JP2001237234A - プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法Info
- Publication number
- JP2001237234A JP2001237234A JP2000048934A JP2000048934A JP2001237234A JP 2001237234 A JP2001237234 A JP 2001237234A JP 2000048934 A JP2000048934 A JP 2000048934A JP 2000048934 A JP2000048934 A JP 2000048934A JP 2001237234 A JP2001237234 A JP 2001237234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- probe
- frequency
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ特性を計測するためにプローブに直流
電圧を加え、プラズマから流れる電流をを測定し、その
電流電圧特性からプラズマ特性を計測する従来技術があ
るが、プラズマ中の反応生成物がプローブ表面に付着す
るため正しくプラズマ特性を計測できない場合があると
いう問題があった。 【構成】被計測対象であるプラズマ中に装荷されたプロ
ーブ、このプローブに高周波を印加するための高周波電
源、プローブの電圧を測定する電圧計、プローブに流れ
る高周波電流を測定する電流計、高周波電流電圧からプ
ラズマ特性を推定するデータ処理機からなる。直流電圧
電流特性に換えて高周波電圧電流特性を用いることで、
プローブ表面の状態変動の外乱を受け難いプラズマ計測
が可能となる。
電圧を加え、プラズマから流れる電流をを測定し、その
電流電圧特性からプラズマ特性を計測する従来技術があ
るが、プラズマ中の反応生成物がプローブ表面に付着す
るため正しくプラズマ特性を計測できない場合があると
いう問題があった。 【構成】被計測対象であるプラズマ中に装荷されたプロ
ーブ、このプローブに高周波を印加するための高周波電
源、プローブの電圧を測定する電圧計、プローブに流れ
る高周波電流を測定する電流計、高周波電流電圧からプ
ラズマ特性を推定するデータ処理機からなる。直流電圧
電流特性に換えて高周波電圧電流特性を用いることで、
プローブ表面の状態変動の外乱を受け難いプラズマ計測
が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板にプラ
ズマ処理を施すプラズマ処理装置及びそれを用いた処理
方法に係り、特に、プラズマ特性を計測してその処理の
品質を監視するものに関する。
ズマ処理を施すプラズマ処理装置及びそれを用いた処理
方法に係り、特に、プラズマ特性を計測してその処理の
品質を監視するものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマ特性の計測方法につい
て、例えば「Ｐｌａｓｍａ Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ
Ｖｏｌｕｍｅ １」（Ｏｒｌａｎｄｏ Ａｎｃｉｅｌｌ
ｏ， Ｄａｎｉｅｌ Ｌ． Ｆｌａｍｍ 編、Ａｃａｄ
ｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ刊）に開示されたように、プラズ
マ中にプローブを装荷してその直流的な電圧電流特性を
測定することでプラズマの密度、電子温度等を測定する
ラングミュアプローブ法と呼ばれる方法がある。また特
開平０８−１０６９９２号公報に開示されたようにＵＬ
ＳＩ等の製造においてプラズマを用いたドライエッチン
グ装置による加工が行われる。この工程でプラズマ処理
の品質を監視するためにプラズマの発光等の状態をモニ
タし、装置状態を把握することで部品交換等の保守作業
を効率よく行う方法がある。
て、例えば「Ｐｌａｓｍａ Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ
Ｖｏｌｕｍｅ １」（Ｏｒｌａｎｄｏ Ａｎｃｉｅｌｌ
ｏ， Ｄａｎｉｅｌ Ｌ． Ｆｌａｍｍ 編、Ａｃａｄ
ｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ刊）に開示されたように、プラズ
マ中にプローブを装荷してその直流的な電圧電流特性を
測定することでプラズマの密度、電子温度等を測定する
ラングミュアプローブ法と呼ばれる方法がある。また特
開平０８−１０６９９２号公報に開示されたようにＵＬ
ＳＩ等の製造においてプラズマを用いたドライエッチン
グ装置による加工が行われる。この工程でプラズマ処理
の品質を監視するためにプラズマの発光等の状態をモニ
タし、装置状態を把握することで部品交換等の保守作業
を効率よく行う方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のラング
ミュアプローブ法では、プラズマ中で形成される絶縁性
の反応生成物等がプローブ表面に付着する場合がある。
この反応生成物によりプローブに直流電流が流れること
を阻害するため、安定した測定が困難となる。
ミュアプローブ法では、プラズマ中で形成される絶縁性
の反応生成物等がプローブ表面に付着する場合がある。
この反応生成物によりプローブに直流電流が流れること
を阻害するため、安定した測定が困難となる。
【０００４】また、上記従来技術のうちプラズマ処理品
質の監視については、例えばプラズマ発光を処理室外部
に取り出すための窓表面に反応生成物が付着する、また
はプラズマ中のイオン等の作用により窓が削れるなどの
問題があり、安定して装置状態を監視することが困難で
あった。本発明が解決しようとする課題は、プラズマ処
理装置において、反応生成物等の付着があってもプラズ
マ特性の計測を可能とする計測方法を提供するとにあ
る。
質の監視については、例えばプラズマ発光を処理室外部
に取り出すための窓表面に反応生成物が付着する、また
はプラズマ中のイオン等の作用により窓が削れるなどの
問題があり、安定して装置状態を監視することが困難で
あった。本発明が解決しようとする課題は、プラズマ処
理装置において、反応生成物等の付着があってもプラズ
マ特性の計測を可能とする計測方法を提供するとにあ
る。
【０００５】また本発明の他の課題は、プラズマ処理装
置の装置状態監視にあたり、プラズマ処理に与える外乱
の小さい監視方法を提供することにある。
置の装置状態監視にあたり、プラズマ処理に与える外乱
の小さい監視方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ源、
ガス供給系および真空排気系を有する処理室、該処理室
