KR20220133779A - 배관 구조 및 처리 장치 - Google Patents

배관 구조 및 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20220133779A
KR20220133779A KR1020220030660A KR20220030660A KR20220133779A KR 20220133779 A KR20220133779 A KR 20220133779A KR 1020220030660 A KR1020220030660 A KR 1020220030660A KR 20220030660 A KR20220030660 A KR 20220030660A KR 20220133779 A KR20220133779 A KR 20220133779A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pipes
partial
pipe
piping
process modules
Prior art date
Application number
KR1020220030660A
Other languages
English (en)
Inventor
마사토 가도베
히로미 니타도리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220133779A publication Critical patent/KR20220133779A/ko

Links

Images

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L9/00—Rigid pipes
    • F16L9/18—Double-walled pipes; Multi-channel pipes or pipe assemblies
    • F16L9/19—Multi-channel pipes or pipe assemblies
    • F16L9/20—Pipe assemblies
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
    • F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
    • F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B39/00—Component parts, details, or accessories, of pumps or pumping systems specially adapted for elastic fluids, not otherwise provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B37/00
    • F04B39/12—Casings; Cylinders; Cylinder heads; Fluid connections
    • F04B39/123—Fluid connections
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B41/00—Pumping installations or systems specially adapted for elastic fluids
    • F04B41/06—Combinations of two or more pumps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)

Abstract

[과제] 본 개시는 복수의 배관의 컨덕턴스를 일정하게 하면서, 풋프린트 효율성을 개선할 수 있는 배관 구조 및 처리 장치를 제공한다.
[해결수단] 제1 방에서 서로 인접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 상기 제1 방의 아래층에 있는 제2 방에 배치되며, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 복수의 진공 펌프를 접속하는 배관 구조로서, 상기 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 상기 복수의 진공 펌프를 각각 접속하는 복수의 배관을 갖고, 상기 복수의 배관은, 높이 방향에 있어서 복수의 블록으로 분할되며, 동일 높이의 블록에 이용되는 상기 복수의 배관은, 동일 형상을 갖는다.

Description

배관 구조 및 처리 장치{PIPING STRUCTURE AND PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 배관 구조 및 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 제1 방에 연접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 제1 방에 배치되며, 복수의 프로세스 모듈로 처리하는 기판을 수납한 캐리어를 수용하는 로더 모듈을 포함하는 처리부와, 제1 방에 인접하는 제2 방에 복수의 프로세스 모듈 각각에 대응하여 배치되는 복수의 펌프 유닛을 구비하고, 대응하는 복수의 프로세스 모듈과 복수의 펌프 유닛을 접속하는 접속 배관의 길이가 동일한 처리 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2020-113629호 공보
본 개시는 복수의 배관의 컨덕턴스를 일정하게 하면서, 풋프린트 효율성을 개선할 수 있는 배관 구조 및 처리 장치를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 개시의 일양태에 따른 배관 구조는, 제1 방에서 서로 인접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 상기 제1 방의 아래층에 있는 제2 방에 배치되며, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 복수의 진공 펌프를 접속하는 배관 구조로서,
상기 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 상기 복수의 진공 펌프를 각각 접속하는 복수의 배관을 갖고,
상기 복수의 배관은, 높이 방향에 있어서 복수의 블록으로 분할되며, 동일 높이의 블록에 이용되는 상기 복수의 배관은, 동일 형상을 갖는다.
본 개시에 따르면, 복수의 배관의 컨덕턴스를 동일하게 할 수 있다.
도 1은 본 개시의 제1 실시형태에 따른 처리 장치의 배치의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 배관 구조의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 배관 구조의 정면도이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 배관 구조의 측면도이다.
도 5는 본 개시의 실시형태에 따른 배관 구조의 1개의 배관을 분해하여 나타낸 분해도이다.
도 6은 플랜지의 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 제2 실시형태에 따른 배관 구조의 부분 배관의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은 클린룸 시설 구조물의 개구의 일례를 나타낸 도면이다.
도 9는 배관에 있어서의 변동폭을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 경로의 설정의 사고 방식을 나타낸 도면이다.
도 11은 변동폭을 적게 설정한 배관의 형상의 일례를 나타낸 도면이다.
도 12는 변동폭을 크게 설정한 배관의 형상의 일례를 나타낸 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태의 설명을 행한다.
[제1 실시형태]
도 1은 본 개시의 제1 실시형태에 따른 처리 장치의 배치의 일례를 나타낸 도면이다. 본 실시형태에 따른 처리 장치는, 프로세스 모듈(40)과, 진공 펌프(50)와, 배관 구조(60)를 갖는다. 프로세스 모듈(40)은 제1 방(10)에 설치되어 있고, 진공 펌프(50)는, 제1 방(10)의 아래층의 제2 방(20)에 마련되어 있다. 제1 방(10)과 제2 방(20) 사이에는, 클린룸 시설 구조물(30)이 마련되어 있다.
프로세스 모듈(40)은, 기판(도시하지 않음)을 처리하기 위한 모듈이며, 성막, 어닐링, 에칭 등의 가공 프로세스 또는 제조 프로세스를 기판에 실시하기 위한 모듈이다. 프로세스 모듈(40)은, 처리 효율을 높이기 위해 복수개 병렬로 마련된다. 도 1에 있어서는, 4개의 프로세스 모듈(40)이 마련되어 있다. 프로세스 모듈(40) 외에, 기판을 각 프로세스 모듈(40)에 반입하기 위한 로더(41)가 마련되어 있다. 프로세스 모듈(40)은, 용도에 따라 여러 가지 기판을 처리할 수 있지만, 실리콘 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 부름)를 기판으로서 이용하는 예를 들어 설명한다.
프로세스 모듈(40)은, 여러 가지의 처리를 하는 모듈을 이용할 수 있지만, 본 실시형태에 있어서는, 종형 열처리 장치를 프로세스 모듈로서 이용하는 경우를 설명한다. 프로세스 모듈(40)에는, 복수의 기판을 적재 가능한 기판 유지구가 수납된다. 예컨대, 각 프로세스 모듈(40)은, 50∼200장의 기판을 한번에 처리 가능한 모듈로서 구성된다. 이러한 프로세스 모듈(40)을 복수대 병렬로 배치하여, 동시에 프로세스를 실행함으로써, 처리 매수를 향상시킬 수 있다. 따라서, 복수의 프로세스 모듈(40)을 인접하여 배치시키며, 병렬하여 기판 처리를 행할 수 있다.
또한, 로더(41)는, 복수의 FOUP를 받아 보관하기 위한 장치이며, 복수의 프로세스 모듈(40)에 대하여 1대의 로더(41)를 대응시킴으로써, 단위 면적당의 생산성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 복수의 프로세스 모듈(40)에 대해서도, 인접 배치하여 가능한 한 전체로서 작은 풋프린트가 되도록 구성하는 것이 요구된다.
그런데, 프로세스 모듈(40)은, 진공 프로세스를 실시하는 모듈이기 때문에, 각 프로세스 모듈(40)에 진공 펌프(50)를 접속하여, 프로세스 모듈(40) 내를 진공 배기하는 것이 요구된다. 따라서, 각 프로세스 모듈(40)에 대응하여, 1대 1로 진공 펌프(50)가 마련되고, 4대의 프로세스 모듈(40)에 대응하여 4개의 진공 펌프(50)가 설치된다.
진공 펌프(50)는, 프로세스 모듈(40)의 처리실 내를 진공 배기하는 배기 수단이며, 드라이 펌프, 터보 분자 펌프, 크라이오 펌프 등의 프로세스에 따른 진공 펌프(50)를 이용할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 방(10)에 프로세스 모듈(40)이 설치되고, 아래층의 제2 방(20)에 진공 펌프(50)가 설치되는 경우가 많다. 이 경우, 각 프로세스 모듈(40)과 진공 펌프(50)의 쌍에 대응하여 배관(61∼64)이 설치되어, 각 프로세스 모듈(40)과, 각 진공 펌프(50)를 접속한다. 따라서, 도 1에 있어서는, 프로세스 모듈(40)과 진공 펌프(50)에 대응하여 4개의 배관(61∼64)이 마련되어 있다.
여기서, 제1 방(10)에 있는 프로세스 모듈(40)과, 아래층의 제2 방(20)에 있는 진공 펌프(50)를 배관(60)으로 접속할 때에, 제1 방(10)과 제2 방(20) 사이에 클린룸 시설 구조물(30)이 마련되어 있는 경우가 있다.
클린룸 시설 구조물(30)에는, 개구(31)가 마련되어 있고, 개구(31)를 통과시켜 배관(61∼64)을 설치해야 한다. 즉, 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)의 위치라고 하는 제약 조건이 있는 가운데, 프로세스 모듈(40)과 진공 펌프(50)를 접속해야 한다.
도 1에 있어서는, 프로세스 모듈(40)의 바로 아래에 진공 펌프(50)가 인접 배치된 예를 들고 있지만, 기둥, 벽이라고 하는 제약이 있어, 진공 펌프(50)가 반드시 고르게 배치되지 않는 경우도 있을 수 있다. 그와 같은 경우에, 프로세스 모듈(40)과 진공 펌프(50)의 배치 관계에 기초하여, 가장 사용하기 쉬운 배관을 선택하여 접속하면, 배관의 형상이나 길이가 프로세스 모듈(40)마다 달라, 배기 조건이 변함으로써 각 프로세스 모듈로 행해지는 성막 처리나 에칭 처리 등의 균일성을 유지할 수 없다고 하는 사태가 발생할 수 있다.
그래서, 본 실시형태에 따른 배관 구조에서는, 복수의 배관(61∼64)에 있어서, 컨덕턴스가 동일해지도록, 복수의 배관(61∼64)의 형상 및 길이를 통일하는 구성을 채용하고 있다. 이하, 이 점에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 실시형태에 따른 배관 구조(60)의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 배관 구조(60)는, 4개의 배관(61∼64)을 포함하는데, 배관(61∼64)의 경사져 있는 부분의 방향이 다르다.
도 3은 본 실시형태에 따른 배관 구조의 정면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 배관 구조(60)는, 배관(61∼64)을 갖고, 각 배관(61∼64)은, 높이 방향에 있어서 A∼C의 3영역으로 분할된다. 이 A∼C는, 각 배관(61∼64)의 분할 배관이며, 플랜지로 접속되는 절단 부분이다. 즉, 1부품으로서 배관을 구성하는 단위이다.
여기서, A 영역에 주목하면, 4개의 배관(61∼64)은, 각각 분할 배관(611∼641)을 갖는다. 그리고, 분할 배관(611∼641)은, 배치되어 있는 방향은 다르지만, 전부 동일한 형상을 갖고 있다. 보다 상세하게는, 부분 배관(611∼641)은 각각, 경사부(611a∼641a)와, 직선부(611b∼641b)를 갖지만, 경사부(611a∼641a)끼리는 전부 동일 형상이며, 직선부(611b∼641b)끼리도 동일 형상이다.
구체적으로는, 경사부(611a∼641a)는, 경사져 있는 방향이 각각 다르고, 경사부(611a)는 약간 우방향, 경사부(621a)는 약간 좌방향, 경사부(631a)는 경사부(621a)보다 약간 각도가 큰 좌방향, 경사부(641a)는 정면 방향으로 경사져 있다.
한편, 직선부(611b∼641b)는, 전부 연직 방향으로 연장되어 있는데, 직선부(611b∼641b)끼리는, 배치는 다르지만, 형상은 동일하다.
따라서, 부분 배관(611∼641)에 대해서는, 방향이나 위치는 다르지만, 형상은 전부 동일하다. 동일한 형상을 가지면, 가스의 유통로로서의 조건은 동일하기 때문에, 이들의 컨덕턴스는 전부 동일해진다.
마찬가지로, 영역 B에 있어서는, 배관(61∼64)은, 부분 배관(612∼642)을 각각 갖는다. 그리고, 부분 배관(612∼642)은, 경사부(612a∼642a)와, 직선부(612b∼642b)를 각각 갖는다. 영역 B에 있어서도, 경사부(612a∼642a)가 경사하는 방향은 다르고, 경사부(612a)는 좌측을 향하며, 경사부(622a)는 약간 좌측을 향하고 있다. 경사부(632a)는 정면을 향하며, 경사부(642a)는, 경사부(612a)보다 작고, 경사부(622a)보다 큰 각도로 좌측을 향하고 있다. 그러나, 경사부(612a∼642a)의 형상은 전부 동일하기 때문에, 배기 시의 가스의 컨덕턴스는 동일해진다.
직선부(612b∼642b)에 대해서는, 배치된 위치는 다르지만, 전부 연직 방향으로 연장되어 있고, 길이, 굵기도 동일한 동일 형상이다. 따라서, 부분 배관(612∼642)끼리의 컨덕턴스는 전부 동일해진다.
