JP3388837B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、被処理物表面に薄膜
を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】プラズマＣＶＤ法は化学蒸着法の１方法
として被処理物表面への皮膜形成に広く採用されてい
る。このプラズマＣＶＤ法において、原料ガスとして常
温では液体または固体である、いわゆる非気化物を用い
る場合がある。そのようなプラズマＣＶＤ法において
は、非気化物である原料ガスは、加熱して気化させてか
ら反応室に導入するが、これら原料ガスは吸着性の強い
ガスであるため、反応室壁面に吸着しやすい。特に、反
応室内が加熱されていないと、導入されたガスは凝縮し
て壁面に吸着する量が多く、被処理物表面への成膜が阻
害される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記において、成膜速
度の安定性を得るために、反応室の壁面を加熱して反応
室内を昇温させたり、電力を印加する反応室内の電極を
昇温させる場合がある。このうち、反応室内の昇温は反
応室壁面にヒータを巻きつけるなどして比較的容易に行
えるが、電力を印加する電極の昇温は非常に難しい。例
えば、反応室内の電極に高出力のＲＦ電力を印加する場
合（間欠的に瞬間時５０ＫＷの高ＲＦ電力が投入され
る）があり、このような場合に電極周囲に巻きつけたシ
ースヒータで電極を昇温していると、ヒータの電気回路
にＲＦ電力がノイズとして入り込み、ヒータの誤動作を
引き起こすことがあったり、また、ＲＦ電力を印加する
電極の構造が複雑になるという問題がある。 【０００４】この発明は、上記に鑑みて常温で非気化物
である原料ガスを成膜用原料ガスとして用いた場合に、
安定した成膜速度で皮膜形成を行うことのできるプラズ
マＣＶＤ装置を提供することを目的とするものである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明のプラズマＣＶＤ装置は、加熱ヒータを
具備する被処理物を配し、上部が開口している反応室の
側壁上に、絶縁物およびパッキン材を介して電極を上記
反応室の上壁面として嵌合し、この反応室の上部に上記
電極を囲むように設けた防熱覆い内の上部に、上記電極
と間隔を保つようにして、上記電極を加熱する加熱手段
を配するとともに、上記反応室の外周に加熱手段を設
け、側壁に反応ガス導入管を有するものである。 【０００６】 【作用】プラズマＣＶＤ装置にて成膜を行う場合、例え
ばＴｉＣｌ4 のような常温で非気化物であるものを加熱
気化して原料ガスとして用いると、この原料ガスが非常
に吸着性の強いガスであるために、反応室内の壁面や電
極面に吸着しやすい。そして一度壁面や電極に吸着する
と、再放出するまでに時間を要し（３０分以上かかるも
のもある）、成膜時間に対する成膜速度が不安定となる
が、この発明では反応室、反応室内の被処理物、さらに
はＲＦ電力を印加する電極のそれぞれを昇温させるよう
にしたので、反応室内に導入された上記吸着性の強い原
料ガスが反応室壁面等に吸着しても、吸着から再放出ま
での時間を短縮させることができ、これによって成膜時
間に対する成膜速度を安定にすることができる。 【０００７】 【実施例】以下、この発明のプラズマＣＶＤ装置を、そ
の一実施例を示す図１について説明する。図において、
１は反応室であって、この反応室１は、例えば直径３５
０ｍｍ、高さ１５０ｍｍの円筒形状である。この反応室
１内には、下部に被処理物加熱ヒータ４を具えた被処理
物３が配置されている。また、反応室１の側壁２上に
は、例えばアルミナ碍子のような絶縁物６を介してＯリ
ングのような真空パッキン材８にてＲＦ電力を印加する
電極５が気密を保って嵌合されている。 【０００８】７は、この電極５を囲むように反応室１の
上方に設けたステンレス製の防熱覆いである。そして、
この防熱覆い７内の上部には電極５と間隔を保って対向
するようにして電極５の加熱源としてシースヒータ１３
が取り付けられている。 【０００９】このようにして反応室１の側壁２上に気密
を保って嵌合された電極５は、反応室壁面の一部である
上壁面として用いられ、反応室１内と防熱覆い７内とを
隔てる役割を果たしている。そして、この電極５は大気
圧の空気で満たされている防熱覆い７内と真空排気され
