JPH0544035A - 気相成長装置のクリーニング方法 - Google Patents
気相成長装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH0544035A JPH0544035A JP20532291A JP20532291A JPH0544035A JP H0544035 A JPH0544035 A JP H0544035A JP 20532291 A JP20532291 A JP 20532291A JP 20532291 A JP20532291 A JP 20532291A JP H0544035 A JPH0544035 A JP H0544035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reaction tube
- cleaning
- cleaning method
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】筒状の石英製反応管内に反応ガスを導入しつつ
反応管内の被処理体に成膜処理を施す際に同様に成膜さ
れる反応管内面を、反応管の内側に高周波放電プラズマ
を形成してクリーニングする方法として、クリーニング
の終了時点を明確に判定できる方法を提供する。 【構成】まず、反応管内に被処理体が無い状態で反応管
内面に評価膜を形成し、つづく被処理体への目的組成の
対象膜形成の繰返しによりクリーニングの必要が生じた
ときに高周波放電プラズマを形成し、プラズマ継続中の
反応管内あるいはガス排気系中のガス成分を連続監視す
るクリーニング方法とする。このとき、評価膜は、対象
膜に含まれない元素を含む膜とする。また、ガス成分の
監視は、プラズマ発光の波長または排気の質量分析によ
り行う。
反応管内の被処理体に成膜処理を施す際に同様に成膜さ
れる反応管内面を、反応管の内側に高周波放電プラズマ
を形成してクリーニングする方法として、クリーニング
の終了時点を明確に判定できる方法を提供する。 【構成】まず、反応管内に被処理体が無い状態で反応管
内面に評価膜を形成し、つづく被処理体への目的組成の
対象膜形成の繰返しによりクリーニングの必要が生じた
ときに高周波放電プラズマを形成し、プラズマ継続中の
反応管内あるいはガス排気系中のガス成分を連続監視す
るクリーニング方法とする。このとき、評価膜は、対象
膜に含まれない元素を含む膜とする。また、ガス成分の
監視は、プラズマ発光の波長または排気の質量分析によ
り行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路等の基板と
して使用するシリコンウエハ等、被処理体表面への成膜
処理を、石英で作られ蓋体により封止された筒状の反応
管内に反応ガスを導入しつつ行う気相成長装置の，被処
理体成膜処理時に同様に成膜される前記反応管の内面
を、該反応管の内側に高周波放電プラズマを形成してク
リーニングするクリーニング方法に関する。
して使用するシリコンウエハ等、被処理体表面への成膜
処理を、石英で作られ蓋体により封止された筒状の反応
管内に反応ガスを導入しつつ行う気相成長装置の，被処
理体成膜処理時に同様に成膜される前記反応管の内面
を、該反応管の内側に高周波放電プラズマを形成してク
リーニングするクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学的気相成長法 (ＣＶＤ法) による薄
膜形成方法には、膜にする材料の揮発性化合物を気化
し、高温に加熱された基板上に均一に送り込み、該基板
上で熱分解を行わせて薄膜を形成する熱ＣＶＤ法があ
る。この場合、反応ガスの拡散が大きく、均一な薄膜が
形成できる低圧化学的気相成長法 (ＬＰＣＶＤ法) が広
く用いられている。図３は、従来の気相成長装置の説明
図で、一般的には縦型ＬＰＣＶＤ装置と呼ばれている装
置の断面図である。石英からなる筒状の反応管１をとり
囲むようにヒータ２が配置してある。このヒータ２に
は、赤外線ランプヒータあるいは抵抗加熱ヒータ等が用
いられる。反応管１の中に支持台３を介してウエハ群４
が挿入され、該反応管は図示しない真空排気装置によっ
て排気管５から真空排気される。例えばポリシリコン薄
膜を形成する場合、ウエハ群４はヒータ２によって６０
０〜６５０℃に加熱され、ガス導入管６からは反応ガス
ＳｉＨ4 が供給される。成膜反応は熱分解で ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 となり、シリコン膜が形成される。成膜速度は反応温
度, 反応ガス圧力, 反応ガス流速等で変化する。
膜形成方法には、膜にする材料の揮発性化合物を気化
し、高温に加熱された基板上に均一に送り込み、該基板
上で熱分解を行わせて薄膜を形成する熱ＣＶＤ法があ
る。この場合、反応ガスの拡散が大きく、均一な薄膜が
形成できる低圧化学的気相成長法 (ＬＰＣＶＤ法) が広
く用いられている。図３は、従来の気相成長装置の説明
図で、一般的には縦型ＬＰＣＶＤ装置と呼ばれている装
置の断面図である。石英からなる筒状の反応管１をとり
囲むようにヒータ２が配置してある。このヒータ２に
は、赤外線ランプヒータあるいは抵抗加熱ヒータ等が用
いられる。反応管１の中に支持台３を介してウエハ群４
が挿入され、該反応管は図示しない真空排気装置によっ
て排気管５から真空排気される。例えばポリシリコン薄
膜を形成する場合、ウエハ群４はヒータ２によって６０
０〜６５０℃に加熱され、ガス導入管６からは反応ガス
ＳｉＨ4 が供給される。成膜反応は熱分解で ＳｉＨ4 →Ｓｉ＋２Ｈ2 となり、シリコン膜が形成される。成膜速度は反応温
度, 反応ガス圧力, 反応ガス流速等で変化する。
【０００３】この装置において、石英で作られた反応管
もウエハと同様に加熱されるため、反応管内表面にも成
膜されてしまう。ウエハへの成膜プロセスを繰り返す
と、該膜は徐々に厚くなり、剥離してパーティクル汚染
の原因になる。これを防止するため、一定周期で解体し
て反応管をふっ酸で湿式洗浄したり、あるいは反応管の
内外に電極を配置して高周波電圧を印加し、ガス圧の低
い反応管の内側に高周波放電プラズマを形成してクリー
ニングしている。この高周波放電プラズマによるクリー
ニングは、例えば、図４に示すように、反応管１の外側
に筒状の第１の電極１１を配するとともに、内側に石英
からなる絶縁体１２で被覆した筒状の第２の電極１３を
配して反応管１の内側に筒状の空間２０を形成し、筒状
空間２０内の圧力を数ｍTorr〜数Torrに維持して、高周
波電源１９から、周波数が例えば１3.５６MHz あるいは
４００kHz の電圧を印加し、大気と比べて圧力の低い反
応管１の内側に高周波放電プラズマを形成することによ
り、反応管内面の付着物をクリーニング除去するもので
ある〔特願平３−２２４５７号参照〕。
もウエハと同様に加熱されるため、反応管内表面にも成
膜されてしまう。ウエハへの成膜プロセスを繰り返す
と、該膜は徐々に厚くなり、剥離してパーティクル汚染
の原因になる。これを防止するため、一定周期で解体し
て反応管をふっ酸で湿式洗浄したり、あるいは反応管の
内外に電極を配置して高周波電圧を印加し、ガス圧の低
い反応管の内側に高周波放電プラズマを形成してクリー
ニングしている。この高周波放電プラズマによるクリー
ニングは、例えば、図４に示すように、反応管１の外側
に筒状の第１の電極１１を配するとともに、内側に石英
からなる絶縁体１２で被覆した筒状の第２の電極１３を
配して反応管１の内側に筒状の空間２０を形成し、筒状
空間２０内の圧力を数ｍTorr〜数Torrに維持して、高周
波電源１９から、周波数が例えば１3.５６MHz あるいは
４００kHz の電圧を印加し、大気と比べて圧力の低い反
応管１の内側に高周波放電プラズマを形成することによ
り、反応管内面の付着物をクリーニング除去するもので
ある〔特願平３−２２４５７号参照〕。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したクリーニング
方法において、ふっ酸利用の湿式洗浄は時間と労力とを
費やして生産性が低下するため、乾式洗浄方法である高
周波放電プラズマ利用のものに移行しつつあるが、クリ
ーニングの終了を的確に判定するという新たな課題が発
生している。この発明の目的は、高周波放電プラズマを
利用したクリーニングにおいて、クリーニングの終了時
点を判定する方法を提供することである。
方法において、ふっ酸利用の湿式洗浄は時間と労力とを
費やして生産性が低下するため、乾式洗浄方法である高
周波放電プラズマ利用のものに移行しつつあるが、クリ
ーニングの終了を的確に判定するという新たな課題が発
生している。この発明の目的は、高周波放電プラズマを
利用したクリーニングにおいて、クリーニングの終了時
点を判定する方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明においては、石英で作られ蓋体により封止
された筒状の反応管内に反応ガスを導入しつつ該反応管
内におかれた被処理体を成膜処理する気相成長装置の，
被処理体成膜処理時に同様に成膜される前記反応管の内
面を、該反応管の内側に高周波放電プラズマを形成して
クリーニングするクリーニング方法として、先ず、被処
理体が反応管内に無い状態で成膜操作を行って反応管の
内面に評価膜を形成し、つづく被処理体への目的組成の
対象膜形成の繰返しによりクリーニングの必要が生じた
ときに反応管の内側に高周波放電プラズマを形成し、該
高周波放電プラズマ継続中の反応管内あるいはガス排気
系中のガス成分を連続監視してクリーニングの終了時点
を判定する方法をとるものとする。
に、この発明においては、石英で作られ蓋体により封止
された筒状の反応管内に反応ガスを導入しつつ該反応管
内におかれた被処理体を成膜処理する気相成長装置の，
被処理体成膜処理時に同様に成膜される前記反応管の内
面を、該反応管の内側に高周波放電プラズマを形成して
クリーニングするクリーニング方法として、先ず、被処
理体が反応管内に無い状態で成膜操作を行って反応管の
内面に評価膜を形成し、つづく被処理体への目的組成の
対象膜形成の繰返しによりクリーニングの必要が生じた
ときに反応管の内側に高周波放電プラズマを形成し、該
高周波放電プラズマ継続中の反応管内あるいはガス排気
系中のガス成分を連続監視してクリーニングの終了時点
を判定する方法をとるものとする。
【０００６】この場合、評価膜は、対象膜と異なる組成
の膜とするか、対象膜の組成に、該対象膜を構成する元
素のいずれとも異なる元素を添加した膜とする。また、
ガス成分の監視は、放電によって生じる発光波長により
行うか、ガスの質量分析により行うようにすれば好適で
ある。
