JPS6314421A - プラズマｃｖｄ方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ方法Info
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- JPS6314421A JPS6314421A JP15900586A JP15900586A JPS6314421A JP S6314421 A JPS6314421 A JP S6314421A JP 15900586 A JP15900586 A JP 15900586A JP 15900586 A JP15900586 A JP 15900586A JP S6314421 A JPS6314421 A JP S6314421A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、プラス？ ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、薄膜を
形成する方法に関するものである。
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、薄膜を
形成する方法に関するものである。
従来の技術
プラズマＣＶＤ方法は、真空容器内に試料を保持し、形
成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを供給しなが
ら、高周波エネルギによって、前記化合物ガスを励起し
、試料表面をそのプラズマ雰囲気に配置することによっ
て、試料表面に薄膜を形成する方法である。この方法は
、プラズマ活性を利用しているため、室温から４００’
Ｃ程度までの低温で膜形成を行うことができるという特
徴がある。
成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを供給しなが
ら、高周波エネルギによって、前記化合物ガスを励起し
、試料表面をそのプラズマ雰囲気に配置することによっ
て、試料表面に薄膜を形成する方法である。この方法は
、プラズマ活性を利用しているため、室温から４００’
Ｃ程度までの低温で膜形成を行うことができるという特
徴がある。
プラズマＣＶＤ法による薄膜形成上の課題は、形成薄膜
の膜質および膜厚分布の制御並びにピンホールやパーテ
ィクルの付着等の膜欠陥の問題である。また、生産面で
の課題は堆積速度の向上である。
の膜質および膜厚分布の制御並びにピンホールやパーテ
ィクルの付着等の膜欠陥の問題である。また、生産面で
の課題は堆積速度の向上である。
従がって、良質のプラズマＣＶＤ膜を均一に試料表面に
形成するためには、薄膜形成時の低温プラズマの分布お
よびその安定度、試料加熱分布並びに試料保持温度等の
プロセス条件に工夫が必要である。
形成するためには、薄膜形成時の低温プラズマの分布お
よびその安定度、試料加熱分布並びに試料保持温度等の
プロセス条件に工夫が必要である。
以下図面を参照しながら、上述した従来のプラズマ気相
成長装置の一例について説明する。
成長装置の一例について説明する。
第４図に従来のプラズマ気相成長装置を示す。
第４図において、１は真空状態の維持が可能な真空容器
、２はプラズマＣＶＤ膜が形成される試料、３は試料２
を保持し、かつ、内部に加熱用のヒータを有し、試料２
を加熱することが可能な試料台、４は試料台３の内部に
搭載されたヒータ、５はヒータ４に交流電力を供給する
ための交流電源、６は例えば５０ＫＨｚの高周波電力が
供給される電極、７は周波数５０ＫＨｚの高周波電源、
８は真空容器１内の圧力を大気圧以下の真空度に真空排
気するための真空ポンプ、９は真空容器１と真空ポンプ
８０間を気密に接続する真空排気用のパイプ′、１ｏは
真空容器１内の圧力を管内抵抗を可変にし、すなわち真
空ポンプ８の有効排気速度を可変にして制御するバタフ
ライバルブ、１１はガス流量制御装＃を介して化合物ガ
スを真空容器１内に導入するためのガスノズルである。
、２はプラズマＣＶＤ膜が形成される試料、３は試料２
を保持し、かつ、内部に加熱用のヒータを有し、試料２
を加熱することが可能な試料台、４は試料台３の内部に
搭載されたヒータ、５はヒータ４に交流電力を供給する
ための交流電源、６は例えば５０ＫＨｚの高周波電力が
供給される電極、７は周波数５０ＫＨｚの高周波電源、
８は真空容器１内の圧力を大気圧以下の真空度に真空排