内に被処理基板を載置するための基板電極、該基板電極
を介して被処理基板に高周波バイアスを加えるための高
周波電源を備えたプラズマ処理装置において、前記処理
室内のプラズマ中に挿入するプローブ部と、該プローブ
部に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プローブ部
の高周波電圧を測定する電圧計と、該プローブ部を介し
てプラズマに流入する高周波電流を測定する電流計から
なるプラズマ特性計測装置を備えたことを特徴とする。
ガス供給系および真空排気系を有する処理室、該処理室
内に被処理基板を載置するための基板電極、該基板電極
を介して被処理基板に高周波バイアスを加えるための高
周波電源を備えたプラズマ処理装置において、前記処理
室内のプラズマ中に挿入するプローブ部と、該プローブ
部に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プローブ部
の高周波電圧を測定する電圧計と、該プローブ部を介し
てプラズマに流入する高周波電流を測定する電流計から
なるプラズマ特性計測装置を備えたことを特徴とする。
【０００７】本発明によれば、上記課題は、プラズマ計
測用プローブに高周波電力を印加し、その電圧電流特性
からプラズマ特性を測定することで解決できる。またプ
ラズマ処理装置において高周波電力を印加したプローブ
によりプラズマ特性を計測することで上記課題は解決で
きる。またプラズマ処理に用いる高周波の電圧電流の計
測によりプラズマ処理に与える外乱を小さくできる。
測用プローブに高周波電力を印加し、その電圧電流特性
からプラズマ特性を測定することで解決できる。またプ
ラズマ処理装置において高周波電力を印加したプローブ
によりプラズマ特性を計測することで上記課題は解決で
きる。またプラズマ処理に用いる高周波の電圧電流の計
測によりプラズマ処理に与える外乱を小さくできる。
【０００８】本発明によれば、プローブの高周波電圧電
流特性からプローブとプラズマ界面に形成されるシース
の厚さを計測すること、およびプローブの直流電圧電流
特性を推定することによりプラズマ特性を測定すること
ができる。プローブ表面が絶縁性の反応生成物で覆われ
ても容量性インピーダンスを介して高周波電流は流れる
ためプラズマ特性の測定が可能である。
流特性からプローブとプラズマ界面に形成されるシース
の厚さを計測すること、およびプローブの直流電圧電流
特性を推定することによりプラズマ特性を測定すること
ができる。プローブ表面が絶縁性の反応生成物で覆われ
ても容量性インピーダンスを介して高周波電流は流れる
ためプラズマ特性の測定が可能である。
【０００９】本発明は、例えば、半導体集積回路の製造
工程のうちプラズマを用いた基板のドライエッチング工
程で、エッチング中のプラズマの状況を監視することに
用いることができる。プラズマを監視することにより、
エッチング処理装置の状態を定量的に評価することが出
来るため、エッチング処理装置の安定稼動、装置異常の
早期発見に役立つ。
工程のうちプラズマを用いた基板のドライエッチング工
程で、エッチング中のプラズマの状況を監視することに
用いることができる。プラズマを監視することにより、
エッチング処理装置の状態を定量的に評価することが出
来るため、エッチング処理装置の安定稼動、装置異常の
早期発見に役立つ。
【００１０】
【発明の実施の形態】［実施例１］以下、図１から図３
を用いて本発明の第１の実施例を説明する。まず、図１
に本発明を用いたプラズマ特性計測装置の測定回路を示
す。測定対象となるプラズマ１０１内に球状のプローブ
１０２が装荷されている。プラズマ１０１はプローブ１
０２の表面積と比べて大きな面積を持つアース電極１０
８を介して接地されているものとする。プローブ１０２
はステンレス鋼製である。プローブ１０２の形状は球に
限定されるものでなく平板、円柱等他の形状であっても
よい。またプローブ１０２の材質も、導電率が高く耐熱
性の高いものであれば銅、アルミニウム等であってもよ
い。
を用いて本発明の第１の実施例を説明する。まず、図１
に本発明を用いたプラズマ特性計測装置の測定回路を示
す。測定対象となるプラズマ１０１内に球状のプローブ
１０２が装荷されている。プラズマ１０１はプローブ１
０２の表面積と比べて大きな面積を持つアース電極１０
８を介して接地されているものとする。プローブ１０２
はステンレス鋼製である。プローブ１０２の形状は球に
限定されるものでなく平板、円柱等他の形状であっても
よい。またプローブ１０２の材質も、導電率が高く耐熱
性の高いものであれば銅、アルミニウム等であってもよ
い。
【００１１】プローブ１０２に高周波電力を供給する高
周波電源１０７は、コンデンサ１０５、表面をアルミナ
セラミック等で絶縁された電線１０３を介して接続され
ている。さらにプローブ１０２の電圧、電流を測定する
ための電圧計１０６、電流計１０４が接続されている。
電線１０３表面のアルミナセラミック等の絶縁物は高周
波電源１０７によって流れる高周波電流がプローブ１０
２を介してのみプラズマ１０１に流れるようにするため
に用いている。本測定回路でプラズマの高周波電流電圧
特性を測定する。
周波電源１０７は、コンデンサ１０５、表面をアルミナ
セラミック等で絶縁された電線１０３を介して接続され
ている。さらにプローブ１０２の電圧、電流を測定する
ための電圧計１０６、電流計１０４が接続されている。
電線１０３表面のアルミナセラミック等の絶縁物は高周
波電源１０７によって流れる高周波電流がプローブ１０
２を介してのみプラズマ１０１に流れるようにするため
に用いている。本測定回路でプラズマの高周波電流電圧
特性を測定する。
【００１２】次に、高周波電圧電流特性からプラズマ特
性を推定する方法について説明する。一般にプラズマは
バルク部分のインピーダンスに比べシース部分のインピ
ーダンスが高く、図１に示した測定回路ではプローブと
プラズマの界面に生じるシースの特性が電圧電流特性に
現れるため図１に対応したプラズマはシース部分を考慮
しモデル化される。プラズマ中の高周波電流は主に質量
が小さい電子により担われる。そのため電子の密度が低
いイオンシースは高周波的にコンデンサとしてモデル化
される。また直流的には電圧に応じて電子とイオンが電
流を担う電流源とモデル化される。またコンデンサ、電
流源とも高周波電圧に依存してその容量、電流が変化す
る。そのためシース部は容量と電流源の並列回路として
モデル化され図１に示す測定回路は（式１）に示すよう
にモデル化される。
性を推定する方法について説明する。一般にプラズマは
バルク部分のインピーダンスに比べシース部分のインピ
ーダンスが高く、図１に示した測定回路ではプローブと
プラズマの界面に生じるシースの特性が電圧電流特性に
現れるため図１に対応したプラズマはシース部分を考慮
しモデル化される。プラズマ中の高周波電流は主に質量
が小さい電子により担われる。そのため電子の密度が低
いイオンシースは高周波的にコンデンサとしてモデル化
される。また直流的には電圧に応じて電子とイオンが電
流を担う電流源とモデル化される。またコンデンサ、電
流源とも高周波電圧に依存してその容量、電流が変化す
る。そのためシース部は容量と電流源の並列回路として
モデル化され図１に示す測定回路は（式１）に示すよう
にモデル化される。
【００１３】
【数１】
【００１４】測定結果の高周波電圧、高周波電流を図２
に、（式1）に従って測定した高周波電圧電流から求め
たシース容量、シース電流源の特性を図３に示す。プロ
ーブには周波数８００ｋＨｚの電圧を加えた。
に、（式1）に従って測定した高周波電圧電流から求め
たシース容量、シース電流源の特性を図３に示す。プロ
ーブには周波数８００ｋＨｚの電圧を加えた。
【００１５】図２にシース容量、シース電流源から逆算
した高周波電流の値も合わせて示す。シース容量、シー
ス電流源の特性算出の手順を以下に示す。 （１）シース容量C(V)、シース電流源D(V)の特性を仮定
する。 （２）（式1）に従い高周波電流I'を求める。 （３）測定した高周波電流Iと（２）で求めたI'の二乗
誤差εを求める。 （４）εのシース容量C(V)、シース電流源D(V)に対する
勾配を求め、εを小さくする方向にシース容量C(V)、シ
ース電流源D(V)の特性を修正する。 （５）（２）に戻る。εが十分小さくなったところで手
順を終了する。
した高周波電流の値も合わせて示す。シース容量、シー
ス電流源の特性算出の手順を以下に示す。 （１）シース容量C(V)、シース電流源D(V)の特性を仮定
する。 （２）（式1）に従い高周波電流I'を求める。 （３）測定した高周波電流Iと（２）で求めたI'の二乗
誤差εを求める。 （４）εのシース容量C(V)、シース電流源D(V)に対する
勾配を求め、εを小さくする方向にシース容量C(V)、シ
ース電流源D(V)の特性を修正する。 （５）（２）に戻る。εが十分小さくなったところで手
順を終了する。
【００１６】シース容量は例えば「電子通信ハンドブッ
ク（電子通信学会編、オーム社（昭和５４年））」に開
示されているようにシース厚さとシース面積により（式
２）のように現される。
ク（電子通信学会編、オーム社（昭和５４年））」に開
示されているようにシース厚さとシース面積により（式
２）のように現される。
【００１７】
【数２】
【００１８】また、シース厚さは例えば「プラズマ物理
入門」（内田岱二郎訳、丸善株式会社刊）に開示されて
いるようにデバイ長と呼ばれる厚さ程度であることが知
られており（式３）のように表現できる。
入門」（内田岱二郎訳、丸善株式会社刊）に開示されて
いるようにデバイ長と呼ばれる厚さ程度であることが知
られており（式３）のように表現できる。
【００１９】
【数３】
【００２０】シース容量から（式２）、（式３）を用い
ることでプラズマ密度を推定することが出来る。
ることでプラズマ密度を推定することが出来る。
【００２１】同様に、例えば「Ｐｌａｓｍａ Ｄｉａｇ
ｎｏｓｔｉｃｓ Ｖｏｌｕｍｅ １」（Ｏｒｌａｎｄｏ
Ａｎｃｉｅｌｌｏ， Ｄａｎｉｅｌ Ｌ． Ｆｌａｍ
ｍ編、Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ刊）に開示されて
いるように、シース電流特性よりプラズマ密度、電子温
度等のプラズマ特性を知ることが出来る。
ｎｏｓｔｉｃｓ Ｖｏｌｕｍｅ １」（Ｏｒｌａｎｄｏ
Ａｎｃｉｅｌｌｏ， Ｄａｎｉｅｌ Ｌ． Ｆｌａｍ
ｍ編、Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ刊）に開示されて
いるように、シース電流特性よりプラズマ密度、電子温
度等のプラズマ特性を知ることが出来る。
【００２２】さらに、シース容量およびシース電流特性
からそれぞれプラズマ密度を求めることが出来るため、
プローブの表面状態を推定することが出来る。例えばプ
ローブ表面に絶縁物が付着すると見かけのシース厚さが
増えたように特性が変化するが、シース電流特性には影
響が出難い。そこで両者の差異を利用してプローブの表
面状態を推定することが出来る。プローブの表面状態に
より例えばクリーニング時期等の目安とすることが出来
る。
からそれぞれプラズマ密度を求めることが出来るため、
プローブの表面状態を推定することが出来る。例えばプ
ローブ表面に絶縁物が付着すると見かけのシース厚さが
増えたように特性が変化するが、シース電流特性には影
響が出難い。そこで両者の差異を利用してプローブの表
面状態を推定することが出来る。プローブの表面状態に
より例えばクリーニング時期等の目安とすることが出来
る。
【００２３】プラズマモデルとしてシース容量が電圧に
よって変化するモデルで実施例を説明したが、シース容
量が変化しないプラズマモデルに簡略化することもでき
る。またプラズマモデルとして上記のようにシース部の
みに着目したモデルとしたが、バルクプラズマの抵抗を
考慮して、シース部を表す容量と電流源の並列回路に加
えて抵抗を直列に接続したモデルとすることもできる。
よって変化するモデルで実施例を説明したが、シース容
量が変化しないプラズマモデルに簡略化することもでき
る。またプラズマモデルとして上記のようにシース部の
みに着目したモデルとしたが、バルクプラズマの抵抗を
考慮して、シース部を表す容量と電流源の並列回路に加
えて抵抗を直列に接続したモデルとすることもできる。
【００２４】プローブ表面を絶縁物であらかじめ被覆し
ておくこともできる。この場合電圧制御電流源の特性か
らプラズマ特性を求める際に直流電位が定まらないため
プラズマポテンシャルが算出できないがシース容量から
算出したプラズマ密度から逆算して最終的に直流電位を
定めることができる。
ておくこともできる。この場合電圧制御電流源の特性か
らプラズマ特性を求める際に直流電位が定まらないため
プラズマポテンシャルが算出できないがシース容量から
算出したプラズマ密度から逆算して最終的に直流電位を
定めることができる。
【００２５】［実施例２］次に、本発明の第２〜第４の
実施例を、図４から図６を用いて説明する。これらの実
施例は、実施例１で示したプラズマ計測方法および装置
を、プラズマ処理装置に適用した例である。図６に本発
明を用いたエッチング装置を示す。図示しないガス供給
系、真空排気系が接続された処理室６０２の内部にプラ
ズマ源６０１によりプラズマを発生させる。被処理基板
６０７を載置した基板電極６０８が処理室６０２内に設
置されている。基板電極６０８には高周波電源６１１が
整合器６１０、ブロッキングコンデンサ６０９を介して
接続されており、被処理基板に高周波バイアス電圧を加
えることができる。また処理室内にプローブ６０３が装
荷され、ブロッキングコンデンサ６１２をかいして高周
