JPH11131211A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

Info

Publication number
JPH11131211A
JPH11131211A JP29110397A JP29110397A JPH11131211A JP H11131211 A JPH11131211 A JP H11131211A JP 29110397 A JP29110397 A JP 29110397A JP 29110397 A JP29110397 A JP 29110397A JP H11131211 A JPH11131211 A JP H11131211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum vessel
pressure
vacuum
light intensity
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29110397A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Yamazaki
克弘 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP29110397A priority Critical patent/JPH11131211A/ja
Publication of JPH11131211A publication Critical patent/JPH11131211A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】真空容器内に生成、堆積した物質を取り除くた
めのクリーニング処理の終点を自動的に検知することを
課題とする。 【解決手段】真空容器1内で被処理物にスパッタあるい
はエッチングを行う真空処理装置において、真空容器1
内の圧力を検出する圧力検出器5と真空容器1内の光強
度を検出する光強度検出器4の少なくとも一方と、検出
した情報を電気信号に変換して処理し、判定する演算器
6とを具備し、真空容器1内に生成、堆積した物質を取
り除くためのクリーニング処理の終点を検知することを
特徴とする真空処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置に関
し、特に真空容器内に生成、堆積した物質を取り除くた
めのクリーニング処理の終点を検知する手段を具備した
真空処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の如く、真空容器内で被処理物にス
パッタあるいはエッチングが行われているが、処理後に
真空容器内に生成物や堆積物が残るため、真空容器内を
クリーニングする必要がある。ところが、従来、クリー
ニングが終了したことを確認するのは作業者の目視に依
存していた。
【0003】ところで、作業能率の観点から、クリーニ
ングの終点検出の自動化が望まれているが、自動でクリ
ーニングを行うためには、目視確認によって得られた時
間を参考に、ある一定時間のクリーニングで対応するし
かなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成膜処
理時間の違いによる生成、堆積物の多少や、クリーニン
グプロセス条件の変更によって、終点までの時間も異な
ってくるため、クリーニング終了時の状態が異なってく
るという課題があった。
【0005】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、真空容器内の圧力を検出する圧力検出器と真空
容器内の光強度を検出する光強度検出器の少なくともい
ずれか一方を設けることにより、真空容器内に生成、堆
積した物質を取り除くためのクリーニング処理の終点を
自動的に検知しえる真空処理装置を提供することを目的
とする。
【0006】また、本発明は、圧力検出器が反応性ガス
と堆積物が反応している間の圧力と反応終了後の圧力間
に差があることを利用する構成とすることにより、真空
容器内の圧力を検知し、クリーニングプロセスの終点を
自動的に検知しえる真空処理装置を提供することを目的
とする。
【0007】更に、本発明は、光強度検出器が反応性ガ
スと堆積物とが反応するときに出る光を検出する構成と
することにより、真空容器内の光を検知し、クリーニン
グプロセスの終点を自動的に検知しえる真空処理装置を
提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空容器内で
被処理物にスパッタあるいはエッチングを行う真空処理
装置において、真空容器内の圧力を検出する圧力検出器
と真空容器内の光強度を検出する光強度検出器の少なく
とも一方と、検出した情報を電気信号に変換して処理
し、判定する演算器とを具備し、真空容器内に生成、堆
積した物質を取り除くためのクリーニング処理の終点を
検知することを特徴とする真空処理装置である。
【0009】本発明において、前記圧力検出器として
は、前記真空容器内でクリーニング処理する時の反応性
ガスと堆積物が反応している間の圧力と反応終了後の圧
力間に差があることを利用した構成とすることが好まし
い。即ち、例えばClF3 などの反応性ガスはpoly Si
等の堆積物と反応している間は真空容器内の圧力が上昇
し、反応終了後は圧力が元に戻るので、両者の圧力差を
判定することによりクリーニング処理の終点を検知でき
る。
【0010】本発明において、前記光強度検出器は、前
記真空容器内でクリーニング処理する時の反応性ガスと
堆積物とが反応するときに出る光を検出する構成とする
ことが好ましい。即ち、堆積物が例えばClF3 等の反
応性ガスと反応するときには光を発するので、この光を
光強度検出器で検知することにより、クリーニングプロ
セスの終点を検知できる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1を
参照して説明する。図中の付番1は、内部に被処理物と
しての基板(図示せず)を載置するためのサセプタ2を
有する真空容器である。前記サセプタ2の上方に位置す