の膜とするか、対象膜の組成に、該対象膜を構成する元
素のいずれとも異なる元素を添加した膜とする。また、
ガス成分の監視は、放電によって生じる発光波長により
行うか、ガスの質量分析により行うようにすれば好適で
ある。
【０００７】
【作用】反応管内を低気圧雰囲気にすると、反応管の外
側と内側とに配した電極間に高周波電圧を印加すること
で反応管の内側に高周波放電プラズマが形成される。イ
オンに比べて電子の移動速度がはるかに大きいので、絶
縁物である反応管の内面は電子によって負に帯電し、プ
ラズマとの電位差が大きくなってイオンが加速され、反
応管内面がスパッタリングされ、また、ＣＦ4 等のエッ
チングガスを流せば、該ガスが分解して反応して化学的
エッチングも行われる。従って、反応管内面に付いてい
る膜が除去できる。
側と内側とに配した電極間に高周波電圧を印加すること
で反応管の内側に高周波放電プラズマが形成される。イ
オンに比べて電子の移動速度がはるかに大きいので、絶
縁物である反応管の内面は電子によって負に帯電し、プ
ラズマとの電位差が大きくなってイオンが加速され、反
応管内面がスパッタリングされ、また、ＣＦ4 等のエッ
チングガスを流せば、該ガスが分解して反応して化学的
エッチングも行われる。従って、反応管内面に付いてい
る膜が除去できる。
【０００８】本発明では、石英管の上に評価膜が、その
上に対象膜があるので、クリーニングした時の膜の除去
は対象膜、評価膜、石英管の順に行われ、それらに含ま
れる元素が順に放出される。従って、放出される元素を
連続監視し、評価膜のみに含まれる元素およびまたはそ
の化合物の存在を検知することにより、クリーニングの
終了時点を判定することができる。
上に対象膜があるので、クリーニングした時の膜の除去
は対象膜、評価膜、石英管の順に行われ、それらに含ま
れる元素が順に放出される。従って、放出される元素を
連続監視し、評価膜のみに含まれる元素およびまたはそ
の化合物の存在を検知することにより、クリーニングの
終了時点を判定することができる。
【０００９】従って、評価膜は、組成として、被処理体
に形成する対象膜とは異なる組成の膜とするか、対象膜
の組成に、該対象膜を構成する元素のいずれとも異なる
元素を添加した膜とする。プラズマ発光は、プラズマ空
間内で励起される元素や化合物固有の波長を有するか
ら、プラズマ発光の有する波長の時間変化を調べれば、
クリーニングが評価膜に到達したことを知ることができ
る。反応管は石英で作られており、プラズマ発光は反応
管の壁面を容易に透過するので、発光強度計の測定子を
反応管の外側の任意の位置に設置して容易に発光波長を
監視することができる。
に形成する対象膜とは異なる組成の膜とするか、対象膜
の組成に、該対象膜を構成する元素のいずれとも異なる
元素を添加した膜とする。プラズマ発光は、プラズマ空
間内で励起される元素や化合物固有の波長を有するか
ら、プラズマ発光の有する波長の時間変化を調べれば、
クリーニングが評価膜に到達したことを知ることができ
る。反応管は石英で作られており、プラズマ発光は反応
管の壁面を容易に透過するので、発光強度計の測定子を
反応管の外側の任意の位置に設置して容易に発光波長を
監視することができる。
【００１０】また、プラズマ空間に放出された元素や化
合物の気体成分は排気されるので、この排気を質量分析
することにより、同様にクリーニングの終了時点を判定
することができる。
合物の気体成分は排気されるので、この排気を質量分析
することにより、同様にクリーニングの終了時点を判定
することができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例による反応管内面の
成膜状態を示す。石英からなる反応管１の上に評価膜と
してＳｉ3 Ｎ4 を成膜してあり、ＳｉＯ2 膜が対象膜で
ある。この状態を高周波放電プラズマでクリーニングし
た結果を図２に示す。図２は、化合物のプラズマ発光の
波長の時間変化を検出した結果を示す図である。図２の
ように、最初はＳｉＯ2 膜が除去されるので、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｓｉ、Ｏ2 などが空間に放出される。さらにクリ
ーニングが進んでＳｉＯ2 膜が除去されてしまうと、今
度はＳｉ3 Ｎ4 膜が露出するのでＳｉ3 Ｎ4 やＳｉ、Ｎ
2 などが放出される。Ｓｉ3 Ｏ2 膜が除去されてしまう
と、今度は石英管が露出するので、ＳｉＯ 2 、Ｓｉ、Ｏ
2 などが空間に放出される。なお、クリーニング速度を
速めるために反応性ガスを使った場合にはその化合物も
当然検出される。
成膜状態を示す。石英からなる反応管１の上に評価膜と
してＳｉ3 Ｎ4 を成膜してあり、ＳｉＯ2 膜が対象膜で
ある。この状態を高周波放電プラズマでクリーニングし
た結果を図２に示す。図２は、化合物のプラズマ発光の
波長の時間変化を検出した結果を示す図である。図２の
ように、最初はＳｉＯ2 膜が除去されるので、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｓｉ、Ｏ2 などが空間に放出される。さらにクリ
ーニングが進んでＳｉＯ2 膜が除去されてしまうと、今
度はＳｉ3 Ｎ4 膜が露出するのでＳｉ3 Ｎ4 やＳｉ、Ｎ
2 などが放出される。Ｓｉ3 Ｏ2 膜が除去されてしまう
と、今度は石英管が露出するので、ＳｉＯ 2 、Ｓｉ、Ｏ
2 などが空間に放出される。なお、クリーニング速度を
速めるために反応性ガスを使った場合にはその化合物も
当然検出される。
【００１２】この実施例では、評価膜が窒素化合物なの
で、窒素および窒素化合物に注目してクリーニングの終
了を評価することができる。この評価は、例えばＳｉＯ
2 にＰやＣなどを混入させて評価膜とし、この混入元素
を検出することによりクリーニングの終了を評価するこ
ともできる。
で、窒素および窒素化合物に注目してクリーニングの終
了を評価することができる。この評価は、例えばＳｉＯ
2 にＰやＣなどを混入させて評価膜とし、この混入元素
を検出することによりクリーニングの終了を評価するこ
ともできる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、最初に反応管の内面に
反応管組成および対象膜組成とは異なる元素を含む膜を
成膜するので、プラズマクリーニングの際、該元素およ
びその化合物を検出することによってクリーニングの終
了を判定することができる。従ってクリーニングが未了
状態で終ったり、クリーニング過剰による反応管の侵食
がなく、クリーニング後の成膜雰囲気が確実に所期の状
態に保たれ、形成膜の品質が高レベルに均一化される効
果がある。
反応管組成および対象膜組成とは異なる元素を含む膜を
成膜するので、プラズマクリーニングの際、該元素およ
びその化合物を検出することによってクリーニングの終
了を判定することができる。従ってクリーニングが未了
状態で終ったり、クリーニング過剰による反応管の侵食
がなく、クリーニング後の成膜雰囲気が確実に所期の状
態に保たれ、形成膜の品質が高レベルに均一化される効
果がある。
【図１】本発明の一実施例による反応管内面への成膜状
況を示す図
況を示す図
【図２】図１に示す成膜状況下でクリーニングを行った
ときの各元素検出強度の時間変化を示す線図
ときの各元素検出強度の時間変化を示す線図
【図３】本発明が対象とする気相成長装置構成の一例を
示す装置本体の縦断面図
示す装置本体の縦断面図
【図４】図３に示す構成の気相成長装置を対象としてク
リーニングを行うときの電極配置の一例を示す, 電極を
含んだ装置要部の断面図
リーニングを行うときの電極配置の一例を示す, 電極を
含んだ装置要部の断面図
１ 反応管 ４ ウエハ群 ４ａ ウエハ（被処理体） ５ 排気管 ６ ガス導入管 ８ 蓋体 １１ 第１の電極 １３ 第２の電極 １７ ガス導入管 １８ 排気管 １９ 高周波電源
Claims (5)
- 【請求項１】石英で作られ蓋体により封止された筒状の
反応管内に反応ガスを導入しつつ該反応管内におかれた
被処理体を成膜処理する気相成長装置の，被処理体成膜
処理時に同様に成膜される前記反応管の内面を、該反応
管の内側に高周波放電プラズマを形成してクリーニング
するクリーニング方法において、先ず、被処理体が反応
管内に無い状態で成膜操作を行って反応管の内面に評価
膜を形成し、つづく被処理体への目的組成の対象膜形成
の繰返しによりクリーニングの必要が生じたときに反応
管の内側に高周波放電プラズマを形成し、該高周波放電
プラズマ継続中の反応管内あるいはガス排気系中のガス
成分を連続監視してクリーニングの終了時点を判定する
ことを特徴とする気相成長装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】請求項第１項に記載のクリーニング方法に
おいて、評価膜が対象膜と異なる組成の膜であることを
特徴とする気相成長装置のクリーニング方法。 - 【請求項３】請求項第１項に記載のクリーニング方法に
おいて、評価膜が対象膜の組成に、該対象膜を構成する
元素のいずれとも異なる元素を添加した膜であることを
特徴とする気相成長装置のクリーニング方法。 - 【請求項４】請求項第１項に記載のクリーニング方法に
おいて、ガス成分の監視が放電によって生じる発光波長
により行われることを特徴とする気相成長装置のクリー
ニング方法。 - 【請求項５】請求項第１項に記載のクリーニング方法に
おいて、ガス成分の監視がガスの質量分析により行われ
ることを特徴とする気相成長装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20532291A JPH0544035A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 気相成長装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20532291A JPH0544035A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 気相成長装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0544035A true JPH0544035A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=16505024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20532291A Pending JPH0544035A (ja) | 1991-08-16 | 1991-08-16 | 気相成長装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0544035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868852A (en) * | 1997-02-18 | 1999-02-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Partial clean fluorine thermal cleaning process |
| JP2001102358A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 |
-
1991
- 1991-08-16 JP JP20532291A patent/JPH0544035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5868852A (en) * | 1997-02-18 | 1999-02-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Partial clean fluorine thermal cleaning process |
| JP2001102358A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102158307B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| JP5241499B2 (ja) | プラズマクリーニング方法、プラズマｃｖｄ方法、およびプラズマ処理装置 | |
| US4576698A (en) | Plasma etch cleaning in low pressure chemical vapor deposition systems | |
| EP0308516B1 (en) | Method of determining end point of cleaning in an apparatus for manufacturing semiconductor devices | |
| US5169407A (en) | Method of determining end of cleaning of semiconductor manufacturing apparatus | |
| US20060090773A1 (en) | Sulfur hexafluoride remote plasma source clean | |
| WO2005104186A2 (en) | Method and processing system for plasma-enhanced cleaning of system components | |
| JP2001284317A (ja) | 固体表面及び半導体製造装置の処理方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US6095158A (en) | Anhydrous HF in-situ cleaning process of semiconductor processing chambers | |
| US4633812A (en) | Vacuum plasma treatment apparatus | |
| JP2921499B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6314421A (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JPH0544035A (ja) | 気相成長装置のクリーニング方法 | |
| JPH09148255A (ja) | 反応容器内のクリーニング方法 | |
| JP2723053B2 (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JPH0487329A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3092559B2 (ja) | プラズマ処理装置及びこの装置のガスの導入方法 | |
| JP3727312B2 (ja) | プラズマ処理装置のプラズマ処理方法 | |
| JPH10308352A (ja) | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH1046372A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS62218577A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
| JPH09306899A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH0797557B2 (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JPH0745539A (ja) | プラズマｃｖｄ装置に用いる電極及びプラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH05275379A (ja) | プラズマ処理装置 |