JPH11222680A - 処理室クリーニング方法と装置 - Google Patents
処理室クリーニング方法と装置Info
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- JPH11222680A JPH11222680A JP4107998A JP4107998A JPH11222680A JP H11222680 A JPH11222680 A JP H11222680A JP 4107998 A JP4107998 A JP 4107998A JP 4107998 A JP4107998 A JP 4107998A JP H11222680 A JPH11222680 A JP H11222680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜又はエッチング等の加工処理を行なう加
工処理装置において、処理室や排気管のクリーニングを
効率的に行なう。 【解決手段】 ＣＶＤ処理等を行なう処理室１０には、
ガス源１６からバルブＶ2 及び給気管１２を介して処理
ガスＧとしてエッチングガスを供給する一方、処理室１
０からは、排気管１４及びバルブＶ1 を介して排気ポン
プ２０により排気する。エッチングガスと処理室１０内
及び排気管１４内の汚染物Ｒとの反応により汚染物Ｒが
除去される。制御装置２２は、処理室１０から排気管１
４に至る流路の複数個所に設けた複数の温度センサＫ1
〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいてガス流量等のエ
ッチング条件を制御するもので、出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に
基づいて複数個所で反応の終点を検出すると、反応を停
止すべく制御を行なう。
工処理装置において、処理室や排気管のクリーニングを
効率的に行なう。 【解決手段】 ＣＶＤ処理等を行なう処理室１０には、
ガス源１６からバルブＶ2 及び給気管１２を介して処理
ガスＧとしてエッチングガスを供給する一方、処理室１
０からは、排気管１４及びバルブＶ1 を介して排気ポン
プ２０により排気する。エッチングガスと処理室１０内
及び排気管１４内の汚染物Ｒとの反応により汚染物Ｒが
除去される。制御装置２２は、処理室１０から排気管１
４に至る流路の複数個所に設けた複数の温度センサＫ1
〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいてガス流量等のエ
ッチング条件を制御するもので、出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に
基づいて複数個所で反応の終点を検出すると、反応を停
止すべく制御を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、成膜又はエッチ
ング等の加工処理を行なう加工処理装置において処理室
内に付着した汚染物を除去するための処理室クリーニン
グ方法と装置に関し、特に処理室の複数個所に複数の温
度センサをそれぞれ設け、これらの温度センサの出力信
号に基づいてエッチングガスと汚染物との反応の進行状
況をモニタして反応条件を設定又は制御することにより
効率的なクリーニングを可能にしたものである。
ング等の加工処理を行なう加工処理装置において処理室
内に付着した汚染物を除去するための処理室クリーニン
グ方法と装置に関し、特に処理室の複数個所に複数の温
度センサをそれぞれ設け、これらの温度センサの出力信
号に基づいてエッチングガスと汚染物との反応の進行状
況をモニタして反応条件を設定又は制御することにより
効率的なクリーニングを可能にしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、成膜装置の処理室内に付着した汚
染物を除去するためのクリーニング装置としては、処理
室を介してＣｌＦ3 （３フッ化塩素）等のエッチングガ
スを流通させると共に、エッチング時の反応熱を検出す
る熱検出手段を処理室内に設け、熱検出手段で反応熱の
発生停止をエッチング終点として検出すると、エッチン
グガスの供給を停止するようにしたものが知られている
（例えば、特開平５−１２１３６７号公報参照）。
染物を除去するためのクリーニング装置としては、処理
室を介してＣｌＦ3 （３フッ化塩素）等のエッチングガ
スを流通させると共に、エッチング時の反応熱を検出す
る熱検出手段を処理室内に設け、熱検出手段で反応熱の
発生停止をエッチング終点として検出すると、エッチン
グガスの供給を停止するようにしたものが知られている
（例えば、特開平５−１２１３６７号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来技術によ
ると、熱検出手段は、処理室内で電極板の一部等の１個
所に設けられるだけであるため、処理室内のエッチング
反応の進行状況を十分に把握することができない。従っ
て、エッチング反応の進行状況に応じて適切なエッチン
グ条件を設定して効率的にクリーニングを行なうのが困
難である。
ると、熱検出手段は、処理室内で電極板の一部等の１個
所に設けられるだけであるため、処理室内のエッチング
反応の進行状況を十分に把握することができない。従っ
て、エッチング反応の進行状況に応じて適切なエッチン
グ条件を設定して効率的にクリーニングを行なうのが困
難である。
【０００４】また、処理室内では、位置や部材形状に応
じて汚染物の付着厚さが異なるのが通例であり、１個所
でエッチング反応をモニタするだけでは、クリーニング
むらが発生しやすい。例えば、処理室内において、平面
的な部分でエッチング終点を検出してエッチングを停止
しても、コーナー部等では汚染物の一部がエッチングさ
れずに残存することがある。そこで、コーナー部等でも
汚染物が完全に除去されるように長時間のエッチングを
行なうと、処理室構成部材がエッチングガスによりダメ
ージを受けることがある。
じて汚染物の付着厚さが異なるのが通例であり、１個所
でエッチング反応をモニタするだけでは、クリーニング
むらが発生しやすい。例えば、処理室内において、平面
的な部分でエッチング終点を検出してエッチングを停止
しても、コーナー部等では汚染物の一部がエッチングさ
れずに残存することがある。そこで、コーナー部等でも
汚染物が完全に除去されるように長時間のエッチングを
行なうと、処理室構成部材がエッチングガスによりダメ
ージを受けることがある。
【０００５】この発明の第１の目的は、加工処理装置の
処理室乃至排気管のクリーニングを効率的に行なうこと
にある。
処理室乃至排気管のクリーニングを効率的に行なうこと
にある。
【０００６】この発明の第２の目的は、加工処理装置の
処理室乃至排気管のクリーニングにおいて、クリーニン
グむら及びクリーニングダメージを低減することにあ
る。
処理室乃至排気管のクリーニングにおいて、クリーニン
グむら及びクリーニングダメージを低減することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る処理室ク
リーニング方法は、加工処理装置の処理室内に付着した
汚染物を除去するための処理室クリーニング方法であっ
て、前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記
処理室を介して流通させるステップと、前記処理室の複
数個所にそれぞれ設けた複数の温度センサの出力信号に
基づいて前記エッチング流体と前記汚染物との反応の進
行状況をモニタするステップと、前記反応の進行状況の
モニタ結果に応じて前記反応の条件を設定するステップ
とを含むものである。
リーニング方法は、加工処理装置の処理室内に付着した
汚染物を除去するための処理室クリーニング方法であっ
て、前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記
処理室を介して流通させるステップと、前記処理室の複
数個所にそれぞれ設けた複数の温度センサの出力信号に
基づいて前記エッチング流体と前記汚染物との反応の進
行状況をモニタするステップと、前記反応の進行状況の
モニタ結果に応じて前記反応の条件を設定するステップ
とを含むものである。
【０００８】このような処理室クリーニング方法にあっ
ては、処理室をクリーニング対象とする代りに、処理室
から排気管に至る流路をクリーニング対象としてもよ
い。この場合、流路にエッチング流体を流通させると共
に流路の複数個所に複数の温度センサをそれぞれ設け
る。
ては、処理室をクリーニング対象とする代りに、処理室
から排気管に至る流路をクリーニング対象としてもよ
い。この場合、流路にエッチング流体を流通させると共
に流路の複数個所に複数の温度センサをそれぞれ設け
る。
【０００９】この発明に係る処理室クリーニング方法に
よれば、複数の温度センサの出力信号に基づいてエッチ
ング反応の進行状況をモニタし、そのモニタ結果に応じ
てエッチング流体の流量等の反応条件を設定するので、
エッチング反応の進行状況に応じて適切な反応条件を設
定することができ、効率的なクリーニングが可能とな
る。
よれば、複数の温度センサの出力信号に基づいてエッチ
ング反応の進行状況をモニタし、そのモニタ結果に応じ
てエッチング流体の流量等の反応条件を設定するので、
エッチング反応の進行状況に応じて適切な反応条件を設
定することができ、効率的なクリーニングが可能とな
る。
【００１０】この発明に係る処理室クリーニング方法に
おいては、エッチング反応の進行状況をモニタすること
により複数個所における反応の終点を判別して反応を停
止させるようにしてもよい。このようにすると、エッチ
ングの過不足が抑制され、クリーニングむら及びクリー
ニングダメージを低減可能となる。
おいては、エッチング反応の進行状況をモニタすること
により複数個所における反応の終点を判別して反応を停
止させるようにしてもよい。このようにすると、エッチ
ングの過不足が抑制され、クリーニングむら及びクリー
ニングダメージを低減可能となる。
【００１１】この発明に係る処理室クリーニング装置
は、加工処理装置の処理室内に付着した汚染物を除去す
るための処理室クリーニング装置であって、前記汚染物
をエッチングするエッチング流体を前記処理室を介して
流通させる流通手段と、前記エッチング流体と前記汚染
物との反応に基づく反応熱を検知すべく前記処理室の複
数個所にそれぞれ設けられた複数の温度センサと、前記
複数の温度センサの出力信号に基づいて前記反応の条件
を制御する制御手段とを備えたものである。
は、加工処理装置の処理室内に付着した汚染物を除去す
るための処理室クリーニング装置であって、前記汚染物
をエッチングするエッチング流体を前記処理室を介して
流通させる流通手段と、前記エッチング流体と前記汚染
物との反応に基づく反応熱を検知すべく前記処理室の複
数個所にそれぞれ設けられた複数の温度センサと、前記
複数の温度センサの出力信号に基づいて前記反応の条件
を制御する制御手段とを備えたものである。
【００１２】このような処理室クリーニング装置にあっ
ては、処理室をクリーニング対象とする代りに、処理室
から排気管に至る流路をクリーニング対象としてもよ
い。この場合、流路にエッチング流体を流通させると共
に流路の複数個所に複数の温度センサをそれぞれ設け
る。
ては、処理室をクリーニング対象とする代りに、処理室
から排気管に至る流路をクリーニング対象としてもよ
い。この場合、流路にエッチング流体を流通させると共
に流路の複数個所に複数の温度センサをそれぞれ設け
る。
【００１３】この発明に係る処理室クリーニング装置に
よれば、複数の温度センサの出力信号に基づいてエッチ
ング流体の流量等の反応条件を制御するので、エッチン
グ反応の進行状況に応じて適切な反応条件を自動的に設
定することができ、効率的なクリーニングが可能とな
る。
よれば、複数の温度センサの出力信号に基づいてエッチ
ング流体の流量等の反応条件を制御するので、エッチン
グ反応の進行状況に応じて適切な反応条件を自動的に設
定することができ、効率的なクリーニングが可能とな
る。
【００１４】この発明に係る処理室クリーニング装置に
おいては、複数の温度センサの出力信号に基づいて複数
個所における反応の終点を検出し、この検出に応じて反
応を停止すべく制御するようにしてもよい。このように
すると、エッチングの過不足が抑制され、クリーニング
むら及びクリーニングダメージを低減可能となる。
おいては、複数の温度センサの出力信号に基づいて複数
個所における反応の終点を検出し、この検出に応じて反
応を停止すべく制御するようにしてもよい。このように
すると、エッチングの過不足が抑制され、クリーニング
むら及びクリーニングダメージを低減可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
係る処理室クリーニング装置の構成を示すものである。
係る処理室クリーニング装置の構成を示すものである。
【００１６】例えばＣＶＤ（ケミカル・ベーパー・デポ
ジション）処理等の成膜処理を行なう成膜装置におい
て、被処理基板（図示せず）の表面に堆積膜を形成する
際には、給気管１２を介して処理室１０に反応性のガス
が供給されると共に処理室１０からは排気管１４、バル
ブＶ1 等を介して排気ポンプ２０により排気が行なわれ
る。このような成膜処理を何回か行なうと、処理室１０
から排気管１４に至る流路内には堆積物等の反応生成物
を含む汚染物Ｒが付着する。通常、汚染物Ｒの付着厚さ
は一定でなく、位置や部材形状等により異なる。汚染物
Ｒは、成膜処理中にはがれたり、ガスの流れを妨げたり
して歩留り低下を招くので、汚染物Ｒを除去するための
クリーニング処理が必要となる。
ジション）処理等の成膜処理を行なう成膜装置におい
て、被処理基板（図示せず）の表面に堆積膜を形成する
際には、給気管１２を介して処理室１０に反応性のガス
が供給されると共に処理室１０からは排気管１４、バル
ブＶ1 等を介して排気ポンプ２０により排気が行なわれ
る。このような成膜処理を何回か行なうと、処理室１０
から排気管１４に至る流路内には堆積物等の反応生成物
を含む汚染物Ｒが付着する。通常、汚染物Ｒの付着厚さ
は一定でなく、位置や部材形状等により異なる。汚染物
Ｒは、成膜処理中にはがれたり、ガスの流れを妨げたり
して歩留り低下を招くので、汚染物Ｒを除去するための
クリーニング処理が必要となる。
【００１７】このようなクリーニング処理を行なうため
に、給気管１２には、バルブＶ2 を介してエッチングガ
ス源１６が接続されると共に必要に応じてバルブＶ3 を
介してＮ2 （窒素）ガス源１８が接続される。ガス源１
６のエッチングガスとしては、汚染物ＲがＳｉ（シリコ
ン）、Ｗ（タングステン）、Ｗ化合物である場合、Ｃｌ
Ｆ3 ガスを用いることができる。ガス源１８のガスとし
ては、Ｎ2 以外の不活性ガスを用いてもよい。
に、給気管１２には、バルブＶ2 を介してエッチングガ
ス源１６が接続されると共に必要に応じてバルブＶ3 を
介してＮ2 （窒素）ガス源１８が接続される。ガス源１
６のエッチングガスとしては、汚染物ＲがＳｉ（シリコ
ン）、Ｗ（タングステン）、Ｗ化合物である場合、Ｃｌ
Ｆ3 ガスを用いることができる。ガス源１８のガスとし
ては、Ｎ2 以外の不活性ガスを用いてもよい。
【００１８】一例として、処理室１２には２つの温度セ
ンサＫ1 ，Ｋ2 を設けると共に排気管１４にも２つの温
度センサＫ3 ，Ｋ4 を設ける。温度センサＫ1 〜Ｋ4
は、エッチングガスと汚染物Ｒとの反応に基づく反応熱
を検知するためのもので、Ｋ1，Ｋ3 はいずれも下面部
に設け、Ｋ2 ，Ｋ4 はいずれもコーナー部に設ける。こ
のような温度センサ配置は、汚染物Ｒの付着厚さが処理
室１０内と排気管１４内とで異なると共に平面的な部分
とコーナー部とで異なることを考慮したもので、処理室
１０から排気管１４に至る流路内のエッチング反応の進
行状況を広範囲にモニタするのを可能にする。
ンサＫ1 ，Ｋ2 を設けると共に排気管１４にも２つの温
度センサＫ3 ，Ｋ4 を設ける。温度センサＫ1 〜Ｋ4
は、エッチングガスと汚染物Ｒとの反応に基づく反応熱
を検知するためのもので、Ｋ1，Ｋ3 はいずれも下面部
に設け、Ｋ2 ，Ｋ4 はいずれもコーナー部に設ける。こ
のような温度センサ配置は、汚染物Ｒの付着厚さが処理
室１０内と排気管１４内とで異なると共に平面的な部分
とコーナー部とで異なることを考慮したもので、処理室
１０から排気管１４に至る流路内のエッチング反応の進
行状況を広範囲にモニタするのを可能にする。
【００１９】制御装置２２は、クリーニング処理を制御
するためのもので、例えばマイクロコンピュータ等によ
り構成される。制御装置２２には、温度センサＫ1 〜Ｋ
4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 が供給されると共に、制御装置
２２からは、排気ポンプ２０を制御するための制御信号
ＣＰ、バルブＶ1 〜Ｖ3 をそれぞれ制御するための制御
信号ＣＮ1 〜ＣＮ3 等が発生される。
するためのもので、例えばマイクロコンピュータ等によ
り構成される。制御装置２２には、温度センサＫ1 〜Ｋ
4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 が供給されると共に、制御装置
２２からは、排気ポンプ２０を制御するための制御信号
ＣＰ、バルブＶ1 〜Ｖ3 をそれぞれ制御するための制御
信号ＣＮ1 〜ＣＮ3 等が発生される。
【００２０】制御装置２２の制御動作は、一例として次
のように行なわれる。まず、制御信号ＣＰにより排気ポ
ンプ２０を起動すると共に制御信号ＣＮ1 によりバルブ
Ｖ1を開いて処理室１０から排気する。
のように行なわれる。まず、制御信号ＣＰにより排気ポ
ンプ２０を起動すると共に制御信号ＣＮ1 によりバルブ
Ｖ1を開いて処理室１０から排気する。
【００２１】次に、制御信号ＣＮ2 によりバルブＶ2 を
開いてガス源１６からバルブＶ2 及び給気管１２を介し
て処理室１０に処理ガスＧとしてエッチングガスを導入
する。このとき、必要に応じて制御信号ＣＮ3 によりバ
ルブＶ3 を開いてエッチングガスに所要量のＮ2 ガスを
混入させることもできる。
開いてガス源１６からバルブＶ2 及び給気管１２を介し
て処理室１０に処理ガスＧとしてエッチングガスを導入
する。このとき、必要に応じて制御信号ＣＮ3 によりバ
ルブＶ3 を開いてエッチングガスに所要量のＮ2 ガスを
混入させることもできる。
【００２２】処理室１０から排気管１４に至る流路で
は、処理ガスＧとしてエッチングガスが流通することに
よりエッチングガスと汚染物Ｒとのエッチング反応が進
行してクリーニングが行なわれる。図２は、クリーニン
グ中の処理室１０及び排気管１４を示すもので、汚染物
Ｒが減少しているのがわかる。
は、処理ガスＧとしてエッチングガスが流通することに
よりエッチングガスと汚染物Ｒとのエッチング反応が進
行してクリーニングが行なわれる。図２は、クリーニン
グ中の処理室１０及び排気管１４を示すもので、汚染物
Ｒが減少しているのがわかる。
【００２３】クリーニング処理中においては、エッチン
グ反応の進行状況が温度センサＫ1〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1
〜Ｓ4 に基づいてモニタされる。図３〜６は、温度セ
ンサＫ1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 の波形を例示する
もので、ｔ11，ｔ21，ｔ31，ｔ41はいずれもエッチング
開始点を示し、ｔ12，ｔ22，ｔ32，ｔ42はいずれもエッ
チング終点を示す。
グ反応の進行状況が温度センサＫ1〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1
〜Ｓ4 に基づいてモニタされる。図３〜６は、温度セ
ンサＫ1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 の波形を例示する
もので、ｔ11，ｔ21，ｔ31，ｔ41はいずれもエッチング
開始点を示し、ｔ12，ｔ22，ｔ32，ｔ42はいずれもエッ
チング終点を示す。
【００２４】図３〜６を対比すると、温度センサＫ1 〜
Ｋ4 の設置個所においてはエッチング反応の進行状況が
互いに異なり、特にエッチング終点が互いに異なること
がわかる。
Ｋ4 の設置個所においてはエッチング反応の進行状況が
互いに異なり、特にエッチング終点が互いに異なること
がわかる。
【００２５】制御装置２２は、温度センサＫ1 〜Ｋ4 の
出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいて制御信号ＣＮ1 〜ＣＮ3
を作成すると共に制御信号ＣＮ1 〜ＣＮ3 によりそれぞ
れバルブＶ1 〜Ｖ3 を制御することによりエッチングガ
スの流量、エッチングガスとＮ2 ガスとの混合比、給気
管１２からバルブＶ1 に至る流路内の圧力等のエッチン
グ条件を適切に設定する。
出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいて制御信号ＣＮ1 〜ＣＮ3
を作成すると共に制御信号ＣＮ1 〜ＣＮ3 によりそれぞ
れバルブＶ1 〜Ｖ3 を制御することによりエッチングガ
スの流量、エッチングガスとＮ2 ガスとの混合比、給気
管１２からバルブＶ1 に至る流路内の圧力等のエッチン
グ条件を適切に設定する。
【００２６】制御装置２２においては、温度センサＫ1
〜Ｋ4 のうちの各温度センサ毎にエッチング開始点及び
エッチング終点が検出される。一例として、エッチング
ガスの導入開始直後からエッチング終点ｔ12，ｔ32を検
出するまでの間は比較的高いエッチング速度となるよう
にエッチング条件を制御し、エッチング終点ｔ12，ｔ32
を検出した後エッチング終点ｔ42を検出するまでの間は
比較的低いエッチング速度となるようにエッチング条件
を制御することができる。
〜Ｋ4 のうちの各温度センサ毎にエッチング開始点及び
エッチング終点が検出される。一例として、エッチング
ガスの導入開始直後からエッチング終点ｔ12，ｔ32を検
出するまでの間は比較的高いエッチング速度となるよう
にエッチング条件を制御し、エッチング終点ｔ12，ｔ32
を検出した後エッチング終点ｔ42を検出するまでの間は
比較的低いエッチング速度となるようにエッチング条件
を制御することができる。
【００２７】制御装置２２は、すべての温度センサ設置
個所におけるエッチング終点ｔ12，ｔ22，ｔ32，ｔ42を
検出すると、エッチング反応を停止すべく制御を行な
う。エッチング反応の停止は、一例として制御信号ＣＮ
2 によりバルブＶ2 を閉じることにより行なうことがで
きる。このとき、制御信号ＣＮ3 によりバルブＶ3 を開
くことによりエッチングガスの代りにＮ2 ガスを処理室
１０へ導入するようにしてもよい。
個所におけるエッチング終点ｔ12，ｔ22，ｔ32，ｔ42を
検出すると、エッチング反応を停止すべく制御を行な
う。エッチング反応の停止は、一例として制御信号ＣＮ
2 によりバルブＶ2 を閉じることにより行なうことがで
きる。このとき、制御信号ＣＮ3 によりバルブＶ3 を開
くことによりエッチングガスの代りにＮ2 ガスを処理室
１０へ導入するようにしてもよい。
【００２８】上記した実施形態によれば、温度センサＫ
1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいてエッチング反
応の進行状況をモニタしながらエッチング条件を適切に
制御するので、クリーニング処理を効率的に行なうこと
ができる。また、すべての温度センサ設置個所でエッチ
ング終点を検出してエッチング反応を停止させるので、
エッチングの過不足が抑制され、クリーニングむらやク
リーニングダメージを低減することができる。
1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 に基づいてエッチング反
応の進行状況をモニタしながらエッチング条件を適切に
制御するので、クリーニング処理を効率的に行なうこと
ができる。また、すべての温度センサ設置個所でエッチ
ング終点を検出してエッチング反応を停止させるので、
エッチングの過不足が抑制され、クリーニングむらやク
リーニングダメージを低減することができる。
【００２９】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次のような変更が可能である。
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、次のような変更が可能である。
【００３０】（１）この発明は、成膜装置に限らず、反
応性イオンエッチング装置、ＥＣＲ（エレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス）型プラズマエッチング装置
等のエッチング装置の処理室のクリーニングにも適用す
ることができる。
応性イオンエッチング装置、ＥＣＲ（エレクトロン・サ
イクロトロン・レゾナンス）型プラズマエッチング装置
等のエッチング装置の処理室のクリーニングにも適用す
ることができる。
【００３１】（２）この発明は、制御装置２２を用いる
代りに、温度センサＫ1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 を
ディスプレイ画面に表示して反応の進行状況をモニタし
ながら手動操作でバルブＶ1 〜Ｖ3 を調整することによ
っても実施可能である。
代りに、温度センサＫ1 〜Ｋ4 の出力信号Ｓ1 〜Ｓ4 を
ディスプレイ画面に表示して反応の進行状況をモニタし
ながら手動操作でバルブＶ1 〜Ｖ3 を調整することによ
っても実施可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、処理
室の複数個所又は処理室から排気管に至る流路の複数個
所にそれぞれ複数の温度センサを設け、これらの温度セ
ンサの出力信号に基づいてエッチング条件を設定又は制
御するようにしたので、エッチングの進行状況に応じて
最適の条件でエッチングを行なうことができ、クリーニ
ング効率が向上する効果が得られる。
室の複数個所又は処理室から排気管に至る流路の複数個
所にそれぞれ複数の温度センサを設け、これらの温度セ
ンサの出力信号に基づいてエッチング条件を設定又は制
御するようにしたので、エッチングの進行状況に応じて
最適の条件でエッチングを行なうことができ、クリーニ
ング効率が向上する効果が得られる。
【００３３】また、複数の温度センサのすべてについて
エッチング反応の終点を検出してエッチング反応を停止
させるようにすると、クリーニングむらやクリーニング
ダメージを低減できる効果も得られる。
エッチング反応の終点を検出してエッチング反応を停止
させるようにすると、クリーニングむらやクリーニング
ダメージを低減できる効果も得られる。
【図１】 この発明の一実施形態に係る処理室クリーニ
ング装置を示す構成図である。
ング装置を示す構成図である。
【図２】 図１の装置においてクリーニング中の処理室
及び排気管を示す断面図である。
及び排気管を示す断面図である。
【図３】 第１の温度センサの出力信号の一例を示す波
形図である。
形図である。
【図４】 第２の温度センサの出力信号の一例を示す波
形図である。
形図である。
【図５】 第３の温度センサの出力信号の一例を示す波
形図である。
形図である。
【図６】 第４の温度センサの出力信号の一例を示す波
形図である。
形図である。
１０：処理室、１２：給気管、１４：排気管、１６：エ
ッチングガス源、１８：Ｎ2 ガス源、２０：排気ポン
プ、２２：制御装置、Ｖ1 〜Ｖ3 ：バルブ、Ｋ1〜Ｋ
4 ：温度センサ、Ｒ：汚染物。
ッチングガス源、１８：Ｎ2 ガス源、２０：排気ポン
プ、２２：制御装置、Ｖ1 〜Ｖ3 ：バルブ、Ｋ1〜Ｋ
4 ：温度センサ、Ｒ：汚染物。
Claims (8)
- 【請求項１】 加工処理装置の処理室内に付着した汚染
物を除去するための処理室クリーニング方法であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記処理
室を介して流通させるステップと、 前記処理室の複数個所にそれぞれ設けた複数の温度セン
サの出力信号に基づいて前記エッチング流体と前記汚染
物との反応の進行状況をモニタするステップと、 前記反応の進行状況のモニタ結果に応じて前記反応の条
件を設定するステップとを含む処理室クリーニング方
法。 - 【請求項２】 加工処理装置の処理室内に付着した汚染
物を除去するための処理室クリーニング方法であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記処理
室を介して流通させるステップと、 前記処理室の複数個所にそれぞれ設けた複数の温度セン
サの出力信号に基づいて前記エッチング流体と前記汚染
物との反応の進行状況をモニタすることにより前記複数
個所における前記反応の終点を判別するステップと、 前記複数個所における前記反応の終点の判別に応じて前
記反応を停止させるステップとを含む処理室クリーニン
グ方法。 - 【請求項３】 加工処理装置の処理室から排気管に至る
流路内に付着した汚染物を除去するための処理室クリー
ニング方法であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記流路
を介して流通させるステップと、 前記流路の複数個所にそれぞれ設けた複数の温度センサ
の出力信号に基づいて前記エッチング流体と前記汚染物
との反応の進行状況をモニタするステップと、 前記反応の進行状況のモニタ結果に応じて前記反応の条
件を設定するステップとを含む処理室クリーニング方
法。 - 【請求項４】 加工処理装置の処理室から排気管に至る
流路内に付着した汚染物を除去するための処理室クリー
ニング方法であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記流路
を介して流通させるステップと、 前記流路の複数個所にそれぞれ設けた複数の温度センサ
の出力信号に基づいて前記エッチング流体と前記汚染物
との反応の進行状況をモニタすることにより前記複数個
所における前記反応の終点を判別するステップと、 前記複数個所における前記反応の終点の判別に応じて前
記反応を停止させるステップとを含む処理室クリーニン
グ方法。 - 【請求項５】 加工処理装置の処理室内に付着した汚染
物を除去するための処理室クリーニング装置であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記処理
室を介して流通させる流通手段と、 前記エッチング流体と前記汚染物との反応に基づく反応
熱を検知すべく前記処理室の複数個所にそれぞれ設けら
れた複数の温度センサと、 前記複数の温度センサの出力信号に基づいて前記反応の
条件を制御する制御手段とを備えた処理室クリーニング
装置。 - 【請求項６】 加工処理装置の処理室内に付着した汚染
物を除去するための処理室クリーニング装置であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記処理
室を介して流通させる流通手段と、 前記エッチング流体と前記汚染物との反応に基づく反応
熱を検知すべく前記処理室の複数個所にそれぞれ設けら
れた複数の温度センサと、 前記複数の温度センサの出力信号に基づいて前記複数個
所における前記反応の終点を検出する検出手段と、 この検出手段により前記反応の終点が検出されるのに応
じて前記反応を停止すべく制御する制御手段とを備えた
処理室クリーニング装置。 - 【請求項７】 加工処理装置の処理室から排気管に至る
流路内に付着した汚染物を除去するための処理室クリー
ニング装置であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記流路
を介して流通させる流通手段と、 前記エッチング流体と前記汚染物との反応に基づく反応
熱を検知すべく前記流路の複数個所にそれぞれ設けられ
た複数の温度センサと、 前記複数の温度センサの出力信号に基づいて前記反応の
条件を制御する制御手段とを備えた処理室クリーニング
装置。 - 【請求項８】 加工処理装置の処理室から排気管に至る
流路内に付着した汚染物を除去するための処理室クリー
ニング装置であって、 前記汚染物をエッチングするエッチング流体を前記流路
を介して流通させる流通手段と、 前記エッチング流体と前記汚染物との反応に基づく反応
熱を検知すべく前記流路の複数個所にそれぞれ設けられ
た複数の温度センサと、 前記複数の温度センサの出力信号に基づいて前記複数個
所における前記反応の終点を検出する検出手段と、 この検出手段により前記反応の終点が検出されるのに応
じて前記反応を停止すべく制御する制御手段とを備えた
処理室クリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107998A JPH11222680A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 処理室クリーニング方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4107998A JPH11222680A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 処理室クリーニング方法と装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11222680A true JPH11222680A (ja) | 1999-08-17 |
Family
ID=12598465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4107998A Pending JPH11222680A (ja) | 1998-02-06 | 1998-02-06 | 処理室クリーニング方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11222680A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013153159A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP2020202243A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
| WO2022035679A1 (en) * | 2020-08-11 | 2022-02-17 | Mks Instruments, Inc. | Endpoint detection of deposition cleaning in a pumping line and a processing chamber |
| US11367598B2 (en) | 2016-01-13 | 2022-06-21 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for deposition cleaning in a pumping line |
| JP2023059416A (ja) * | 2021-10-15 | 2023-04-27 | 株式会社荏原製作所 | 生成物除去装置、処理システム及び生成物除去方法 |
| US11664197B2 (en) | 2021-08-02 | 2023-05-30 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for plasma generation |
-
1998
- 1998-02-06 JP JP4107998A patent/JPH11222680A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11745229B2 (en) | 2020-08-11 | 2023-09-05 | Mks Instruments, Inc. | Endpoint detection of deposition cleaning in a pumping line and a processing chamber |
| US11664197B2 (en) | 2021-08-02 | 2023-05-30 | Mks Instruments, Inc. | Method and apparatus for plasma generation |
| JP2023059416A (ja) * | 2021-10-15 | 2023-04-27 | 株式会社荏原製作所 | 生成物除去装置、処理システム及び生成物除去方法 |
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