波信号源６０６が接続されている。またプローブ６０３
に流れる電流を計測するための電流計６０４、電圧を計
測するための電圧計６０５が接続されている。電圧計６
０５、電流計６０４の計測値を用いて実施例１で説明し
た方法によりプラズマ特性を推定することができる。
実施例を、図４から図６を用いて説明する。これらの実
施例は、実施例１で示したプラズマ計測方法および装置
を、プラズマ処理装置に適用した例である。図６に本発
明を用いたエッチング装置を示す。図示しないガス供給
系、真空排気系が接続された処理室６０２の内部にプラ
ズマ源６０１によりプラズマを発生させる。被処理基板
６０７を載置した基板電極６０８が処理室６０２内に設
置されている。基板電極６０８には高周波電源６１１が
整合器６１０、ブロッキングコンデンサ６０９を介して
接続されており、被処理基板に高周波バイアス電圧を加
えることができる。また処理室内にプローブ６０３が装
荷され、ブロッキングコンデンサ６１２をかいして高周
波信号源６０６が接続されている。またプローブ６０３
に流れる電流を計測するための電流計６０４、電圧を計
測するための電圧計６０５が接続されている。電圧計６
０５、電流計６０４の計測値を用いて実施例１で説明し
た方法によりプラズマ特性を推定することができる。
【００２６】高周波電源６１１による高周波により基板
電極６０８に時間的に変動する電圧を加えるとプラズマ
中の電子とイオンの移動度の違いにより直流バイアス電
位が生じる。通常基板電極が負にバイアスされ、プラズ
マ中の正イオンを定常的に被処理基板６０７に向けて加
速する。このイオンにより異方性の加工を施すことがで
きる。
電極６０８に時間的に変動する電圧を加えるとプラズマ
中の電子とイオンの移動度の違いにより直流バイアス電
位が生じる。通常基板電極が負にバイアスされ、プラズ
マ中の正イオンを定常的に被処理基板６０７に向けて加
速する。このイオンにより異方性の加工を施すことがで
きる。
【００２７】図６の実施例の構成をより簡略化した実施
例として、図５に示すようにプローブに高周波を印加す
る信号源と基板に高周波バイアス電圧を加える電源を同
一の高周波電源５０４としてもよい。なお、５０１はプ
ローブ、５０２は電流計、５０３は電圧計、５０５は被
処理基板を示す。
例として、図５に示すようにプローブに高周波を印加す
る信号源と基板に高周波バイアス電圧を加える電源を同
一の高周波電源５０４としてもよい。なお、５０１はプ
ローブ、５０２は電流計、５０３は電圧計、５０５は被
処理基板を示す。
【００２８】プローブ６０３（５０１）は、プラズマと
接触する部分の形状を球状、円盤状、円柱状等の表面積
が幾何学的に算出しやすい形状とすることができる。プ
ローブ５０１に高周波を給電する線路はプラズマに高周
波がもれないように同軸構造となっている。さらに同軸
外部導体が直接プラズマに電気的に接続してプラズマ電
位を変化させることを防止するためにアルミナセラミッ
ク等の絶縁物で被覆されている。またプローブ６０３の
形状をリング状としてもよい。これによりプローブ構造
を概略軸対称とすることができる。エッチング装置全体
が概略軸対称な構造をとる場合、その中心軸に合わせて
リング状のプローブ６０３を処理室内に配置することに
よりプローブ装荷による外乱でプラズマ分布が非軸対称
となることを防止できる。またプローブ６０３の材質と
して被エッチング材に応じて汚染、異物等の問題が生じ
にくい導電性物質を用いることができる。例えば導電性
材料をエッチングする場合には同じ導電性材料を用いる
ことで汚染等の問題を避けることができる。また被処理
基板がシリコンである場合にシリコンを用いてもよい。
接触する部分の形状を球状、円盤状、円柱状等の表面積
が幾何学的に算出しやすい形状とすることができる。プ
ローブ５０１に高周波を給電する線路はプラズマに高周
波がもれないように同軸構造となっている。さらに同軸
外部導体が直接プラズマに電気的に接続してプラズマ電
位を変化させることを防止するためにアルミナセラミッ
ク等の絶縁物で被覆されている。またプローブ６０３の
形状をリング状としてもよい。これによりプローブ構造
を概略軸対称とすることができる。エッチング装置全体
が概略軸対称な構造をとる場合、その中心軸に合わせて
リング状のプローブ６０３を処理室内に配置することに
よりプローブ装荷による外乱でプラズマ分布が非軸対称
となることを防止できる。またプローブ６０３の材質と
して被エッチング材に応じて汚染、異物等の問題が生じ
にくい導電性物質を用いることができる。例えば導電性
材料をエッチングする場合には同じ導電性材料を用いる
ことで汚染等の問題を避けることができる。また被処理
基板がシリコンである場合にシリコンを用いてもよい。
【００２９】被処理基板の面内均一性を確保するために
被処理基板の外周部にフォーカスリングと呼ばれる部材
を設置する場合がある。通常エッチング処理において反
応生成物の面内分布が面内均一性に影響を与える。フォ
ーカスリングにより被処理基板外周部での反応生成物分
布の均一化を図りエッチング処理の面内均一性を確保す
ることができる。このフォーカスリングが導電性を持つ
場合、フォーカスリングの電圧電流特性を測定し、プロ
ーブとして用いることができる。
被処理基板の外周部にフォーカスリングと呼ばれる部材
を設置する場合がある。通常エッチング処理において反
応生成物の面内分布が面内均一性に影響を与える。フォ
ーカスリングにより被処理基板外周部での反応生成物分
布の均一化を図りエッチング処理の面内均一性を確保す
ることができる。このフォーカスリングが導電性を持つ
場合、フォーカスリングの電圧電流特性を測定し、プロ
ーブとして用いることができる。
【００３０】また、図６の実施例の構成をさらに簡略化
した実施例として、図４に示すようにプローブに替えて
基板電極をプローブとして用いてもよい。図示しないガ
ス供給系、真空排気系が接続された処理室４０２の内部
にプラズマ源４０１によりプラズマを発生させる。被処
理基板４０３を載置した基板電極４０４が処理室４０２
内に設置されている。基板電極４０４には高周波電源４
０９が整合器４０８、ブロッキングコンデンサ４０７を
介して接続されており、被処理基板に高周波バイアス電
圧を加えることができる。高周波電源４０９により基板
電極４０４に流れる電流を計測するための電流計４０
５、基板電極の電位を計測するための電圧計４０６が基
板電極４０４に接続されている。
した実施例として、図４に示すようにプローブに替えて
基板電極をプローブとして用いてもよい。図示しないガ
ス供給系、真空排気系が接続された処理室４０２の内部
にプラズマ源４０１によりプラズマを発生させる。被処
理基板４０３を載置した基板電極４０４が処理室４０２
内に設置されている。基板電極４０４には高周波電源４
０９が整合器４０８、ブロッキングコンデンサ４０７を
