した後に、チャンバ２の内部に付着・残留している異物を除去する装置メンテナンスを実施する（Ｓ１４）。このメンテナンス実施の後、装置性能を復旧させて次のウエハの処理へと進むことになる。

このように、本発明に係るドライエッチング方法によれば、図１１で説明した従来のドライエッチング方法における検査１および検査２の手順が不用となる。また、ドライエッチング処理中の発光強度から、ドライエッチング処理が正常であるか否かを確認できるので、上記検査手順を省いてそのまま後処理に進むことができ、作業が簡略化を図ることができる。

さらに、ドライエッチング処理中に異常を発見でき、廃棄する異常ウエハは処理中のウエハ１枚のみで済み、異常ウエハの数量を削減できるので、ドライエッチング処理の歩留まりを向上させることができる。加えて、ドライエッチング処理中に異常を発見により、処理中のバッチが完了する以前に早期にチャンバ内のメンテナンスを実施することができ、早期に正常処理を再開することができる。

そして、ドライエッチング処理後の大気に取り出して検査する工程を省略でき、真空下において連続処理を実現することができ、産業上有益である。

以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の範囲を上記実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。

例えば、本実施形態では異常であると判別した場合は次処理を中断するが、本発明はこれに限定されず、エッチング条件（例えば、電力条件等）を変更するようことで対応してもよい。

また、本実施形態のドライエッチング方法は、各種電子部品、各種センサ、半導体集積回路素子等の電子デバイスの製造方法において、被処理体をエッチング処理する手順として、製造手順の一手順に組み込むことができる。

以下、本発明に係るドライエッチング方法の作用効果を確認すべく、実施例を挙げて本発明をさらに詳述する。

〔実施例１〕
まず、図４および図５を参照して、本発明に係るドライエッチング方法の発明概念についてさらに詳述する。図４は、被処理物質に起因するプラズマ発光強度の時間推移を示す説明図である。図５は、エッチング速度とプラズマ発光強度の関係を示す説明図である。

図４に示すように、ドライエッチング処理を開始すると、プラズマ発光強度のピークが観られ、時間が経つと徐々に発光強度の時間変化が少なくなり、定常状態となる。エッチング速度が小さくなると（エッチング速度Ａ＞Ｂ＞Ｃ）、所定時間Ｔにおけるプラズマ発光強度は小さくなり、このときのエッチング速度とプラズマ発光強度の関係は図５に示すような１次関数となる。

なお、定常状態における瞬時値１点のみの観測に限定されず、複数点のプラズマ発光強度の平均値に基づきエッチング速度との関数を作成するようにしてもよいし、図５中のハッチング部に示すように積分値などを用いてもよい。

以下の実施例では、上記発明概念を確認すべく、図１のドライエッチング装置を用いて、ウエハ上に成膜された被処理物質（アルミナ膜）をドライエッチング処理し、そのプラズマ発光強度とエッチング速度との関係を調査した。

図６から図１０は、被処理物質を構成する原子の電子状態の遷移に起因する波長（例えば、３９６ｎｍ、３０９ｎｍ、３０８ｎｍ、３９４ｎｍ、２６１ｎｍ）におけるエッチング速度の発光強度依存性グラフを示す説明図である。

プラズマ発光強度とエッチング速度との関係を調査した結果、図６から図１０に示すように、所定波長のプラズマ発光強度とエッチング速度の間には一次関数の関係が成立することが確認された。

図６は、アルミニウム原子の電子状態遷移に起因する３９６ｎｍの波長のエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を示している。また、正常領域Ｋの一例を示している。

また、波長は３０９ｎｍの波長の発光強度を用いても、結果を得ることができた。図７は、アルミニウム原子の電子状態遷移に起因する３０９ｎｍの波長のエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を示している。このグラフを使用しても正常又は異常の判別が可能であったが、３９６ｎｍ光の方が発光強度が強いためノイズの影響を受けにくい利点があった。

また、波長は３０８ｎｍの波長の発光強度を用いても、結果を得ることができた。図８は、アルミニウム原子の電子状態遷移に起因する３０８ｎｍの波長のエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を示している。このグラフを使用しても正常又は異常の判別が可能であったが、３９６ｎｍ光の方が発光強度が強いため、３０９ｎｍと同様に３９６ｎｍを使用した方がノイズの影響を受けにくい利点があった。

また、該波長は３９４ｎｍの波長の発光強度を用いても、結果を得ることができた。図９は、アルミニウム原子の電子状態遷移に起因する３９４ｎｍの波長のエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を示している。このグラフを使用しても正常又は異常の判別が可能であったが、３９６ｎｍ光の方が発光強度が強いため、３９４ｎｍと同様に３９６ｎｍを使用した方がノイズの影響を受けにくい利点があった。

また、波長は２６１ｎｍの波長の発光強度を用いても、結果を得ることができた。図１０は、塩化アルミニウム分子の電子状態遷移に起因する２６１ｎｍの波長のエッチング速度の発光強度依存性グラフ２２を示した。このグラフを使用しても正常又は異常の判別が可能であったが、３９６ｎｍ光の方が発光強度が強いため、２６１ｎｍと同様に３９６ｎｍを使用した方がノイズの影響を受けにくい利点があった。

また、上述したように、発光強度を任意の時間区間で積分した積分値とエッチング速度とを関数で表した発光依存性グラフを採用しても良い（図４のハッチング部参照）。

正常であると判別された場合は真空一貫でそのまま後処理に進む。また、異常であると判別された場合は次処理を中断し、異常ウエハ１枚のみ廃棄し、装置のメンテナンスを行う。

１ ドライエッチング装置
２ チャンバ
３ プラズマ生成手段
４ プラズマ
５ 被処理物質
６ 被処理体（ウエハ）
７ ホルダ
８ ガス供給手段
９ バルブ
１０ 排気手段
１１ 放電電源
１２ バイアス電源
１３ プラズマ測定用窓
１４ 集光レンズ
１５ 光ファイバー
１６ 分光器
１７ ドライエッチング処理の正常又は異常判別手段
１８ 分光データ収集部
１９ 発光強度選択部
２０ 発光強度プロット部
２１ ドライエッチング処理の正常又は異常判別部
２２ エッチング速度の発光強度依存性グラフ
２３ 表示手段
２４ コントローラ
２５ 放電ガス
２６ 前面空間

Claims (21)

1. 複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出する手順と、
   前記算出したエッチング速度とプラズマの発光強度とを関数で表す発光依存性グラフを作成する手順と、
   前記発光依存性グラフに、ドライエッチング処理中の被処理体の発光強度をプロットしてエッチング速度を求める手順と、
   を有することを特徴とするドライエッチング方法。
2. 前記プラズマの発光強度が時間の経過により定常状態になったときの発光強度に基づいて、前記発光依存性グラフを作成することを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
3. 前記発光依存性グラフは、前記プラズマの発光強度の瞬時値とエッチング速度との関係で関数が求められることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法。
4. 前記発光依存性グラフは、前記プラズマの発光強度の積分値とエッチング速度との関係で関数が求められることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法。
5. 前記発光強度は、前記被処理体の被処理物質を構成する原子の電子状態の遷移に起因する波長に基づいて選択されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
6. 前記発光強度は、前記被処理体の被処理物質を構成する元素及びエッチングガスを構成する元素から構成される分子の電子状態の遷移に起因する波長に基づいて選択されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
7. 前記エッチング速度を求める手順の後に、前記発光依存性グラフにおけるプロットに基づいて、被処理体のドライエッチング処理が正常であるか否かを判別する手順を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のドライエッチング方法。
8. 前記ドライエッチング処理が正常であるか否かを判別する手順において、正常であると判別された場合は処理を続行し、異常であると判別された場合は処理を中断することを特徴とする請求項７に記載のドライエッチング方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載のドライエッチング方法により、被処理体をエッチング処理する手順を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
10. 処理容器の内部のプラズマ発光を受光し、受光した光を分光して分光スペクトルデータを生成する分光器と、
    前記分光器に接続され、ドライエッチング処理が正常であるか否かの判別の処理を行う正常又は異常判別手段と、
    を備え、
    前記正常又は異常判別手段は、複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出し、前記算出したエッチング速度とプラズマの発光強度との関数で作成された発光依存性グラフを有し、
    前記発光依存性グラフに、ドライエッチング処理中の被処理体の発光強度をプロットしてエッチング速度を求めることを特徴とするドライエッチング装置。
11. 前記正常又は異常判別手段は、
    前記分光スペクトルデータから観測対象の波長の発光強度を抽出する波長選択部と、
    前記発光強度依存性グラフに選択された所定の波長の発光強度をプロットする発光強度プロット部と、
    を備えていることを特徴とする請求項１０に記載のドライエッチング装置。
12. 前記正常又は異常判別手段は、前記発光依存性グラフにおけるプロットに基づいて、被処理体のドライエッチング処理の正常又は異常判別部を備えていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のドライエッチング装置。
13. ドライエッチング装置の処理容器の内部でのドライエッチング処理が正常であるか否かの判別の処理を行う正常又は異常判別手段に、
    複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出し、前記算出したエッチング速度とプラズマの発光強度とを関数で表す発光依存性グラフを作成する手順と、
    前記発光依存性グラフに、ドライエッチング処理中の被処理体の発光強度をプロットしてエッチング速度を求める手順と、
    を実行させることを特徴とするドライエッチング装置の処理制御プログラム。
14. 前記プラズマの発光強度が時間の経過により定常状態になったときの発光強度に基づいて、前記発光依存性グラフを作成することを特徴とする請求項１３に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
15. 前記発光依存性グラフは、前記プラズマの発光強度の瞬時値とエッチング速度との関係で関数が求められることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
16. 前記発光依存性グラフは、前記プラズマの発光強度の積分値とエッチング速度との関係で関数が求められることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
17. 前記発光強度は、前記被処理体の被処理物質を構成する原子の電子状態の遷移に起因する波長に基づいて選択されることを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
18. 前記発光強度は、前記被処理体の被処理物質を構成する元素及びエッチングガスを構成する元素から構成される分子の電子状態の遷移に起因する波長に基づいて選択されることを特徴とする請求項１３から１６のいずれか１項に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
19. 前記エッチング速度を求める手順の後に、前記発光依存性グラフにおけるプロットに基づいて、被処理体のドライエッチング処理が正常であるか否かを判別する手順を有することを特徴とする請求項１３から１８のいずれか１項に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
20. 前記ドライエッチング処理が正常であるか否かを判別する手順において、正常であると判別された場合は処理を続行し、異常であると判別された場合は処理を中断することを特徴とする請求項１９に記載のドライエッチング装置の処理制御プログラム。
21. 請求項１３から２０に記載のいずれかの処理制御プログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。

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