る反応室１内とを隔てる真空壁として用いられる。 【００１０】この反応室１内の真空排気は、油回転真空
ポンプ１１、ルーツポンプ１２を作動させ、反応室１内
に通じている排気管９の排気系主弁１０を開くことによ
って行われる。 【００１１】常温で非気化物の成膜用原料ガスおよびそ
の他の反応ガスは、図示省略したガス供給装置によって
それぞれ流量調整してガス導入管１５を通じて反応室１
内に導入される。また、反応室１内は、反応室１の側壁
２の周面に巻きつけるようにして設けた反応室加熱ヒー
タ１４にて側壁２を加熱することで昇温される。 【００１２】１７はＲＦ電源であって、マッチングボッ
クス１８を通じて電極５に接続されており、この電極５
にＲＦ電力が印加されると、反応室１内にプラズマが発
生して導入されている反応ガスが分解され、被処理物表
面に皮膜が形成される。 【００１３】上記の構造の装置において、電力を印加す
る電極５は、その加熱源であるシースヒータ１３によっ
て熱輻射およびこのシースヒータ１３にて熱せられた空
気によって１５０℃以上に昇温させることができる。な
お、上記の電極５の加熱源としては、シースヒータ１３
に限定されるものではなく、図２に示すようにランプヒ
ータ１６を防熱覆い７内の上部に取り付けて用いてもよ
い。 【００１４】次に、上記した図１のような構造のプラズ
マＣＶＤ装置を用いて、被処理物上に薄膜を作製する一
例として窒化チタンの薄膜を作製する場合について説明
すると、まず、ルーツポンプ１２、真空ポンプ１１を作
動し、反応室１に接続している排気系主弁１０を開いて
反応室１内を１５Ｐａ圧に真空排気する。次に、反応室
１の側壁２をその周囲に配した反応室加熱ヒータ１４に
より加熱して反応室１内を１００℃前後に昇温する。被
処理物３は被処理物加熱ヒータ４にて５００℃前後に昇
温し、また反応室１の上壁面となっている電力を印加す
る電極５は、この電極５を囲んでいる防熱覆い７内の上
部に設けた、例えば３ＫＷのシースヒータ１３にて１０
０℃に昇温する。 【００１５】次に、図示省略したガス供給装置によっ
て、成膜用反応ガスとしてそれぞれ流量を調整したＡｒ
ガス、Ｈ2 ガス、ＴｉＣｌ4 ガス、Ｎ2 ガスをガス導入
管１５を通じて１５Ｐａ圧に排気された反応室１内に導
入する。なお、ＴｉＣｌ4 は、常温で液体であるので、
予め恒温槽にて加熱してＴｉＣｌ4 ガスとして気化させ
ておき、これをＨ2 キャリアガスとともに導入する。 【００１６】次に、反応室１内にＲＦ電源１７からマッ
チングボックス１８を経て、電極５に３３ｍｓ毎に１５
０μｓの間、間欠的に１３．５６ＭＨｚ、５０ＫＷの電
力を繰り返して印加する。これによって、反応室１内に
おいて電極５と被処理物３との間にプラズマが発生す
る。このプラズマによって、反応室１内に導入されてい
るＨ2 ガス、ＴｉＣｌ4 ガス、Ｎ2 ガスがそれぞれ解離
され、化学反応によって被処理物３上に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）膜が堆積する。 【００１７】上記の状態を保って、反応ガスの供給とＲ
Ｆ電力の印加とを、ｔ時間繰り返し行って作製された膜
の膜厚をＴ（ｔ）とした時、時間ｔにおける成膜速度：
ｄＴ（ｔ）／ｄｔを測定したところ、図３の線図Ａのよ
うに、この発明の装置では、反応室、被処理物だけでな
く電力を印加する電極をも昇温させているので、反応ガ
スの壁面への吸着の影響を殆ど受けることなく、成膜時
間に対する成膜速度が安定していることが認められた。 【００１８】これに対して、上記と同じ条件での皮膜形
成を、電力を印加する電極を昇温させない従来の装置を
用いて行った場合の成膜速度は、図３の線図Ｂのように
成膜時間の経過につれて成膜速度が上がるものの、その
初期においては非常に低い成膜速度しか示さず、成膜速
度が一定していなかった。 【００１９】なお、上記の実施例では常温で非気化物の
反応ガスとして、常温で液体のＴｉＣｌ4 を用いたが、
この他にＴｉ系としてＴｉＩ4 や常温で固体のＴｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 を、けい素系としてＳｉ（Ｃ2 Ｈ
5 Ｏ）4 等を使用することができる。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、この発明のプラズ
マＣＶＤ装置は、ＲＦ電力を印加する電極を反応室の上
