JP2006512769A - 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング - Google Patents
光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006512769A JP2006512769A JP2004565287A JP2004565287A JP2006512769A JP 2006512769 A JP2006512769 A JP 2006512769A JP 2004565287 A JP2004565287 A JP 2004565287A JP 2004565287 A JP2004565287 A JP 2004565287A JP 2006512769 A JP2006512769 A JP 2006512769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- system component
- emitter
- zns
- consumable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
- G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ処理システムにおけるシステムコンポーネントへの材料物質の付着をモニタリングする方法及びシステムが提供される。前記システムコンポーネントは、プラズマにさらされたときに、特徴のある蛍光放射を生成することが可能なエミッタを含む。前記方法は、システムコンポーネントの状態を判断するために、光放射を利用して、前記エミッタからの蛍光放射を監視する。前記方法は、前記エミッタからの蛍光放射をモニタリングすることにより、プラズマ中のシステムコンポーネントに対する材料物質の付着を評価することができる。前記方法を用いて監視することができる消耗するシステムコンポーネントは、リング、シールド、電極、バッフル、及びライナを含む。
Description
本出願は、2002年12月31日に出願された米国特許出願第10/331,456号に関連する、前記同じ日に出願された米国特許出願第10/331,349号による優先権を主張する。これらの出願の各々の内容全体は、参照してここに組み込まれる。
Claims (47)
- プラズマ処理システムのシステムコンポーネントへの材料物質の付着をモニタリングする方法であって、
プラズマにさらされたときに、蛍光放射が可能なエミッタを含むシステムコンポーネントをプラズマにさらすことと、
プロセス中に、前記プラズマ処理システムからの蛍光放射を、前記システムコンポーネントへの付着を判断するようにモニタリングすることとを具備する方法。 - 前記蛍光放射は、前記システムコンポーネントへの材料物質の付着の量に関連する請求項1に記載の方法。
- 前記システムコンポーネントは、消耗する部分を備えている請求項1に記載の方法。
- 前記システムコンポーネントは、リング、シールド、電極、バッフル及びライナのうちの少なくとも1つを備えている請求項1に記載の方法。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された光によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を備えている請求項1に記載の方法。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された励起ガス種によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を備えている請求項1に記載の方法。
- 前記モニタリングすることは、前記蛍光放射を検出する光モニタリングシステムを用いることを備えている請求項1に記載の方法。
- 前記モニタリングすることは、前記蛍光放射の強度レベルが閾値を下回るか否かを判断することを備えている請求項7に記載の方法。
- 前記モニタリングすることは、前記蛍光放射の波長から前記システムコンポーネントを識別することをさらに備えている請求項7に記載の方法。
- 前記モニタリングすることは、前記コンポーネントをクリーニングまたは交換する必要があるか否か、および前記判断に基づいて、前記プロセスを続行するかまたは前記プロセスを停止するかの判断を下すように、前記蛍光放射の強度レベルを測定することをさらに備えている請求項7に記載の方法。
- プラズマ処理システムのシステムコンポーネントへの材料物質の付着をモニタリングする方法であって、
プラズマにさらされたときに、蛍光放射が可能なエミッタを含むシステムコンポーネントをプラズマにさらすことと、
プロセス中に、前記プラズマ処理システムからの蛍光放射をモニタリングすることとを具備し、
前記モニタリングすることは、前記蛍光放射の波長及び強度レベルを検出する光モニタリングシステムを用いることと、前記蛍光放射の波長から前記システムコンポーネントを識別することと、前記システムコンポーネントへの材料物質の付着の状態の判断を下すこととを含んでいる方法。 - プラズマ処理チャンバと、
プロセスガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、
プラズマにさらされたときに、蛍光放射が可能なエミッタを含むシステムコンポーネントと、
プロセス中に、前記プラズマ処理チャンバからの光放射を、前記システムコンポーネントへの材料物質の付着の状態を監視するようにモニタリングする光モニタリングシステムと、
プラズマ処理システムを制御するように構成されたコントローラとを具備するプラズマ処理システム。 - 前記システムコンポーネントは、消耗する部分を備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記システムコンポーネントは、リング、シールド、電極、バッフル、及びライナのうちの少なくとも1つを備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記システムコンポーネントは、シリコン、石英、アルミナ、カーボン、シリコンカーバイド、アルミニウム、及びステンレス鋼のうちの少なくとも1つから製造される請求項12に記載のシステム。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された光によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項12に記載のシステム。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された励起ガス種によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項12に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの物質は、リン光体物質を含んでいる請求項17に記載のシステム。
- 前記リン光体物質は、Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Tb、Y2O2S:EuTb、ZnS:Cu、ZnS:Al、ZnS:CuAl、SrGa2S4:Ce、ZnS:Ag、ZnS:Au、ZnS:Cl、ZnS:AgAu、ZnS:AgCl、ZnS:AuCl、ZnS:AgAuCl、及びSrGa2S4:Ceのうちの少なくとも1つを含んでいる請求項12に記載のシステム。
- 前記システムコンポーネントは、保護バリアをさらに備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記保護バリアは、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、DyO3、SiO2、MgO、Al2O3、ZnO、SnO2、及びIn2O3のうちの少なくとも1つを含んでいる請求項20に記載のシステム。
- 前記保護バリアは、透明である請求項20に記載のシステム。
- 前記エミッタの深さ方向の断面は、一定ではない請求項12に記載のシステム。
- 前記プラズマ源は、誘導コイルを備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記プラズマ源は、プレート電極を備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記プラズマ源は、ECR源を備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記プラズマ源は、ヘリコン波源を備えている請求項12に記載のシステム。