介して接続されており、被処理基板に高周波バイアス電
圧を加えることができる。高周波電源４０９により基板
電極４０４に流れる電流を計測するための電流計４０
５、基板電極の電位を計測するための電圧計４０６が基
板電極４０４に接続されている。
【００３１】プローブを用いて測定された高周波電圧電
流特性やそこから推定したプラズマ特性により、エッチ
ング装置の状態を知ることができる。装置状態を定量的
に評価できるため、装置の劣化、経時変化等を監視でき
る。
流特性やそこから推定したプラズマ特性により、エッチ
ング装置の状態を知ることができる。装置状態を定量的
に評価できるため、装置の劣化、経時変化等を監視でき
る。
【００３２】半導体集積回路の製造工程のうち被処理基
板をドライエッチング処理する工程は基板１枚あたり数
十秒程度必要とすることが多い。エッチング中には被エ
ッチング材と反応する活性種（以下エッチャントと呼
ぶ。）が反応により減少する一方で反応生成物の密度が
高くなっている。エッチングがほぼ終了するころには被
エッチング材はほぼ除去されているため反応生成物の密
度は低く、エッチャントの密度が相対的に高くなる。こ
ういったエッチング処理の時間経過に伴い、プラズマの
密度、温度等のパラメータも変化する。エッチング処理
開始から各時刻の高周波電圧電流特性を記録し、この特
性からエッチング中のプラズマパラメータ変化を捉える
ことができる。
板をドライエッチング処理する工程は基板１枚あたり数
十秒程度必要とすることが多い。エッチング中には被エ
ッチング材と反応する活性種（以下エッチャントと呼
ぶ。）が反応により減少する一方で反応生成物の密度が
高くなっている。エッチングがほぼ終了するころには被
エッチング材はほぼ除去されているため反応生成物の密
度は低く、エッチャントの密度が相対的に高くなる。こ
ういったエッチング処理の時間経過に伴い、プラズマの
密度、温度等のパラメータも変化する。エッチング処理
開始から各時刻の高周波電圧電流特性を記録し、この特
性からエッチング中のプラズマパラメータ変化を捉える
ことができる。
【００３３】高周波電流電圧特性、プラズマパラメータ
のエッチング処理に伴う変動を記録し、これを装置が正
常な場合の記録と比較することにより装置異常を早期に
発見することができる。またエッチングの初期、エッチ
ング中、エッチング終了直前等、時刻を決め、これによ
り装置の状態を判定することもできる。装置の状態を監
視できるため、装置の安定した稼動が可能となる。
のエッチング処理に伴う変動を記録し、これを装置が正
常な場合の記録と比較することにより装置異常を早期に
発見することができる。またエッチングの初期、エッチ
ング中、エッチング終了直前等、時刻を決め、これによ
り装置の状態を判定することもできる。装置の状態を監
視できるため、装置の安定した稼動が可能となる。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ中の反応生成
物等がプローブに付着する等による外乱の影響を受け難
いプラズマ計測装置を、半導体集積回路等を製造するた
めのプラズマ処理装置に適用することにより、プラズマ
処理装置の安定稼動を可能とすることができる。
物等がプローブに付着する等による外乱の影響を受け難
いプラズマ計測装置を、半導体集積回路等を製造するた
めのプラズマ処理装置に適用することにより、プラズマ
処理装置の安定稼動を可能とすることができる。
【図１】本発明を用いたプラズマ計測装置を示す説明
図。
図。
【図２】プローブの高周波電圧電流特性を示すグラフ。
【図３】プラズマ特性の推定結果を示すグラフ。
【図４】本発明を用いたプラズマ処理装置の一実施例の
断面図。
断面図。
【図５】本発明を用いたプラズマ処理装置の他の実施例
の断面図。
の断面図。
【図６】本発明を用いたプラズマ処理装置の他の実施例
の断面図。
の断面図。
１０１．．．．．プラズマ １０２．．．．．プローブ １０３．．．．．電線 １０４．．．．．電流計 １０５．．．．．コンデンサ １０６．．．．．電圧計 １０７．．．．．高周波電源 １０８．．．．．アース電極 ４０１．．．．．プラズマ源 ４０２．．．．．処理室 ４０３．．．．．被処理基板 ４０４．．．．．基板電極 ４０５．．．．．電流計 ４０６．．．．．電圧計 ４０７．．．．．ブロッキングコンデンサ ４０８．．．．．整合器 ４０９．．．．．高周波電源 ５０４．．．．．高周波電源 ６０１．．．．．プラズマ源 ６０２．．．．．処理室 ６０３．．．．．プローブ ６０４．．．．．電流計 ６０５．．．．．電圧計 ６０６．．．．．高周波信号源 ６０７．．．．．被処理基板 ６０８．．．．．基板電極 ６０９．．．．．ブロッキングコンデンサ ６１０．．．．．整合器 ６１１．．．．．高周波電源 ６１２．．．．．ブロッキングコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 成一 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 5F004 BA04 BA09 CB06 CB15
Claims (5)
- 【請求項１】プラズマ源、ガス供給系および真空排気系
を有する処理室、該処理室内に被処理基板を載置するた
めの基板電極、該基板電極を介して被処理基板に高周波
バイアスを加えるための高周波電源を備えたプラズマ処
理装置において、 前記処理室内のプラズマ中に挿入するプローブ部と、該
プローブ部に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プ
ローブ部の高周波電圧を測定する電圧計と、該プローブ
部を介してプラズマに流入する高周波電流を測定する電
流計からなるプラズマ特性計測装置を備えたことを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマ中に挿入するプローブ部に、高周波を
供給する電源を被処理基板に高周波バイアスを供給する
高周波電源と共用することを特徴とするプラズマ処理装
置。 - 【請求項３】請求項２記載のプラズマ処理装置におい
て、前記被処理基板または前記基板電極をプラズマ中に
挿入するプローブ部として用いることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項４】プラズマ源、ガス供給系および真空排気系
を有する処理室、該処理室内に被処理基板を載置するた
めの基板電極、該基板電極を介して被処理基板に高周波
バイアスを加えるための高周波電源を備えたプラズマ処
理装置における、プラズマを用いた基板の処理方法であ
って、 前記プラズマ中に挿入するプローブ部と、該プローブ部
に高周波電圧を供給する高周波電源と、該プローブ部の
高周波電圧を測定する電圧計、該プローブ部を介してプ
ラズマに流入する高周波電流を測定する電流計からなる
プラズマ特性計測装置により前記高周波電圧及び前記高
周波電流を測定し、 該電圧、電流の測定値からプラズマ特性を推定し、エッ
チング中のプラズマの状況を監視することを特徴とする
プラズマを用いた基板の処理方法。 - 【請求項５】請求項４記載の基板の処理方法において、
該高周波電圧、該高周波電流を回路素子からなるプラズ
マモデルのパラメータにフィッティングすることでプラ
ズマ特性を推定することを特徴とする基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048934A JP4633881B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000048934A JP4633881B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001237234A true JP2001237234A (ja) | 2001-08-31 |
| JP2001237234A5 JP2001237234A5 (ja) | 2006-06-22 |
| JP4633881B2 JP4633881B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=18570944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000048934A Expired - Fee Related JP4633881B2 (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4633881B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318115A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Japan Science & Technology Corp | 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置 |
| JP2008182081A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009188352A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| KR20150047522A (ko) * | 2012-08-28 | 2015-05-04 | 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| JP2015534716A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-12-03 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． | 切り替えモードイオン分布システムの故障、異常、および他の特性を監視するためのシステムおよび方法 |
| JP2017228558A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
| US10607813B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-03-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias |
| US10707055B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-07-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
| US10811229B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-10-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Synchronization with a bias supply in a plasma processing system |
| US11011349B2 (en) | 2009-05-01 | 2021-05-18 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
| US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
| US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
| CN117572136A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 国科大杭州高等研究院 | 适用于电推力器响应时间测量的检测系统 |
| US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
| US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105578696B (zh) * | 2015-12-23 | 2018-03-16 | 哈尔滨工业大学 | 一种测量空心阴极节流孔区等离子体密度的方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03224226A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ加工方法およびそれに用いる装置 |
| JPH08106992A (ja) * | 1994-03-24 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
| JPH10509557A (ja) * | 1995-09-19 | 1998-09-14 | サントル ナスィオナル デ ラ ルシェルシェ スィアンティフィーク | プラズマ中のイオン流の測定方法及び装置 |
| JP2000208295A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ計測電極およびそれを用いた計測方法 |
| JP2000208485A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000048934A patent/JP4633881B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03224226A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ加工方法およびそれに用いる装置 |
| JPH08106992A (ja) * | 1994-03-24 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法およびその装置 |
| JPH10509557A (ja) * | 1995-09-19 | 1998-09-14 | サントル ナスィオナル デ ラ ルシェルシェ スィアンティフィーク | プラズマ中のイオン流の測定方法及び装置 |
| JP2000208295A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ計測電極およびそれを用いた計測方法 |
| JP2000208485A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003318115A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Japan Science & Technology Corp | 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置 |
| KR100582013B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2006-05-22 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 윈도우 타입 프로브, 플라즈마 감시장치, 및, 플라즈마처리장치 |
| JP2008182081A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2009188352A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
| US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
| US11011349B2 (en) | 2009-05-01 | 2021-05-18 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
| KR102085496B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-03-05 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| KR101909571B1 (ko) * | 2012-08-28 | 2018-10-19 | 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| KR20180115349A (ko) * | 2012-08-28 | 2018-10-22 | 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| KR20190109601A (ko) * | 2012-08-28 | 2019-09-25 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| KR102025540B1 (ko) | 2012-08-28 | 2019-09-26 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| JP2016500132A (ja) * | 2012-08-28 | 2016-01-07 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． | 広ダイナミックレンジイオンエネルギーバイアス制御、高速イオンエネルギー切り替え、イオンエネルギー制御およびパルスバイアス供給部、および仮想フロントパネル |
| KR20150047522A (ko) * | 2012-08-28 | 2015-05-04 | 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 | 넓은 다이내믹 레인지 이온 에너지 바이어스 제어； 고속 이온 에너지 스위칭； 이온 에너지 제어와 펄스동작 바이어스 서플라이； 및 가상 전면 패널 |
| US11189454B2 (en) | 2012-08-28 | 2021-11-30 | Aes Global Holdings, Pte. Ltd. | Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system |
| JP2015534716A (ja) * | 2012-08-28 | 2015-12-03 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ， Ｉｎｃ． | 切り替えモードイオン分布システムの故障、異常、および他の特性を監視するためのシステムおよび方法 |
| JP2017228558A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
| US10811228B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-10-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Control of plasma processing systems that include plasma modulating supplies |
| US10811227B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-10-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Application of modulating supplies in a plasma processing system |
| US10896807B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-01-19 | Advanced Energy Industries, Inc. | Synchronization between an excitation source and a substrate bias supply |
| US10811229B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-10-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Synchronization with a bias supply in a plasma processing system |
| US10707055B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-07-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
| US10607813B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-03-31 | Advanced Energy Industries, Inc. | Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias |
| US11842884B2 (en) | 2017-11-17 | 2023-12-12 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial monitoring and control of plasma processing environments |
| US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
| US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
| US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
| CN117572136A (zh) * | 2024-01-16 | 2024-02-20 | 国科大杭州高等研究院 | 适用于电推力器响应时间测量的检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4633881B2 (ja) | 2011-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4633881B2 (ja) | プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 | |
| JP4508423B2 (ja) | プラズマ処理システムにおいてエッチング終点を決定するための方法および装置 | |
| TWI411035B (zh) | 使用經由利用平面離子通量探測配置所導出之參數的控制電漿處理之方法 | |
| TWI450643B (zh) | 偵測電漿處理反應器之錯誤情形之方法及裝置 | |
| KR100532523B1 (ko) | 플라즈마를 사용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는반도체제조장치 및 처리방법 및 웨이퍼 전위프로브 | |
| JP4455887B2 (ja) | 電気的特性を利用して、プラズマ反応炉内の膜の状態を判断するシステムおよび方法 | |
| US6771481B2 (en) | Plasma processing apparatus for processing semiconductor wafer using plasma | |
| KR100721227B1 (ko) | 웨이퍼 전압 측정 또는 산정 장치 및 기판의 ｄｃ 바이어스 전압 모니터링 시스템 및 방법 | |
| JP4554037B2 (ja) | 消耗品の消耗度予測方法及び堆積膜厚の予測方法 | |
| JP5246836B2 (ja) | プラズマ処理装置用のプロセス性能検査方法及び装置 | |
| JP2001237097A (ja) | プラズマ計測方法および計測装置 | |
| JP2004534351A (ja) | インピーダンスをモニターするシステム並びに方法 | |
| JPH10509557A (ja) | プラズマ中のイオン流の測定方法及び装置 | |
| JP2002299322A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| US20070035908A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| Sobolewski | Measuring the ion current in electrical discharges using radio-frequency current and voltage measurements | |
| JP2000031072A (ja) | プラズマモニタ方法及び半導体製造装置 | |
| JP2001338917A (ja) | 半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ | |
| US20100327873A1 (en) | Multi-diagnostic apparatus for substrate-level measurements | |
| JP2000208295A (ja) | プラズマ計測電極およびそれを用いた計測方法 | |
| JP2859308B2 (ja) | プラズマパラメーターの測定方法 | |
| JP3959318B2 (ja) | プラズマリーク監視方法，プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，およびコンピュータプログラム | |
| JP2003264179A (ja) | シーズニング終了検知方法及びプラズマ処理方法 | |
| CN102171809B (zh) | 测试静电夹盘的系统和方法 | |
| JP2893391B2 (ja) | プラズマパラメータ測定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060322 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060330 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060906 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081209 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100715 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101013 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101118 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |