CN102171809B

CN102171809B - 测试静电夹盘的系统和方法

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Publication number: CN102171809B
Application number: CN200980139294.3A
Authority: CN
Inventors: 石洪; 绍拉·乌拉尔; 托川·黄; 方严; 麦克切斯尼·乔恩
Original assignee: Lam Research Corp
Current assignee: Lam Research Corp
Priority date: 2008-10-10
Filing date: 2009-10-10
Publication date: 2014-03-12
Anticipated expiration: 2029-10-10
Also published as: TWI484195B; KR101670097B1; US9082805B2; KR20110091649A; CN102171809A; US20120153971A1; WO2010042908A2; US8143904B2; US20100090711A1; SG194409A1; TW201030349A; WO2010042908A3

Abstract

本发明提供用于预测静电夹盘(ESC)的满意性能的可靠的、非侵入式的、电气测试方法。根据本发明的一个方面，在频带上测量ESC的参数(例如阻抗)以产生参数函数。此参数函数可被用于在该频带内为该参数建立预定的可接受范围。

Description

测试静电夹盘的系统和方法

技术领域

本发明涉及测试静电夹盘的系统和方法。

背景技术

静电夹盘（Electrostatic Chucks,ESCs）对精密半导体晶圆制造工艺是必不可少的。现有夹盘可被分为两种主要类型，每种类型有其特定的优点和缺点。

聚亚胺ESC（PESC）中的电介质是强绝缘体，因此，大部分外加电压降是在该电介质两端的并且产生库仑夹持力（Coulombic chucking force）。不幸的是，PESC工作面对擦伤特别敏感。而且，PESC易受颗粒嵌入的影响，这可能导致晶圆的背侧和PESC上的铜电极之间的击穿（arcing）。进而，PESC不能在高温下使用，因为高温操作可能导致水蒸汽的气泡穿过聚亚胺层。

部分导电的陶瓷ESC（CESC）需要恒定电流以实现足够的夹持力，因此CESC泄露电流更大，需要比PESC更大的电力供应。这种依赖电流的夹持力（被称为Johnsen-Rahbek效应）与PESC中的库仑力相比很小。

具有阳极化三氧化铝（Al2O3）的CESC（当前只作为单极器件可用）对湿气极端敏感。而且，在一些双极ESC中，阳极化铝已被用作ESC隔离层。然而，击穿和阳极氧化的缺陷经常导致这类ESC的过早故障。

掺杂的矾土（alumina）还被用于一些CESC以进行蚀刻施加。掺杂的陶瓷帮助将其电阻率控制在Johnson-Rahbeck ESC电阻率范围内。但是玻璃相上的晶粒边界攻击可能改变ESC的表面粗糙度，并因此增加电阻率。而且，变得粗糙的陶瓷表面将导致很高的氦气泄露。无晶圆自动清洁周期过程中在陶瓷表面上对陶瓷晶粒边界上的攻击经常导致陶瓷的阻抗从Johnson-Rahbeck型阻抗转移为Coulombic型阻抗。

高纯度陶瓷（例如，矾土）已被广泛用作ESC表面上的介电圆盘层（dielectric puck layer）。它被用作单极的或双极的ESC。而且，由于其高电阻率它被用作库仑ESC。可使用固体烧结陶瓷或使用热喷淋涂覆将高纯度矾土（例如，纯度为99.7%或更高的）应用为ESC介电圆盘层。

最近出现的CESC（使用烧结的氮化铝（AlN）电介质）具有很差的热传递性质。陶瓷材料的电阻率是依赖于温度的并且与PESC相比在不同的片之间变化更大。AlN与矾土相比具有更高的热传导率。因此，它作为在200摄氏度或更高温度下工作的高温ESC得到了广泛应用。在大多数情况下，AlN表面具有岩滩式（mesa）表面图案以控制ESC与晶圆表面的接触面积。AlN的主要问题是在蚀刻室中使用SF6、NF3和其它F基气体时它可能产生AlF3颗粒。AlF3颗粒是蚀刻室技术中一种主要的颗粒源。因为作为Johnsen-Rahbek ESC，AlN的电阻率依赖于工作温度，所以选择合适类型的AlN以保持能工作的电阻率并保持高密度等离子体下的高等离子体电阻是非常重要的。

根据最终用户要求和安装的设备，PESC和CESC中每一个都将能满意地保持（夹持（Chuck））和释放（解除夹持（Dechuck））。一般而言，使用哪种类型的ESC不重要，ESC的电容和电阻率是ESC功能性的两个关键参数。

图1描绘了传统双极静电夹盘（ESC）100的平面图。ESC100具有上表面102和安装支架104。ESC100包括第一电极106和第二电极108。第一电极106包括内部电极部分110和外部电极部分112。

图2描绘了沿着线x-x的ESC 100的剖面视图。如图2中所示，ESC 100包括后表面（或基底）114。

安装支架104上的安装孔（未示）使得ESC100能安装在系统上。

在操作时，第一电压差被施加在第一电极106和第二电极108两端。该电压差产生电场，其被用于吸引和保持晶圆以进行处理。当处理完成时，第二电压差（解除夹持电压）被施加在第一电极106和第二电极108两端以释放该晶圆。

尽管上面进行了简要描述，但是传统ESC上的电压控制（无论是单极还是多极的）是很关键的。考虑及此，因此可影响这种电压控制的许多ESC参数也是关键的。非限制性参数包括电阻、电容、阻抗和频率相移。而且，可针对ESC的每个单独部分进一步分析该参数，而不是将该夹盘作为整体来分析该参数。其非限制性示例包括，从一个电极到另一电极测量的具体参数（极-到-极）、从一个电极的上表面到基底测量的具体参数（极-到-基底）。

图3描绘了测量ESC100的参数的传统技术。这里，ESC100包括测量端子312、308和310，分别能够允许测量基底114、第一电极106和第二电极108的性质。传统测量装置302包括第一端子304和第二端子306。在此示例中，传统测量装置302可测量两个点之间的ESC100的性质。如图所示，第一端子304可连接于测量端子312或测量端子308，而第二端子306可连接于测量端子312或测量端子310。

用这种方式，当第一端子304连接于测量端子308且当第二端子306连接于测量端子312时，使用极-到-基底测量可以测量第一电极106的性质。类似地，当第一端子304连接于测量端子308且当第二端子306连接于测量端子310时，使用极-到-极测量可以测量第一电极106和第二电极108的性质。类似地，当第一端子304连接于测量端子312且当第二端子306连接于测量端子310时，使用极-到-基底测量可以测量第二电极108的性质。

上面讨论的传统技术，当传统测量装置302能够测量电阻时，用户可测量以下任一项：从极-到-基底的第一电极106的电阻，从极-到-基底的第二电极108的电阻，以及从极-到-极的第一电极106和第二电极108的电阻。类似地，当传统测量装置302能够测量电容时，用户可测量以下任一项：从极-到-基底的第一电极106的电容，从极-到-基底的第二电极108的电容，以及从极-到-极的第一电极106和第二电极108的电容。当传统测量装置302能够测量电感时，用户可测量以下任一项：从极-到-基底的第一电极106的电感，从极-到-基底的第二电极108的电感，以及从极-到-极的第一电极106和第二电极108的电感。类似地，当传统测量装置302能够测量阻抗时，用户可测量以下任一项：从极-到-基底的第一电极106的阻抗，从极-到-基底的第二电极108的阻抗，以及从极-到-极的第一电极106和第二电极108的阻抗。当传统测量装置302能够测量施加电压的频率的相位延迟时，用户可测量以下任一项：从极-到-基底的第一电极106的相位延迟，从极-到-基底的第二电极108的相位延迟，以及从极-到-极的第一电极106和第二电极108的相位延迟。

图1和2描绘了一种类型的传统ESC，且是以非常简单的方式描绘的。没有显示或描述上面讨论的传统双极ESC的许多特征以简化讨论。进一步，没有特别描述许多其它类型的传统ESC，以简化讨论。重要的观念在于，存在测量ESC及其单独部分的具体特性的常规技术。

可靠的电气性能是极为重要的。相应地，ESC制造商在向顾客发货之前要对制造的ESC进行质保检查。一种传统的质保检查可包括确定所制造的ESC的具体参数是否在预定可接受范围内，其非限制性的示例包括：所测量的电阻等于或大于R1Ω且等于或小于R2Ω；所测量的电容等于或大于c1F且等于或小于c2F；所测量的阻抗等于或大于Z1Ω且等于或小于Z2Ω；以及所测量的频率相移等于或大于φ1且等于或小于φ2。在传统方法中，制造商向上面讨论的那样以预定频率fm向端子施加电流或电压。如果所有的重要的性质（例如，用欧姆表测量的电阻）在制造商的预定合格范围内，则确定该ESC是可接受的。

如同下面表I中的示例，测量若干ESC的电阻和电容（p/n718-094523-281-E）。电容测量值的范围在3.478到3.777纳法，而电阻测量值的范围在2.267到3.829兆欧：

装置（序列号）	电容（nF）	电阻（兆欧）
			D19469	3.726	3.829

D17303	3.777	3.244
			D18469	3.725	3.829
D17424	3.640	2.672
			D17697	3.478	2.267

表1

注意，这些装置被制造商认为是可接受的。没有限定测试的第一装置多近会超过最大的可接受电阻，第二装置多近会具有太小的电阻。

ESC的性能将会随着不断使用而变差。如果目视观察明显看出ESC缺陷（裂缝、很深的划痕、残留的颗粒），马上更换是合适的。由于工艺控制系统的灵敏度和复杂度，当ESC无法良好运行时分析出原因是很困难的。现有技术没有提供一种简单的、非侵入式的检测非视觉缺陷的手段。即便该ESC没有良好运转，传统的特性测试，例如，重复制造商的验收测试（如上面所讨论的）可能表明特定的ESC是可接受的。

需要一种可靠的、非侵入式的、确定ESC适于初始化或继续使用的方法。

发明内容

本发明的目标之一是提供一种可靠的、非侵入式的、既为了开始时的验收又为了服务中的使用而预测ESC的满意性能的电气测试方法。

依照本发明的一个方面，一种方法被用于测试具有前表面和后表面并包含第一电极和第二电极的ESC。该方法包含建立频带内该ESC的参数的预定可接受极限，并测量该频带内该ESC的该参数。

根据本发明的另一方面，一种方法用于使用在单一频率下的参数的已知上限和在该单一频率下该参数的已知下限建立静电夹盘的该参数的可接受极限的方法。该方法包含测量频带内的静电夹盘的参数以获得该频带内该参数的函数，产生该频带内该参数的函数的斜率，使用该参数在单一频率下的该已知上限和该参数的函数的斜率产生该参数的可接受上限，以及使用该参数在单一频率下的该已知下限和该参数的函数的斜率产生该参数的可接受下限。

根据本发明的一个方面，一种方法被用于使用在单一频率下的参数的已知上限和在该单一频率下该参数的已知下限建立静电夹盘的该参数的可接受极限。该方法包括多次测量频带内该静电夹盘的该参数以获得相应的该频带内的该参数的多个函数，根据该多个函数产生该参数的平均值，根据该多个函数产生该参数的预定数量的标准偏差，使用该参数的该预定数量的标准偏差产生该参数的可接受上限和该参数的可接受下限。

本发明的更多目标、优点和新颖特征一部分在随后的描述中加以阐述，一部分对本领域的技术人员来说在检视下文后会变得显而易见或者可以通过实践本发明而了解。本发明的目标和优点可以利用在所附权利要求中特别指出的手段及组合而实现和获得。

附图说明

并入说明书中并形成说明书一部分的附图描绘了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1描绘了传统双极ESC的平面图；

图2是图1的传统双极ESC的剖面视图；

图3描绘了测量ESC参数的传统技术；

图4描绘了根据本发明的一方面，测量ESC参数的一种示例性技术；

图5是ESC的示例阻抗作为频率的函数的图表；

图6表示针对在制造商的频率上测量的参数制造商所选的容差；

图7表示根据本发明的一个方面，在频带上针对测量的参数建立容差的示例性方法；

图8描绘了多个所测量的阻抗作为相应的多个ESC的频率的函数；

图9表示根据本发明的一个方面，在频带上针对测量的参数建立容差的另一种示例性方法；

图10是根据本发明的一个方面，测试ESC的示例性方法的流程图；

图11是两个相应的ESC的两个测量的阻抗函数的图表；

图12是图11的图表，已经根据叠加在上面的测量的阻抗函数建立了可接受的上下边界；

图13是根据本发明的一个方面的图表，具有图5的阻抗函数，以及示例性的测量电容函数；

图14是根据本发明的一个方面的图表，具有图5的阻抗函数，以及示例性的测量阻抗函数；

图15是根据本发明的一个方面的图表，具有图5的阻抗函数，以及在不同温度下测量的示例性测量阻抗函数。

图16是将ESC显示为RC电路的示意图；以及

图17是电阻和相移作为频率的对数（log）函数的图表。

具体实施方式

现在将参考图4-15描述本发明的各方面。

图4描绘了根据本发明，测量ESC 100的参数的示例性技术。图4的方法与图3的方法的不同之处在于：图4的方法包括频率响应分析器402而不是图3的传统的测量装置302。频率响应分析器402包括第一端子404和第二端子406。在此示例中，频率响应分析器402可以在两个点测量ESC100的性质。如图所示，第一端子404可以连接于测量端子312或测量端子308，而第二端子406可连接于测量端子312或测量端子310。

用这种方式，当第一端子404连接于测量端子308且当第二端子406连接于测量端子312时，使用极-到-基底测量可以测量到第一电极106的性质。类似地，当第一端子404连接于测量端子308且当第二端子406连接于测量端子310时，使用极-到-极测量可以测量到第一电极106和第二电极108的性质。类似地，当第一端子404连接于测量端子312且当第二端子406连接于测量端子310时，使用极-到-基底测量可以测量到第二电极108的性质。

与图3中所示的方法的传统测量装置302不同，根据本发明，频率响应分析器402测量一个频带上的性质。换句话说，在传统方法中，任何特定性质——无论是阻抗还是电阻\电容等，以及是从极-到-极还是基底-到-基底、表面等——都是在单一频率上测量的。根据本发明的实施方式，可以在一个频带上测量任何特定的性质。下面参考图5更详细地描述这一点。

图5是示例性的阻抗与使用频率响应分析器402从测量端子310到测量端子312测量的ESC100的频率的函数。如该图表中所示，频率响应分析器402测量预定频带内的阻抗，该频带的最低频率是f0，最高频率是ff。具体的频带可由用户确定，且可包括ESC100很可能在该频率下使用的频率。进一步，频率响应分析器402以采样间隔在该频带（f0，ff）内在点502处测量阻抗。点502包括在对应于初始频率f0的点504处的初始阻抗Zo、在对应于频率fm的点506处的阻抗Zm、在对应于最终频率ff的点508处的最终阻抗Zf。点506对应于频率fm，制造商已经根据参考图3描述的传统方法测量了该频率处的阻抗。

点502可被用于拟合（fit）线510，其可被认为是“良好”工作的ESC的阻抗函数。实际上，不是所有的ESC具有相同的阻抗函数，尽管如此仍可被认为是可接受的。根据本发明，有许多针对ESC建立可接受边界的方式。

在根据本发明针对ESC的参数建立可接受边界的一种方法中，制造商可能指出如果能测量的参数在可接受范围内的话则ESC被认为是可接受的。例如，如图6中所示，制造商可允许阻抗Zm上下±σ的预定偏差，Zm当然只是在频率fm处测量的。根据本发明，这种制造商的在阻抗Zm上下±σ的预定可接受偏差可被用于产生可接受的阻抗函数。一种示例性方式包括使用制造商的在阻抗Zm上下±σ的预定可接受偏差，结合线510的斜率。如图7中所示，线702是使用在频率fm处的阻抗为Zm+σ、在线510的斜率下产生的。类似地，线704是使用在频率fm处的阻抗为Zm-σ，在线510的斜率下产生的。因此，线702将是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的上边界，而线704是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的下边界。

在上面参考图5讨论的实施方式中，线510的斜率是线性的。在其它工作示例中，该斜率可能不是线性的。如此，获得斜率的一个方法包括获取所测量的参数的函数的导数。

根据本发明针对ESC的参数建立可接受边界的另一种方法包括从已知可接受的多个ESC获取测量值。例如，图8描绘了这种方法。在该图中，线510的一部分802在上方由多条线804界定而在下方由多条线806界定。多条线804对应于多个ESC的阻抗函数，这些ESC是已知可接受的、而又有比对应于线510的ESC高一定程度的阻抗；而多条线806对应于多个ESC的阻抗函数，这些ESC是已知可接受的、而又有比对应于线510的ESC低一定程度的阻抗。

线802、多条线804和多条线806然后可被用于通过平均阻抗函数和标准偏差产生阻抗函数的可接受边界。例如，如图9中所示，上边界902和下边界904是使用线803、多条线804和多条线806的预定标准偏差创建的。在此示例中，假定线510是多条线804和多条线806的平均函数。这样，线902将是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的上边界，而线904将是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的下边界。

一旦针对ESC的参数建立了可接受边界，可以根据本发明的一方面测试ESC（不管是新的还是用过的）以确定它是否仍然可接受。现在将参考图10描述测试ESC是否合格的一种示例性方法。

图10是根据本发明，测试ESC是否合格的示例性工艺的逻辑流程图。如图所示，工艺1000开始（S1002）并确定要被测量的参数（S1004）。为了讨论的目的，假定要被测量的参数是使用频率响应分析器402从用过的ESC的测量端子310到该用过的ESC的测量端子312测量的阻抗。

一旦确定了要被测量的参数，频率响应分析器402扫描预定的频带（S1006）并测量相应的阻抗。图11显示了来自用过的ESC的测量的阻抗函数与ESC 100的阻抗函数的对比图表，在此示例中已知该ESC 100是可接受的。如该图中所示，用过的ESC的测量的阻抗函数1102不同于线510（ESC 100的测量的阻抗函数）。类似于上面讨论的图5，频率响应分析器402测量预定频带内的阻抗，该频带的初始频率为f0，最终频率为ff。现在参考图12描述测得的阻抗函数1102和测得的阻抗函数510之间的区别。

类似于上面讨论的图7，图12包括相对于测量的阻抗函数建立可接受的上边界和下边界。具体地，线702是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的上边界，而线704是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的可接受阻抗函数的下边界。

在本示例中，测量的阻抗函数1102包括第一部分1202、第二部分1204和第三部分1206。第一部分1202和第三部分1206两者都位于线702和704内并因此被认为是可接受的。然而部分1204位于线704下方，因此将被认为是不可接受的。进一步，部分1204的斜率明显不同于线510的斜率，因此将被认为是不可接受的。

部分1202的一部分1208（其从在频率fα下测量的阻抗Zα跨越到在频率fθ下测量的阻抗Zθ）位于线702和704内，但是具有与线510的斜率明显不同的斜率。类似地，部分1206的一部分1210（其从在频率fφ下测量的阻抗Zφ跨越到在频率fψ下测量的阻抗Zψ）具有与线510的斜率明显不同的斜率。这样，尽管部分1208和1210内测量的阻抗是可接受的，但是相应频带内的阻抗的变化率可能影响到合适性。

再参考图10，一旦测量了该参数（在本示例中是从测量端子310到测量端子312测量的ESC的阻抗函数），确定该ESC是否是可接受的（S1008）。应该注意，根据传统技术，如果图12的ESC是在制造商的测试频率fm下测量的，则线1102的点1212上测量的相应的阻抗指示该ESC是可接受的。然而，根据本发明，人们可以得出，考虑到在部分1204、1208和1210处线1102的斜率明显不同于具有线510的可接受ESC100的斜率，所以ESC是不可接受的。进一步，人们可以得出，考虑到部分1204在线704下方，ESC是不可接受的。

在频带上被测量的参数的幅度的偏差或被测量的参数的变化率的偏差可能表明多个问题或潜在问题中的任何一个，其非限制性示例包括：该ESC的至少一个部件的完整性故障；该ESC的至少一个部件中的应力（这可能导致完整性故障）。进一步，根据本发明，用户可以确定被测试的特定ESC在具体频带内不是可接受的但是在其它频带中是可接受的。例如，再参考图12，用户可以确定被测试的ESC在从频率f0到频率fα和从频率fφ到频率ff是可接受的。如此，可以以更受限的方式使用所测试的ESC而不是丢弃该ESC。

再参考图10，如果确定所测试的ESC是不可接受的，则将其丢弃（S1010）。如果确定所测试的ESC是可接受的，则该用户可能希望针对其它参数进行进一步测试（S1012）。

上面参考图4-12讨论的本发明的示例性实施方式被绘制为双极ESC，其中所测量的参数是从测量端子310到测量端子312所测量的阻抗。当然，也可以测量其它参数。

图13显示了具有图7的阻抗函数，以及电容函数1302的图表。图中ESC100的电容是从测量端子310到测量端子312、从起始频率f0到最终频率ff测量的。该图还描绘了该电容函数的可接受上边界1304和该电容函数的可接受下边界1306。正如上面针对阻抗的前述实施方式所讨论的，这些可接受边界可以许多方式确定。

再参看图10，如果要测量新的参数（S1004），例如图13中所示的电容，则将所测量的电容函数与可接受上边界1304和可接受下边界1306相比较，方式类似于上面针对阻抗所描述的。

在其它实施方式中，图10的步骤1012的“其它参数”可以是来自ESC上的不同端口的新的测量值。例如，另一个参数可以是从测量端子310到测量端子308测量的阻抗。如此，该新的测量值是极-到-极的阻抗。图14描绘了线510和对应于从测量端子310到测量端子312、从起始频率f0到最终频率ff测量的ESC100的阻抗的线1402。在此示例中，线510和1402的阻抗斜率类似，然而线1402的阻抗的大小略微低于线510的阻抗的大小。

在其它实施方式中，图10的步骤S1012的“其它参数”可以是来自ESC上的相同端口的相同参数的新测量值，但是是在不同温度下的。图15描绘了线510、线1502和线1504。线510对应于从测量端子310到测量端子312、从起始频率f0到最终频率ff以及从第一温度t0测量的ESC100的阻抗。线1502对应于从测量端子310到测量端子312、从起始频率f0到最终频率ff以及从第二温度th测量的ESC100的阻抗，其中th>t0。线1504对应于从测量端子310到测量端子312、从起始频率f0到最终频率ff以及从第二温度tl测量的ESC100的阻抗，其中t0>tl。

如同前面讨论的，ESC操纵电场夹持、保持和解除夹持（de-chuck）晶圆以进行处理。因此，ESC的电容是要监控和保持的特别重要的参数。在具体工作示例中，通过经由频率响应分析器测量阻抗而确定电容，在下面会更加详细地讨论。

ESC 100，例如从测量端子310到测量端子312测量的，可以被示意性地描绘为如图16中所示的并联RC电路。在该图中，电阻器1602对应于测量端子310和测量端子312之间的总电阻而电容器1604对应于测量端子310和测量端子312之间的总电容。因为电阻器1602和电容器1604并联，所以通过基础电路理论可以得出ESC 100的总的阻抗Z（从测量端子310到测量端子312测量的）：

Z = \frac{R {X_{c}}^{2}}{R^{2} + {X_{C}}^{2}} - \frac{j R^{2} X_{c}}{R^{2} + {X_{c}}^{2}}

其中

Xc＝1/(ωC)

且其中Xc是以欧姆计量的电容电阻，ω是输入信号的驱动频率，C是以法拉计量的电容而R是以欧姆计量的电阻。

通过使用上面讨论的已知阻抗函数，并通过使用频率响应分析器402测量ESC 100的阻抗（例如从测量端子310到测量端子312测量的），可以确定ESC 100的电容C和电阻R。

在知道电容和电阻是否合格的上下限的情况下，例如已经通过上面讨论的任何示例性方法确定的，ESC 100的测量的阻抗可被用于根据其电阻和电容而确定ESC 100是否是可接受的。例如，根据所测量的阻抗的博德（Bode）图将很容易确定ESC 100是否是可接受的。

图17是显示博德相位图1702和对数-频率轴上的电阻图1704的示例性图表。博德相位图1702描绘了频率被相位偏移了多少，这是根据上面讨论的阻抗的虚部和实部计算出来的。应该注意，博德相位图1702在该图上log 2和log 4之间保持稳定的斜率。如此，在这些频率期间电容变化很小，这表明ESC 100将保持稳定的夹持、保持和解除夹持操作。

上面讨论的示例性实施方式包括双极ESC的测试。当然，根据本发明，可以测试任何类型的ESC。进一步，根据本发明，任何数量的可测量参数、来自不同测量端口或测量点的任何数量的测量值以及用于测量ESC的任何数量的温度可被用于确定合格性。

为了将该方法改编为适用于具体的晶圆生产设备，可以根据设备装置的安装、所选的测试仪器和适用的专有工艺，针对在该设施使用的每种不同类型/式样/系列的ESC制定接受/拒绝标准。在将新的ESC投入使用之前，每个ESC可以被测试并记录其初始值（initial）、基准值（benchmark）和测量值（measurements）。然后，每次测试完ESC后，将该测量值添加到其记录中，直到电阻、电容或任何其它受控参数没有通过验收标准，或者因为其它原因（例如，无法接受的外观瑕疵）而停止使用。

上面为了示意和说明之目的而呈现了对本发明的各优选实施方式的描述。这不是详尽的，也不是为了将本发明限制于所披露的具体形式，而在上述教导之下显然许多修改和变形是可能的。如上所述，选择和描述上面描述的示例性实施方式是为了最好地说明本发明的原理和其实际应用，以使本领域的技术人员最好地在各种实施方式中利用本发明并进行适用于可以想到的特定用途的各种修改。本发明的范围是由所附权利要求限定的。

Claims

1.一种测试静电夹盘的方法，所述静电夹盘具有前表面和后表面并包含至少一个电极，所述方法包含：

建立频带内所述静电夹盘的参数的预定可接受极限，包括：

测量频带内所述后表面和所述至少一个电极之一之间的所述静电夹盘的所述参数以获得所述频带内所述参数的函数；

产生所述频带内所述参数的所述函数的斜率；

使用单一频率下所述参数的已知上限和所述参数的所述函数的斜率产生所述参数的可接受上限，以及

使用单一频率下所述参数的已知下限和所述参数的所述函数的斜率产生所述参数的可接受下限；以及

测量所述频带内所述后表面和所述至少一个电极之一之间的所述静电夹盘的所述参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量所述静电夹盘的第一参数包含测量电阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量所述静电夹盘的第一参数包含测量电容。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量所述静电夹盘的第一参数包含测量阻抗。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数包含在第一温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数以及在第二温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述测量所述静电夹盘的第一参数包含测量电阻、电容和阻抗中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数包含在第一温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数以及在第二温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数。

8.一种使用单一频率下参数的已知上限和所述单一频率下所述参数的已知下限建立静电夹盘的所述参数的可接受极限的方法，所述静电夹盘具有前表面和后表面并包含至少一个电极，所述方法包含：

产生所述频带内所述参数的所述函数的斜率；

使用所述单一频率下所述参数的所述已知上限和所述参数的所述函数的斜率产生所述参数的可接受上限，以及

使用所述单一频率下所述参数的所述已知下限和所述参数的所述函数的斜率产生所述参数的可接受下限。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述测量频带内所述静电夹盘的所述参数包含测量电阻、电容和阻抗的至少一个。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述测量频带内所述静电夹盘的所述参数包含在第一温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数以及在第二温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数。

11.一种使用单一频率下参数的已知上限和所述单一频率下所述参数的已知下限建立静电夹盘的所述参数的可接受极限的方法，所述静电夹盘具有前表面和后表面并包含至少一个电极，所述方法包含：

多次测量频带内所述后表面和所述至少一个电极之一之间的所述静电夹盘的所述参数以获得所述频带内所述参数的相应的多个函数；

基于所述多个函数产生所述函数的平均函数；

基于所述多个函数产生所述参数的预定数量的标准偏差；

使用所述参数的所述预定数量的标准偏差产生所述参数的可接受上限和所述参数的可接受下限。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述测量频带内所述静电夹盘的所述参数包含测量电阻、电容和阻抗的至少一个。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述测量频带内所述静电夹盘的所述参数包含在第一温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数以及在第二温度测量所述频带内所述静电夹盘的所述参数。