경사부(612a∼642a)끼리의 형상은 전부 동일하며, 직선부(612b∼642b)끼리의 형상도 전부 동일하기 때문에, 부분 배관(612∼642)끼리의 컨덕턴스도 동일하다.
영역 C에 대해서, 부분 배관(613∼643)은, 직선부(613a∼643a)와, 경사부(613b∼643b)와, 직선부(613c∼643c)를 각각 갖는다. 영역 A, B에 있어서의 부분 배관(611∼641) 및 부분 배관(612∼642)은, 경사부(611a∼641a) 및 경사부(612a∼642a)와, 직선부(611b∼641b 및 612b∼642b)의 조합, 즉 하나의 경사부와 하나의 직선부의 조합이었지만, 부분 배관(613∼643)은, 2개의 직선부(613a∼643a 및 613c∼643c)와 하나의 경사부(613b∼643b)의 조합인 점에서, 영역 A, B의 부분 배관(611∼641) 및 부분 배관(612∼642)과 다르다.
이와 같이, 부분 배관(613∼643)에 있어서의 직선부(613a∼643a 및 613c∼643c)와 경사부(613b∼643b)의 조합은, 용도에 따라 여러 가지 조합으로 할 수 있다.
부분 배관(613∼643)에 있어서도, 직선부(613a∼643a)끼리의 형상은 동일하며, 경사부(613b∼643b)끼리의 형상도 동일하고, 직선부(613c∼633c)끼리의 형상도 동일하기 때문에, 부분 배관(613∼641)끼리의 컨덕턴스도 동일해진다.
또한, 직선부(613a∼643a)의 상대적 위치, 경사부(613b∼643b)의 경사의 방향은 각각 다르지만, 진공 펌프(50)에 접속되는 직선부(613c∼643d)의 진공 펌프(50)에 대한 상대 위치는 동일하게 되어 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 배관 구조(60)는, 프로세스 모듈(30)의 접속 위치로부터 시작하여, 진공 펌프(50)의 최종 도달 시에는 진공 펌프(50)의 배치에 맞는 위치로 할 수 있으며, 도중 경로는 여러 가지 다른 배치로 할 수 있다. 그리고, 그와 같은 다른 도중 경로를 통과하면서도, 모든 영역(A∼C)에 있어서의 형상을 동일하게 할 수 있어, 컨덕턴스를 일정하게 유지할 수 있다.
이와 같이, 높이 방향에 있어서의 모든 영역(A, B, C)에 있어서, 부분 배관(611∼641)끼리, 부분 배관(612∼642)끼리 및 부분 배관(613∼643)끼리는 동일한 형상을 갖기 때문에, 컨덕턴스는 동일해진다. 따라서, 배관(61∼64)끼리의 컨덕턴스도 동일해진다. 이와 같이, 본 실시형태에 따른 배관 구조(60)에 의하면, 복수의 배관(61∼64)에 대해서, 통과 경로, 위치는 각각 다르게 하면서도, 컨덕턴스를 동일하게 할 수 있어, 자유도가 높은 배치와 컨덕턴스의 일정화를 양립시킬 수 있다.
도 4는 본 실시형태에 따른 배관 구조의 측면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 배관 구조(60)의 배관(61∼64)은, 여러 가지 경로를 통과하는 형상으로 구성되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 의해, 자유도가 높은 배치가 가능해진다.
도 5는 본 개시의 실시형태에 따른 배관 구조의 1개의 배관을 분해하여 나타낸 분해도이다. 도 5에 있어서는, 배관(61)을 예로 들어 나타내지만, 배관(62∼64)도 동일한 구성을 갖는다.
도 5에 있어서, 프로세스 모듈 접속측의 부분 배관(611)이 좌측, 진공 펌프 접속측의 부분 배관(613)이 우측, 한가운데의 부분 배관(612)이 중앙에 나타나 있다.
부분 배관(611)은, 경사부(611a)와 직선부(611b)를 갖고, 경사부(611a)의 최상부에는 플랜지(6111), 직선부(611b)의 최하부에는 플랜지(6112)가 마련되어 있다. 프로세스 모듈(40)에 접속되는 플랜지(6111)와, 아래의 부분 배관(612)에 접속되는 플랜지(6112)는, 다른 구조를 갖는다. 이와 같이, 플랜지(6111, 6112)도, 접속하는 대상에 맞추어 적절한 타입의 플랜지를 이용할 수 있다.
이와 같이, 경사부(611a)와 직선부(611b)를 조합함으로써, 경사부(611a)에서 수평 방향으로 배관의 위치를 옮길 수 있다. 또한, 직선부(611b)를 구비함으로써, 부분 배관(611)의 컨덕턴스의 저하를 막을 수 있다. 즉, 경사부(611a)에서 부분 배관(61)의 위치를 옮기고, 위치를 옮길 필요가 없는 개소는, 스트레이트인 배관을 이용하여 컨덕턴스의 증가를 회피한다고 하는 구조를 갖고 있다.
또한, 경사부(611a)의 경사 각도는, 용도에 따라 여러 가지 설정으로 할 수 있지만, 예컨대, 연직 방향에 대하여 20∼70도로 하여도 좋고, 30∼60도로 하여도 좋고, 일례로서 45도로 하여도 좋다. 도 5에 있어서는, 경사부(611a)를 연직 방향에 대하여 45도의 경사 각도로 한 예를 들 수 있다.
한가운데의 부분 배관(612)도, 경사부(612a)와 직선부(612b)를 갖고, 경사부(612a)에서 배관(61)의 위치를 옮기며, 그 이외의 개소는 컨덕턴스를 저하시키기 어려운 직선으로 하고 있다.
부분 배관(612)에 있어서는, 상하 모두 부분 배관(611, 613)이 접속되기 때문에, 상단 및 하단에는 동일한 타입의 플랜지(6121, 6122)가 이용된다.
또한, 경사부(612a)의 경사 각도도, 예컨대 45도로 설정된다. 용도에 따라 경사 각도를 변화시켜서 좋은 점은, 부분 배관(611)에서 설명한 바와 같다.
진공 펌프(50)와 접속되는 부분 배관(613)은, 직선부(613a)와, 경사부(613b)와, 직선부(613c)를 갖는다. 맨 마지막의 직선부(613c)는, 진공 펌프(50)에 접속되는 부분이며, 구조가 간소해지도록 직선부로 구성되어 있다.
경사부(613b)와, 직선부(613a)는, 상하의 순서는 다르지만, 부분 배관(611, 612)에 있어서의 경사부(611a, 612a) 및 직선부(611b, 612b)와 동일한 취지이다.
또한, 부분 배관(613)은, 상단은 부분 배관(612)의 하단과 접속되고, 하단은 진공 펌프(50)와 접속되기 때문에, 상단에 마련되어 있는 플랜지(6131)와, 하단에 마련되어 있는 플랜지(6132)는 다른 구성으로 되어 있다.
이와 같이, 경사부(611a, 612a, 613b)와, 직선부(611b, 612b, 613a, 613c)를 조합한 부분 배관(611∼613)끼리를 접속하여 배관(61)을 구성한다. 이에 의해, 배관(61)을 여러 가지 형상으로 구성할 수 있다.
또한, 이 구성은, 다른 배관(62∼64)도 동일하기 때문에, 배관(61∼64)끼리의 컨덕턴스를 동일하게 할 수 있으며, 컨덕턴스를 일정하게 유지하면서, 클린룸 시설 구조물(30)이나 기둥, 벽의 조건에 따라 여러 가지의 배관 구조(60)로 할 수 있다.
도 6은 플랜지(6111)의 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 플랜지(6111)는, 플랜지부(61111)와, 센터링(61112)과, 클로우 클램프(61113)를 갖는다. 플랜지(6111)는, 배관 중심에 대하여, 회전 방향으로 자유도가 있어, 배관끼리를 회전시켜 접속하는 것이 가능한 구성으로 되어 있다. 이와 같이, 회전 가능한 플랜지(6111)를 이용함으로써, 여러 가지로 각도를 바꾸어 부분 배관(611∼613)을 접속하여, 본 실시형태에 따른 배관 구조(60)를 구성할 수 있다.
또한, 플랜지(6132)의 구조는 플랜지(6111)와 동일하여도 좋고, 플랜지(6112, 6121, 6122, 6131)는, 배관끼리의 접속에 알맞은 회전 가능한 플랜지를 이용할 수 있다.
[제2 실시형태]
도 7은 본 개시의 제2 실시형태에 따른 배관 구조(60a)의 부분 배관(61a)의 일례를 나타낸 도면이다. 제2 실시형태에 따른 배관 구조(60a)의 배관(61a)은, 부분 배관(611, 612)에 대해서는 제1 실시형태에 따른 부분 배관(61)과 동일한 구조를 갖지만, 부분 배관(614)의 직선부(614a)가 하나, 경사부(614b)가 하나로 되어 있는 점에서, 2개의 직선부와 하나의 경사부를 구비하고 있던 부분 배관(613)과 다르다.
이와 같이, 모든 부분 배관(611, 612, 614)에 대해서, 직선부(611b, 612b, 614a)와, 경사부(611a, 612a, 614b)를 하나씩 구비하는 구조로 하여도 좋다. 이 경우에도, 위치를 옮기는 것은 경사부(611a, 612a, 614b)이며, 경사부(611a, 612a, 614b)의 수는 합계 3개로 바뀌지 않기 때문에, 제1 실시형태에 따른 배관 구조(60)의 배관(61)과 마찬가지로 배관(61a)의 위치를 바꿀 수 있다. 또한, 다른 배관(62∼64)에 대해서도, 동일한 구성을 갖는 배관(62a∼64a)으로 할 수 있다.
도 8은 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)의 예를 나타낸 도면이다. 이 개구(31)를 통과할 수 있도록, 배관(61a∼64a)의 형상이 정해지게 된다.
도 9는 배관(61a)에 있어서의 변동폭을 설명하기 위한 도면이다. 도 9의 (a)는 배관(61a)을 위에서 본 평면도이다. 도 9의 (b)는 배관(61a)을 옆에서 본 측면도이다.
도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 경사부(611a, 612a, 614b)의 옆으로 비어져 나온 길이가, 배관(61a)의 변동폭을 결정하게 된다.
도 9의 (b)는 경사부(611a, 612a, 614b)의 변동폭의 설정 방법의 일례를 나타내고 있다. 도 9의 (b)에 있어서는, 부분 배관(611)의 경사부(611a)의 수평 방향에서의 정사영의 길이를 400 ㎜, 부분 배관(612)의 경사부(612a)의 수평 방향에서의 정사영의 길이를 650 ㎜, 부분 배관(614)의 경사부(614b)의 수평 방향에서의 정사영의 길이를 650 ㎜로 설정한 예를 들고 있다. 또한, 경사부의 변동폭은, 정확히는 수평 방향에서의 정사영의 길이이지만, 이후, 「변동폭」이라고 생략하여 불러도 좋은 것으로 한다.
배관(61a)의 가장 위의 부분 배관(611a)은, 도 8에서 나타낸 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)를 통과시키는 부분이며, 변동폭에도 개구(31)의 크기의 제약이 있다. 따라서, 400 ㎜라고 하는 작은 변동폭으로 설정하고 있다.
한편, 부분 배관(612, 614)에서는, 그와 같은 변동폭의 제약은 없기 때문에, 650 ㎜라고 하는 큰 변동폭으로 설정하고 있다.
이러한 설정에 의해, 맨 처음의 부분 배관(611)에서는, 단순히 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)를 통과시킨다고 생각하여 변동폭 제로로 파악하면, 650 ㎜×2=1300 ㎜의 범위에서 자유롭게 배관(61a)의 경로를 설정할 수 있다.
이와 같이, 방의 환경에 따른 제약이 있는 경우에는, 제약이 있는 개소를 작은 변동폭으로 설정하고, 제약이 없는 개소를 큰 변동폭으로 설정하여, 전체로서 충분한 변동폭을 확보할 수 있다.
또한, 경사부(611a, 612a, 614b)의 경사 각도를 일정하게 설정한 경우, 경사부(611a, 612a, 614b)의 길이로 변동폭이 정해지기 때문에, 부분 배관(611)의 경사부(611a)보다, 부분 배관(612, 614)의 경사부(612a, 614b)의 길이를 길게 설정하게 된다.
이와 같이, 부분 배관의 변동폭을, 용도에 따라 여러 가지로 설정할 수 있다. 예컨대, 도 9에 나타내는 바와 같이, 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)의 제약이 있는 경우에는, 통과하는 가장 위의 부분 배관(611)의 경사부(611a)의 변동폭을 작게 하고, 2번째의 부분 배관(612)의 경사부(612a)와 3번째의 부분 배관(614)의 경사부(614b)의 변동폭을 동일하게 크게 하며, 부분 배관(612, 614)의 전체를 동일한 형상으로 하면, 가공 비용도 저감할 수 있다. 도 9에 있어서는, 그와 같은 구성이 나타나 있다.
한편, 그와 같은 제약이 없는 경우에는, 3개의 부분 배관(611, 612, 614)의 경사부(611a, 612a, 614b)의 변동폭을 전부 동일하게 설정하는 것도 가능하다. 이와 같이, 용도에 따라 변동폭의 설정은 자유롭게 행할 수 있다.
도 10은 경로의 설정의 사고 방식을 나타낸 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 클린룸 시설 구조물(30)의 개구(31)를 통과한 후의 부분 배관(612, 614)의 변동폭의 합계의 원 내에서, 임의의 경로를 찾아가는 것이 가능하다. 따라서, 이 원 내에서 가장 스페이스 효율이 좋아지도록 배관(61a∼64a)을 설치할 수 있다.
도 11은 변동폭을 적게 설정한 배관(61a)의 형상의 일례를 나타낸 도면이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 배관(61a)은, 부분 배관(612)에서 이동한 만큼을, 부분 배관(614)에서 되돌리는 것 같은 형상으로 되어 있다. 배관(61a)을 이러한 형상으로 설정하면, 변동폭이 작은 배관 구조(60a)로 할 수 있다.
도 12는 변동폭을 크게 설정한 배관(61a)의 형상의 일례를 나타낸 도면이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 배관(61a)은, 부분 배관(612)에서 우방향으로 이동한 후, 부분 배관(614)에서 우방향으로 더 이동하는 것 같은 형상으로 되어 있다. 배관(61a)을 이러한 형상으로 설정하면, 변동폭이 큰 배관 구조(60a)로 할 수 있다.
이와 같이, 부분 배관(611, 612, 614)의 접속의 방법에 따라, 배관(61a)의 변동폭을 여러 가지로 설정할 수 있어, 여러 가지 제약에 대응하면서, 배관 구조(60a)의 각 배관(61a∼64a)의 컨덕턴스를 일정하게 할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 부분 배관이 3개인 예를 들어 설명하였지만, 요구되는 레이아웃에 따라서는, 부분 배관이 2개여도 좋은 경우가 있다. 또한, 부분 배관을 4개로 하는 것도 가능하다. 단, 접속이 용이함과 구조의 자유도, 컨덕턴스의 저하 정도를 고려하면, 부분 배관이 3개인 경우가 바람직한 케이스가 많다고는 할 수 있다.
또한, 본원의 실시형태에 있어서의 처리 장치는, 진공 배기를 행하면서 가공을 행하는 여러 가지 프로세스 모듈에 적용할 수 있으며, 여러 가지 성막 장치, 어닐링 장치, 에칭 장치 등에의 적용이 가능하다.
이상, 본 개시의 바람직한 실시형태에 대해서 상세히 설명하였지만, 본 개시는 전술한 실시형태에 제한되는 일은 없으며, 본 개시의 범위를 일탈하는 일없이, 전술한 실시형태에 여러 가지 변형 및 치환을 더할 수 있다.

Claims (15)

  1. 제1 방에서 서로 인접 배치된 복수의 프로세스 모듈과, 상기 제1 방의 아래층에 있는 제2 방에 배치되며 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 복수의 진공 펌프를 접속하는 배관 구조로서,
    상기 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 상기 복수의 진공 펌프를 각각 접속하는 복수의 배관
    을 갖고,
    상기 복수의 배관은, 높이 방향에 있어서 복수의 블록으로 분할되며, 동일 높이의 블록에 이용되는 복수의 배관은 동일 형상을 갖는 것인, 배관 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 배관 각각은, 상기 높이 방향에 있어서의 상기 복수의 블록마다 1개의 배관을 포함하는 부분 배관을 갖고, 상기 부분 배관끼리를 접속함으로써 상기 복수의 배관 각각을 구성하는, 배관 구조.
  3. 제2항에 있어서, 복수의 상기 부분 배관 각각은, 경사져 마련되는 경사부와, 연직 방향으로 연장되는 직선부를 포함하는 것인, 배관 구조.
  4. 제3항에 있어서, 상기 경사부의 방향은, 상기 복수의 배관마다 다른 것인, 배관 구조.
  5. 제4항에 있어서, 상기 복수의 배관 각각은 3개의 부분 배관을 포함하는 것인, 배관 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 3개의 부분 배관은, 가장 위의 부분 배관의 경사부의 길이보다, 2번째 및 3번째의 부분 배관의 경사부의 길이 쪽이 긴 것인, 배관 구조.
  7. 제6항에 있어서, 2번째의 부분 배관과 3번째의 부분 배관은 동일 형상의 부분 배관인 것인, 배관 구조.
  8. 제1 방에서 서로 인접 배치된 복수의 프로세스 모듈과,
    상기 제1 방의 아래층에 있는 제2 방에 배치되며, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 복수의 진공 펌프와,
    상기 복수의 프로세스 모듈과, 상기 복수의 프로세스 모듈에 대응하여 마련된 상기 복수의 진공 펌프를 각각 접속하는 복수의 배관
    을 갖고,
    상기 복수의 배관은, 높이 방향에 있어서 복수의 블록으로 분할되고, 동일 높이의 블록에 이용되는 복수의 배관은 동일 형상을 갖는 것인, 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 복수의 프로세스 모듈은 동일한 처리 장치를 포함하고,
    상기 복수의 프로세스 모듈 각각에 마련된 복수의 처리 장치는 동일한 기능을 갖는 것인, 처리 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 복수의 배관 각각은, 상기 높이 방향에 있어서의 상기 복수의 블록마다 1개의 배관을 포함하는 부분 배관을 갖고, 상기 부분 배관끼리를 접속함으로써 상기 복수의 배관 각각을 구성하는 것인, 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 복수의 부분 배관 각각은, 경사져 마련되는 경사부와, 연직 방향으로 연장되는 직선부를 포함하는 것인, 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 경사부의 방향은 복수의 배관마다 다른 것인, 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복수의 배관 각각은 3개의 부분 배관을 포함하는 것인, 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 3개의 부분 배관은, 가장 위의 부분 배관의 경사부의 길이보다, 2번째 및 3번째의 부분 배관의 경사부의 길이 쪽이 긴 것인, 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서, 2번째의 부분 배관과 3번째의 부분 배관은 동일 형상의 부분 배관인 것인, 처리 장치.
KR1020220030660A 2021-03-25 2022-03-11 배관 구조 및 처리 장치 KR20220133779A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021052327A JP2022149962A (ja) 2021-03-25 2021-03-25 配管構造及び処理装置
JPJP-P-2021-052327 2021-03-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220133779A true KR20220133779A (ko) 2022-10-05

Family

ID=83363216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220030660A KR20220133779A (ko) 2021-03-25 2022-03-11 배관 구조 및 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220307627A1 (ko)
JP (1) JP2022149962A (ko)
KR (1) KR20220133779A (ko)
CN (1) CN115132611A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020113629A (ja) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020113629A (ja) 2019-01-10 2020-07-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115132611A (zh) 2022-09-30
US20220307627A1 (en) 2022-09-29
JP2022149962A (ja) 2022-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9793146B2 (en) Method of forming a cleanspace fabricator
JP5503006B2 (ja) 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
JP4389424B2 (ja) 被処理体の搬送機構及び処理システム
KR102076516B1 (ko) 기판 프로세싱 시스템 및 기판들을 프로세싱하는 방법
KR102023794B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 시스템들에서의 공유형 가스 패널들
TWI585889B (zh) 連結型真空處理工具及使用該工具之方法
TW201522692A (zh) 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法
KR102479590B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6271322B2 (ja) 基板処理システム
JP4687682B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
US20090188624A1 (en) Method and apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber
JP5311681B2 (ja) イオン注入装置
JP5476337B2 (ja) 真空処理装置及びプログラム
TW201700374A (zh) 製造裝置、搬運方法及儲存搬運程式的儲存媒體
JP2022176935A (ja) 正確な温度及び流量制御を備えたマルチステーションチャンバリッド
CN111742400A (zh) 移动衬底传送室
KR20220133779A (ko) 배관 구조 및 처리 장치
US10745215B2 (en) Port arrangement for noncontact support platform
CN112368797A (zh) 等离子体扩散设备和系统及在处理炉中扩散等离子体的方法
JP2018515932A (ja) ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法
JP6463220B2 (ja) 処理システム
JP2010272828A (ja) 液晶基板の保管倉庫室
TWI607521B (zh) 製造裝置、運搬方法以及安裝有運搬程式之記憶媒體
JP7279858B2 (ja) 搬送装置、搬送方法および搬送システム
KR102457336B1 (ko) 기판 처리 장치