JP5356732B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、プラズマ処理装置の全体を上方からみた概要を示している。本プラズマ処理装置では、真空搬送室61に4つのプラズマ処理室60(60−1〜60−4)が接続されている。真空搬送室と大気搬送室63は、大気と真空を切替え可能な2つのロック室65(65−1,65−2)を介して接続されている。例えばロック室65−1はロードロック室であり、ロック室65−2はアンロードロック室として使用される。ここでロードロック室とは被処理体を排気搬送室から真空搬送室へ搬入し、対して、アンロードロック室とは真空搬送室から大気搬送室へ被処理体を搬出する際に用いられるものである。もちろん各ロック室がロードロックとアンロードロックを兼用してもよい。大気側搬送室63には被処理体2の中心やノッチ位置を検出するためのウエハアライナー66が設置されている。また、ウエハを収納するためのフープ68を設置するためのウエハステーション67が大気側搬送室に接続されている。また本プラズマ処理装置の全体を制御するためのコンピューター39が設置されている。また、ロック室65−1及び65−2にはガスディフューザーを設置するためのガスディフューザーチャンバー85(85−1と85−2)がそれぞれ接続されている。さらに、処理室60(60−1〜60−4)と真空搬送室61の接続口付近にもガスディフューザー設置するためのガスディフューザーチャンバー85(85−3〜85−6)が設置されている。さらに、真空搬送室61の上方にも、ガスディフューザーを設置するためのガスディフューザーチャンバー85−7が設置されている。
WA>0.5×La (1)
HB>0.5×Db (2)
なお、図4中のLCはガスディフューザーとガスディフューザーを設置した付近の壁面との距離の例を示している。LCが小さすぎると、ガスディフューザーから吹き出るガスの勢いによって、ガスディフューザー近傍の壁に付着している異物粒子が剥離して飛散する。そのため、一般にはLCは5mmよりも大きい方が望ましい。ここでLCが5mm以上とは、ガスディフューザーの直径Dbが10〜20mm程度、長さLaが100〜300mm程度で、ガスの供給量が40L/min〜200L/minの場合を想定している。例えば、ガスディフューザーのガス噴出面の面積がこれより小さい場合や、ガスの供給量がもっと多い場合はLCの値は5mm以上ではなく、例えば10mm以上などと大きくしなければならない。
Dj≧Dk (3)
であることが望ましい。
60:プラズマ処理ユニット、61:真空搬送室、62:真空搬送ロボット、63:大気搬送室、64:大気搬送ロボット、65:ロック室、66:ウエハアライナー、67:ウエハステーション、68:フープ、69:ウエハエッジクリーナー 、70:ゲートバルブ、74:窓、75、枠、80:異物粒子、84:ガスディフューザー、85:ディフューザーチャンバー、86:フランジ、91:O−リング、94:ガス配管接続部、96:ネジ。
Claims (3)
- 処理対象の試料を内部に収納可能で大気圧と真空圧との間で内部の圧力を調節可能なロック室と、このロック室に連結されて前記真空圧にされた内部を前記試料が搬送される真空搬送室と、この真空搬送室に連結されその搬送された前記試料が処理される真空処理容室と、前記真空搬送室と前記ロック室との間の側面に配置されたゲートバルブとを有し、
前記ロック室と接続ポートを介して連通されて当該ロック室内部にガスを導入するガスディフューザーが内部の収納空間内に周囲と隙間をあけて配置され、前記ロック室外側壁面に着脱可能に装着されたディフューザーチャンバーを備え、
前記ガスディフューザーが複数のガス導入口を表面に備えた円柱状の形状を有しており、かつ、搬送される前記試料の表面から見て横向きで前記ロック室の外側壁の側面に沿って配置され、
前記接続ポートは、前記ロック室内部と前記ディフューザーチャンバー内部との間に配置され、前記ロック室とディフューザーチャンバーとを連通した開口であってその上下方向の高さまたは前記外側壁面に沿った方向の幅が前記ロック室内部の寸法より小さい横長の形状を有した前記開口を備えた真空処理装置。 - 請求項1に記載の真空処理装置であって、前記ロック室の上面は開閉可能である真空処理装置。
- 請求項2に記載の真空処理装置であって、
前記ロック室の側面に設けられた接続ポートを有し、
該接続ポートの幅をWA、該接続ポートの高さをHB、前記ガスディフューザーの長さをLa、前記ガスディフューザーの直径をDbとしたとき、次式(1)、(2)の関係を満たすように構成されている真空処理装置。
WA>0.5×La (1)
HB>0.5×Db (2)
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US6764265B2 (en) * | 2002-01-07 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Erosion resistant slit valve |
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