- 前記プラズマ源は、表面波源を備えている請求項12に記載のシステム。
- プラズマ処理チャンバと、
プロセスガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、
プラズマにさらされたときに、蛍光放射が可能なエミッタを含むシステムコンポーネントと、
プロセス中に、前記プラズマ処理チャンバからの光放射を、前記システムコンポーネントへの材料物質の付着の状態を監視するようにモニタリングし、さらに、前記蛍光放射の波長から前記システムコンポーネントを識別し、前記蛍光の強度レベルが閾値を超えているか否かを判断し、前記システムコンポーネントを交換する必要があるか否かを判断し、かつ前記判断に基づいて、プロセスを続行するか、あるいは前記プロセスを停止するかを判断するように構成されている光モニタリングシステムと、
プラズマ処理システムを制御するように構成されたコントローラとを具備するプラズマ処理システム。 - コンポーネント要素と、
前記コンポーネント要素に結合され、プラズマプロセス中に、前記システムコンポーネントへの材料物質の付着の状態を監視するのに利用される蛍光放射が可能なエミッタとを具備するモニタ可能で消耗するシステムコンポーネント。 - 前記コンポーネント要素は、リング、シールド、電極、バッフル、及びライナのうちの少なくとも1つを備えている請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記コンポーネント要素は、フォーカスリングである請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記コンポーネント要素は、電極プレートである請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記コンポーネント要素は、成膜シールドである請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記コンポーネント要素は、シリコン、石英、アルミナ、カーボン、シリコンカーバイド、アルミニウム、及びステンレス鋼のうちの少なくとも1つから製造される請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタは、前記コンポーネント要素によって完全に包み込まれている請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタは、前記コンポーネント要素によって部分的に包み込まれている請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された光によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタは、プラズマ中で生成された励起ガス種によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタからの前記光放射は、前記消耗するシステムコンポーネントを識別することを可能にする請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記エミッタは、リン光体物質を含んでいる請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記リン光体物質は、Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu、Y2O2S:Tb、Y2O2S:EuTb、ZnS:Cu、ZnS:Al、ZnS:CuAl、SrGa2S4:Ce、ZnS:Ag、ZnS:Au、ZnS:Cl、ZnS:AgAu、ZnS:AgCl、ZnS:AuCl、ZnS:AgAuCl及びSrGa2S4:Ceのうちの少なくとも1つを含んでいる請求項41に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記システムコンポーネントは、保護バリアをさらに備えている請求項30に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記保護バリアは、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3、DyO3、SiO2、MgO、Al2O3、ZnO、SnO2及びIn2O3のうちの少なくとも1つを含んでいる請求項43に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記保護バリアは、プラズマ中で生成された光によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項43に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記保護バリアは、プラズマ中で生成された励起ガス種によって励起された場合に、蛍光特性を有する少なくとも1つの物質を含んでいる請求項43に記載の消耗するシステムコンポーネント。
- 前記保護バリアの厚さは、約500μ以下である請求項43に記載の消耗するシステムコンポーネント。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/331,349 | 2002-12-31 | ||
US10/331,349 US6806949B2 (en) | 2002-12-31 | 2002-12-31 | Monitoring material buildup on system components by optical emission |
PCT/US2003/039109 WO2004061899A2 (en) | 2002-12-31 | 2003-12-24 | Monitoring material buildup on system components by optical emission |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006512769A true JP2006512769A (ja) | 2006-04-13 |
JP4763293B2 JP4763293B2 (ja) | 2011-08-31 |
Family
ID=32654710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004565287A Expired - Fee Related JP4763293B2 (ja) | 2002-12-31 | 2003-12-24 | 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6806949B2 (ja) |
JP (1) | JP4763293B2 (ja) |
AU (1) | AU2003296395A1 (ja) |
WO (1) | WO2004061899A2 (ja) |
Families Citing this family (131)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010062209A (ko) | 1999-12-10 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치 |
JP3510993B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2004-03-29 | トーカロ株式会社 | プラズマ処理容器内部材およびその製造方法 |
US7204912B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
US6837966B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7166166B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
US7137353B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
KR100772740B1 (ko) | 2002-11-28 | 2007-11-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 용기 내부재 |
US6844260B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-01-18 | Micron Technology, Inc. | Insitu post atomic layer deposition destruction of active species |
US8460945B2 (en) * | 2003-09-30 | 2013-06-11 | Tokyo Electron Limited | Method for monitoring status of system components |
US7233878B2 (en) * | 2004-01-30 | 2007-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for monitoring component consumption |
US7464581B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring |
US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
US7182271B2 (en) * | 2004-11-12 | 2007-02-27 | Spraying Systems Co. | Apparatus and method for detecting liquid flow from a spray device |
US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7943005B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US8343305B2 (en) * | 2007-09-04 | 2013-01-01 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for diagnosing status of parts in real time in plasma processing equipment |
US7879732B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-02-01 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same |
US20100098836A1 (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | United Technologies Corporation | Method and system for monitoring silane deposition |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
JP5391336B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2014-01-15 | パナソニック株式会社 | 発光素子の製造方法、及び、発光素子の製造装置 |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
CN105990085B (zh) * | 2015-03-03 | 2018-03-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US11572617B2 (en) | 2016-05-03 | 2023-02-07 | Applied Materials, Inc. | Protective metal oxy-fluoride coatings |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10921251B2 (en) * | 2016-08-22 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Chamber component part wear indicator and a system for detecting part wear |
US20180061696A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US10563303B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Metal oxy-flouride films based on oxidation of metal flourides |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
JP7154105B2 (ja) * | 2018-10-25 | 2022-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN110174383A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-27 | 华中科技大学 | 一种共掺Eu3+和SnO2纳米晶的玻璃在荧光检测Fe3+中的应用 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314421A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマcvd方法 |
JPH02224242A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
JPH0574714A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-03-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理方法及びその装置 |
JPH08191058A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-23 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10233391A (ja) * | 1995-05-17 | 1998-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チャンバー内の堆積物のモニター方法,プラズマ加工方法,ドライクリーニング方法 |
JPH11176714A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | チャンバ内堆積膜測定装置とメンテナンス管理システム |
JP2001230239A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2002176030A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798016A (en) * | 1994-03-08 | 1998-08-25 | International Business Machines Corporation | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
US5712702A (en) * | 1996-12-06 | 1998-01-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for determining chamber cleaning end point |
WO1998037165A1 (en) * | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Superior Micropowders Llc | Oxygen-containing phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
US5947053A (en) * | 1998-01-09 | 1999-09-07 | International Business Machines Corporation | Wear-through detector for multilayered parts and methods of using same |
US6077387A (en) | 1999-02-10 | 2000-06-20 | Stmicroelectronics, Inc. | Plasma emission detection for process control via fluorescent relay |
US6124927A (en) * | 1999-05-19 | 2000-09-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to protect chamber wall from etching by endpoint plasma clean |
DE19929615C1 (de) * | 1999-06-28 | 2001-04-19 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verwendung der Vorrichtung zur Überwachung von absichtlichen oder unvermeidbaren Schichtabscheidungen |
JP3543947B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2004-07-21 | 株式会社日立製作所 | リアクタ内堆積膜厚モニタ装置およびドライプロセス処理方法 |
US7175875B2 (en) * | 2002-02-15 | 2007-02-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for plasma processing |
US6843881B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Detecting chemiluminescent radiation in the cleaning of a substrate processing chamber |
-
2002
- 2002-12-31 US US10/331,349 patent/US6806949B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-24 AU AU2003296395A patent/AU2003296395A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-24 JP JP2004565287A patent/JP4763293B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-24 WO PCT/US2003/039109 patent/WO2004061899A2/en active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6314421A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマcvd方法 |
JPH02224242A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
JPH0574714A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-03-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体処理方法及びその装置 |
JPH08191058A (ja) * | 1995-01-12 | 1996-07-23 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
JPH10233391A (ja) * | 1995-05-17 | 1998-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チャンバー内の堆積物のモニター方法,プラズマ加工方法,ドライクリーニング方法 |
JPH11176714A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | チャンバ内堆積膜測定装置とメンテナンス管理システム |
JP2001230239A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2002176030A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2003296395A1 (en) | 2004-07-29 |
AU2003296395A8 (en) | 2004-07-29 |
WO2004061899A2 (en) | 2004-07-22 |
US6806949B2 (en) | 2004-10-19 |
US20040125359A1 (en) | 2004-07-01 |
WO2004061899A3 (en) | 2004-12-16 |
JP4763293B2 (ja) | 2011-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4763293B2 (ja) | 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング | |
JP4763294B2 (ja) | 光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング | |
US7064812B2 (en) | Method of using a sensor gas to determine erosion level of consumable system components | |
KR200495963Y1 (ko) | 부품 마모 표시자를 갖는 챔버 컴포넌트 및 부품 마모를 검출하기 위한 시스템 | |
CN1293596C (zh) | 具有有纹理的内表面的处理室部件和制造方法 | |
US7110110B2 (en) | Sensing component used to monitor material buildup and material erosion of consumables by optical emission | |
KR100345420B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
US6821377B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
US20060118045A1 (en) | Method and apparatus for improved baffle plate | |
TWI717631B (zh) | 電漿處理裝置 | |
CN112534546A (zh) | 低粒子等离子体蚀刻的方法和设备 | |
KR101124795B1 (ko) | 플라즈마 처리장치, 챔버내 부품 및 챔버내 부품의 수명 검출 방법 | |
US7172675B2 (en) | Observation window of plasma processing apparatus and plasma processing apparatus using the same | |
KR102330280B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 부품 교체 방법 | |
KR20240069311A (ko) | 코팅막을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치용 코팅막의 검사 방법 | |
US20230317435A1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
CN112368798A (zh) | 具有分离格栅的等离子体加工设备中的空气泄露检测 | |
Steffens et al. | Spatial uniformity in chamber-cleaning plasmas measured using planar laser-induced fluorescence | |
KR20200051087A (ko) | 발광 코팅층을 포함하는 기판 처리 장치, 기판 처리 장치용 부품의 코팅 두께 관리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110609 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |