KR20140051933A - 파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 장치 - Google Patents

파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140051933A
KR20140051933A KR1020147002976A KR20147002976A KR20140051933A KR 20140051933 A KR20140051933 A KR 20140051933A KR 1020147002976 A KR1020147002976 A KR 1020147002976A KR 20147002976 A KR20147002976 A KR 20147002976A KR 20140051933 A KR20140051933 A KR 20140051933A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
particle
processing container
characteristic amount
characteristic
Prior art date
Application number
KR1020147002976A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101912259B1 (ko
Inventor
쿠니오 미야우치
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140051933A publication Critical patent/KR20140051933A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101912259B1 publication Critical patent/KR101912259B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M15/00—Testing of engines
    • G01M15/04—Testing internal-combustion engines
    • G01M15/10—Testing internal-combustion engines by monitoring exhaust gases or combustion flame
    • G01M15/102—Testing internal-combustion engines by monitoring exhaust gases or combustion flame by monitoring exhaust gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

감압 처리 용기(12)로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 방법으로서, 감압 처리 용기(12)를 청정화하고 있는 동안에, 감압 처리 용기(12)로부터의 배기에 포함되는 파티클을 파티클 모니터(18)에 의해 계수하고, 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하고, 당해 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 당해 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출한다.

Description

파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 장치{PARTICLE MONITOR METHOD AND PARTICLE MONITOR DEVICE}
본 발명은, 파티클 모니터 방법 및 파티클 모니터 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에서는, 예를 들면 플라즈마 처리 장치 등의 기판 처리 장치에 설치된 감압 처리 용기 내에서, 절연막을 비롯한 각종 성막 처리, 또는 이들 절연막 등의 에칭 처리 등이 행해진다. 이러한 감압 처리 용기 내에는, 예를 들면 처리 용기 내에 생성되는 플라즈마에 의한 스퍼터, 또는 반응성 가스에 의한 생성물에 기인하는 미세한 입자(파티클)가 부착하는데, 이 파티클이 기판에 부착하면 제품의 수율이 저하된다. 이 때문에, 기판 처리 장치에는 높은 청정도가 요구된다.
처리 용기 내를 청정화하는 방법으로서, 예를 들면 특허문헌 1에는, 처리 용기 내로 가스를 도입할 시 발생하는 가스의 충격파, 또는 고전압을 인가했을 시의 전자 응력 등을 이용하여 처리 용기 내의 파티클을 비산시키는 것이 제안되고 있다.
또한, 처리 용기 내의 청정도를 평가하는 방법으로서는, 예를 들면 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하고, 이 퍼지 가스의 공급에 의해 처리 용기로부터 유리(遊離)한 파티클을 파티클 모니터에 의해 계수(計數)하는 것이 제안되고 있다(특허문헌 2).
그런데, 파티클의 계수만으로는 파티클의 발생원이 되고 있는 부위를 특정할 수 없어, 파티클의 발생량 그 자체를 저감시킬 수 없다. 이 때문에, 상술한 기판 처리 장치에서는, 통상, 파티클 발생원을 특정하는 것을 목적으로 하여, 기판에 부착한 파티클의 성분 분석, 또는 기판 상에서의 각 성분의 분포 상황의 분석이 행해지고 있다(특허문헌 3).
일본특허공개공보 2005-101539호 일본특허공개공보 2005-317900호 일본특허공개공보 평10-326812호
그러나, 기판 상에서의 파티클의 분포 등에 기초하여 파티클의 발생원을 특정하기 위해서는, 기판 처리의 프로세스 또는 장치에 관한 고도의 지식과 경험이 필요하며, 작업원의 숙련도에 의해 판정 결과에 에러가 발생하고 있었다.
또한 파티클의 분포에 대해서는, 파티클의 성분 또는 수에 비해 해석도 용이하지 않고, 그 특징도 매우 알기 어려우므로, 이상인지 여부의 판정도 곤란했다. 이 때문에, 처리 용기 내의 청정화에 있어서 공급하는 가스의 조건 설정, 또는 처리 용기를 분해 점검하는 시기를 적절히 판단하는 방법은 확립되어 있지 않고, 처리 용기의 청정화가 최적화되어 있지 않은 것이 현상이다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내의 파티클을 적절히 모니터링하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 방법으로서, 상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수 수단에 의해 계수하고, 상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하고, 상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 상기 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 관계로부터 추출되는 제 1 특징량과, 파티클 수의 분포 경향과 파티클의 계수 기간의 관계로부터 추출되는 제 2 특징량을 구하므로, 이 제 1 특징량 및 제 2 특징량을 비교함으로써, 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 도중의 파티클의 경향, 보다 구체적으로, 파티클의 비산 요인으로서, 퍼지 가스의 충격파와 전자 응력 중 어느 일방이 지배적인지를 정량적으로 파악할 수 있다. 이에 의해, 감압 처리 용기 내의 파티클을 적절히 모니터링하는 것이 가능해진다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 방법으로서, 상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수 수단에 의해 계수하고, 상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하고, 상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클 계수 기간에서 계수된 파티클의 총 수와 최빈값에서의 파티클 수와 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하고, 상기 제 1 특징량의 추출과 상기 제 2 특징량의 추출을, 상기 감압 처리 용기 내에서의 기판 처리마다 행하고, 상기 추출된 복수의 제 1 특징량과 복수의 제 2 특징량을 변수로 하는 주성분 분석을 행하여, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 주성분 부하량을 각각 구하고, 상기 각 주성분 부하량에 기초하여 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량에 대하여 주성분 득점을 각각 구하고, 상기 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석을 행하고, 상기 클러스터 분석의 결과에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 파티클의 부착 상황을 추정하는 것을 특징으로 하고 있다.
또한 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 시스템으로서, 상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수하는 계수 수단과, 상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하는 연산 수단과, 상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 상기 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하는 추출 수단을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
또한 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 시스템으로서, 상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수하는 계수 수단과, 상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하는 연산 수단과, 상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클 계수 기간에서 계수된 파티클의 총 수와 최빈값에서의 파티클 수와 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하고 추출 수단과, 상기 감압 처리 용기 내에서의 기판 처리마다 추출한 복수의 상기 제 1 특징량과 복수의 상기 제 2 특징량을 변수로 하는 주성분 분석을 행하여, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 주성분 부하량을 각각 구하는 분석 수단과, 상기 각 주성분 부하량에 기초하여 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량에 대하여 주성분 득점을 각각 산출하는 산출 수단과, 상기 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석을 행하고, 상기 클러스터 분석의 결과에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 파티클의 부착 상황을 추정하는 추정 수단을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내의 파티클을 적절히 모니터링할 수 있다. 그 결과, 감압 처리 용기의 청정화를 적정한 조건으로 행할 수 있다.
도 1은 본 발명을 실시하는 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 도시한 개략 종단면도이다.
도 2는 제어 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 3은 파티클 수와 시간에 관한 히스토그램이다.
도 4는 파티클 수와 시간에 관한 히스토그램이다.
도 5는 청정화 시퀀스의 일례를 나타낸 그래프이다.
도 6은 청정화 시퀀스의 변경 내용을 나타낸 표이다.
도 7은 파티클 모니터 방법의 공정을 나타낸 순서도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 제어 장치의 구성의 개략을 도시한 설명도이다.
도 9는 축적 수단에 축적된 각 특징량을 나타낸 표이다.
도 10은 주성분 득점을 플롯한 산포도이다.
도 11은 각 주성분 득점을 복수의 클러스터로 층별(層別)한 상태를 나타낸 산포도이다.
이하에, 본 발명의 실시예의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 파티클 모니터 시스템(1)을 구비한 기판 처리 시스템(10)의 개략 구성을 도시한 종단면도이다. 또한 본 실시예에서의 기판 처리 시스템(10)은, 예를 들면 장치 내로 공급된 처리 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화시켜, 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 처리 또는 성막 처리를 행하는 플라즈마 처리 시스템이다.
기판 처리 시스템(10)은, 웨이퍼(W)를 보지(保持)하는 보지대로서의 서셉터(11)가 설치된 감압 처리 용기(12)를 가지고 있다. 감압 처리 용기(12)는, 서셉터(11) 상의 웨이퍼(W)에 대응하여 상부가 개구된 본체부(13)와, 본체부(13)의 개구를 폐색하고, 감압 처리 용기(12) 내로 마이크로파 발생원(14)에서 발생시킨 예를 들면 2.45 GHz의 마이크로파를 공급하는 마이크로파 공급부(15)를 가지고 있다.
서셉터(11)에는 전극(11a)이 내장되고, 전극(11a)에는 웨이퍼(W)를 흡착 보지하기 위한 전압을 인가하는 전원(11b)이 접속되어 있다. 또한 전원(11b)은, 전극(11a)에 예를 들면 ±1 kV의 고전압을 교호로 인가 가능하게 구성되어 있다. 이 때문에, 전원(11b)에 의해 고전압을 단속적으로 인가하여, 감압 처리 용기(12) 내에 전자 응력을 발생시킴으로써, 감압 처리 용기(12) 내에 부착하는 파티클을 비산시킬 수 있다.
감압 처리 용기(12)의 본체부(13)의 저부에는 배기실(13a)이 설치되어 있다. 배기실(13a)에는 배기 장치(16)에 통하는 배기관(17)이 접속되어 있다.
배기 장치(16)는, 감압 처리 용기(12) 내를 저진공까지 초벌 배기하는 드라이 펌프(16a)와, 웨이퍼(W)를 플라즈마 처리할 시 고진공을 얻기 위한 터보 펌프(16b)를 구비하고, 터보 펌프(16b)는, 배기관(17)에서의 드라이 펌프(16a)의 상류측에 배치되어 있다. 터보 펌프(16b)의 상류측과 하류측에는, 배기관(17)에서의 배기량의 제어와 차단을 행하는 제어 밸브(17a)가 각각 설치되어 있다. 또한 배기관(17)에는, 제어 밸브(17a)마다 터보 펌프(16b)를 우회하도록 형성된 바이패스관(17b)이 접속되어 있다.
바이패스관(17b)에는, 감압 처리 용기(12)로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수하는 계수 수단으로서의 파티클 모니터(18)가 설치되어 있다. 바이패스관(17b)에서의 파티클 모니터(18)의 상류측과 하류측에는 바이패스 밸브(17c)가 설치되어 있다. 이 때문에, 제어 밸브(17a)와 바이패스 밸브(17c)의 조작에 의해, 감압 처리 용기(12)로부터의 배기 계통을 배기관(17)과 바이패스관(17b)의 사이에서 전환할 수 있다.
파티클 모니터(18)는, 바이패스관(17b) 내에 레이저광을 조사하는 광원(도시하지 않음)과, 바이패스관(17b) 내를 흐르는 파티클에 의해 산란된 레이저광을 수광하여 전기 신호로 변환하는 수광 소자(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 수광 소자에서 변환된 전기 신호는, 후술하는 제어 장치(50)에 입력된다.
마이크로파 공급부(15)는, 예를 들면 본체부(13)의 내측으로 돌출하여 설치된 지지 부재(20)에, 기밀성을 확보하기 위한 O링 등의 씰재(도시하지 않음)를 개재하여 지지되는 마이크로파 투과판(21)과, 마이크로파 투과판(21)의 상면에 배치된, 안테나로서 기능하는 슬롯판(22)과, 슬롯판(22)의 상면에 배치된, 지파판으로서 기능하는 유전체판(23), 및 유전체판(23)의 상면에 배치된 금속성의 플레이트(24)를 가지고 있다. 또한, 마이크로파 공급부(14)의 중앙에는 동축 도파관(25)이 접속되고, 당해 동축 도파관(25)에는 마이크로파 발생 장치(14)가 접속되어 있다. 마이크로파 투과판(21) 및 유전체판(23)은, 예를 들면 석영, 알루미나, 질화 알루미늄 등의 유전체에 의해 구성되어 있다. 또한 슬롯판(22)은, 도전성을 가지는 재질, 예를 들면 구리, 알루미늄, 니켈 등의 얇은 원판으로 이루어지고, 표면에 복수의 슬롯(22a)이 동심원 형상으로 형성된, 이른바 래디얼 라인 슬롯 안테나이다. 플레이트(24)의 내부에는, 냉매가 흐르는 냉매로(24a)가 형성되어 있다.
감압 처리 용기(12) 내의 서셉터(11)의 주위에는, 예를 들면 석영으로 이루어지는 가스 배플판(26)이 배치되어 있다. 가스 배플판(26)의 하면에는, 당해 가스 배플판(26)을 지지하는, 예를 들면 알루미늄의 지지 부재(27)가 설치되어 있다.
감압 처리 용기(12)의 본체부(13)의 상부 내주면에는, 감압 처리 용기 내로 가스를 공급하기 위한 가스 공급구(30)가 형성되어 있다. 가스 공급구(30)는, 예를 들면 감압 처리 용기(12)의 내주면을 따라 복수 개소에 형성되어 있다. 가스 공급구(30)에는, 예를 들면 감압 처리 용기(12)의 외부에 설치된 가스 공급부(31)에 연통하는 가스 공급관(32)이 접속되어 있다. 본 실시예에서의 가스 공급부(31)는, 플라즈마 생성용의 희가스를 공급하는 희가스 공급부(33)와, 웨이퍼(W)의 처리 후에 감압 처리 용기(12) 내를 퍼지하는 퍼지 가스 공급부(34)를 가지고 있다. 또한 가스 공급부(31)는, 각 가스 공급부(33, 34)와 가스 공급구(30)의 사이에 각각 설치된 밸브(33a, 34a), 매스 플로우 컨트롤러(33b, 34b)를 구비하고 있다. 가스 공급구(30)로부터 공급되는 가스의 유량은 매스 플로우 컨트롤러(33b, 34b)에 의해 제어된다.
퍼지 가스 공급부(34)는, 종래 행해지는 웨이퍼 처리 후의 퍼지보다 높은 유량, 예를 들면 70 L/min(70000 SCCM)의 대유량으로 감압 처리 용기(12)로 퍼지 가스를 공급할 수 있다. 이 때문에, 대유량으로 퍼지 가스를 공급하여 감압 처리 용기(12) 내에 급격하게 퍼지 가스를 유입시켜, 감압 처리 용기(12) 내에 충격파를 부여함으로써 감압 처리 용기(12) 내에 부착하는 파티클을 비산시킬 수 있다. 또한 상술한, 서셉터(11)에 내장된 전극(11a)과 전원(11b), 및 가스 공급부(31)에 의해 감압 처리 용기(12) 내를 청정화하는 청정화 수단(40)이 구성된다.
이상의 기판 처리 시스템(10)에는 제어 장치(50)가 설치되어 있다. 제어 장치(50)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이, 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수 결과에 기초하여 히스토그램을 작성하는 연산 수단(100)과, 히스토그램으로부터 소정의 특징량을 추출하는 추출 수단(101)과, 추출 수단(101)으로 추출한 특징량에 기초하여 청정화 수단(40)에 의한 청정화의 조건을 변경하는 조건 변경 수단(102)을 가지고 있다. 또한 본 실시예에 따른 파티클 모니터 시스템(1)은, 상기한 각 수단(100, 101, 102)과 파티클 모니터(18)에 의해 구성되어 있다.
또한 제어 장치(50)는, 예를 들면 CPU 또는 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 예를 들면 메모리에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리 시스템(10)에서의 기판 처리 또는 청정화 수단(40)에 의한 감압 처리 용기(12) 내의 청정화 등을 행할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(10)에서의 기판 처리 또는 기판 반송을 실현하기 위한 각종 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 기억 매체(H)에 기억되어 있던 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어 장치(50)에 인스톨된 것이 이용되고 있다.
연산 수단(100)에는, 파티클 모니터(18)로 계수된 예를 들면 단위 시간마다의 파티클 수가, 전기 신호로서 제어 장치(50)를 개재하여 입력된다. 연산 수단(100)에서는, 입력된 전기 신호에 기초하여, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같은, 파티클 수와 시간에 관한 히스토그램을 작성한다. 도 3의 히스토그램에서는, 횡축을 시간, 종축을 파티클 수로서 나타내고 있다.
추출 수단(101)에서는, 연산 수단(100)에서 구한 히스토그램에서의 파티클 수의 분포 경향을 분석하고, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량(X)을 추출한다. 이 제 1 특징량(X)은, 예를 들면 다음의 식 (1)에 의해 나타난다.
Figure pct00001
식 (1)의 T는 파티클의 계수 기간, t는 측정 시, Pt는 측정 시에서의 파티클 수이다.
식 (1)로부터 알 수 있는 바와 같이, 제 1 특징량(X)은 측정 시(t), 즉 파티클이 관측된 시각을, 각 측정 시(t)에서 관측된 파티클 수로 가중 평균한 것이며, 파티클 수의 최빈값이, 후술하는 청정화 시퀀스에서의 어느 시간대에 분포하는지에 대한 경향을 나타내고 있다. 또한 제 1 특징량(X)에 의해 구해지는 시각은 최빈값과 반드시 일치하는 것이 아니고, 예를 들면 도 3의 히스토그램에서는, 최빈값이 '20 초'인데 반해, 식 (1)에 의해 구해지는 제 1 특징량(X)은 예를 들면 '21.1 초'가 된다. 또한, 제 1 특징량(X)과 최빈값의 불일치는, 예를 들면 최빈값에서의 파티클 수가 감소할수록 커지는 경향이 있다. 구체적으로, 예를 들면 도 4에 나타낸 바와 같이, 최빈값에서의 파티클 수만이 도 3의 경우보다 작고, 그 이외의 파티클 수는 동일하게 되는 히스토그램에서는, 제 1 특징량(X)의 값은 도 3에 나타낸 경우와 비교하여 커진다.
또한 추출 수단(101)에서는, 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량(Y)을 추출한다. 제 2 특징량(Y)은, 다음의 식(2)로 나타난다.
Figure pct00002
식 (2)의 Pt는, 측정 시에서의 파티클 수이며, D(t)의 값은, Pt가 제로 이상, 측정 시(t)에서 파티클이 계수되면 '1'이 되고, Pt가 제로일 경우에는 '0'이 된다.
식 (2)로부터 구해지는 제 2 특징량(Y)은, 파티클을 관측한 시각을 단순 평균한 것이며, 파티클 수의 다과에 관계없이, 파티클이 후술하는 청정화 시퀀스의 어느 시간대에 관측되었는지에 대한 경향을 나타낸 것이다. 이 때문에, 도 3에 나타낸 히스토그램과 도 4에 나타낸 히스토그램으로부터 구해지는 제 2 특징량(Y)은, 동일한 값이 된다. 또한 도 3 및 도 4로부터 구해지는 제 2 특징량(Y)은, 예를 들면 '27.3 초'이다.
조건 변경 수단(102)에는, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같은, 청정화 수단(40)에 의한 감압 처리 용기(12) 내의 청정화 시퀀스가 미리 입력되어 있다. 도 5의 청정화 시퀀스는, 횡축을 시간, 종축을 전압 및 퍼지 가스의 유량으로 하고, 파티클 모니터(18)에서의 파티클의 계측 개시와 함께 전압(V) 및 유량(F)이 어떻게 변화하는지를 나타내고 있다. 이 청정화 시퀀스에서는, 파티클 모니터(18)에서의 파티클의 계수 개시 15 초 후에 먼저 감압 처리 용기(12) 내로 퍼지 가스를 공급하고, 그 7 초 후에, 전원(11b)은, 전극(11a)에 극성을 예를 들면 1 초의 사이클로 반전시키면서 ±1 kV의 고전압을 단속적으로 18 초간 인가한다.
그리고 조건 변경 수단(102)에서는, 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)에 기초하여 이 청정화 시퀀스의 조건 변경이 행해진다. 조건 변경 수단(102)에 의한 청정화 시퀀스의 변경에 대하여 설명한다.
기술한 바와 같이, 제 1 특징량(X)으로부터는, 파티클이 다량으로 발생하는 시간대를 경향으로서 파악할 수 있다. 그러나 제 1 특징량(X)은, 파티클이 다량으로 관측되는 시간대뿐 아니라, 예를 들면 도 3과 도 4에 나타낸 바와 같이, 최빈값 근방에서의 파티클 수가 변동함에 따라서도 그 값이 증감한다. 따라서, 제 1 특징량(X)만으로는, 감압 처리 용기(12)로부터 비산하는 파티클의 경향을 정확하게 파악할 수 없다. 한편 제 2 특징량(Y)으로부터는, 파티클 수의 다과에 관계없이, 파티클 모니터(18)에 의한 계수 기간 중에서의 파티클의 분포 경향을 알 수 있다. 이 때문에, 예를 들면 제 1 특징량(X)이 제 2 특징량(Y)보다 크면, 예를 들면 파티클 수가 피크값을 나타내는 시간대 이후에도 파티클이 계수되고, 한편, 예를 들면 제 1 특징량(X)이 제 2 특징량(Y)보다 작으면, 파티클 수가 피크값을 나타내는 시간대 이전에서도 파티클이 계수되어 있다고 판단할 수 있다. 또한, 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)의 차분이 클수록, 최빈값 근방에서의 파티클 수가 지배적이며, 그 반대로, 차분이 작을수록, 최빈값 근방에서 계수되는 파티클 수의 전체에 차지하는 비율이 작다고 판단할 수 있다.
이 때문에, 조건 변경 수단(102)에서는, 먼저 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)의 차분을 구하고, 그 차분의 절대값이 미리 정해진 임계치를 초과하는지 여부를 판정한다. 또한 제 1 특징량(X)의 값이, 퍼지 가스에 의한 청정화의 시간대와 고전압 인가에 의한 청정화의 시간대 중 어느 일방에 속하고 있는지에 대해서도 판정한다. 이에 의해, 감압 처리 용기(12) 내에 부착하고 있는 파티클의 경향, 즉 퍼지 가스의 충격파에 의해 비산하는 물리적인 흡착에 의한 것이 지배적인지, 혹은 정전기력에 의해 부착하고 있기 때문에 퍼지 가스에서는 비산하지 않는 것, 환언하면 전자 응력에 의해 비산하는 것이 지배적인지의 경향을 파악할 수 있다.
그리고, 감압 처리 용기(12) 내에 부착하는 파티클의 경향에 기초하여, 청정화 수단(40)에 의한 청정화 시퀀스의 조건을 변경한다. 보다 구체적으로, 조건 변경 수단(102)에는, 예를 들면 도 6의 표에 나타낸 바와 같이, 각 특징량(X, Y)과 그에 대응하는 청정화 시퀀스의 변경 내용이 미리 기억되어 있고, 이 표와 각 특징량(X, Y)에 기초하여, 퍼지 가스의 공급량 및 고전압의 인가 횟수를 변경한다. 도 6에 나타낸 '특징량(X) 소'는, 제 1 특징량(X)의 값이 고전압의 인가 개시 이전의 시간대에 속하는 경우를 나타내고, '특징량(X) 대'는, 제 1 특징량(X)의 값이 고전압의 인가 개시보다 후의 시간대에 속하는 경우를 나타내고 있다. '특징량(Y) 소', '특징량(Y) 대'에 대해서도, 특징량(X)의 경우와 동일하다.
또한 본 실시예에서는, 이하와 같이 청정화 시퀀스의 변경 내용을 결정하고 있다. 각 특징량(X, Y)의 차분의 절대값이 임계치 이상이고, 또한 '특징량(X) 소'의 경우, 퍼지 가스에 의해 비산하는 파티클이 지배적이지만, 파티클은 최빈값 이외에서도 관측되기 때문에, 퍼지 가스의 유량과 고전압의 인가 횟수를 모두 표준 시(도 5에 나타난 청정화 시퀀스 상태)보다 증가시킨다. 각 특징량(X, Y)의 차분의 절대값이 임계치 이상이고, 또한 '특징량(X) 대'의 경우, 고전압의 인가에 의해 비산하는 파티클이 지배적이기 때문에, 고전압의 인가 횟수를 표준 시보다 증가시킨다. 또한, 이 경우에 퍼지 가스의 유량을 증가시키지 않는 것은, 일반적으로 고전압의 인가에 의해 비산하는 파티클의 수는, 퍼지 가스에 의해 비산하는 파티클의 수와 비교하여 작고, 퍼지 가스의 유량을 증가시켜도 청정화에 기여하지 않기 때문이다. 이 때문에 이 경우에는, 퍼지 가스의 유량을 감소시키거나, 혹은 퍼지 가스 공급 시간을 짧게 하여, 청정화 시퀀스 그 자체의 시간을 단축하도록 해도 된다.
또한 각 특징량(X, Y)의 차분이 임계치보다 작고, 또한 '특징량(X) 소' 및 '특징량(Y) 소'의 경우, 퍼지 가스에 의해 비산하는 파티클이 지배적이며, 고전압의 인가에 의한 파티클이 거의 관측되지 않은 것을 의미하고 있으므로, 퍼지 가스의 유량만 표준 시보다 증가시킨다. 이 경우에도, 고전압의 인가 횟수를 감소시켜도 된다. 각 특징량(X, Y)의 차분이 임계치보다 작고, 또한 '특징량(X) 대' 및 '특징량(Y) 대'의 경우, 고전압의 인가에 의해 비산하는 파티클이 지배적이며, 퍼지 가스에 의한 파티클이 거의 관측되지 않은 것을 의미하고 있으므로, 고전압의 인가 횟수만을 표준 시보다 증가시킨다. 이 경우에도, 퍼지 가스의 유량을 감소시키거나 또는 공급 시간을 짧게 해도 된다.
또한 각 특징량(X, Y)의 차분이 임계치보다 작고, '특징량(X) 소' 또한 '특징량(Y) 대'의 경우, 및 '특징량(X) 대' 또한 '특징량(Y) 소'의 경우는, 퍼지 가스의 시간대와 고전압의 인가의 시간대에 걸쳐 있고, 또한 그 차분이 작기 때문에, 지배적인 파티클의 판단이 어렵다. 이 때문에 본 실시예에서는, 청정화 시퀀스의 조건 변경은 행하지 않는 것으로 하고 있지만, 도 6에 나타난 조건 그 자체에 대해서는 임의로 결정 가능하며, 본 실시예에 한정되지 않는다. 또한 도 6에서는, 예를 들면 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)의 관계에 기초하여 8 가지의 경우의 분류를 행했지만, 경우의 수 또는 청정화 시퀀스의 변경 내용에 대해서도 임의로 설정이 가능하다.
본 실시예에 따른 기판 처리 시스템(10)은 이상과 같이 구성되어 있고, 이어서 기판 처리 시스템(10)에서의 청정화 및 그에 수반하는 파티클 모니터의 방법에 대하여 설명한다. 도 7은, 파티클 모니터 방법의 주요 공정의 예를 나타낸 순서도이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 처리가 종료되어 웨이퍼(W)가 감압 처리 용기(12)로부터 반출(도 7의 공정(S1))되면, 제어 장치(50)에 의해 제어 밸브(17a)가 닫히고, 또한 바이패스 밸브(17c)가 열린다. 이에 의해, 감압 처리 용기(12)의 배기가 바이패스관(17b)에 의한 것으로 전환되고, 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수가 개시된다(도 7의 공정(S2)).
이어서, 도 5에 나타낸 청정화 시퀀스대로, 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수 개시 15 초 후에 퍼지 가스 공급부(34)의 하류측에 설치된 밸브(34a)가 열리고, 예를 들면 70 L/min(70000 SCCM)의 유량으로 감압 처리 용기(12) 내로의 퍼지 가스의 공급을 개시한다(도 7의 공정(S3)). 이 퍼지 가스의 도입에 의해, 감압 처리 용기(12) 내에 충격파가 발생하여, 당해 감압 처리 용기(12) 내에 물리적으로 부착하고 있던 파티클이 비산한다. 비산한 파티클은 바이패스관(17b)으로부터 배기되고, 파티클 모니터(18)에 의해 계수된다. 계수된 파티클은 제어 장치(50)를 개재하여 연산 수단(100)에 입력된다.
이 후, 퍼지 가스의 공급 개시로부터 7 초 경과한 시점에서, 전원(11b)에 의해 전극(11a)에 고전압이 인가되고(도 7의 공정(S4)), 전자 응력에 의해 감압 처리 용기(12) 내의 파티클이 비산한다. 비산한 파티클은 바이패스관(17b)으로부터 배기되고, 파티클 모니터(18)에 의해 계수된다.
고전압의 인가가 소정 횟수 반복되면, 퍼지 가스의 공급량이 저감되고, 이어서 감압 처리 용기(12)로부터의 파티클의 배출과 파티클 모니터(18)에 의한 계수가 계속된다(도 7의 공정(S5)).
이 후, 바이패스 밸브(17c)가 닫히고, 파티클 모니터(18)에 의한 계수가 종료된다. 그와 함께 제어 밸브(17a)가 열림으로써 배기 계통이 전환되고, 다시 터보 펌프(16b)에 의해 감압 처리 용기(12)의 배기가 행해진다(도 7의 공정(S6)). 또한, 배기의 전환과 병행하여, 파티클 모니터 시스템(1)에 의한 파티클 모니터 방법이 실행된다. 이 파티클 모니터 시스템(1)에서의 파티클 모니터 방법에 대해서는, 후술에서 상세히 설명한다.
이 후, 감압 처리 용기(12) 내로 새로운 웨이퍼(W)가 반입되고, 플라즈마 처리가 실시된다(도 7의 공정(S7)). 그리고, 이 웨이퍼(W)의 처리가 종료되면, 웨이퍼(W)가 감압 처리 용기(12)로부터 반출된다(도 7의 공정(S8)). 그리고, 다시 진공 계통의 전환에 의해 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수가 개시되고(도 7의 공정(S9)), 이어서 감압 처리 용기 내의 청정화가 행해지고, 이 일련의 공정이 반복하여 행해진다.
이어서, 상술한 파티클 모니터 방법에 대하여 설명한다.
상술한 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수가 종료되면, 연산 수단(100)에서, 예를 들면 도 3에 나타낸 바와 같은 파티클 수와 시간에 관한 히스토그램이 작성된다(도 7의 공정(T1)).
이어서 추출 수단(101)에서, 이 히스토그램에 기초하여, 제 1 특징량(X) 및 제 2 특징량(Y)이 각각 구해진다(도 7의 공정(T2)).
이 후, 조건 변경 수단(102)에서는, 제 1 특징량(X) 및 제 2 특징량(Y)의 상관관계에 기초하여, 청정화 수단(40)에 의한 청정화 시퀀스의 조건이 변경된다(도 7의 공정(T3)). 그리고, 도 7의 공정(S7)에서의 웨이퍼(W)의 처리가 종료되고, 웨이퍼(W)가 감압 처리 용기(12)로부터 반출되면(도 7의 공정(S8)), 다시 진공 계통의 전환에 의해 파티클 모니터(18)에 의한 파티클의 계수가 개시되고(도 7의 공정(S9)), 이어서 변경 후의 청정화 시퀀스에 의해 감압 처리 용기 내의 청정화가 행해진다.
이상의 실시예에 따르면, 감압 처리 용기(12)를 청정화하고 있는 동안에 당해 감압 처리 용기(12)로부터 배출되는 파티클을 계수하여 히스토그램화하고, 이 히스토그램에 기초하여 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)을 구하므로, 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 도중의 파티클의 경향, 즉 감압 처리 용기(12)로부터 배출되는 파티클로서, 퍼지 가스의 충격파에 의해 비산하는 것이 지배적인지, 혹은 전자 응력에 의해 비산하는 것이 지배적인지의 경향을 정량적으로 파악할 수 있다. 이에 의해, 감압 처리 용기(12) 내의 파티클을 적절히 모니터링하는 것이 가능해진다.
또한, 지배적인 파티클의 경향을 파악함으로써, 조건 변경 수단(102)에서 청정화 시퀀스의 최적화를 도모할 수 있으므로, 효율 좋게 감압 처리 용기(12) 내를 청정화할 수 있다.
또한 이상의 실시예에서는, 조건 변경 수단(102)에 의해 청정화 시퀀스의 조건을 변경했지만, 예를 들면 도 2에 파선으로 나타낸 바와 같이, 제어 장치(50)에 각종 정보를 표시하거나, 제어 장치(50)에의 입력 조작을 하는 표시 수단(103)을 설치하고, 당해 표시 수단(103)에 각 특징량(X, Y)을 비교하여 표시함으로써, 작업원이 이 표시 내용에 기초하여 청정화 시퀀스의 조건을 변경해도 된다. 또한 표시 수단(103)은, 예를 들면 터치 패널, 모니터 또는 액정 디스플레이 등을 구비한, 이른바 그래피컬 유저 인터페이스이다.
또한 이상의 실시예에서는, 예를 들면 도 5에 나타낸 기준이 되는 청정화 시퀀스에 대하여 퍼지 가스 또는 고전압 인가의 조건을 변경했는데, 예를 들면 조건 변경 수단(102)에서 변경 후의 청정화 시퀀스를 기억해 두고, 이 변경 후의 청정화 시퀀스에 대하여 또한 조건의 변경을 행한다, 환언하면, 변경 후의 청정화 시퀀스를 기준의 시퀀스로 해도 되고, 기준에 이용하는 청정화 시퀀스에 대해서는 임의로 설정이 가능하다.
또한 이상의 실시예에서는, 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)의 차분이 작아질 경우에는, 최빈값 근방에서 계수되는 파티클 수의 전체에 차지하는 비율이 작다고 설명했지만, 실제로는 피크 근방에서밖에 파티클이 계수되지 않을 경우에도 각 특징량(X, Y)의 차분이 작아진다. 단, 통상, 그러한 경우는 매우 드물지만, 그러한 경우를 제외하기 위하여, 제 1 특징량(X)과 제 2 특징량(Y)과 함께, 후술하는 제 3 특징량(Z)을 고려하도록 해도 된다. 제 3 특징량(Z)은, 파티클의 계수 기간 중에 계수된 파티클의 총량에 차지하는, 최빈값에서의 파티클 수의 비율을 나타내는 것이며, 이 값을 고려함으로써, 특징량(X, Y)의 차분이 작아지는 원인이, 최빈값 근방에 파티클이 집중하고 있는 것인지 여부를 판단할 수 있다. 그리고, 최빈값 근방에 파티클이 집중하고 있다고 판단된 경우에는, 그에 기초하여 청정화 수단(40)의 조건을 설정하면 된다.
또한, 최빈값에서의 파티클 수 그 자체도 고려하여, 예를 들면 최빈값 근방에 파티클이 집중하고 있다고 판단되었음에도 불구하고 파티클 수가 종래와 비교하여 적을 경우에는, 예를 들면 퍼지 가스의 유량과 고전압의 인가 횟수의 쌍방을 감소시키도록 해도 된다.
이상의 실시예에서는, 감압 처리 용기(12) 내의 파티클의 경향을 파악하고, 차회의 웨이퍼(W) 처리 후의 청정화의 조건을 예를 들면 웨이퍼(W)의 처리를 행할 때 마다 변경할 경우에 대하여 설명했는데, 이어서 다른 실시예에 따른 파티클 모니터의 방법으로서, 감압 처리 용기(12) 내의 파티클에 대하여 장기적인 경향을 파악하는 경우에 대하여 설명한다.
본 실시예에서의 제어 장치(110)는, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 기술한 연산 수단(100)과 추출 수단(101) 외에, 추출 수단에서 구한 특징량을 축적하는 축적 수단(111)과, 축적 수단(111)에 기억된 특징량에 대하여 주성분 분석을 행하는 분석 수단(112)과, 분석 수단(112)에서의 분석 결과와 축적 수단(111)에 기억된 특징량으로부터 주성분 득점을 구하는 산출 수단(113)과, 주성분 득점에 관한 클러스터 분석의 결과에 기초하여 감압 처리 용기(12) 내의 파티클의 부착 상황을 추정하는 추정 수단(114)을 가지고 있다. 본 실시예에 따른 파티클 모니터 시스템은, 각 수단(100, 101, 111, 112, 113, 114)과 파티클 모니터(18)에 의해 구성되어 있다. 또한 제어 장치(110)는, 상술한 표시 수단(103)을 가지고 있어도 된다.
또한, 제어 장치(110)에서의 추출 수단(101)에서는, 상술한 제 2 특징량(Y) 대신에, 다음의 식 (3)에 의해 나타난 제 3 특징량(Z)이 구해진다.
Figure pct00003
식 (3)의 MAX(Pt)는, 히스토그램의 최빈값에서의 파티클 수이다.
식 (3)으로부터 명백한 바와 같이, 제 3 특징량(Z)은, 파티클의 계수 기간 중에 계수된 파티클의 총량에 차지하는, 최빈값에서의 파티클 수의 비율인, 이른바 피크비를 나타내는 것이다.
추출 수단(101)에서는, 도 7에 나타난 공정(S1) ~ 공정(S7)의 웨이퍼 처리를 반복하여 실행할 때마다 각 특징량(X, Z)이 구해지고, 각 특징량(X, Z)은 축적 수단(111)에 기억된다.
분석 수단(112)에서는, 축적 수단(111)에 축적된 복수의 특징량(X, Z)을 변수로서 주성분 분석을 행하고, 제 1 특징량(X)과 제 3 특징량(Z)의 각각에 대하여 주성분 부하량이 구해진다.
산출 수단(113)에서는, 분석 수단(112)에서 구해진 주성분 부하량과 제 1 특징량(X)과 제 3 특징량(Z)에 기초하여, 각 특징량(X, Z)의 각각에 대하여 주성분 득점이 구해진다.
추정 수단(114)에서는, 산출 수단(113)에서 구해진 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석을 실시하여 각 주성분 득점을 복수의 클러스터로 층별화한다. 그리고, 각 클러스터의 특징을 확인하고, 각 클러스터마다 감압 처리 용기(12) 내의 파티클의 부착 상황을 추정한다. 또한 각 수단(112, 113, 114)은, 예를 들면 범용의 수치 해석 소프트를 이용하여 구성할 수 있다.
분석 수단(112), 산출 수단(113), 추정 수단(114)에 의한 감압 처리 용기(12) 내의 파티클 부착 상황 추정의 구체적인 예로서, 예를 들면 축적 수단(111)에, 도 9의 표에 나타낸 바와 같이, 샘플 번호(1 ~ 89)에 대한 각 특징량(X, Z)이 기억되어 있는 경우에 대하여 설명한다. 또한, 청정화는 샘플 번호가 작은 것부터 큰 것의 순으로 시계열로 행해지고 있고, 도 9의 샘플 번호 12와 13의 사이, 샘플 번호 32와 33의 사이 및 샘플 번호 48과 49의 사이에는, 각각 감압 처리 용기(12)의 개방 점검이 행해지고 있다. 또한, 샘플 12와 13의 사이에서는, 감압 처리 용기(12) 내의 일부의 부품 교환이 실시되고 있다.
분석 수단(112)에서는, 축적 수단(111)의 각 특징량(X, Z)으로부터 주성분 부하량이 구해진다. 또한, 제 1 특징량(X)의 제 1 주성분 부하량은 '0.7342', 제 2 주성분 부하량은 '-0.6790'이다. 또한, 제 3 특징량(Z)의 주성분 부하량은, 제 1 특징량(X)의 각 주성분 부하량으로부터 구해지는 직선에 직교하는 직선의 기울기로서 구해지고, 제 1 주성분 부하량과 제 2 주성분 부하량은, 각각 '0.7342'와 '0.6790'이 된다.
이어서 산출 수단(113)에서는, 분석 수단(112)에서 구한 각 주성분 부하량과 각 특징량(X, Z)으로부터, 각 샘플(1 ~ 89)에 대하여 제 1 주성분 득점(도 9의 'PCS1')과 제 2 주성분 득점(도 9의 'PCS2')이 각각 구해진다. 그리고 산출 수단(113)에서는, 예를 들면 도 10에 나타낸 바와 같이, 각 샘플 번호(1 ~ 89)의 주성분 득점을 플롯 한 데이터가 작성된다. 또한 도 10의 플롯에 나타낸 번호는, 도 9에 나타낸 각 샘플 번호와 대응하고 있다.
추정 수단(114)에서는, 산출 수단(113)에서 구해진 플롯 데이터에 대한 클러스터 분석이 행해지고, 예를 들면 도 11에 나타낸 바와 같이, 복수의 클러스터로 층별된다. 본 실시예에서는, 4 개의 클러스터로 분류되고, 그 결과, 샘플 번호(1 ~ 12)는 제 1 클러스터, 샘플 번호(13~32)는 제 2 클러스터, 샘플 번호(33 ~ 48)는 제 3 클러스터, 샘플 번호(49 ~ 89)는 제 4 클러스터를 각각 형성한다. 또한 도 11의 '◇'는 제 1 클러스터, '□'은 제 2 클러스터, '△'은 제 3 클러스터, '○'은 제 4 클러스터를 각각 나타내고 있다.
이어서 추정 수단(114)에서는, 각 클러스터의 특징을 확인하고, 각 클러스터마다 감압 처리 용기(12) 내의 파티클의 부착 상황을 추정한다. 구체적으로, 제 1 클러스터는, 제 1 특징량(X)과 제 3 특징량(Z)의 값이 모두 매우 크기 때문에, 청정화 시퀀스 후반의 고전압 인가에 의해 비산한 파티클, 혹은 도 7의 공정(S5)에서의 감압 처리 용기(12)의 배기의 과정에서 배출된 파티클이 대부분을 차지하고 있다고 판단된다. 이에 의해, 제 1 클러스터에 속하는 샘플의 파티클은, 예를 들면 배기관(17) 또는 각 밸브의 오염에 기인하는 것으로 추정된다.
또한 제 2 클러스터에서는, 제 1 특징량(X)이 매우 작고, 환언하면, 청정화 시퀀스의 퍼지 가스 공급 직후와 일치하고, 또한 제 3 특징량(Z)이 매우 크기 때문에, 청정화 시퀀스 전반의 퍼지 가스에 의해 비산한 파티클이 대부분을 차지하고 있다고 판단된다. 이에 의해, 제 2 클러스터에 속하는 샘플의 파티클은, 감압 처리 용기(12) 내에 물리적으로 흡착하고 있는 것이 지배적이라고 추정된다. 또한, 파티클이 제 1 클러스터와 상이한 경향을 나타내는 것은, 샘플 12와 13의 사이에서 감압 처리 용기(12)의 부품 교환에 수반하여, 감압 처리 용기의 외부로부터 먼지가 반입되었기 때문이라고 추측된다.
제 3 클러스터에서는, 제 1 특징량(X)이 제 2 클러스터에 비해 크고, 또한 제 3 특징량(Z)이 제 2 클러스터에 비해 감소하고 있다. 따라서, 퍼지 가스에 의한 파티클이 고전압 인가에 의한 파티클과 비교하여 지배적이지만, 고전압 인가에 의한 파티클도 약간 계수되어 있다고 판단된다.
제 4 클러스터에서는, 제 1 특징량(X)이 제 3 클러스터보다 더 크고, 또한 제 3 특징량(Z)이 제 3 클러스터에 비해 더 감소하고 있다. 이 경우, 파티클의 계수 기간의 전역에 걸쳐 파티클이 계수되어 있고, 고전압 인가에 의한 파티클이 퍼지 가스에 의한 파티클과 비교하여 지배적이지만, 퍼지 가스에 의한 파티클도 약간 계수되어 있다고 판단된다. 이에 의해, 제 4 클러스터에 속하는 샘플의 파티클은, 고전압 인가에 의해 비산한 파티클이 지배적이며, 주로 배기 계통의 오염에 기인하는 것이라고 추정된다. 또한, 클러스터 분석의 결과로부터, 감압 처리 용기(12) 내의 청정화를 반복할 때마다 파티클이 고전압 인가 유래의 것이 되어 가는 것, 및 감압 처리 용기(12)의 개방 점검 시에 부품 교환을 행함으로써, 퍼지 가스 유래의 파티클이 증가하는 것이 확인되었다.
이상의 실시예에 따르면, 추출 수단(101)에서 구한 복수의 특징량(X, Z)에 기초하여 주성분 득점을 각각 구하고, 또한 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석에 기초하여 감압 처리 용기(12) 내의 파티클의 부착 상황을 추정하므로, 감압 처리 용기(12) 내의 파티클에 대하여 장기적인 경향을 파악할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면 웨이퍼(W) 처리를 소정의 횟수 반복할 때마다 청정화 시퀀스에서 고전압 인가의 횟수를 증가시키고, 한편으로 퍼지 가스의 공급 시간을 감소시키는 것과 같은 시퀀스 조건의 변경을 행하는 것이 가능해진다.
또한 통상은, 기술한 바와 같이 웨이퍼(W)에의 파티클의 부착 상황을 확인하거나 파티클의 성분 분석을 하기 위하여, 1 일에 1 회 정도의 빈도로, 예를 들면 더미 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 처리와 청정화가 행해지지만, 드물게, 어떠한 요인으로 더미 웨이퍼에 부착하는 파티클 수가 극단적으로 많아지는 경우가 있다. 이 경우, 더미 웨이퍼의 파티클을 분석하는 것만으로는, 불규칙적으로 파티클 수가 증가했는지 여부를 판단할 수 없기 때문에, 불규칙적인지 여부를 판단하기 위해서는, 재차 더미 웨이퍼를 이용하여 파티클의 확인을 행할 필요가 있다. 그러나, 그 동안에는 제품화하는 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 없기 때문에, 웨이퍼(W) 처리의 스루풋의 저하를 초래한다. 이러한 경우, 본 실시예에 따른 파티클 모니터 방법에 의해 장기적인 경향을 파악하고 있으면, 더미 웨이퍼의 이상이 불규칙적인지 여부를 판단하는 것도 가능해진다.
또한 이상의 실시예에서도, 제어 장치(110)에 조건 변경 수단(102)을 설치하고, 추정 수단(114)에 의한 추정 결과에 기초하여, 자동적으로 청정화 시퀀스를 변경하도록 해도 된다. 이러한 경우, 도 6에 나타낸 표의 내용과는 독립하여, 클러스터 분석으로 추정된 지배적인 파티클에 대응하여 퍼지 가스 또는 고전압 인가의 조건이 변경된다.
또한, 제어 장치(110)에 표시 수단(103)을 설치하고, 클러스터 분석 후의 각 주성분 득점, 즉 도 11에 나타낸 내용을 당해 표시 수단(103)에 표시하고, 이 표시 내용에 기초하여 작업원이 청정화 시퀀스의 조건을 변경하도록 해도 된다.
또한 이상의 실시예에서는, 파티클 모니터(18)는 바이패스관(17b)에 설치하고 있었지만, 감압 처리 용기(12)로부터의 파티클 수를 계수할 수 있으면, 반드시 바이패스관(17b)에 설치할 필요는 없고, 예를 들면 배기실(13a)에 설치해도 된다.
또한 이상의 실시예에서는, 제 1 특징량(X)은 식 (1)에 의해 구했지만, 예를 들면 제 1 특징량으로서 히스토그램의 최빈값 그 자체를 이용해도 된다. 또한, 청정화 시퀀스의 조건을 변경함에 있어서는, 예를 들면 최빈값의 좌우 방향으로 파티클 수의 적분을 행하고, 적분값과 계수 기간 중에 계측된 파티클의 총 수의 비가 소정의 값에 이를 때까지의 시간을 구함으로써 파티클의 분포의 경향을 파악하고, 이 분포 경향과 최빈값에 기초하여 조건 변경을 행하도록 해도 된다.
이상, 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 평행 평판형의 플라즈마 장치 또는 다른 마이크로파 플라즈마 장치, 예를 들면 ECR 플라즈마 장치, 표면파 플라즈마 장치 등에 적용 가능하다. 또한 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서 각종의 변경예 또는 수정예에 생각이 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 : 파티클 모니터 시스템
10 : 기판 처리 장치
11 : 서셉터
12 : 감압 처리 용기
13 : 본체부
13a : 배기실
14 : 마이크로파 발생원
15 : 마이크로파 공급부
16 : 배기 장치
17 : 배기관
18 : 파티클 모니터
20 : 지지 부재
21 : 마이크로파 투과판
22 : 슬롯판
23 : 유전체판
24 : 플레이트
25 : 동축 도파관
26 : 가스 배플판
27 : 지지 부재
30 : 가스 공급구
31 : 가스 공급부
32 : 가스 공급관
33 : 희가스 공급부
34 : 퍼지 가스 공급부
50 : 제어 장치
100 : 연산 수단
101 : 추출 수단
102 : 조건 변경 수단
103 : 표시 수단
110 : 제어 장치
111 : 축적 수단
112 : 분석 수단
113 : 산출 수단
114 : 추정 수단
W : 웨이퍼

Claims (16)

  1. 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 방법으로서,
    상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수 수단에 의해 계수하고,
    상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하고,
    상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고,
    또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 상기 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량은,
    Figure pct00004

    로 나타나는 식에 의해 구해지고,
    상기 제 2 특징량은,
    Figure pct00005

    로 나타나는 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
    X : 제 1 특징량
    T : 파티클의 계수 기간
    t : 측정 시
    Pt : 측정 시에서의 파티클 수
    Y : 제 2 특징량
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 차분을 구하고, 상기 차분과 미리 정해진 임계치의 관계와, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 상관 관계에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 청정화의 조건을 변경하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 청정화의 조건은, 적어도 상기 퍼지 가스의 공급 조건 또는 상기 단속적인 고전압 인가의 조건인 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출된 제 1 특징량과 제 2 특징량을, 표시 수단에 비교하여 표시하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  6. 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 방법으로서,
    상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수 수단에 의해 계수하고,
    상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하고,
    상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고,
    또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클 계수 기간에서 계수된 파티클의 총 수와 최빈값에서의 파티클 수와 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하고,
    상기 제 1 특징량의 추출과 상기 제 2 특징량의 추출을, 상기 감압 처리 용기 내에서의 기판 처리마다 행하고,
    상기 추출된 복수의 제 1 특징량과 복수의 제 2 특징량을 변수로 하는 주성분 분석을 행하여, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 주성분 부하량을 각각 구하고,
    상기 각 주성분 부하량에 기초하여 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량에 대하여 주성분 득점을 각각 구하고,
    상기 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석을 행하고, 상기 클러스터 분석의 결과에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 파티클의 부착 상황을 추정하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량은,
    Figure pct00006

    로 나타나는 식에 의해 구해지고,
    상기 제 2 특징량은,
    Figure pct00007

    로 나타나는 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
    X : 제 1 특징량
    T : 파티클의 계수 기간
    t : 측정 시
    Pt : 측정 시에서의 파티클 수
    Z : 제 2 특징량
    MAX(Pt) : 최빈값에서의 파티클 수
  8. 제 6 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클러스터 분석 후의 주성분 득점을, 표시 수단에 플롯하여 표시하는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
  9. 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 시스템으로서,
    상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수하는 계수 수단과,
    상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하는 연산 수단과,
    상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클의 계수 기간과 상기 계수 기간에서의 파티클의 분포 경향의 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하는 추출 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량은,
    Figure pct00008

    로 나타나는 식에 의해 구해지고,
    상기 제 2 특징량은,
    Figure pct00009

    로 나타나는 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
    X : 제 1 특징량
    T : 파티클의 계수 기간
    t : 측정 시
    Pt : 측정 시에서의 파티클 수
    Y : 제 2 특징량
  11. 제 9 항 또는 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 차분을 구하고, 상기 차분과 미리 정해진 임계치의 관계와, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 상관 관계에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 청정화의 조건을 변경하는 조건 변경 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 청정화의 조건은, 적어도 상기 퍼지 가스의 공급 조건 또는 상기 단속적인 고전압 인가의 조건인 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 추출된 제 1 특징량과 제 2 특징량을, 비교하여 표시하는 표시 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
  14. 기판을 처리하는 감압 처리 용기 내로 퍼지 가스를 공급하여 충격파를 부여하고, 이어서 고전압을 단속적으로 인가하여 전자 응력을 부여함으로써 파티클을 비산시켜 상기 감압 처리 용기 내를 청정화할 시, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 모니터하는 파티클 모니터 시스템으로서,
    상기 감압 처리 용기를 청정화하고 있는 동안에, 상기 감압 처리 용기로부터의 배기에 포함되는 파티클을 계수하는 계수 수단과,
    상기 파티클의 계수 결과로부터, 시간에 관한 파티클 수의 히스토그램을 작성하는 연산 수단과,
    상기 히스토그램으로부터, 파티클 수의 최빈값과 파티클의 계수 기간의 상관을 나타내는 제 1 특징량을 추출하고, 또한 상기 히스토그램으로부터, 파티클 계수 기간에서 계수된 파티클의 총 수와 최빈값에서의 파티클 수와 상관을 나타내는 제 2 특징량을 추출하고 추출 수단과,
    상기 감압 처리 용기 내에서의 기판 처리마다 추출한 복수의 상기 제 1 특징량과 복수의 상기 제 2 특징량을 변수로 하는 주성분 분석을 행하여, 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량의 주성분 부하량을 각각 구하는 분석 수단과,
    상기 각 주성분 부하량에 기초하여 상기 제 1 특징량과 상기 제 2 특징량에 대하여 주성분 득점을 각각 산출하는 산출 수단과,
    상기 각 주성분 득점에 관한 클러스터 분석을 행하고, 상기 클러스터 분석의 결과에 기초하여, 상기 감압 처리 용기 내의 파티클의 부착 상황을 추정하는 추정 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 특징량은,
    Figure pct00010

    로 나타나는 식에 의해 구해지고,
    상기 제 2 특징량은,
    Figure pct00011

    로 나타나는 식에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 방법.
    X : 제 1 특징량
    T : 파티클의 계수 기간
    t : 측정 시
    Pt : 측정 시에서의 파티클 수
    Z : 제 2 특징량
    MAX(Pt) : 최빈값
  16. 제 14 항 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 클러스터 분석 후의 주성분 득점을 플롯하여 표시하는 표시 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 파티클 모니터 시스템.
KR1020147002976A 2011-08-09 2012-08-08 파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 시스템 KR101912259B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011173888A JP5876248B2 (ja) 2011-08-09 2011-08-09 パーティクルモニタ方法、パーティクルモニタ装置
JPJP-P-2011-173888 2011-08-09
US201161531132P 2011-09-06 2011-09-06
US61/531,132 2011-09-06
PCT/JP2012/070205 WO2013022023A1 (ja) 2011-08-09 2012-08-08 パーティクルモニタ方法、パーティクルモニタ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140051933A true KR20140051933A (ko) 2014-05-02
KR101912259B1 KR101912259B1 (ko) 2018-10-26

Family

ID=47668529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147002976A KR101912259B1 (ko) 2011-08-09 2012-08-08 파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9612178B2 (ko)
JP (1) JP5876248B2 (ko)
KR (1) KR101912259B1 (ko)
TW (1) TWI541925B (ko)
WO (1) WO2013022023A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6258184B2 (ja) * 2014-11-13 2018-01-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10553411B2 (en) 2015-09-10 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion collector for use in plasma systems
US11742188B2 (en) * 2019-08-15 2023-08-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, pressure control apparatus and substrate processing system
US12065725B2 (en) * 2019-09-20 2024-08-20 Kioxia Corporation Film forming apparatus and film forming method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10326812A (ja) 1998-06-15 1998-12-08 Hitachi Ltd 検査システムおよび分析装置並びに分析データ表示方法
JPH1187248A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Sharp Corp プラズマクリーニング装置
JP2005101539A (ja) 2003-08-25 2005-04-14 Tokyo Electron Ltd 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置
JP2005317900A (ja) 2004-03-29 2005-11-10 Tokyo Electron Ltd 真空装置、そのパーティクルモニタ方法、及びプログラム、並びにパーティクルモニタ用窓部材
JP2009290086A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Tokyo Electron Ltd チャンバの内部状況推定方法及び記憶媒体
JP2009296006A (ja) * 2004-03-29 2009-12-17 Tokyo Electron Ltd パーティクルモニタ窓部材及び窓部材

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5834642A (en) * 1997-07-25 1998-11-10 International Business Machines Corporation Downstream monitor for CMP brush cleaners
US6197123B1 (en) * 1997-12-18 2001-03-06 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals
US6241827B1 (en) * 1998-02-17 2001-06-05 Tokyo Electron Limited Method for cleaning a workpiece
TW533503B (en) * 2000-09-14 2003-05-21 Nec Electronics Corp Processing apparatus having particle counter and cleaning device, cleaning method, cleanliness diagnosis method and semiconductor fabricating apparatus using the same
JP4385086B2 (ja) * 2003-03-14 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｃｖｄ装置のクリーニング装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP4593243B2 (ja) * 2004-11-18 2010-12-08 株式会社トプコン 気中粒子監視装置および真空処理装置
JP4544459B2 (ja) * 2004-11-30 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 パーティクル検出方法及びパーティクル検出プログラム
JP4225998B2 (ja) * 2004-12-09 2009-02-18 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置並びに記憶媒体
JP2009039604A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム
US20130000280A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Caterpillar, Inc. Gas monitoring method implementing soot concentration detection

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187248A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Sharp Corp プラズマクリーニング装置
JPH10326812A (ja) 1998-06-15 1998-12-08 Hitachi Ltd 検査システムおよび分析装置並びに分析データ表示方法
JP2005101539A (ja) 2003-08-25 2005-04-14 Tokyo Electron Ltd 減圧処理室内の部材清浄化方法および基板処理装置
JP2005317900A (ja) 2004-03-29 2005-11-10 Tokyo Electron Ltd 真空装置、そのパーティクルモニタ方法、及びプログラム、並びにパーティクルモニタ用窓部材
JP2009296006A (ja) * 2004-03-29 2009-12-17 Tokyo Electron Ltd パーティクルモニタ窓部材及び窓部材
JP2009290086A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Tokyo Electron Ltd チャンバの内部状況推定方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US9612178B2 (en) 2017-04-04
JP5876248B2 (ja) 2016-03-02
WO2013022023A1 (ja) 2013-02-14
JP2013038261A (ja) 2013-02-21
TW201330140A (zh) 2013-07-16
KR101912259B1 (ko) 2018-10-26
US20140182357A1 (en) 2014-07-03
TWI541925B (zh) 2016-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8751196B2 (en) Abnormality detection system, abnormality detection method, recording medium, and substrate processing apparatus
US10283421B2 (en) System to detect wafer arcing in semiconductor manufacturing equipment
JP4914119B2 (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
KR101912259B1 (ko) 파티클 모니터 방법, 파티클 모니터 시스템
US20060075968A1 (en) Leak detector and process gas monitor
KR100819296B1 (ko) 기판 처리 장치, 퇴적물 모니터링 장치 및 퇴적물 모니터링방법
US20100282414A1 (en) Plasma processing apparatus
TW200935984A (en) Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
TW558789B (en) Semiconductor processing device and diagnostic method of semiconductor processing device
JP2008288340A (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及び洗浄時期予測プログラム
KR20170040230A (ko) 플라즈마의 안정성 판정 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2001237234A (ja) プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
WO2015029777A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の監視方法
TWI460789B (zh) Whether to proceed with the processing of judgment methods and memory media
WO2002000962A1 (en) System and method for in-situ cleaning of process monitor of semi-conductor wafer fabricator
TW201831052A (zh) 消耗判斷方法及電漿處理裝置
JPH06224163A (ja) 真空容器内セルフクリーニング方法
JP2003045846A (ja) 半導体製造装置の監視方法及びその制御方法
JP2004137556A (ja) 半導体製造装置
US12031885B2 (en) Leak detection for gas sticks
Tan et al. Contamination assessment of inductive couple plasma etching chamber under mixture of recipes using statistical method
JP2004031881A (ja) 半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法
JP4153654B2 (ja) 導電性付着物モニター、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
KR20240085083A (ko) 폴리머 오염감지장치 및 이를 구비한 반도체 공정장비
JP2002270580A (ja) プラズマ処理装置及び処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant