JP2004140096A - プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】汚れ度合いに応じてクリーニングを施すことができるプラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、プラズマ処理室内の載置電極上に被処理体を載置して、プラズマ処理する工程（Ｓ１）と、前記載置電極の自己バイアス電圧を検出する工程と、前記自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する工程（Ｓ２）と、を含み、
クリーニングを実行すべきと判断した場合には、クリーニングレシピにしたがって、前記プラズマ処理室のクリーニングを実行する工程（Ｓ４）とを含む。
【選択図】　　　　図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体に関する。
【０００２】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】
プラズマ処理装置の処理室で、ウエハ（被処理体）に対してプラズマ処理をした場合、反応生成物（ポリマー）が発生し、その反応生成物が処理室の内壁や載置電極などに付着する。
【０００３】
このため、ウエハに対してプラズマ処理をした後、一般に、処理室を定期的にクリーニングしている。
【０００４】
本発明の目的は、処理室に設けられた載置電極の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の変化を目安として、汚れ度合いに応じてクリーニングを施すことができるプラズマ処理方法、プラズマ処理装置、プログラムおよび情報記憶媒体を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の態様に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理室内の載置電極上に被処理体を載置して、プラズマ処理する工程と、前記載置電極の自己バイアス電圧を検出する工程と、前記自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する工程と、クリーニングを実行すべきと判断した場合に、クリーニングレシピにしたがって、前記プラズマ処理室のクリーニングを実行する工程とを有する。
【０００６】
本発明の第１の態様に係るプラズマ処理方法によれば、処理室内の汚れ度合いを、載置電極の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）との相関関係に基づいて、判断することができるため、自己バイアス電圧検出器以外には、処理室内外に汚れ度合いを測定する装置を別途設ける必要がない。また、自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づいて、リーニングを実行するか否かを判断しているため、クリーニングをすべき適切な時期を容易に判断することができる。
【０００７】
したがって、クリーニングを行う必要がないのにクリーニングを実施するのを確実に回避することができ、スループットの向上を図ることができる。逆に、クリーニングをする必要があるにもかかわらず、クリーニングをしないようなことを確実に回避することができるため、良好なプラズマ処理を実現することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【０００８】
本発明の第１の態様に係るプラズマ処理方法においては、クリーニングを実行すべきと判断した場合には、前記自己バイアス電圧と、クリーニングレシピを選択するための判断基準とに基づいて、複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択し、選択されたクリーニングレシピにしたがって、前記プラズマ処理室のクリーニングを実行することができる。
【０００９】
このように、クリーニングレシピを、クリーニング時間、クリーニング用のガスの種類、ガス流量、処理圧力、ＲＦパワー等が異なる複数のクリーニングレシピから選択することにより、プラズマ処理（実処理）中に生成する生成物や、その生成物の付着量などに適したクリーニング処理が可能になる。
【００１０】
本発明の第１の態様に係るプラズマ処理方法においては、前記プラズマ処理する工程は、複数のプラズマ実処理工程を含み、前記複数のプラズマ実処理工程毎に、前記クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準と、前記複数のクリーニングレシピと、前記複数のクリーニングレシピを選択するための判断基準と、とを有することができる。
【００１１】
このように、複数のプラズマ実処理工程毎に、各判断基準と、複数のクリーニングレシピとを有することで、各プラズマ実処理工程に適したクリーニング処理が可能になる。
【００１２】