気するための真空ポンプ、９は真空容器１と真空ポンプ
８０間を気密に接続する真空排気用のパイプ′、１ｏは
真空容器１内の圧力を管内抵抗を可変にし、すなわち真
空ポンプ８の有効排気速度を可変にして制御するバタフ
ライバルブ、１１はガス流量制御装＃を介して化合物ガ
スを真空容器１内に導入するためのガスノズルである。
以上のように構成されたプラズマ気相成長装置について
、以下その動作につい説明する。
、以下その動作につい説明する。
まず真空容器１内を真空ポンプ８により、５０ｍＴｏｒ
ｒ以下の真空度まで真空排気した後、試料２表面に形成
すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスをガスノズル１
１から流量制御装置で制御しながら真空容器１内に導入
する。さらにバタフライバルブ１ｏを操作し、薄膜形成
条件である圧力すなわち１００〜４００ ｍＴｎｒ ｒ
に真空容器１内を制御する。また試料２は試料台３によ
って３００℃程度の温度に加熱制御する。次に、電極６
に周波数５０ ＫＨｚの高周波電力を供給することによ
って、前記化合物ガスを励起し、試料２表面をそのプラ
ズマ雰囲気にさらすことによって、試料２表面にプラズ
マＣＶＤ膜を形成する。
ｒ以下の真空度まで真空排気した後、試料２表面に形成
すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスをガスノズル１
１から流量制御装置で制御しながら真空容器１内に導入
する。さらにバタフライバルブ１ｏを操作し、薄膜形成
条件である圧力すなわち１００〜４００ ｍＴｎｒ ｒ
に真空容器１内を制御する。また試料２は試料台３によ
って３００℃程度の温度に加熱制御する。次に、電極６
に周波数５０ ＫＨｚの高周波電力を供給することによ
って、前記化合物ガスを励起し、試料２表面をそのプラ
ズマ雰囲気にさらすことによって、試料２表面にプラズ
マＣＶＤ膜を形成する。
ところで、試料２表面にプラズマＣＶＤ膜を形成する際
には、電極６、試料台・３、真空容器１等々の真空容器
１内構成部品にも類似の膜（無効な膜）が堆積する。す
なわち、類似の膜が真空容器１内構成部品に累積する。
には、電極６、試料台・３、真空容器１等々の真空容器
１内構成部品にも類似の膜（無効な膜）が堆積する。す
なわち、類似の膜が真空容器１内構成部品に累積する。
この類似の膜は比較的密着力が弱く、その膜厚増加と共
に、真空容器１内にフレークを発生させる。その結果試
料２表面にパーティクルが多量に付着し、試料２表面に
形成したプラズマＣＶＤ膜に膜欠陥を生じさせる。
に、真空容器１内にフレークを発生させる。その結果試
料２表面にパーティクルが多量に付着し、試料２表面に
形成したプラズマＣＶＤ膜に膜欠陥を生じさせる。
そこで、定期的に真空容器１内構成部品に付着した無効
な膜を除去する必要がある。その手段として、プラズマ
クリーニングが用いられる。これは、真空容器１内にガ
スノズル１１よりハロゲンガスを導入し、所定の圧力に
保持した後、電極６に高周波電力を供給することによっ
て、真空容器１内に低温プラズマを発生させ、低温プラ
ズマ中の活性種によって、無効な膜をドライエツチング
するものである。例えば、試料２表面に窒化シリコン膜
を堆積させるプラズマＣＶＤ装置の場合には、前記ハロ
ゲンガスは、六フッ化イオウ（ＳＦ６）や四フフ化炭素
（ＣＦ４）と酸素（ｏ２）との混合ガスが用いられる。
な膜を除去する必要がある。その手段として、プラズマ
クリーニングが用いられる。これは、真空容器１内にガ
スノズル１１よりハロゲンガスを導入し、所定の圧力に
保持した後、電極６に高周波電力を供給することによっ
て、真空容器１内に低温プラズマを発生させ、低温プラ
ズマ中の活性種によって、無効な膜をドライエツチング
するものである。例えば、試料２表面に窒化シリコン膜
を堆積させるプラズマＣＶＤ装置の場合には、前記ハロ
ゲンガスは、六フッ化イオウ（ＳＦ６）や四フフ化炭素
（ＣＦ４）と酸素（ｏ２）との混合ガスが用いられる。
また、プラズマクリーニング後、膜堆積送度および膜質
等を安定化させるため、通常試料２に膜堆積を行う前に
試料２を入れない状態で、真空容器１内構成部品にあら
かじめ膜堆積を行う。（以下この動作をプリデポジショ
ンという）。
等を安定化させるため、通常試料２に膜堆積を行う前に
試料２を入れない状態で、真空容器１内構成部品にあら
かじめ膜堆積を行う。（以下この動作をプリデポジショ
ンという）。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では下記の問題点を有し
ていた。
ていた。
すなわち、プラズマクリーニングを低温プラズマの発生
時間によって管理及び制御しているため、再現性良くプ
ラズマクリーニングをすることが困難である。従がって
、プラズマクリーニングが不十分の場合、プラズマＣＶ
Ｄ膜に膜欠陥を生じさせる。また、プラズマクリーニン
グ状態が検知できないだめ、プリデポジション条件を明
確に設定できないという問題点を有していた。
時間によって管理及び制御しているため、再現性良くプ
ラズマクリーニングをすることが困難である。従がって
、プラズマクリーニングが不十分の場合、プラズマＣＶ
Ｄ膜に膜欠陥を生じさせる。また、プラズマクリーニン
グ状態が検知できないだめ、プリデポジション条件を明
確に設定できないという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、プラズマＣＶＤ装置の真空
容器内構成部品に付着した無効な膜を再現性良くプラズ
マクリーニングすることが可能なプラズマＣＶＤ方法を
提供するものである。
容器内構成部品に付着した無効な膜を再現性良くプラズ
マクリーニングすることが可能なプラズマＣＶＤ方法を
提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明のプラズマＣＶＤ
方法は、プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成部品を反
応容器内においてプラズマクリーニングする際、特定原
子または分子の発光スペクトル強度をモニタリングしな
がらプラズマクリーニングを行うものである。
方法は、プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成部品を反
応容器内においてプラズマクリーニングする際、特定原
子または分子の発光スペクトル強度をモニタリングしな
がらプラズマクリーニングを行うものである。
作 用
本発明は上記した構成によって、プラズマＣＶＤ装置の
反応容器内構成部品を反応容器内においてプラズマクリ
ーニングの際、低温プラズマ中の特定原子または分子の
発光スペクトル強度をモニタリングしながらプラズマク
リーニングができ、例えば前記スペクトル強度が所定の
値に減衰または増加した時、高周波電力の供給を停止し
、プラズマクリーニングを停止することによって、再現
性良くプラズマクリーニングをすることができる。
反応容器内構成部品を反応容器内においてプラズマクリ
ーニングの際、低温プラズマ中の特定原子または分子の
発光スペクトル強度をモニタリングしながらプラズマク
リーニングができ、例えば前記スペクトル強度が所定の
値に減衰または増加した時、高周波電力の供給を停止し
、プラズマクリーニングを停止することによって、再現
性良くプラズマクリーニングをすることができる。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ方法について図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の実施例に用いるプラズマ気相成長装
置の概略断面図を示すものである。
置の概略断面図を示すものである。
第１図において、４１は真空状態の維持が可能な真空容
器（反応容器）、４２はプラズマＣＶＤ膜が形成される
被加工物としての試料、４３は試料４２を保持し、かつ
、内部に加熱装置を有し試料４２を加熱することが可能
なアース接地された被加工物保持手段としての試料台、
４４は試料台４３の内部に搭載された加熱装置、４６は
交流電源、４ｅは周波数５０ＫＨｚの高周波電力が供給
される電極、４７はガス流量制御装置、４８は周波数５
０ＫＨｚの高周波電源、４９は真空容器４１内の圧力を
大気圧以下の真空度にするための真空排気手段としての
真空ポンプ、５ｏは真空容器４１と真空ポンプ４９との
間を気密に接続する真空排気用のパイプ、５１は真空容
器４１内の圧力を制御するための圧力制御装置、５２は
真空容器４１内を観察できる窓、５３はプラズマ光を集
光するレンズ、６４はプラズマ光を分光する分光器、６
５は分光器６４に内蔵された特定発光波長に整合する波
長スキャン装置、６６は分光後の光を検知する検出器、
５７は検知信号を増幅する増幅器、５８は記録計である
。
器（反応容器）、４２はプラズマＣＶＤ膜が形成される
被加工物としての試料、４３は試料４２を保持し、かつ
、内部に加熱装置を有し試料４２を加熱することが可能
なアース接地された被加工物保持手段としての試料台、
４４は試料台４３の内部に搭載された加熱装置、４６は
交流電源、４ｅは周波数５０ＫＨｚの高周波電力が供給
される電極、４７はガス流量制御装置、４８は周波数５
０ＫＨｚの高周波電源、４９は真空容器４１内の圧力を
大気圧以下の真空度にするための真空排気手段としての
真空ポンプ、５ｏは真空容器４１と真空ポンプ４９との
間を気密に接続する真空排気用のパイプ、５１は真空容
器４１内の圧力を制御するための圧力制御装置、５２は
真空容器４１内を観察できる窓、５３はプラズマ光を集
光するレンズ、６４はプラズマ光を分光する分光器、６
５は分光器６４に内蔵された特定発光波長に整合する波
長スキャン装置、６６は分光後の光を検知する検出器、
５７は検知信号を増幅する増幅器、５８は記録計である
。
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置を用いたプ
ラズマＣＶＤ方法を説明する。
ラズマＣＶＤ方法を説明する。
まず、真空容器４１内を真空ポンプ４９によって、３０
ｍＴｏｒ ｒ以下の真空度まで真空排気した後、試料
４２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガス
、すなわち、モノシラン（Ｓ ｉＨ４）＊アンモニア（
ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）の混合ガスを各々１３ＳＣＣＭ
、ａ １ＳＣＣＭ、１４２ＳＣＣＭのガス流量で、ガス
流量制御装置４７より真空容器４１内に導入し、かつ、
真空容器４１内の圧力を圧力制御装置５１を操作して、
２６０ ｍ Ｔｏｒｒに保持する。
ｍＴｏｒ ｒ以下の真空度まで真空排気した後、試料
４２表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガス
、すなわち、モノシラン（Ｓ ｉＨ４）＊アンモニア（
ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）の混合ガスを各々１３ＳＣＣＭ
、ａ １ＳＣＣＭ、１４２ＳＣＣＭのガス流量で、ガス
流量制御装置４７より真空容器４１内に導入し、かつ、
真空容器４１内の圧力を圧力制御装置５１を操作して、
２６０ ｍ Ｔｏｒｒに保持する。
また、試料４２は試料台４３によって３００℃の温度に
加熱制御する。次に、電極４６に高周波電源４８より周
波数５０ＫＨｚの高周波電力を供給することによって、
試料４２を含む空間に低温プラズマを発生させる。以上
の結果、試料４２上に屈折率１．９９８±０．０２ 、
膜厚分布±３％のシリコンナイトライド膜を形成するこ
とができた。
加熱制御する。次に、電極４６に高周波電源４８より周
波数５０ＫＨｚの高周波電力を供給することによって、
試料４２を含む空間に低温プラズマを発生させる。以上
の結果、試料４２上に屈折率１．９９８±０．０２ 、
膜厚分布±３％のシリコンナイトライド膜を形成するこ
とができた。
次に、プラズマクリーニングを行う際の動作を説明する
・ まず、試料４２を真空容器４１内より取り出した後、真
空容器４１内を真空ポンプ４９によって、３０ ｍ Ｔ
ｏｒτ以下の真空度まで真空排気した後、六フフ化硫黄
（ＳＦ６）ガスを２００ＳＣＣＭＯガス流量で、ガス流
量制御装置４７より真空容器４１内に導入し、かつ、真
空容器４１内の圧力を圧力制御装置５１を操作して、３
００ ｍ Ｔｏｒ ｒに保持する。次に、電極４６に高
周波電源４８より周波数５０ＫＨｚの高周波電力を供給
することによって、低温プラズマを発生させる。
・ まず、試料４２を真空容器４１内より取り出した後、真
空容器４１内を真空ポンプ４９によって、３０ ｍ Ｔ
ｏｒτ以下の真空度まで真空排気した後、六フフ化硫黄
（ＳＦ６）ガスを２００ＳＣＣＭＯガス流量で、ガス流
量制御装置４７より真空容器４１内に導入し、かつ、真
空容器４１内の圧力を圧力制御装置５１を操作して、３
００ ｍ Ｔｏｒ ｒに保持する。次に、電極４６に高
周波電源４８より周波数５０ＫＨｚの高周波電力を供給
することによって、低温プラズマを発生させる。
また、窓５２よりプラズマ光をレンズ５３を介して分光
器６４に導き、波長スキャン装置５５を操作し、波長が
６７４ｎｍの窒素原子を横糸器６６によってモニタリン
グし、増幅器５７を介して記録計６８に導く。記録計６
８に出力された発光スペクトル強兵の時間変化を第２図
に示す。第２図中、Ａ点は低温プラズマが発生した地点
の発光スペクトル強度を示す。第２図より明らかなよう
に、プラズマクリーニングが進行すると共に、ある時間
より発光スペクトル強度が減衰する。この減衰後の一定
の値を決め（例えばＢ点）、その値になった時、高周波
電力の供給を停止し、プラズマクリーニングを終了する
。
器６４に導き、波長スキャン装置５５を操作し、波長が
６７４ｎｍの窒素原子を横糸器６６によってモニタリン
グし、増幅器５７を介して記録計６８に導く。記録計６
８に出力された発光スペクトル強兵の時間変化を第２図
に示す。第２図中、Ａ点は低温プラズマが発生した地点
の発光スペクトル強度を示す。第２図より明らかなよう
に、プラズマクリーニングが進行すると共に、ある時間
より発光スペクトル強度が減衰する。この減衰後の一定
の値を決め（例えばＢ点）、その値になった時、高周波
電力の供給を停止し、プラズマクリーニングを終了する
。
次に、プラズマクリーニング後、一定条件で膜形成を約
１μｍプリデポジションを行った後、窒化シリコン膜の
膜堆積速度を調べてみると、表１に示すようにほぼ同等
の値が得られた（泥１〜厖５の５回の実験を行った。）
。すなわちプラズマクリーニングが再現性良くできたこ
とを示している。ここで、６７４ｎｍの窒素原子の発光
スペクトルは、真空容器４１内構成部品に付着した膜が
、プラズマクリーニングの際、ハロゲンガスのプラズマ
でドライエツチングされ、エツチング生成物として生じ
る窒素原子の発光スペクトルである。
１μｍプリデポジションを行った後、窒化シリコン膜の
膜堆積速度を調べてみると、表１に示すようにほぼ同等
の値が得られた（泥１〜厖５の５回の実験を行った。）
。すなわちプラズマクリーニングが再現性良くできたこ
とを示している。ここで、６７４ｎｍの窒素原子の発光
スペクトルは、真空容器４１内構成部品に付着した膜が
、プラズマクリーニングの際、ハロゲンガスのプラズマ
でドライエツチングされ、エツチング生成物として生じ
る窒素原子の発光スペクトルである。
表−１
ところで、波長が３９６．１５ｎｍ のアルミニウム原
子の発光スペクトル強度をモニタリングする場合には、
第３図８に示す様に、プラズマクリーニングの時間経過
と共に増加する。これは、真空容器４１内構成部品に付
着した膜が除去され、材質がアルミニウムの真空容器４
１内構成部品の一部が露呈した事を意味する。従がって
、アルミニウム原子の発光スペクトル強度が所定の一定
値に増加した時、プラズマクリーニングをすれば、前記
６７４ｎｍの窒素原子をモニターしたのと同様の効果、
すなわち、プラズマクリーニングが再現性良く行うこと
ができた。ここで０点はプラズマクリーニング開始点、
Ｄ点はプラズマクリーニングを終了した点である。
子の発光スペクトル強度をモニタリングする場合には、
第３図８に示す様に、プラズマクリーニングの時間経過
と共に増加する。これは、真空容器４１内構成部品に付
着した膜が除去され、材質がアルミニウムの真空容器４
１内構成部品の一部が露呈した事を意味する。従がって
、アルミニウム原子の発光スペクトル強度が所定の一定
値に増加した時、プラズマクリーニングをすれば、前記
６７４ｎｍの窒素原子をモニターしたのと同様の効果、
すなわち、プラズマクリーニングが再現性良く行うこと
ができた。ここで０点はプラズマクリーニング開始点、
Ｄ点はプラズマクリーニングを終了した点である。
以上のように、本実施例によれば、プラズマクリーニン
グの際、特定原子の発光スペクトル強度をモニタリング
するための測定手段を設け、低温プラズマ中の特定原子
または分子の発光スさクトル強度が所定の値に減衰また
は増加した時、高周波電力の供給を停止し、プラズマク
リーニングを停止することによって、再現性良くプラズ
マクリーニングを行うことができた。
グの際、特定原子の発光スペクトル強度をモニタリング
するための測定手段を設け、低温プラズマ中の特定原子
または分子の発光スさクトル強度が所定の値に減衰また
は増加した時、高周波電力の供給を停止し、プラズマク
リーニングを停止することによって、再現性良くプラズ
マクリーニングを行うことができた。
なお、本実施例では、分光器６４を用いて特定波長を限
定してモニタリングりたが、特定波長だけを透過させる
干渉フィルターを適用しても良い。
定してモニタリングりたが、特定波長だけを透過させる
干渉フィルターを適用しても良い。
発明の効果
本発明によれば、プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成
部品を反応容器内においてプラズマクリーニングする際
、特定原子または分子の発光スペクトル強度をモニタリ
ングしながらプラズマクリーニングを行い、例えば低温
プラズマ中の特定原子または分子の発光スペクトル強度
が所定の値に減衰または増加した時、プラズマクリーニ
ングを停止することができることによって、再現性良く
プラズマクリーニングを行なうことができる。
部品を反応容器内においてプラズマクリーニングする際
、特定原子または分子の発光スペクトル強度をモニタリ
ングしながらプラズマクリーニングを行い、例えば低温
プラズマ中の特定原子または分子の発光スペクトル強度
が所定の値に減衰または増加した時、プラズマクリーニ
ングを停止することができることによって、再現性良く
プラズマクリーニングを行なうことができる。
第１図は本発明の実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の
概略断面図、第２図は、プラズマクリーニング時間と伴
う波長６７４ｎｍの窒素原子の発光スペクトル強度の変
化を表わした図、第３図はプラズマクリーニング時間に
伴う波長３９６・１５ｎｍのアルミニウム原子の発光ス
ペクトル強度の変化を表わした図、第４図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の概略断面図である。 ４１・・・・・・真空容器（反応容器）、４２・・・・
・・試料、４３・・・・・・試料台、４４・・・・・・
加熱装置、４５・・・・・・交流電源、４６・・・・・
・電極、４７・・・・・・ガス流量制御装置、４８・・
・・・・高周波電源、４９・・・・・・真空ポンプ、５
０・・・・・・パイプ、５１・・・・・・圧力制御装置
、６２・・・・・・窓、５３・・・・・・レンズ、５４
・・・・・・分光器、６６・・・・・・波長スキャン装
置、６６・・・・・・検出器、５７・・・・・・増幅器
、６８・・・・・・記録計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名４′
−一呉１５専ＬＵ）覧：、３１寥ミ、４！１、ン４２−
江１＋ ４３−−− 、、 ＠ 赫゛−η０鵬ゑ亘 ４５°−１５Ｒ，＊源 キトー質渣 ｇｏ−一一ノ１プ７＠ 第２図 第３図 アラス゛フフソーニングＢ’ｒｌＪ 第４図
概略断面図、第２図は、プラズマクリーニング時間と伴
う波長６７４ｎｍの窒素原子の発光スペクトル強度の変
化を表わした図、第３図はプラズマクリーニング時間に
伴う波長３９６・１５ｎｍのアルミニウム原子の発光ス
ペクトル強度の変化を表わした図、第４図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の概略断面図である。 ４１・・・・・・真空容器（反応容器）、４２・・・・
・・試料、４３・・・・・・試料台、４４・・・・・・
加熱装置、４５・・・・・・交流電源、４６・・・・・
・電極、４７・・・・・・ガス流量制御装置、４８・・
・・・・高周波電源、４９・・・・・・真空ポンプ、５
０・・・・・・パイプ、５１・・・・・・圧力制御装置
、６２・・・・・・窓、５３・・・・・・レンズ、５４
・・・・・・分光器、６６・・・・・・波長スキャン装
置、６６・・・・・・検出器、５７・・・・・・増幅器
、６８・・・・・・記録計。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名４′
−一呉１５専ＬＵ）覧：、３１寥ミ、４！１、ン４２−
江１＋ ４３−−− 、、 ＠ 赫゛−η０鵬ゑ亘 ４５°−１５Ｒ，＊源 キトー質渣 ｇｏ−一一ノ１プ７＠ 第２図 第３図 アラス゛フフソーニングＢ’ｒｌＪ 第４図
Claims (3)
- （１）真空状態の維持が可能な反応容器と、反応容器内
を減圧雰囲気にするための排気手段と、プラズマＣＶＤ
膜を少なくとも一方の表面に堆積させる試料を保持する
試料保持手段と、試料を熱制御するための加熱手段と、
反応容器内に原料ガスを導入するためのガス供給手段と
、反応容器内を所定の圧力に保持するための圧力制御手
段と、少なくとも試料を含む空間に低温プラズマを発生
させる電極と、電極に高周波電力を供給し、低温プラズ
マを発生させるためのプラズマ発生手段とからなるプラ
ズマＣＶＤ装置を用いたプラズマＣＶＤ方法において、
プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成部品を反応容器内
においてプラズマクリーニングする際、特定原子又は分
子の発光スペクトル強度をモニタリングしながらプラズ
マクリーニングを行うプラズマＣＶＤ方法。 - （２）プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成部品を反応
容器内においてプラズマクリーニングする際、特定原子
又は分子の発光スペクトル強度が所定の値に減衰した時
、プラズマクリーニングを完了する特許請求の範囲第１
項記載のプラズマＣＶＤ方法。 - （３）プラズマＣＶＤ装置の反応容器内構成部品を反応
容器内においてプラズマクリーニングする際、特定原子
又は分子の発光スペクトル強度が所定の値に増加した時
、プラズマクリーニングを完了する特許請求の範囲第１
項記載のプラズマＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15900586A JPS6314421A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | プラズマｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15900586A JPS6314421A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | プラズマｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314421A true JPS6314421A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15684156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15900586A Pending JPS6314421A (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | プラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314421A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5712702A (en) * | 1996-12-06 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining chamber cleaning end point |
| US6149984A (en) * | 1995-10-15 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory, Inc. | Laser irradiation method |
| WO2003067638A1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Eugene Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon nitride film using chemical vapor deposition apparatus of single chamber type |
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| US6737666B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-05-18 | Nec Electronics Corporation | Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process |
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-
1986
- 1986-07-07 JP JP15900586A patent/JPS6314421A/ja active Pending
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