JP2000208485A - プラズマ処理方法および装置 - Google Patents

プラズマ処理方法および装置

Info

Publication number
JP2000208485A
JP2000208485A JP11004204A JP420499A JP2000208485A JP 2000208485 A JP2000208485 A JP 2000208485A JP 11004204 A JP11004204 A JP 11004204A JP 420499 A JP420499 A JP 420499A JP 2000208485 A JP2000208485 A JP 2000208485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
voltage
plasma processing
plasma
waveform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11004204A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Omoto
大本  豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP11004204A priority Critical patent/JP2000208485A/ja
Publication of JP2000208485A publication Critical patent/JP2000208485A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体集積回路等の試料を安定に加工する。 【解決手段】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
印加して試料の処理を行うプラズマ処理装置において、
バイアス印加により生じる電流波形または電圧波形をモ
ニタする波形モニタと演算回路と制御回路を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法お
よび装置に係り、特に半導体集積回路等の試料をプラズ
マ処理するのに好適なプラズマ処理方法および装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の技術では、基板でのバイアス電圧
を正弦波として読み取る回路によりピーク電圧のみをモ
ニタしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術ではプラ
ズマ状態の変化などによって生じるバイアス印加状態の
変化をモニタできないため、エッチング特性が変化した
り、チャージングダメージが発生したりして不良ウエハ
を発生させていた。
【0004】本発明の目的は、半導体集積回路等の試料
を安定に加工することのできるプラズマ処理方法および
装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、プラズマを
発生させ試料にバイアス電圧を印加して試料の処理を行
うプラズマ処理方法において、バイアス印加により生じ
る電流波形または電圧波形をモニタする方法とし、プラ
ズマを発生させ試料にバイアス電圧を印加して試料の処
理を行うプラズマ処理装置において、バイアス印加によ
り生じる電流波形または電圧波形をモニタする手段を具
備した装置とすることにより、達成される。
【0006】
【発明の実施の形態】半導体集積回路は高機能,高速化
のため、ますます微細化,複雑化している。微細なパタ
ーンを形成するためには高い寸法制御性能が要求され、
また高速デバイスは薄いゲート酸化膜と低い配線容量を
持つためチャージアップしやすくダメージが発生しやす
くなっている。
【0007】従来は、一度加工条件出しをすれば多少装
置の変動があっても許容誤差範囲内で加工することがで
きたので問題とならなかったが、今日のように微細で高
い加工寸法精度を要求され、またチャージングダメージ
に敏感なデバイスを加工しなければならないようになる
と十分でなく、工程不良発生を引き起こす。
【0008】そこで筆者は、これら加工性能に重大な影
響を与える装置変動が、基板バイアスによる電流または
電圧波形に最も強く現れることを見出し、これをフィー
ドバックしてアースまたは電極部の電気回路を制御する
方法を発明した。
【0009】図1にその実施例を示す。図1はプラズマ
処理装置、この場合、マイクロ波ドライエッチング装置
である。ここで、1は真空処理室で、2は真空処理室1
に気密に設けられ真空処理室1内にマイクロ波を導入す
る石英窓で、3は石英窓2に対向して真空処理室1内に
配置され半導体集積回路を有する試料を配置する試料台
で、4は試料台3に整合器5を介して接続されバイアス
電圧を生じさせるための高周波電源で、6は石英窓2に
連結されマイクロ波を真空処理室1に導くための導波管
で、7は真空処理室1内に磁場を形成するソレノイドコ
イルである。8はガス導入口で、エッチングレシピにし
たがって混合したガスを真空処理室1に導入する。
【0010】本実施例によるモニタ回路は試料台3と整
合器5の接続部の電圧信号および高周波電源4部の電圧
信号を取り込み、エッチング中常時波形をモニタし、マ
イクロプロセッサ9によって条件出し時に記憶された波
形との比較を常時行っている。マイクロプロセッサは制
御信号を発生し、チャンバーアース回路10と電極電気
回路11を制御する。
【0011】この装置に対してチャンバー部材の減肉に
よる経時劣化を強制的に発生させてみた。本実施例を用
いない場合には図2に示すように経時劣化前と比較して
大きく加工形状が変化し、特に寸法が大きく太ってい
る。このとき、装置設置のピーク間電圧モニタの変動は
識別レベル以下であった。また、ゲート酸化膜の不良率
も従来の3%から60%へと大きく劣化している。
【0012】これに対し、本実施例を用いた場合の結果
を述べる。図3は減肉前と強制的に減肉させたときのモ
ニタ波形である。(波形は電源電圧との比較により位相
補正をしている)。ピーク間電圧は変化していないが、
位相が進み波形歪みが減少していることが分かる。そこ
でマイクロプロセッサからチャンバーアース回路10と
電極電気回路11に制御信号を出力しモニタ波形を強制
的に減肉前の状態と同様に復帰させた。その結果、図4
に示すように加工形状は減肉前の状態に復帰し、ゲート
酸化膜の不良率も1%にまで復帰した。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、半導体集積回路等の試
料を安定に加工することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す構
成図である。
【図2】本発明を用いない場合の経時劣化前とその後の
加工形状を示す図である。
【図3】経時劣化前と経時劣化後のモニタ波形を示す図
である。
【図4】経時劣化後の加工形状と、チャンバーアース回
路と電極電気回路に制御信号を出力しモニタ波形を強制
的に減肉前の状態にしたときの加工形状とを示す図であ
る。
【符号の説明】
1…真空処理室、2…石英窓、3…試料台、4…高周波
電源、5…整合器、6…導波管、7…ソレノイドコイ
ル、8…ガス導入口、9…マイクロプロセッサ、10…
チャンバーアース回路、11…電極電気回路。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
    印加して試料の処理を行うプラズマ処理方法において、
    前記バイアス印加により生じる電流波形または電圧波形
    をモニタすることを特徴とするプラズマ処理方法。
  2. 【請求項2】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
    印加して試料の処理を行うプラズマ処理方法において、
    前記バイアス印加により生じる電流波形と電圧波形の位
    相差をモニタすることを特徴とするプラズマ処理方法。
  3. 【請求項3】請求項1項ないし2記載のプラズマ処理方
    法において、前記モニタの信号に基づいてチャンバーア
    ースの電気特性を動的に制御するプラズマ処理方法。
  4. 【請求項4】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
    印加して試料の処理を行うプラズマ処理装置において、
    前記バイアス印加により生じる電流波形または電圧波形
    をモニタする手段を具備したことを特徴とするプラズマ
    処理装置。
  5. 【請求項5】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
    印加して試料の処理を行うプラズマ処理装置において、
    前記バイアス印加により生じる電流波形と電圧波形の位
    相差をモニタする手段を具備したことを特徴とするプラ
    ズマ処理装置。
  6. 【請求項6】請求項4ないし5記載のプラズマ処理装置
    において、前記モニタ手段の信号に基づいて試料を配置
    する電極に接続された電気回路を動的に制御する制御手
    段を設けたプラズマ処理装置。
  7. 【請求項7】プラズマを発生させ試料にバイアス電圧を
    印加して試料の処理を行うプラズマ処理装置において、
    バイアス印加により生じる電流波形または電圧波形をモ
    ニタする波形モニタと演算回路と制御回路とを設けたこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 【請求項8】請求項7記載のプラズマ処理装置におい
    て、前記プラズマ処理がエッチング処理であるプラズマ
    処理装置。
JP11004204A 1999-01-11 1999-01-11 プラズマ処理方法および装置 Pending JP2000208485A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11004204A JP2000208485A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 プラズマ処理方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11004204A JP2000208485A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 プラズマ処理方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000208485A true JP2000208485A (ja) 2000-07-28

Family

ID=11578129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11004204A Pending JP2000208485A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 プラズマ処理方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000208485A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237234A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
JP2007220488A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Tokyo Gas Co Ltd プラズマ放電装置および排気ガス処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237234A (ja) * 2000-02-21 2001-08-31 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
JP4633881B2 (ja) * 2000-02-21 2011-02-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
JP2007220488A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Tokyo Gas Co Ltd プラズマ放電装置および排気ガス処理装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7455174B2 (ja) Rf発生器及び方法
US6174450B1 (en) Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system
US5618382A (en) High-frequency semiconductor wafer processing apparatus and method
US5474648A (en) Uniform and repeatable plasma processing
US6297165B1 (en) Etching and cleaning methods
JP2020004710A (ja) 制御方法及びプラズマ処理装置
US7771608B2 (en) Plasma processing method and apparatus
KR100838750B1 (ko) 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법
US5699223A (en) Method of removing substrate and apparatus for controlling applied voltage
JP3424182B2 (ja) 表面処理装置
JP2634313B2 (ja) 半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法
JPH11224796A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2000208485A (ja) プラズマ処理方法および装置
JP5358364B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2001007089A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP3687474B2 (ja) プラズマ処理装置
JP3599670B2 (ja) プラズマ処理方法および装置
JPH0945672A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP3976480B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2021141010A (ja) 検査方法及びプラズマ処理装置
JP4527833B2 (ja) プラズマ処理装置および方法
JPH01236629A (ja) プラズマ処理装置
JP2002222801A (ja) プラズマ処理装置および方法
JP2001257198A (ja) プラズマ処理方法
JPH07302696A (ja) アースラインのモニター方法およびそれを用いたプラズマ処理装置