本発明の第２の態様に係るプラズマ処理装置は、プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設けられ、被処理体を載置するための載置電極と、前記載置電極に対向する電極と、前記載置電極に接続された高周波電源を有するプラズマ処理装置において、プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準を記憶した記憶部と、前記載置電極に接続された自己バイアス電圧検出器にて検出した自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する判断部と、を含む。
【００１３】
本発明の第２の態様に係るプラズマ処理装置によれば、処理室内の載置電極に接続された自己バイアス電圧検出器にて検出した自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づきクリーニングを実行するか否かを判断しているため、クリーニングをすべき適切な時期を容易に判断することができる。
【００１４】
本発明の第２の態様に係るプラズマ処理装置においては、前記記憶部には、複数のクリーニングレシピと、クリーニングレシピを選択するための判断基準とが記憶されており、前記判断部は、検出した前記自己バイアス電圧と前記クリーニングレシピを選択するための判断基準とに基づいて、前記複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択することができる。
【００１５】
このように、自己バイアス電圧とクリーニングレシピを選択するための判断基準とに基づいて、複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択することにより、自己バイアス電圧の状態（汚れ度合い）や反応生成物などに適したクリーニング処理が可能になる。
【００１６】
本発明の第２の態様に係るプラズマ処理装置においては、前記記憶部には、複数のプラズマ処理の種類に応じた前記プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準と前記クリーニングレシピを選択するための判断基準とが記憶されていることができる。
【００１７】
プラズマ処理は複数種類ある場合があり、それら複数種類のプラズマ処理に応じて、プラズマ処理室の汚れ度合いの許容範囲が異なっている。そこで、このように複数のプラズマ処理の種類に応じて判断基準を設けることで、プラズマの種類に適合したクリーニングを実行することができる。
【００１８】
本発明の第３の態様に係るプログラムは、プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準を記憶した記憶部と、検出した載置電極の自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する判断部として、コンピュータを実行させるためのプログラムである。
【００１９】
本発明の第３の態様に係るプログラムによれば、処理室内の載置電極で検出した自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づきクリーニングを実行するか否かを判断しているため、クリーニングをすべき適切な時期を容易に判断することができる。
【００２０】
本発明の第３の態様に係るプログラムにおいては、前記記憶部は、前記プラズマ処理室のクリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択するための判断基準を含み、前記判断部は、前記検出した載置電極の自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択することを含むことができる。
【００２１】
本発明の第４の態様に係る情報記憶媒体は、コンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体であって、本発明の第３の態様に係るプログラムを記憶している。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（プラズマ処理装置）
図１は、実施の形態に係るプラズマ処理装置の機能ブロック図である。図２は、実施の形態に係るプラズマ処理装置を具体的に示す図である。
【００２４】
プラズマ処理装置１００は、プラズマ処理を行うプラズマ処理部１０と、処理部１０におけるプラズマ実処理時の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を検出するためのＶｄｃ検出器２０と、コンピュータ３０と、クリーニング制御手段４０とを含む。
【００２５】
プラズマ処理部１０には、例えば図２に示すように、プラズマ処理を行うアース接続された処理室１２と、処理室１２にガスを導入するためのガス供給部１６と、処理室１２からガスを排気するための排気部１７と、が設けられている。さらに、処理室１２には、被処理体であるウエハ７０を載置する載置電極１４が設けられ、載置電極１４には、マッチングボックス１８を介して高周波電源１９が接続されている。この載置電極１４と、それと対向する処理室１２の上壁とで、平行平板電極を構成している。
【００２６】
なお、図２では、１つの処理室１２であるが、一般的なマルチチャンバー方式のように複数の処理室であってもよい。また、プラズマ処理部１０のプラズマ生成手段は、プラズマを生成することができれば特に限定されず、上記の他、マイクロ波励起型のプラズマ生成手段であってもよい。さらに、図２に示すように、例えば処理室１２の側方に電磁コイル５０など、磁界を発生する機構を設けてもよい。
【００２７】
そして、例えば図２に示すように、載置電極１４とマッチングボックス１８の間には、Ｖｄｃ検出器２０が接続されている。Ｖｄｃ検出器２０は、プラズマ実処理中の載置電極１４における電位の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を検出するためのものである。
【００２８】
載置電極１４の電位は、処理室１２のプラズマ生成中の電子によって、負側に−Ｖｄｃだけ自己バイアスされる。載置電極１４を含む処理室１２がプラズマ処理によって発生する各種の生成物の堆積によって徐々に汚れてくる。この絶縁性の汚れが抵抗あるいは誘電体となって、処理室内の電気的特性を変化させる。この電気的特性の変化は、載置電極１４の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の変化として現れ、この自己バイアス電圧の変化によって載置電極１４を含む処理室１２内の汚れ度合いの目安とすることができる。
【００２９】
コンピュータ３０は、例えば図１に示すように、判断部３２と、記憶部３３とを含む。
【００３０】
記憶部３３には、例えば、判断基準３５と、クリーニングレシピ３４とが記憶されている。なお、クリーニングレシピ３４と判断基準３５とは、それぞれ異なる記憶部に記憶されていてもよい。記憶部３３の機能は、ＲＡＭやＲＯＭなどのハードウエアにより実現できる。
【００３１】
判断部３２は、記憶部３３に記憶された判断基準３５とＶｄｃ検出器２０にて検出したＶｄｃとに基づき、クリーニングを実行するか否かを判断するものである。さらに、判断部３２は、クリーニングを実行する場合に、記憶部３３に記憶されたクリーニングレシピ３４の中からクリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択するものである。判断部３２の機能は、各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ等）又はＡＳＩＣ（ゲートアレイ等）などのハードウエアや、プログラム等のソフトウェアにより実現される。
【００３２】
情報記憶媒体（コンピュータにより読み取り可能な記録媒体）６０は、プログラムなどを格納するものであり、その機能は、光ディスク（ＣＤ、ＤＶＤ）、光磁気ディスク（ＭＯ）、磁気ディスク、ハードディスク、磁気テープ、あるいはメモリ（ＲＯＭ）などのハードウエアにより実現できる。判断部３２は、この情報記憶媒体６０に格納されるプログラム（データ）に基づいて本実施形態の種々の処理（判断、選択）を行う。すなわち、情報記憶媒体６０には、本実施形態の判断部３２としてコンピュータを実行させるためのプログラム（各部をコンピュータに実現させるためのプログラム）が記憶（記録、格納）される。
【００３３】
なお、判断部３２としてコンピュータを実行させるためのプログラム（データ）は、ホスト装置（サーバー）が有する情報記憶媒体からネットワーク及び通信部を介して情報記憶媒体６０に配信するようにしてもよい。このようなホスト装置（サーバー）の情報記憶媒体の使用も本発明の範囲内に含まれる。
【００３４】
判断部３２は、そのすべてを、ハードウエアのみにより実現してもよいし、情報記憶媒体に格納されるプログラムや通信インターフェースを介して配信されるプログラムにより実現してもよい。あるいは、ハードウエアとプログラムにより実現してもよい。
（プラズマ処理方法）
このプラズマ処理装置１００によるプラズマ処理方法について説明する。
【００３５】
ウエハ７０に対するプラズマ処理工程は、プラズマ処理されるウエハ７０にそれぞれＩＤ（識別）番号が予め設けられており、そのウエハＩＤ番号にしたがって、予め設定された複数の処理工程がウエハに対して実施される。この処理工程の少なくとも一つに、プラズマ実処理工程（たとえばエッチング処理、成膜処理、アッシング処理など）がある。
【００３６】
図１に示すプラズマ処理装置１００は、一例としてプラズマエッチング装置を示すが、ウエハＩＤに応じて、異なるエッチング条件にて複数種のエッチング処理を実施できる汎用性を有する。
【００３７】
【表１】

【００３８】
表１に示すように、例えば４種類（ウエハＩＤ：Ａ〜Ｄ）のウエハ７０があるものと仮定する。例えば、ウエハＩＤ（Ａ）のウエハ７０は、各処理室で実処理条件（Ａ１〜Ａｎ）にしたがって実処理が実行され、その処理の一つが図１に示すプラズマ処理装置１００にて実施される。ウエハＩＤ（Ａ）の生産個数が例えば１００００個であるときは、図１に示すプラズマ処理装置にて、実処理が１００００回実行される。
【００３９】
次のロット数５０００個のウエハＩＤ（Ｂ）は、別に設定された実処理条件（Ｂ１〜Ｂｎ）にしたがって実処理が実施され、さらに、ロット数８０００個のウエハＩＤ（Ｃ）、ロット数１００００個のウエハＩＤ（Ｄ）もそれぞれ、各実処理条件にしたがって生産される。このため、図１に示すプラズマ処理装置１００は、４種類のウエハＩＤ（Ａ）〜（Ｄ）に応じてエッチング条件が設定される。
【００４０】
ウエハＩＤ（Ａ）のウエハ７０のプラズマ処理工程について、図３〜図５を参照しながら、より詳細に説明する。図３は、プラズマ実処理時を模式的に示す図である。図４は、クリーニング時を模式的に示す図である。図５は、プラズマ処理工程のフロチャートである。表２は、図１に示すプラズマ処理装置１００にセットされる各種のプラズマ処理条件をまとめた表であり、そのうちの一つ、例えば実処理条件Ａ５がウエハＩＤ（Ａ）に対して適用される。
【００４１】
【表２】

【００４２】
まず、図３に示すように、プラズマ処理装置１００の処理室１２内の載置電極１４の上にウエハＩＤ（Ａ）のウエハ７０を載置する。次に、処理室１２内のウエハ７０に対して、最初のプラズマ実処理工程１が、記憶部３３に記憶された表１の実処理条件Ａ５にしたがって実行される（図５のＳ１）。
【００４３】
具体的には、反応ガスをガス供給部１６から導入するとともに、載置電極１４に高周波電力を印加することによってプラズマを発生させて、ウエハ７０に対して実処理条件Ａ５にしたがって、プラズマ実処理１が実行される。記憶部３３に記憶された実処理条件Ａ５，Ｂ４等は、各プラズマ実処理番号毎にそれぞれガスの種類、ガスの流量、圧力、ＲＦ（パワー）、印加する時間などが処理目的に合わせて設定されている。
【００４４】
プラズマ実処理（Ｓ１）の開始後、記憶部３３に記憶された時間Ｔ１経過時点の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）、例えばｘ１をＶｄｃ検出器２０によって検出する。ここで、Ｖｄｃ検出器２０は、例えば電極電圧測定装置のような電極電圧を高インピーダンスの減衰器を経て取り込み、ピークホールド回路で最大電圧値を検出し、同時に電圧の正負反転増幅器およびピークホールド回路で最小電圧値を検出して、最大電圧値と最小電圧値とから加算回路、ゲインが１／２の正負非反転増幅器を経てＶｄｃを検出するものをもちいることができる。また、自己バイアス電圧Ｖｄｃは、プラズマ処理中の複数時点の平均値をとってもよい。
【００４５】
次に、検出されたＶｄｃ（ｘ１）と、記憶部３３の判断基準３５に記憶された表２の判断基準ａ１とに基づいて、クリーニングを実効するか否かを判断部３２が判断する（図５のＳ２）。プラズマ実処理１の実処理条件Ａ５においては、表２のように、ひとつの判断基準ａ１が設定されている。判断基準ａ１は、プラズマ実処理条件Ａ５に対応したクリーニングレシピＰ１を実行すべきか否かの判断基準であり、表３のように、Ｔ１時点で検出されたＶｄｃ（ｘ１）の許容範囲として設定されている。
【００４６】
【表３】

【００４７】
図５のＳ２の判断工程において、検出されたＶｄｃ（ｘ１）が、判断基準ａ１を満たしている（範囲内にある）ときは、クリーニングを実行しないと判断して、予定生産個数に達していないことを確認（Ｓ６）して、ウエハＩＤ（Ａ）の次のウエハに対するプラズマ実処理を実行する（Ｓ１に戻る）。検出されたＶｄｃ（ｘ１）が、判断基準ａ１を満たしていない（範囲内にない）ときは、クリーニングを実行すると判断し、記憶部３３に記憶されたクリーニングレシピ３４の中から、プラズマ実処理１の実処理条件Ａ５に対応したクリーニングレシピＰ１を選択（Ｓ３）する。
【００４８】
プラズマ実処理工程１のように、判断基準がａ１だけの場合（判断基準が単数の場合）、クリーニングを実行するという判断は、クリーニングレシピＰ１を選択することになる。
【００４９】
クリーニングレシピＰ１は、プラズマ実処理１の実処理条件Ａ５に対応した適切なクリーニング処理条件である。このクリーニングは、ウエハを載置しない状態で、図１に示すプラズマ処理装置１００にて、クリーニングレシピに従って実施される。記憶部３３のクリーニングレシピ３４には、表４に示すように、ウエハＩＤ（Ａ）のクリーニングレシピ（Ｐ１〜Ｐｍ）に対応して、クリーニング時間（ｔ１〜ｔｍ）、クリーニングガスの種類と流量（ｐ１〜ｐｏ）、処理圧力（ｙ１〜ｙｍ）、ＲＦパワー（ｗ１〜ｗｍ）などが設定されている。また、記憶部３３のクリーニングレシピ３４には、ウエハＩＤ（Ｂ〜Ｄ）ごとに各実処理条件（Ｂ１〜Ｄｎ）に対応して、クリーニングレシピが記憶されている。
【００５０】
【表４】

【００５１】
クリーニングに使用されるガスは、プラズマ実処理によって生成されるポリマーなどの生成物の種類によって、フッ素系のものや塩素系のものなどを適宜選択できる。また、生成物の量（Ｖｄｃの高低によって判断）によって、クリーニングの時間やガス流量、圧力、ＲＦパワーなどを適宜設定されている。
【００５２】
なお、クリーニングガス流量が大きいほど、クリーニング強度は大きい。また、化学的手法によるクリーニングの場合、処理圧力を大きくすることによりガスの密度が高くなり、クリーニング強度を高めることができる。物理的手法によるクリーニングの場合は、パワー（たとえばＲＦパワー）を高めたり、圧力を下げたりすることによりクリーニング強度を高めることができる。
【００５３】
クリーニングを実行するか否かの判断（Ｓ２）は、プラズマ実処理１中もしくは、実処理後に行われ、処理室１２からウエハ７０が取り出された後、図４のように、クリーニングレシピＰ１でクリーニングを実行（Ｓ４）する。クリーニングを実行後、次のプラズマ実処理１を実処理条件Ａ５にしたがってさらに実行（Ｓ１）し、生産個数（１００００個）が生産完了するまで同様の処理が連続して行われる。
【００５４】
なお、クリーニング実行（Ｓ４）後、クリーニングレシピＰ１によるクリーニング実行の際のプラズマ生成時のＶｄｃを検出し、判断基準ａ１にしたがって、再度クリーニングするかどうかを判断（Ｓ２）をして、次の実処理工程を行うこともできる。
【００５５】
図６は、図１に示すプラズマ処理装置１００にて、ウエハＩＤ（Ｂ）のウエハに対するプラズマ処理の動作手順を示している。ウエハＩＤ（Ｂ）のウエハ７０は、図１に示すプラズマ処理装置１００にて、実処理条件Ｂ４にしたがって、プラズマ実処理が実行される（図６のＳ１）。図６のプラズマ実処理工程（Ｓ１）に対しては、判断基準が複数（ａ２，ａ３，ａ４）設定されており、それぞれの判断基準（ａ２，ａ３，ａ４）に基づいて、クリーニングを実行するか否かの判断を行う（図６のＳ２、Ｓ３，Ｓ６）。判断基準（ａ２，ａ３，ａ４）は、検出されたＶｄｃ（ｘ２）の例えば絶対値の範囲で設定されており、ポリマーなどの絶縁生成物によってＶｄｃの絶対値が例えば小さくなるにしたがって、クリーニングの強度、例えばガスの流量を多くするなどのクリーニングレシピ（Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４）が設定されている。
【００５６】
図６に示すプラズマ実処理工程（Ｓ１）においても、図５に示すプラズマ実処理工程（Ｓ１）と同様に、検出時点（Ｔ２）で検出されたＶｄｃ（ｘ２）と、各判断基準（ａ２，ａ３，ａ４）とを比較して、クリーニングを実行するか否かを判断（Ｓ２、Ｓ３、Ｓ６）し、クリーニングレシピ（Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４）を選択（Ｓ４、Ｓ７、Ｓ９）し、クリーニングを実行（Ｓ５、Ｓ８、Ｓ１０）する。
【００５７】
検出されたＶｄｃ（ｘ２）と、判断基準ａ２とに基づいて、クリーニングを実行しないと判断（Ｓ２）した場合、予定された生産個数（５０００個）が終了したかどうかを確認（Ｓ１１）し、終了していない場合には、ウエはＩＤ（Ｂ）の次のウエハ７０が処理室１２に移送され、プラズマ実処理が実行される（Ｓ１）。
【００５８】
ウエハＩＤ（Ｃ）またはＩＤ（Ｄ）のウエハ７０に対しても、これらプラズマ実処理の途中において、ウエハＩＤ毎、プラズマ実処理条件毎に設定された判断基準に基づいて、クリーニングが必要であるかどうかを汚れ度合いに応じて判断し、適切なタイミングでクリーニングを行うため、歩留まりのよい生産を可能とする。
【００５９】
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【００６０】
図５におけるフローチャートでは、クリーニングＰ１実施後に次のウエハ７０に対しプラズマ実処理を行ったが、クリーニング時のプラズマ生成させたＶｄｃを検出して、再度判断基準ａ１と比較することで、クリーニングの要否を判断させてもよい。また、判断基準ａ１でクリーニングが必要と判断されたウエハ７０を載置電極１４に載置させたままクリーニングを実行し、その時のＶｄｃを検出してもよい。この場合、クリーニングされたウエハ７０は、不良品として処理されるが、載置電極１４にウエハ７０が載置された状態でＶｄｃを検出するので、実処理状態でのＶｄｃ基準と比較しやすい。
【００６１】
クリーニングは、上記実施の態様のように１ステップで行ってもよく、または、複数ステップを連続して行ってもよい。
【００６２】
プラズマ処理装置１００がプラズマ成膜装置の場合には、プラズマ成膜するためのプラズマ生成手段を、クリーニング手段として兼用させることができる。この際、クリーニング時に導入するガスは、反応生成物をエッチングする特性を有するガスである必要がある。
【００６３】
クリーニングすべきかどうかの判断およびクリーニングレシピの選択は、プラズマ実処理中に行ってもよいし、プラズマ実処理後に行ってもよい。
【００６４】
１つの実処理につき、選択され得るクリーニングレシピの数は、限定されず、４つ以上であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態に係るプラズマ処理装置の機能ブロック図である。
【図２】プラズマ処理装置を模式的に示す図である。
【図３】プラズマ実処理時を模式的に示す図である。
【図４】クリーニング時を模式的に示す図である。
【図５】プラズマ処理方法のフロチャートである。
【図６】プラズマ処理方法のフロチャートである。
【符号の説明】
１０　　プラズマ処理部、１２　　処理室、１４　　載置電極、１６　　ガス供給部、１７　　排気部、１８　　マッチングボックス、１９　　高周波電源、２０　　Ｖｄｃ検出器、３０　　コンピュータ、３２　　判断部、３３　　記憶部、３４　　クリーニングレシピ、３５　　判断基準、４０　　クリーニング制御手段、５０　　電磁コイル、６０　　情報記憶媒体、７０　　ウエハ、１００　プラズマ処理装置

Claims (9)

1. プラズマ処理室内の載置電極上に被処理体を載置して、プラズマ処理する工程と、
   前記載置電極の自己バイアス電圧を検出する工程と、
   前記自己バイアス電圧と、クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する工程と、
   クリーニングを実行すべきと判断した場合に、クリーニングレシピにしたがって、前記プラズマ処理室のクリーニングを実行する工程と、
   を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 請求項１において、
   クリーニングを実行すべきと判断した場合には、
   前記自己バイアス電圧と、クリーニングレシピを選択するための判断基準とに基づいて、複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択する工程と、
   選択されたクリーニングレシピにしたがって、前記プラズマ処理室のクリーニングを実行する工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
3. 請求項２において、
   前記プラズマ処理する工程は、複数のプラズマ実処理工程を含み、
   前記複数のプラズマ実処理工程毎に、前記クリーニングを実行すべきかどうかの判断基準と、前記複数のクリーニングレシピと、前記複数のクリーニングレシピを選択するための判断基準と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
4. プラズマ処理室と、前記プラズマ処理室内に設けられ、被処理体を載置するための載置電極と、前記載置電極に対向する電極と、前記載置電極に接続された高周波電源を有するプラズマ処理装置において、
   プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準を記憶した記憶部と、
   前記載置電極に接続された自己バイアス電圧検出器にて検出した自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する判断部と、を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項４において、
   前記記憶部には、複数のクリーニングレシピと、クリーニングレシピを選択するための判断基準とが記憶されており、
   前記判断部は、検出した前記自己バイアス電圧と前記クリーニングレシピを選択するための判断基準とに基づいて、前記複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択することを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 請求項５において、
   前記記憶部には、複数のプラズマ処理の種類に応じた前記プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準と、前記複数のクリーニングレシピを選択するための判断基準とが記憶されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
7. プラズマ処理室のクリーニングを実行すべきかどうかの判断基準を記憶した記憶部と、
   検出した載置電極の自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、クリーニングを実行するか否かを判断する判断部として、コンピュータを実行させるためのプログラム。
8. 請求項７において、
   前記記憶部は、前記プラズマ処理室のクリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択するための判断基準を含み、
   前記判断部は、前記検出した載置電極の自己バイアス電圧と、前記記憶部から読み出した前記判断基準とに基づいて、複数のクリーニングレシピの中から、クリーニング時に適用すべきクリーニングレシピを選択することを含む、コンピュータを実行させるためのプログラム。
9. コンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体であって、請求項７または８に記載のプログラムを記憶した情報記憶媒体。

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