壁面材として構成し、この電極を囲むように反応室の上
部に設けた防熱覆い内の上部に加熱源として取り付けた
シースヒータによって電極を昇温させるようにし、かつ
電極とシースヒータとの間には適当な間隔が保たれてい
るので、シースヒータはこの電極に印加するＲＦ電力の
影響を受けることなく電極を昇温させることができ、こ
の電極の昇温と、反応室および被処理物の昇温により反
応室内に導入された反応ガスの反応室壁面への吸着を減
少させることができ、また、壁面に吸着したガスも瞬時
に放出することができるので、成膜時間に対する成膜速
度を安定に保つことができる。
を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】プラズマＣＶＤ法は化学蒸着法の１方法
として被処理物表面への皮膜形成に広く採用されてい
る。このプラズマＣＶＤ法において、原料ガスとして常
温では液体または固体である、いわゆる非気化物を用い
る場合がある。そのようなプラズマＣＶＤ法において
は、非気化物である原料ガスは、加熱して気化させてか
ら反応室に導入するが、これら原料ガスは吸着性の強い
ガスであるため、反応室壁面に吸着しやすい。特に、反
応室内が加熱されていないと、導入されたガスは凝縮し
て壁面に吸着する量が多く、被処理物表面への成膜が阻
害される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上記において、成膜速
度の安定性を得るために、反応室の壁面を加熱して反応
室内を昇温させたり、電力を印加する反応室内の電極を
昇温させる場合がある。このうち、反応室内の昇温は反
応室壁面にヒータを巻きつけるなどして比較的容易に行
えるが、電力を印加する電極の昇温は非常に難しい。例
えば、反応室内の電極に高出力のＲＦ電力を印加する場
合（間欠的に瞬間時５０ＫＷの高ＲＦ電力が投入され
る）があり、このような場合に電極周囲に巻きつけたシ
ースヒータで電極を昇温していると、ヒータの電気回路
にＲＦ電力がノイズとして入り込み、ヒータの誤動作を
引き起こすことがあったり、また、ＲＦ電力を印加する
電極の構造が複雑になるという問題がある。 【０００４】この発明は、上記に鑑みて常温で非気化物
である原料ガスを成膜用原料ガスとして用いた場合に、
安定した成膜速度で皮膜形成を行うことのできるプラズ
マＣＶＤ装置を提供することを目的とするものである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明のプラズマＣＶＤ装置は、加熱ヒータを
具備する被処理物を配し、上部が開口している反応室の
側壁上に、絶縁物およびパッキン材を介して電極を上記
反応室の上壁面として嵌合し、この反応室の上部に上記
電極を囲むように設けた防熱覆い内の上部に、上記電極
と間隔を保つようにして、上記電極を加熱する加熱手段
を配するとともに、上記反応室の外周に加熱手段を設
け、側壁に反応ガス導入管を有するものである。 【０００６】 【作用】プラズマＣＶＤ装置にて成膜を行う場合、例え
ばＴｉＣｌ4 のような常温で非気化物であるものを加熱
気化して原料ガスとして用いると、この原料ガスが非常
に吸着性の強いガスであるために、反応室内の壁面や電
極面に吸着しやすい。そして一度壁面や電極に吸着する
と、再放出するまでに時間を要し（３０分以上かかるも
のもある）、成膜時間に対する成膜速度が不安定となる
が、この発明では反応室、反応室内の被処理物、さらに
はＲＦ電力を印加する電極のそれぞれを昇温させるよう
にしたので、反応室内に導入された上記吸着性の強い原
料ガスが反応室壁面等に吸着しても、吸着から再放出ま
での時間を短縮させることができ、これによって成膜時
間に対する成膜速度を安定にすることができる。 【０００７】 【実施例】以下、この発明のプラズマＣＶＤ装置を、そ
の一実施例を示す図１について説明する。図において、
１は反応室であって、この反応室１は、例えば直径３５
０ｍｍ、高さ１５０ｍｍの円筒形状である。この反応室
１内には、下部に被処理物加熱ヒータ４を具えた被処理
物３が配置されている。また、反応室１の側壁２上に
は、例えばアルミナ碍子のような絶縁物６を介してＯリ
ングのような真空パッキン材８にてＲＦ電力を印加する
電極５が気密を保って嵌合されている。 【０００８】７は、この電極５を囲むように反応室１の
上方に設けたステンレス製の防熱覆いである。そして、
この防熱覆い７内の上部には電極５と間隔を保って対向
するようにして電極５の加熱源としてシースヒータ１３
が取り付けられている。 【０００９】このようにして反応室１の側壁２上に気密
を保って嵌合された電極５は、反応室壁面の一部である
上壁面として用いられ、反応室１内と防熱覆い７内とを
隔てる役割を果たしている。そして、この電極５は大気
圧の空気で満たされている防熱覆い７内と真空排気され
る反応室１内とを隔てる真空壁として用いられる。 【００１０】この反応室１内の真空排気は、油回転真空
ポンプ１１、ルーツポンプ１２を作動させ、反応室１内
に通じている排気管９の排気系主弁１０を開くことによ
って行われる。 【００１１】常温で非気化物の成膜用原料ガスおよびそ
の他の反応ガスは、図示省略したガス供給装置によって
それぞれ流量調整してガス導入管１５を通じて反応室１
内に導入される。また、反応室１内は、反応室１の側壁
２の周面に巻きつけるようにして設けた反応室加熱ヒー
タ１４にて側壁２を加熱することで昇温される。 【００１２】１７はＲＦ電源であって、マッチングボッ
クス１８を通じて電極５に接続されており、この電極５
にＲＦ電力が印加されると、反応室１内にプラズマが発
生して導入されている反応ガスが分解され、被処理物表
面に皮膜が形成される。 【００１３】上記の構造の装置において、電力を印加す
る電極５は、その加熱源であるシースヒータ１３によっ
て熱輻射およびこのシースヒータ１３にて熱せられた空
気によって１５０℃以上に昇温させることができる。な
お、上記の電極５の加熱源としては、シースヒータ１３
に限定されるものではなく、図２に示すようにランプヒ
ータ１６を防熱覆い７内の上部に取り付けて用いてもよ
い。 【００１４】次に、上記した図１のような構造のプラズ
マＣＶＤ装置を用いて、被処理物上に薄膜を作製する一
例として窒化チタンの薄膜を作製する場合について説明
すると、まず、ルーツポンプ１２、真空ポンプ１１を作
動し、反応室１に接続している排気系主弁１０を開いて
反応室１内を１５Ｐａ圧に真空排気する。次に、反応室
１の側壁２をその周囲に配した反応室加熱ヒータ１４に
より加熱して反応室１内を１００℃前後に昇温する。被
処理物３は被処理物加熱ヒータ４にて５００℃前後に昇
温し、また反応室１の上壁面となっている電力を印加す
る電極５は、この電極５を囲んでいる防熱覆い７内の上
部に設けた、例えば３ＫＷのシースヒータ１３にて１０
０℃に昇温する。 【００１５】次に、図示省略したガス供給装置によっ
て、成膜用反応ガスとしてそれぞれ流量を調整したＡｒ
ガス、Ｈ2 ガス、ＴｉＣｌ4 ガス、Ｎ2 ガスをガス導入
管１５を通じて１５Ｐａ圧に排気された反応室１内に導
入する。なお、ＴｉＣｌ4 は、常温で液体であるので、
予め恒温槽にて加熱してＴｉＣｌ4 ガスとして気化させ
ておき、これをＨ2 キャリアガスとともに導入する。 【００１６】次に、反応室１内にＲＦ電源１７からマッ
チングボックス１８を経て、電極５に３３ｍｓ毎に１５
０μｓの間、間欠的に１３．５６ＭＨｚ、５０ＫＷの電
力を繰り返して印加する。これによって、反応室１内に
おいて電極５と被処理物３との間にプラズマが発生す
る。このプラズマによって、反応室１内に導入されてい
るＨ2 ガス、ＴｉＣｌ4 ガス、Ｎ2 ガスがそれぞれ解離
され、化学反応によって被処理物３上に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）膜が堆積する。 【００１７】上記の状態を保って、反応ガスの供給とＲ
Ｆ電力の印加とを、ｔ時間繰り返し行って作製された膜
の膜厚をＴ（ｔ）とした時、時間ｔにおける成膜速度：
ｄＴ（ｔ）／ｄｔを測定したところ、図３の線図Ａのよ
うに、この発明の装置では、反応室、被処理物だけでな
く電力を印加する電極をも昇温させているので、反応ガ
スの壁面への吸着の影響を殆ど受けることなく、成膜時
間に対する成膜速度が安定していることが認められた。 【００１８】これに対して、上記と同じ条件での皮膜形
成を、電力を印加する電極を昇温させない従来の装置を
用いて行った場合の成膜速度は、図３の線図Ｂのように
成膜時間の経過につれて成膜速度が上がるものの、その
初期においては非常に低い成膜速度しか示さず、成膜速
度が一定していなかった。 【００１９】なお、上記の実施例では常温で非気化物の
反応ガスとして、常温で液体のＴｉＣｌ4 を用いたが、
この他にＴｉ系としてＴｉＩ4 や常温で固体のＴｉ〔Ｎ
（ＣＨ3 ）2 〕4 を、けい素系としてＳｉ（Ｃ2 Ｈ
5 Ｏ）4 等を使用することができる。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、この発明のプラズ
マＣＶＤ装置は、ＲＦ電力を印加する電極を反応室の上
壁面材として構成し、この電極を囲むように反応室の上
部に設けた防熱覆い内の上部に加熱源として取り付けた
シースヒータによって電極を昇温させるようにし、かつ
電極とシースヒータとの間には適当な間隔が保たれてい
るので、シースヒータはこの電極に印加するＲＦ電力の
影響を受けることなく電極を昇温させることができ、こ
の電極の昇温と、反応室および被処理物の昇温により反
応室内に導入された反応ガスの反応室壁面への吸着を減
少させることができ、また、壁面に吸着したガスも瞬時
に放出することができるので、成膜時間に対する成膜速
度を安定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明になるプラズマＣＶＤ装置の一実施例
を示す説明図である。 【図２】この発明になるプラズマＣＶＤ装置の他の実施
例を示す説明図である。 【図３】この発明のプラズマＣＶＤ装置と従来のプラズ
マＣＶＤ装置による成膜速度を示す線図である。 【符号の説明】 １ 反応室 ２ 反応室側壁 ３ 被処理物 ５ 電極 ６ 絶縁物 ７ 防熱覆い ８ パッキン材 １３ シースヒータ １５ 反応ガス導入管 １６ ランプヒータ
を示す説明図である。 【図２】この発明になるプラズマＣＶＤ装置の他の実施
例を示す説明図である。 【図３】この発明のプラズマＣＶＤ装置と従来のプラズ
マＣＶＤ装置による成膜速度を示す線図である。 【符号の説明】 １ 反応室 ２ 反応室側壁 ３ 被処理物 ５ 電極 ６ 絶縁物 ７ 防熱覆い ８ パッキン材 １３ シースヒータ １５ 反応ガス導入管 １６ ランプヒータ
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 加熱ヒータを具備する被処理物を配した
反応室の側壁上に、絶縁物およびパッキン材を介して電
力を印加する電極を上記反応室の上壁面として嵌合し、
この反応室の上部に上記電極を囲むように設けた防熱覆
い内の上部に、上記電極と間隔を保つようにして、上記
電極を加熱する加熱手段を配するとともに、上記反応室
の外周に加熱手段を設け、側壁に反応ガス導入管を有し
てなるプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28734693A JP3388837B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28734693A JP3388837B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07118858A JPH07118858A (ja) | 1995-05-09 |
| JP3388837B2 true JP3388837B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=17716187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28734693A Expired - Fee Related JP3388837B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3388837B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-21 JP JP28734693A patent/JP3388837B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118858A (ja) | 1995-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021203 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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