る真空容器1には、石英窓3が設けられている。石英窓
3の上方には、真空容器1内の光強度を検出する光強度
検出器4が配置されている。また、前記真空容器1の上
部には、真空容器1内の圧力を検出する圧力検出器5が
配置されている。前記光強度検出器4及び圧力検出器5
には、検出した情報を電気信号に変換して処理し、判定
する演算器6が接続されている。前記真空容器1の底部
の一端にはバルブ7を介装したガス導入管8が連結さ
れ、このガス導入管8に反応性ガス例えばClF3 の流
量を制御するマスフローコントローラ(MFC)9が設
置されている。また、真空容器1の底部の他端には、真
空容器1内のガス等を排気する真空ポンプ10が排気管11
を介して連結されている。前記演算器6とバルブ7、M
FC9とは電気的に接続されている。
【0012】上記実施例によれば、真空容器1内の光強
度を検出する光強度検出器4及び真空容器1内の圧力を
検出する圧力検出器5を真空容器1の上方に配置すると
ともに、前記光強度検出器4及び圧力検出器5と検出し
た情報を電気信号に変換して処理し、判定する演算器6
を接続した構成となっている。こうした構成の装置にお
いて、スパッタあるいはエッチングを行う処理装置の真
空容器1内のクリーニングはサセプタから基板を外した
状態で、真空容器1内を真空ポンプ10により一定排気速
度で排気し、真空容器1内は一定圧力で保たれる。この
真空容器1内に反応性ガスをMFC9及びバルブ7を通
して導入する。
【0013】しかるに、反応性ガスであるClF3 とpo
ly Si 等の堆積物が反応している間は真空容器1内の圧
力が上昇し、反応終了後は圧力が元に戻ることを利用し
て、真空容器1内の圧力を圧力検出器5で検出し、圧力
差を演算器6で判断することにより、クリーニングプロ
セスの終点を自動的に検知することができる。一方、堆
積物がClF3 と反応するときに出る光を光強度検出器
4で検出し、演算器6で判断することによっても、クリ
ーニングプロセスの終点を自動的に検知することができ
る。
【0014】なお、上記実施例では、真空容器に光強度
検出器と圧力検出器の両者を設けた場合について述べた
が、これに限らず、いずれか一方を設けても上記実施例
と同様な効果を期待できる。
【0015】また、上記実施例では、真空容器内の圧力
を一定としてクリーニング処理を行う場合には、上記バ
ルブの代わりに自動圧力制御バルブを用い、このバルブ
の開度をモニタリングすることにより、上記実施例と同
様にクリーニング処理の終点を検出することができる。
【0016】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、真
空容器内の圧力を検出する圧力検出器と真空容器内の被
処理物の光強度を検出する光強度検出器の少なくとも一
方を設けることにより、真空容器内に生成、堆積した物
質を取り除くためのクリーニング処理の終点を自動的に
検知しえる真空処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る真空処理装置の説明
図。
【符号の説明】
1…真空容器、 2…サセプタ、 3…石英窓、 4…光強度検出器、 5…圧力検出器、 6…演算器、 7…バルブ、 8…ガス導入管、 9…マスフローコントローラ(MFC)、 10…真空ポンプ、 11…排気管。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内で被処理物にスパッタあるい
    はエッチングを行う真空処理装置において、真空容器内
    の圧力を検出する圧力検出器と真空容器内の光強度を検
    出する光強度検出器の少なくとも一方と、検出した情報
    を電気信号に変換して処理し、判定する演算器とを具備
    し、真空容器内に生成、堆積した物質を取り除くための
    クリーニング処理の終点を検知することを特徴とする真
    空処理装置。
  2. 【請求項2】 前記圧力検出器は、前記真空容器内でク
    リーニング処理する時の反応性ガスと堆積物が反応して
    いる間の圧力と反応終了後の圧力間に差があることを利
    用した構成であることを特徴とする請求項1記載の真空
    処理装置。
  3. 【請求項3】 前記光強度検出器は、前記真空容器内で
    クリーニング処理する時の反応性ガスと堆積物とが反応
    するときに出る光を検出する構成であることを特徴とす
    る請求項1記載の真空処理装置。
JP29110397A 1997-10-23 1997-10-23 真空処理装置 Pending JPH11131211A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29110397A JPH11131211A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 真空処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29110397A JPH11131211A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11131211A true JPH11131211A (ja) 1999-05-18

Family

ID=17764497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29110397A Pending JPH11131211A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 真空処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11131211A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002518841A (ja) * 1998-06-15 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 絞り弁位置を用いるクリーニング処理終点検出方法
US6737666B1 (en) 1999-11-26 2004-05-18 Nec Electronics Corporation Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process
US6784445B2 (en) 1999-06-28 2004-08-31 Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method
US8075698B2 (en) 2002-08-30 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing unit, method of detecting end point of cleaning of substrate processing unit, and method of detecting end point of substrate processing
JP2014049684A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Taiyo Nippon Sanso Corp クリーニング終点検知方法
KR101456110B1 (ko) * 2007-09-17 2014-11-03 주성엔지니어링(주) 챔버세정의 식각종점 검출방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002518841A (ja) * 1998-06-15 2002-06-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 絞り弁位置を用いるクリーニング処理終点検出方法
US6784445B2 (en) 1999-06-28 2004-08-31 Raunhofer-Gesellschaft Zur Foederung Der Angewandten Forschung E.V. Apparatus for monitoring intentional or unavoidable layer depositions and method
US6737666B1 (en) 1999-11-26 2004-05-18 Nec Electronics Corporation Apparatus and method for detecting an end point of a cleaning process
US8075698B2 (en) 2002-08-30 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing unit, method of detecting end point of cleaning of substrate processing unit, and method of detecting end point of substrate processing
KR101456110B1 (ko) * 2007-09-17 2014-11-03 주성엔지니어링(주) 챔버세정의 식각종점 검출방법
JP2014049684A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Taiyo Nippon Sanso Corp クリーニング終点検知方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6344151B1 (en) Gas purge protection of sensors and windows in a gas phase processing reactor
US20050211266A1 (en) Wafer drying apparatus
JP2003158080A (ja) 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法
US20180166306A1 (en) Quartz crystal microbalance utilization for foreline solids formation quantification
JPH11131211A (ja) 真空処理装置
FR2761084A1 (fr) Appareil d'attaque pour la fabrication d'un afficheur a cristal liquide
JPH11345778A (ja) 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構
KR101456110B1 (ko) 챔버세정의 식각종점 검출방법
JPH06295882A (ja) ドライエッチング装置
JPH04206822A (ja) 半導体製造装置
US20050235917A1 (en) Method and apparatus for monitoring film deposition in a process chamber
WO1993025893A1 (en) Endpoint detection technique using signal slope determinations
JPH09162165A (ja) 処理装置及びそのクリーニング方法
JPH11222680A (ja) 処理室クリーニング方法と装置
JP2003163203A (ja) 半導体製造装置
JPH11297629A (ja) 半導体製造装置のセルフクリーニング方法及びセルフクリーニング終了判定装置
KR19990032647U (ko) 반도체 웨이퍼용 웨트 스테이션의 자동배기조절장치
JPS627880A (ja) プラズマエツチング装置
JP2545575Y2 (ja) エッチング装置
JPH0978267A (ja) 薄膜形成装置のClF3 によるクリーニングの終点検知法
KR100224661B1 (ko) 건식식각 설비
JPH0810732A (ja) 超音波洗浄装置
JPH04179142A (ja) 配管内汚れ予知システム
JPH08148475A (ja) エッチング処理装置
JPS60136229A (ja) 剥離時間の制御方法