JP3147325B2 - 半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理装置Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの各種処理
に使用される半導体ウエハ処理装置に関し、更に詳しく
は、半導体ウエハの処理室と所定のガス排出口及びガス
導入口を有し減圧可能な予備室とからなる半導体ウエハ
処理装置に関する。
に使用される半導体ウエハ処理装置に関し、更に詳しく
は、半導体ウエハの処理室と所定のガス排出口及びガス
導入口を有し減圧可能な予備室とからなる半導体ウエハ
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、減圧下や大
気と異なる組成のガス雰囲気下等の各種条件で半導体ウ
エハを処理することが行われる。従来、このような処理
工程では、通常、被処理ウエハを大気中から、先ず、ウ
エハ導入用のロード側予備室内に収納した後、予備室中
のガスを排出して減圧とし、次いで要すれば予備室に処
理雰囲気ガスを導入し、予備室に連続する処理室内とほ
ぼ同一ガス雰囲気下として、その後、ウエハを予備室か
ら処理室に移送して処理するのが一般的である。処理室
で所定に処理された処理ウエハは、処理ウエハの取出用
のアンロード側予備室に移送される。この場合、アンロ
ード側予備室は、被処理ウエハを収納したロード側予備
室をアンロード側予備室として併用するか、またはロー
ド側予備室と同様に処理室に連続して別途設ける等のい
ずれかの方式が採用されている。また、被処理ウエハが
移送され収納するアンロード側予備室は、予め処理室内
の雰囲気条件と同様の雰囲気条件に保持される。最後
に、アンロード側予備室に収納された処理ウエハは、予
備室内が有害雰囲気の場合は予めそれらを排気した後、
大気または窒素ガス等の気体を予備室中に導入して処理
ウエハを取り出している。上記のロード側予備室やアン
ロード側予備室は、一般にロードロックと呼ばれ通常真
空等の減圧下に保持され得るようにされている。上記し
たようにロードロック室即ち予備室内は、被処理ウエハ
を外部から搬入または処理ウエハを外部へ搬出する際
に、外部雰囲気に合わせることになり、通常、予備室に
はガス導入口が設けられており、ガスを導入して真空等
の減圧状態を解除できるようになっている。
気と異なる組成のガス雰囲気下等の各種条件で半導体ウ
エハを処理することが行われる。従来、このような処理
工程では、通常、被処理ウエハを大気中から、先ず、ウ
エハ導入用のロード側予備室内に収納した後、予備室中
のガスを排出して減圧とし、次いで要すれば予備室に処
理雰囲気ガスを導入し、予備室に連続する処理室内とほ
ぼ同一ガス雰囲気下として、その後、ウエハを予備室か
ら処理室に移送して処理するのが一般的である。処理室
で所定に処理された処理ウエハは、処理ウエハの取出用
のアンロード側予備室に移送される。この場合、アンロ
ード側予備室は、被処理ウエハを収納したロード側予備
室をアンロード側予備室として併用するか、またはロー
ド側予備室と同様に処理室に連続して別途設ける等のい
ずれかの方式が採用されている。また、被処理ウエハが
移送され収納するアンロード側予備室は、予め処理室内
の雰囲気条件と同様の雰囲気条件に保持される。最後
に、アンロード側予備室に収納された処理ウエハは、予
備室内が有害雰囲気の場合は予めそれらを排気した後、
大気または窒素ガス等の気体を予備室中に導入して処理
ウエハを取り出している。上記のロード側予備室やアン
ロード側予備室は、一般にロードロックと呼ばれ通常真
空等の減圧下に保持され得るようにされている。上記し
たようにロードロック室即ち予備室内は、被処理ウエハ
を外部から搬入または処理ウエハを外部へ搬出する際
に、外部雰囲気に合わせることになり、通常、予備室に
はガス導入口が設けられており、ガスを導入して真空等
の減圧状態を解除できるようになっている。
【０００３】上記の減圧状態を解除するためのガス導入
はバルブを用いて行い、予備室内での微小な埃等パーテ
ィクルの舞い上げを防止するため、従来、バルブの開操
作をゆっくり行うガス導入速度を小さくするスローベン
ント方式が採られている。しかしながら、いかに注意深
くバルブの開閉を操作しても真空等の減圧状態からバル
ブを開けた瞬間は、圧力の急激な変動がありロードロッ
ク室内にパーティクルを舞い上げてしまい、そのパーテ
ィクルがウエハ表面に付着して汚染するという問題点が
あった。そのため、近年、圧力の緩衝を目的として、ロ
ードロック室の壁面に設けられたガス導入口に、金属製
またはテフロン等の多孔性樹脂膜製のエレメントを装着
して操作するようになっており、このエレメントは一般
的にブレイクフィルタと呼ばれている。
はバルブを用いて行い、予備室内での微小な埃等パーテ
ィクルの舞い上げを防止するため、従来、バルブの開操
作をゆっくり行うガス導入速度を小さくするスローベン
ント方式が採られている。しかしながら、いかに注意深
くバルブの開閉を操作しても真空等の減圧状態からバル
ブを開けた瞬間は、圧力の急激な変動がありロードロッ
ク室内にパーティクルを舞い上げてしまい、そのパーテ
ィクルがウエハ表面に付着して汚染するという問題点が
あった。そのため、近年、圧力の緩衝を目的として、ロ
ードロック室の壁面に設けられたガス導入口に、金属製
またはテフロン等の多孔性樹脂膜製のエレメントを装着
して操作するようになっており、このエレメントは一般
的にブレイクフィルタと呼ばれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の金属製
やテフロン等の多孔性樹脂膜製のブレイクフィルタを用
いた予備室においても、半導体ウエハのパーティクル汚
染を所望するようには防止することができず、より汚染
の少ない半導体ウエハの処理装置が求められている。本
発明は、半導体ウエハ処理装置における上記問題点を解
消し、特に、予備室での減圧状態解除時のパーティクル
の舞い上がりを抑止し、半導体ウエハの汚染を防止する
ことを目的とする。発明者らは、上記目的のため、予備
室へのガス導入操作について鋭意検討した結果、従来の
金属製やテフロン等の多孔性樹脂膜製のブレイクフィル
タを用いた場合、以下のような問題点を知見した。即
ち、（１）従来の金属製またはテフロン多孔性膜製フィ
ルタの、一般に採用されている気孔径は比較的大きいた
め、圧力緩衝効果が少なく、パーティクルの舞い上げを
完全に防止することができない。 （２）処理室内で腐食性ガスを使用している場合、処理
室から腐食性ガスはロードロック内への拡散を完全に遮
断することは難しく、金属製ブレイクフィルタや、ネジ
等の取付用金属部材が腐食し易い。 （３）ブレイクフィルタは導入口のみに取付けられてお
り、フィルタ有効面積が小さいため、圧力損失が大き
く、外部圧に戻すのに時間がかかる。 （４）特に、テフロン等の樹脂多孔性膜製フィルタで
は、強度的な問題があり、圧力変動を所定以上小さくで
きず、パーティクルの舞い上りが生じていた。発明者ら
は、更に、上記知見に基づき、圧力変動に対し十分な緩
衝効果を有する予備室へのガス導入操作方法の改良を鋭
意検討した結果、本発明を完成するに到った。
やテフロン等の多孔性樹脂膜製のブレイクフィルタを用
いた予備室においても、半導体ウエハのパーティクル汚
染を所望するようには防止することができず、より汚染
の少ない半導体ウエハの処理装置が求められている。本
発明は、半導体ウエハ処理装置における上記問題点を解
消し、特に、予備室での減圧状態解除時のパーティクル
の舞い上がりを抑止し、半導体ウエハの汚染を防止する
ことを目的とする。発明者らは、上記目的のため、予備
室へのガス導入操作について鋭意検討した結果、従来の
金属製やテフロン等の多孔性樹脂膜製のブレイクフィル
タを用いた場合、以下のような問題点を知見した。即
ち、（１）従来の金属製またはテフロン多孔性膜製フィ
ルタの、一般に採用されている気孔径は比較的大きいた
め、圧力緩衝効果が少なく、パーティクルの舞い上げを
完全に防止することができない。 （２）処理室内で腐食性ガスを使用している場合、処理
室から腐食性ガスはロードロック内への拡散を完全に遮
断することは難しく、金属製ブレイクフィルタや、ネジ
等の取付用金属部材が腐食し易い。 （３）ブレイクフィルタは導入口のみに取付けられてお
り、フィルタ有効面積が小さいため、圧力損失が大き
く、外部圧に戻すのに時間がかかる。 （４）特に、テフロン等の樹脂多孔性膜製フィルタで
は、強度的な問題があり、圧力変動を所定以上小さくで
きず、パーティクルの舞い上りが生じていた。発明者ら
は、更に、上記知見に基づき、圧力変動に対し十分な緩
衝効果を有する予備室へのガス導入操作方法の改良を鋭
意検討した結果、本発明を完成するに到った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
ウエハ処理室と少なくとも１の予備室とが開閉可能な隔
壁を有する連結部により気密に連結なされてなり、且
つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離
されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手
段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段
が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも１のガス
流出口を有し、該ガス流出口にはセラミック製ブレイク
フィルタが配置され、前記セラミック製ブレイクフィル
タは、両端閉鎖中空円筒体と、前記両端閉鎖中空円筒体
の内部空間に挿入されたパイプとからなり、前記両端閉
鎖中空円筒体は、平均細孔径０．５μｍ以下のセラミッ
ク層を有する中空円筒状のセラミックフィルタと、前記
セラミックフィルタの両端を閉鎖する円盤状部材とから
なり、前記パイプは、前記両端閉鎖中空円筒体の閉鎖端
の一方を貫通し、他方の閉鎖端に当接させて閉鎖される
ように配置されると共に、前記両端閉鎖中空円筒体の内
部空間に位置するパイプの周面に、複数の孔が設けられ
ていることを特徴する半導体ウエハ処理装置が提供され
る。
ウエハ処理室と少なくとも１の予備室とが開閉可能な隔
壁を有する連結部により気密に連結なされてなり、且
つ、該予備室が開閉可能な隔壁により外部と気密に隔離
されてなると共に、該予備室には少なくともガス排出手
段及びガス導入手段が配備されており、該ガス導入手段
が該予備室の内部空間に伸延された少なくとも１のガス
流出口を有し、該ガス流出口にはセラミック製ブレイク
フィルタが配置され、前記セラミック製ブレイクフィル
タは、両端閉鎖中空円筒体と、前記両端閉鎖中空円筒体
の内部空間に挿入されたパイプとからなり、前記両端閉
鎖中空円筒体は、平均細孔径０．５μｍ以下のセラミッ
ク層を有する中空円筒状のセラミックフィルタと、前記
セラミックフィルタの両端を閉鎖する円盤状部材とから
なり、前記パイプは、前記両端閉鎖中空円筒体の閉鎖端
の一方を貫通し、他方の閉鎖端に当接させて閉鎖される
ように配置されると共に、前記両端閉鎖中空円筒体の内
部空間に位置するパイプの周面に、複数の孔が設けられ
ていることを特徴する半導体ウエハ処理装置が提供され
る。
【０００６】この場合、予備室の大きさにもよるが、通
常、単一または複数のいずれでも、前記セラミックフィ
ルタの長さが、総合計で５０ｍｍ以上であることが好ま
しい。また、前記セラミック層の平均細孔径は０．１μ
ｍ以上であることが好ましい。また、前記ブレイクフィ
ルタを、前記予備室内に収納されるウエハ表面に対し平
行に配置することが好ましい。更に、前記予備室内に、
導入されるガスが前記ブレイクフィルタにより層流状態
となるようにするのが好ましい。
常、単一または複数のいずれでも、前記セラミックフィ
ルタの長さが、総合計で５０ｍｍ以上であることが好ま
しい。また、前記セラミック層の平均細孔径は０．１μ
ｍ以上であることが好ましい。また、前記ブレイクフィ
ルタを、前記予備室内に収納されるウエハ表面に対し平
行に配置することが好ましい。更に、前記予備室内に、
導入されるガスが前記ブレイクフィルタにより層流状態
となるようにするのが好ましい。
【０００７】
【作用】本発明は上記のように構成され、半導体ウエハ
の処理室への移送時に、外部から一時的に被処理ウエハ
を搬出入して保持するロードロック室である予備室に、
微細粒径のセラミック製ブレイクフィルタを通じてガス
を流出するため、ガス流速を微小に調整可能であり、圧
力変動の緩衝作用を果たし、室内の埃等のパーティクル
の舞い上がり等を防止でき、半導体ウエハをそれらの汚
染から防護することができる。また、セラミック製ブレ
イクフィルタを所定位置に配置することにより、予備室
内へのガス流出を層流状態とすることができ、同様にパ
ーティクルの舞い上がりを極力抑止でき、半導体ウエハ
の汚染を防止することができる。
の処理室への移送時に、外部から一時的に被処理ウエハ
を搬出入して保持するロードロック室である予備室に、
微細粒径のセラミック製ブレイクフィルタを通じてガス
を流出するため、ガス流速を微小に調整可能であり、圧
力変動の緩衝作用を果たし、室内の埃等のパーティクル
の舞い上がり等を防止でき、半導体ウエハをそれらの汚
染から防護することができる。また、セラミック製ブレ
イクフィルタを所定位置に配置することにより、予備室
内へのガス流出を層流状態とすることができ、同様にパ
ーティクルの舞い上がりを極力抑止でき、半導体ウエハ
の汚染を防止することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら詳細に説明する。但し、本発明は下記実施例に
より制限されるものでない。図１は、本発明の一実施例
である塩素系ガスを用いる半導体ウエハエッチング処理
装置の一例の概略説明図である。図１の半導体ウエハエ
ッチング処理装置は、処理室１と、その処理室１の両側
に配置された被処理ウエハ搬入用のロード側予備室２及
び処理ウエハ搬出用のアンロード側予備室３からなる２
つのロードロック室を有し、各予備室２及び３は、それ
ぞれ連結部４及び５により処理室１に気密に連結されて
いる。各連結部４及び５には、開閉できる隔壁６及び７
がそれぞれ配置され、隔壁６及び７が開の状態ではロー
ド側及びアンロード側の予備室２及び３がそれぞれ処理
室１に気密に連通し、一方、閉の状態ではそれぞれ処理
室とは気密に隔離される。処理室１は上下端が閉鎖され
た円筒体であって、上部面にはバルブを有する反応ガス
供給管８が、また、下部面には排気管９が設置されてい
る。また、各予備室２及び３には、それぞれガス排出口
１０及び１１、セラミック製ブレイクフィルタが配置さ
れたガス流出口１２及び１３が配設されている。
しながら詳細に説明する。但し、本発明は下記実施例に
より制限されるものでない。図１は、本発明の一実施例
である塩素系ガスを用いる半導体ウエハエッチング処理
装置の一例の概略説明図である。図１の半導体ウエハエ
ッチング処理装置は、処理室１と、その処理室１の両側
に配置された被処理ウエハ搬入用のロード側予備室２及
び処理ウエハ搬出用のアンロード側予備室３からなる２
つのロードロック室を有し、各予備室２及び３は、それ
ぞれ連結部４及び５により処理室１に気密に連結されて
いる。各連結部４及び５には、開閉できる隔壁６及び７
がそれぞれ配置され、隔壁６及び７が開の状態ではロー
ド側及びアンロード側の予備室２及び３がそれぞれ処理
室１に気密に連通し、一方、閉の状態ではそれぞれ処理
室とは気密に隔離される。処理室１は上下端が閉鎖され
た円筒体であって、上部面にはバルブを有する反応ガス
供給管８が、また、下部面には排気管９が設置されてい
る。また、各予備室２及び３には、それぞれガス排出口
１０及び１１、セラミック製ブレイクフィルタが配置さ
れたガス流出口１２及び１３が配設されている。
【０００９】次ぎに、上記図１に示した半導体ウエハエ
ッチング装置を用いたウエハ処理工程の一例を説明す
る。先ず、ロード側予備室２に設けられた開閉可能な隔
壁（図示せず）を開状態にして外部空間と連通させて、
被処理ウエハＷを予備室２内に搬入した後、隔壁を再び
閉鎖して予備室内２を気密に保持した後、予備室２内
を、ガス排出口１０を通じて排気して減圧状態とする。
次いで、予備室２内に伸延され設置され、且つセラミッ
ク製ブレイクフィルタが配置されたガス流出口１２か
ら、予備室２内に処理室１と同一の雰囲気ガスを導入し
て、予備室２内を処理室１内のガスで置換する第一ガス
導入工程が終了する。上記第一ガス導入工程は、排気減
圧工程と同時に行われてもよいし、また、ガス排出口等
の排気手段を、ロード側予備室２には設置せずに置換用
ガスを導入することによる自然排気のみによって予備室
２内をガス置換してもよい。
ッチング装置を用いたウエハ処理工程の一例を説明す
る。先ず、ロード側予備室２に設けられた開閉可能な隔
壁（図示せず）を開状態にして外部空間と連通させて、
被処理ウエハＷを予備室２内に搬入した後、隔壁を再び
閉鎖して予備室内２を気密に保持した後、予備室２内
を、ガス排出口１０を通じて排気して減圧状態とする。
次いで、予備室２内に伸延され設置され、且つセラミッ
ク製ブレイクフィルタが配置されたガス流出口１２か
ら、予備室２内に処理室１と同一の雰囲気ガスを導入し
て、予備室２内を処理室１内のガスで置換する第一ガス
導入工程が終了する。上記第一ガス導入工程は、排気減
圧工程と同時に行われてもよいし、また、ガス排出口等
の排気手段を、ロード側予備室２には設置せずに置換用
ガスを導入することによる自然排気のみによって予備室
２内をガス置換してもよい。
【００１０】次いで、ロード側予備室２と処理室１とを
気密に連結する連結部４に配設された開閉可能の隔壁６
を開放し、ロード側予備室２と処理室１とを連通させて
被処理ウエハＷを処理室１内に移送して所定のサセプタ
ー上に載置した後、隔壁６を再び閉鎖してロード側予備
室２及び処理室１をそれぞれ気密に隔離する。その後、
処理室１内に反応ガス供給管８から塩素系ガスを供給
し、ウエハＷをエッチング処理する。エッチング処理
後、アンロード側予備室３と処理室１とを連結する連結
部５に配設された開閉可能の隔壁７を開放してアンロー
ド側予備室３と処理室１とを連通させ、エッチング処理
済みの処理ウエハＷは、処理室３内の雰囲気ガスと共に
アンロード側予備室３内に移送された後、隔壁７を再び
閉鎖してアンロード側予備室３及び処理室１をそれぞれ
気密に隔離する。次に、アンロード側予備室３を、ガス
排出口１１により予備室３内のガスを排気し真空等の減
圧状態とする。その後、要すれば排気しながら、予備室
３内に伸延され設置され、且つセラミック製ブレイクフ
ィルタが配置されたガス流出口１３からガス導入し、ア
ンロード側予備室３内を安全雰囲気ガスで置換する第二
ガス導入工程が終了する。最後にアンロード側予備室３
に設けられた開閉可能な隔壁（図示せず）を開放して外
部空間と連通させて、処理ウエハＷを外部空間に取り出
した後、隔壁を再び閉鎖する。
気密に連結する連結部４に配設された開閉可能の隔壁６
を開放し、ロード側予備室２と処理室１とを連通させて
被処理ウエハＷを処理室１内に移送して所定のサセプタ
ー上に載置した後、隔壁６を再び閉鎖してロード側予備
室２及び処理室１をそれぞれ気密に隔離する。その後、
処理室１内に反応ガス供給管８から塩素系ガスを供給
し、ウエハＷをエッチング処理する。エッチング処理
後、アンロード側予備室３と処理室１とを連結する連結
部５に配設された開閉可能の隔壁７を開放してアンロー
ド側予備室３と処理室１とを連通させ、エッチング処理
済みの処理ウエハＷは、処理室３内の雰囲気ガスと共に
アンロード側予備室３内に移送された後、隔壁７を再び
閉鎖してアンロード側予備室３及び処理室１をそれぞれ
気密に隔離する。次に、アンロード側予備室３を、ガス
排出口１１により予備室３内のガスを排気し真空等の減
圧状態とする。その後、要すれば排気しながら、予備室
３内に伸延され設置され、且つセラミック製ブレイクフ
ィルタが配置されたガス流出口１３からガス導入し、ア
ンロード側予備室３内を安全雰囲気ガスで置換する第二
ガス導入工程が終了する。最後にアンロード側予備室３
に設けられた開閉可能な隔壁（図示せず）を開放して外
部空間と連通させて、処理ウエハＷを外部空間に取り出
した後、隔壁を再び閉鎖する。
【００１１】図２はアンロード側予備室の概略説明図で
ある。図２において、アンロード側予備室３には、処理
室に連通する開閉可能な隔壁７及び外部空間に連通する
開閉可能な隔壁１５が設けられている。室内の上部空間
には室外のガス供給源から連続するガス導入管１６が接
続されている。導入管１６の開放端にはセラミック製の
円筒状のブレイクフィルタ１７が接続配置されている。
この場合、円筒状セラミック製ブレイクフィルタ１７の
外径は、通常、直径１０ｍｍ以上が好ましい。また、ブ
レイクフィルタの形状によらず、ガス流出表面積が１５
００ｍｍ2 となるようにすることが好ましい。セラミッ
ク製ブレイクフィルタ１７の長さは、ブレイクフィルタ
の相当径やガス流出表面積、被処理ウエハの径、処理室
の広さ等によって適宜選択することができる。通常は、
５０ｍｍ以上の長さを有することが好ましく、より好ま
しくは５０ｍｍ〜１００ｍｍである。また、ブレイクフ
ィルタを複数設置する場合は、複数のブレイクフィルタ
の総合計の長さが５０ｍｍ以上となるようにするのが好
ましい。セラミック製ブレイクフィルタ１７の長さが５
０ｍｍ以下では、圧力損失が大きく、雰囲気ガスの置換
に時間がかかると共に、ガスを層流状態でウエハ表面に
供給することができず、パーティクルを舞い上げるため
である。上記円筒状セラミック製ブレイクフィルタ１７
は、円筒の外周面の半分、例えば上部半周面を閉塞さ
せ、残りの半周面からのみガスを流出させるようにして
もよい。なお、ロード側予備室も、上記のアンロード側
予備室とほぼ同様に構成することができる。
ある。図２において、アンロード側予備室３には、処理
室に連通する開閉可能な隔壁７及び外部空間に連通する
開閉可能な隔壁１５が設けられている。室内の上部空間
には室外のガス供給源から連続するガス導入管１６が接
続されている。導入管１６の開放端にはセラミック製の
円筒状のブレイクフィルタ１７が接続配置されている。
この場合、円筒状セラミック製ブレイクフィルタ１７の
外径は、通常、直径１０ｍｍ以上が好ましい。また、ブ
レイクフィルタの形状によらず、ガス流出表面積が１５
００ｍｍ2 となるようにすることが好ましい。セラミッ
ク製ブレイクフィルタ１７の長さは、ブレイクフィルタ
の相当径やガス流出表面積、被処理ウエハの径、処理室
の広さ等によって適宜選択することができる。通常は、
５０ｍｍ以上の長さを有することが好ましく、より好ま
しくは５０ｍｍ〜１００ｍｍである。また、ブレイクフ
ィルタを複数設置する場合は、複数のブレイクフィルタ
の総合計の長さが５０ｍｍ以上となるようにするのが好
ましい。セラミック製ブレイクフィルタ１７の長さが５
０ｍｍ以下では、圧力損失が大きく、雰囲気ガスの置換
に時間がかかると共に、ガスを層流状態でウエハ表面に
供給することができず、パーティクルを舞い上げるため
である。上記円筒状セラミック製ブレイクフィルタ１７
は、円筒の外周面の半分、例えば上部半周面を閉塞さ
せ、残りの半周面からのみガスを流出させるようにして
もよい。なお、ロード側予備室も、上記のアンロード側
予備室とほぼ同様に構成することができる。
【００１２】本発明においては、ガス流出部の形状や構
造等がいずれにしても、上記のようにブレイクフィルタ
のガス流出部分の全長が、好ましくは５０ｍｍ以上とな
るようにし、且つ、その部分からはガスが一様に流出す
るような構造で構成させるのが好ましい。複数のブレイ
クフィルタを用いる場合には、各フィルタから流出する
ガスが層流状態となるように配置する。例えば、複数を
それぞれ平行となるよに配置したり、直線状に配置す
る。上記のように構成することにより、予備室内に流出
ガスを層流状態で全方位で導入することができるため、
流出ガスが予備室内に搬入されたウエハ表面をあたかも
箒で掃くように流れパーティクルの舞い上げが極力抑制
される。また、同時に、仮にパーティクルが舞い上って
もウエハ表面にパーティクルが落下付着することを防止
できる。
造等がいずれにしても、上記のようにブレイクフィルタ
のガス流出部分の全長が、好ましくは５０ｍｍ以上とな
るようにし、且つ、その部分からはガスが一様に流出す
るような構造で構成させるのが好ましい。複数のブレイ
クフィルタを用いる場合には、各フィルタから流出する
ガスが層流状態となるように配置する。例えば、複数を
それぞれ平行となるよに配置したり、直線状に配置す
る。上記のように構成することにより、予備室内に流出
ガスを層流状態で全方位で導入することができるため、
流出ガスが予備室内に搬入されたウエハ表面をあたかも
箒で掃くように流れパーティクルの舞い上げが極力抑制
される。また、同時に、仮にパーティクルが舞い上って
もウエハ表面にパーティクルが落下付着することを防止
できる。
【００１３】本発明のセラミック製ブレイクフィルタ
は、平均細孔径０．５μｍ以下、好ましくは０．２μｍ
以下のセラミック層を有する。セラミック層の平均細孔
径が０．５μｍより大きいと、流出ガスが勢いよく噴出
するため、層流状態とならずパーティクルを舞い上げる
ためである。一方、０．１μｍより小さい極微小の平均
細孔径では、圧力損失が大きく予備室へガス導入して雰
囲気ガスの置換に長時間要することになり好ましくな
い。しかし、この場合はフィルタ長さや、配置のフィル
タ数を、予備室の大きさ等を勘案しガス流出表面積を調
整することにより、ガス置換に要する時間を調整するこ
とができる。本発明のセラミック製ブレイクフィルタを
構成するセラミックは、平均細孔径を０．５μｍ以下、
好ましくは０．２μｍ以下にすることができ、且つ、処
理用のガスに対して耐食性を有し、更に耐熱性を有する
セラミックス材であればよく、公知のセラミックス材か
ら適宜選択することができる。通常、アルミナ、炭化珪
素、石英ガラス等のセラミックス材が好適に用いられ
る。特に、アルミナを用いる場合にはその純度が９９％
以上であることが好ましい。
は、平均細孔径０．５μｍ以下、好ましくは０．２μｍ
以下のセラミック層を有する。セラミック層の平均細孔
径が０．５μｍより大きいと、流出ガスが勢いよく噴出
するため、層流状態とならずパーティクルを舞い上げる
ためである。一方、０．１μｍより小さい極微小の平均
細孔径では、圧力損失が大きく予備室へガス導入して雰
囲気ガスの置換に長時間要することになり好ましくな
い。しかし、この場合はフィルタ長さや、配置のフィル
タ数を、予備室の大きさ等を勘案しガス流出表面積を調
整することにより、ガス置換に要する時間を調整するこ
とができる。本発明のセラミック製ブレイクフィルタを
構成するセラミックは、平均細孔径を０．５μｍ以下、
好ましくは０．２μｍ以下にすることができ、且つ、処
理用のガスに対して耐食性を有し、更に耐熱性を有する
セラミックス材であればよく、公知のセラミックス材か
ら適宜選択することができる。通常、アルミナ、炭化珪
素、石英ガラス等のセラミックス材が好適に用いられ
る。特に、アルミナを用いる場合にはその純度が９９％
以上であることが好ましい。
【００１４】実施例１ （セラミック製ブレイクフィルタの作製）図３は本実施
例に用いた本発明のセラミック製ブレイクフィルタの一
例の一部断面構造説明図である。図３において、直径１
９ｍｍ、長さ５０ｍｍのアルミナセラミック円筒体の筒
表面に、平均細孔径が０．２μｍのアルミナセラミック
層を有するセラミックフィルタ２０（東芝セラミックス
（株）製、商品名メンブラロックス）に、その両端にテ
フロン製ガスケット２１、２１を介してステンレス（Ｓ
ＵＳ３１６Ｌ）製の円盤２２、２２を配し、両端閉鎖中
空円筒体を形成した。この両端閉鎖中空円筒体に、一方
の閉鎖端から円盤２２を貫通して内部の空間にステンレ
ス製パイプ２３を挿入した。パイプ２３のセラミックフ
ィルタ２０の中空部内の端部は閉鎖し、中空部内に位置
するパイプ２３周面には約２ｍｍの孔２４が軸方向に一
定の間隔を有して６個穿設し、同時に、軸方向に所定間
隔ずれると共に軸の回転方向に９０度づつずれた位置の
周面に同様に穿設孔２４’が計２４個設けた。上記のよ
うに構成して形成したセラミック製ブレイクフィルタ１
７において、パイプ２３内に流したガスはパイプの孔２
４、２４’からセラミックフィルタ２０の中空部内に流
出し、セラミックフィルタ２０を介してその外周面から
一様に噴流出させることができた。なお、円盤２２やパ
イプ２３等の金属部分の腐食をより完全に防止するため
に金属部分にセラミックを溶射する等の防食処理を施し
ても良い。
例に用いた本発明のセラミック製ブレイクフィルタの一
例の一部断面構造説明図である。図３において、直径１
９ｍｍ、長さ５０ｍｍのアルミナセラミック円筒体の筒
表面に、平均細孔径が０．２μｍのアルミナセラミック
層を有するセラミックフィルタ２０（東芝セラミックス
（株）製、商品名メンブラロックス）に、その両端にテ
フロン製ガスケット２１、２１を介してステンレス（Ｓ
ＵＳ３１６Ｌ）製の円盤２２、２２を配し、両端閉鎖中
空円筒体を形成した。この両端閉鎖中空円筒体に、一方
の閉鎖端から円盤２２を貫通して内部の空間にステンレ
ス製パイプ２３を挿入した。パイプ２３のセラミックフ
ィルタ２０の中空部内の端部は閉鎖し、中空部内に位置
するパイプ２３周面には約２ｍｍの孔２４が軸方向に一
定の間隔を有して６個穿設し、同時に、軸方向に所定間
隔ずれると共に軸の回転方向に９０度づつずれた位置の
周面に同様に穿設孔２４’が計２４個設けた。上記のよ
うに構成して形成したセラミック製ブレイクフィルタ１
７において、パイプ２３内に流したガスはパイプの孔２
４、２４’からセラミックフィルタ２０の中空部内に流
出し、セラミックフィルタ２０を介してその外周面から
一様に噴流出させることができた。なお、円盤２２やパ
イプ２３等の金属部分の腐食をより完全に防止するため
に金属部分にセラミックを溶射する等の防食処理を施し
ても良い。
【００１５】（予備室の形成）図４はセラミック製ブレ
イクフィルタを予備室ハウジング内に配置した概念説明
図である。図５は予備室ハウジング内のセラミック製ブ
レイクフィルタと半導体ウエハとの位置関係を示す説明
図である。図４において、上記のようにして形成したセ
ラミック製ブレイクフィルタ１７を、予備室ハウジング
３０内の上部に、ウエハカセット３１上に直径６インチ
のウエハＷをセットしたときに、ブレイクフィルタ１７
がウエハＷの中心直上部に位置するように配置した（図
５参照）。また、バルブＶ１を介してガス導入管３２を
ブレイクフィルタ１７のパイプ２３に接続し、ハウジン
グ３０内とガス排出管３３を連絡させ、ガス排出管３３
にはバルブＶ２を配設し、更に、微調整バルブＶ３をバ
ルブＶ２をバイパスしてガス排出管３３に配設した。ま
た、ハウジング内圧測定圧力計Ｐを配設した。
イクフィルタを予備室ハウジング内に配置した概念説明
図である。図５は予備室ハウジング内のセラミック製ブ
レイクフィルタと半導体ウエハとの位置関係を示す説明
図である。図４において、上記のようにして形成したセ
ラミック製ブレイクフィルタ１７を、予備室ハウジング
３０内の上部に、ウエハカセット３１上に直径６インチ
のウエハＷをセットしたときに、ブレイクフィルタ１７
がウエハＷの中心直上部に位置するように配置した（図
５参照）。また、バルブＶ１を介してガス導入管３２を
ブレイクフィルタ１７のパイプ２３に接続し、ハウジン
グ３０内とガス排出管３３を連絡させ、ガス排出管３３
にはバルブＶ２を配設し、更に、微調整バルブＶ３をバ
ルブＶ２をバイパスしてガス排出管３３に配設した。ま
た、ハウジング内圧測定圧力計Ｐを配設した。
【００１６】（予備室内の減圧及び昇圧操作）上記のよ
うに形成した予備室ハウジング３０内に、直径６インチ
のウエハＷをカセット３１上にセットした。次いでブレ
イクフィルタ１７をウエハの中心直上部になるようにセ
ットした。次いで、ガス排出管３３からハウジング３０
内を５×１０-2Ｔｏｒｒの減圧にした。その後、ガス導
入管３２からバルブＶ１を介し高純度窒素ガスをガス流
量を一定にして流通させ、ブレイクフィルタ１７からハ
ウジング３０内に高純度窒素ガスを流出導入し、大気圧
まで昇圧した。このときのハウジング３０内の圧力とガ
ス流量の関係を図６に示した。上記のように操作した
後、ウエハＷを取り出しその面上に付着していたパーテ
ィクルの数と大きさをウエハ表面欠陥検査装置で測定し
た。同様に操作を３回行い、その結果の平均値を表１に
示した。
うに形成した予備室ハウジング３０内に、直径６インチ
のウエハＷをカセット３１上にセットした。次いでブレ
イクフィルタ１７をウエハの中心直上部になるようにセ
ットした。次いで、ガス排出管３３からハウジング３０
内を５×１０-2Ｔｏｒｒの減圧にした。その後、ガス導
入管３２からバルブＶ１を介し高純度窒素ガスをガス流
量を一定にして流通させ、ブレイクフィルタ１７からハ
ウジング３０内に高純度窒素ガスを流出導入し、大気圧
まで昇圧した。このときのハウジング３０内の圧力とガ
ス流量の関係を図６に示した。上記のように操作した
後、ウエハＷを取り出しその面上に付着していたパーテ
ィクルの数と大きさをウエハ表面欠陥検査装置で測定し
た。同様に操作を３回行い、その結果の平均値を表１に
示した。
【００１７】実施例２〜４ フィルタの長さを５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍと
した以外は、実施例１と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表１に示した。
した以外は、実施例１と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表１に示した。
【００１８】比較例１ ブレイクフィルタ１７をガス導入管３２に配置しないで
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例１と同一に操作した。実施例２
と同様にウエハ上のパーティクル付着の合計数のみ測定
し、その結果を表１に示した。
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例１と同一に操作した。実施例２
と同様にウエハ上のパーティクル付着の合計数のみ測定
し、その結果を表１に示した。
【００１９】
【表１】
【００２０】比較例２ 長さ１００ｍｍで、平均細孔径が３μm の金属製ブレイ
クフィルタを使用した以外は、実施例１と同一に操作し
た。その結果を表１に示した。
クフィルタを使用した以外は、実施例１と同一に操作し
た。その結果を表１に示した。
【００２１】実施例５ 実施例１と同一の装置を用い、ガス導入管３２からバル
ブＶ１を介し高純度窒素ガスをガス流速が一定となるよ
うに予備室内の昇圧操作を行った以外は、実施例１と同
様に操作した。そのときのハウジング３０内の圧力とガ
ス流量の関係を図７に示した。また、ウエハ上のパーテ
ィクル付着について実施例１と同様に測定し、その結果
を表２に示した。
ブＶ１を介し高純度窒素ガスをガス流速が一定となるよ
うに予備室内の昇圧操作を行った以外は、実施例１と同
様に操作した。そのときのハウジング３０内の圧力とガ
ス流量の関係を図７に示した。また、ウエハ上のパーテ
ィクル付着について実施例１と同様に測定し、その結果
を表２に示した。
【００２２】
【表２】
【００２３】実施例６〜８ フィルタの長さを５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍと
した以外は、実施例５と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表２に示した。
した以外は、実施例５と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表２に示した。
【００２４】比較例３ ブレイクフィルタ１７をガス導入管３２に配置しないで
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例５と同一に操作した。ウエハ上
のパーティクル付着の合計数のみ測定し、その結果を表
２に示した。
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例５と同一に操作した。ウエハ上
のパーティクル付着の合計数のみ測定し、その結果を表
２に示した。
【００２５】比較例４ 長さ１００ｍｍで、平均細孔径が３μm の金属製ブレイ
クフィルタを使用した以外は、実施例５と同一に操作し
た。その結果を表２に示した。
クフィルタを使用した以外は、実施例５と同一に操作し
た。その結果を表２に示した。
【００２６】実施例９ 実施例１と同一の装置を用い、ガス導入管３２からバル
ブＶ１を介し高純度窒素ガスを供給初期から中期におい
て流量が時間とともに比例して増大するように予備室内
の昇圧操作を行った以外は、実施例１と同様に操作し
た。そのときのハウジング３０内の圧力とガス流量の関
係を図８に示した。また、ウエハ上のパーティクル付着
結果を表３に示した。
ブＶ１を介し高純度窒素ガスを供給初期から中期におい
て流量が時間とともに比例して増大するように予備室内
の昇圧操作を行った以外は、実施例１と同様に操作し
た。そのときのハウジング３０内の圧力とガス流量の関
係を図８に示した。また、ウエハ上のパーティクル付着
結果を表３に示した。
【００２７】
【表３】
【００２８】実施例１０〜１２ フィルタの長さを５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍと
した以外は、実施例９と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表３に示した。
した以外は、実施例９と同様にして予備室の操作を行っ
た。ウエハ上のパーティクル付着については、合計数の
み測定し、その結果を表３に示した。
【００２９】比較例５ ブレイクフィルタ１７をガス導入管３２に配置しないで
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例９と同一に操作した。ウエハ上
のパーティクル付着については、合計数のみ測定し、そ
の結果を表３に示した。
ハウジング３０内にガス導入管３２端部から直接ガスを
導入した以外は、実施例９と同一に操作した。ウエハ上
のパーティクル付着については、合計数のみ測定し、そ
の結果を表３に示した。
【００３０】比較例６ 長さ１００ｍｍで、平均細孔径が３μm の金属製ブレイ
クフィルタを使用した以外は、実施例９と同一に操作し
た。その結果を表３に示した。
クフィルタを使用した以外は、実施例９と同一に操作し
た。その結果を表３に示した。
【００３１】上記実施例及び比較例から明らかなよう
に、本発明の微細な平均細孔径を有するセラミック製ブ
レイクフィルタを用いて予備室内の昇圧を行った場合に
は、フィルタ無しの場合は勿論、金属製フィルタに比し
てパーティクルの付着が極めて低減され、パーティクル
の舞い上がりが抑止されていることが分かる。また、セ
ラミック製ブレイクフィルタが長くなる程、パーティク
ルの付着が逓減することも分かる。更に、減圧からガス
を導入して常圧に戻すために要する時間も短く実用的で
ある。
に、本発明の微細な平均細孔径を有するセラミック製ブ
レイクフィルタを用いて予備室内の昇圧を行った場合に
は、フィルタ無しの場合は勿論、金属製フィルタに比し
てパーティクルの付着が極めて低減され、パーティクル
の舞い上がりが抑止されていることが分かる。また、セ
ラミック製ブレイクフィルタが長くなる程、パーティク
ルの付着が逓減することも分かる。更に、減圧からガス
を導入して常圧に戻すために要する時間も短く実用的で
ある。
【００３２】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ処理装置は、外部
から被処理ウエハを一時的に搬出入して保持するロード
ロック室のガス流出口に所定のセラミック製ブレイクフ
ィルタをセットすることにより、圧力変動時の緩衝効果
が発現され、また、層流状態でガスを予備室内に流出さ
せることができため、従来法で問題とされている予備室
内でのパーティクルの舞い上がりによる半導体ウエハ汚
染を防止できる。また、予備室における減圧から昇圧す
るに要する時間も短く、工業的に有用である。
から被処理ウエハを一時的に搬出入して保持するロード
ロック室のガス流出口に所定のセラミック製ブレイクフ
ィルタをセットすることにより、圧力変動時の緩衝効果
が発現され、また、層流状態でガスを予備室内に流出さ
せることができため、従来法で問題とされている予備室
内でのパーティクルの舞い上がりによる半導体ウエハ汚
染を防止できる。また、予備室における減圧から昇圧す
るに要する時間も短く、工業的に有用である。
【図１】本発明の一実施例の半導体ウエハエッチング処
理装置の概略説明図である。
理装置の概略説明図である。
【図２】本発明の一実施例のアンロード側予備室の概略
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の実施例に用いたセラミック製ブレイク
フィルタの一部断面構造説明図である。
フィルタの一部断面構造説明図である。
【図４】本発明のセラミック製ブレイクフィルタを予備
室ハウジング内に配置した概念説明図である。
室ハウジング内に配置した概念説明図である。
【図５】本発明の予備室ハウジング内のセラミック製ブ
レイクフィルタと半導体ウエハとの位置関係の一例を示
す説明図である。
レイクフィルタと半導体ウエハとの位置関係の一例を示
す説明図である。
【図６】本発明の一実施例におけるセラミック製ブレイ
クフィルタからガス流量を一定にして流通させて、予備
室ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧
力とガス流量の関係図である。
クフィルタからガス流量を一定にして流通させて、予備
室ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧
力とガス流量の関係図である。
【図７】本発明の一実施例におけるセラミック製ブレイ
クフィルタからガス流速を一定にして流通させて、予備
室ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧
力とガス流量の関係図である。
クフィルタからガス流速を一定にして流通させて、予備
室ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧
力とガス流量の関係図である。
【図８】本発明の一実施例におけるセラミック製ブレイ
クフィルタから供給初期から中期において流量が時間と
ともに比例して増大するようにして流通させて、予備室
ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧力
とガス流量の関係図である。
クフィルタから供給初期から中期において流量が時間と
ともに比例して増大するようにして流通させて、予備室
ハウジング内を減圧から大気圧まで昇圧したときの圧力
とガス流量の関係図である。
１ 処理室 ２ ロード側予備室 ３ アンロード側予備室 ４、５ 連結室 ６、７、１５ 隔壁 ８ 反応ガス供給管 ９ 排気管 １０、１１、３３ ガス排出管 １２、１３ ガス流出口 １６、３２ ガス導入管 １７ セラミック製ブレイクフィルタ ２０ セラミックフィルタ ２１ ガスケット ２２ 円盤 ２３ パイプ ２４ 孔 ３０ 予備室ハウジング ３１ ウエハカセット Ｗ ウエハ Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３ バルブ Ｐ 圧力計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/205
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハ処理室と少なくとも１の予
備室とが開閉可能な隔壁を有する連結部により気密に連
結なされてなり、且つ、該予備室が開閉可能な隔壁によ
り外部と気密に隔離されてなると共に、該予備室には少
なくともガス排出手段及びガス導入手段が配備されてお
り、該ガス導入手段が該予備室の内部空間に伸延された
少なくとも１のガス流出口を有し、該ガス流出口にはセ
ラミック製ブレイクフィルタが配置され、 前記セラミック製ブレイクフィルタは、両端閉鎖中空円
筒体と、前記両端閉鎖中空円筒体の内部空間に挿入され
たパイプとからなり、 前記両端閉鎖中空円筒体は、平均細孔径０．５μｍ以下
のセラミック層を有する中空円筒状のセラミックフィル
タと、前記セラミックフィルタの両端を閉鎖する円盤状
部材とからなり、 前記パイプは、前記両端閉鎖中空円筒体の閉鎖端の一方
を貫通し、他方の閉鎖端に当接させて閉鎖 されるように
配置されると共に、前記両端閉鎖中空円筒体の内部空間
に位置するパイプの周面に、複数の孔が設けられている
ことを特徴する半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項２】 前記セラミックフィルタは、長さが総合
計で５０ｍｍ以上であり、かつ、前記セラミックス層の
平均細孔径が０．１μｍ以上である請求項１記載の半導
体ウエハ処理装置。 - 【請求項３】 前記ブレイクフィルタが、前記予備室内
に収納されるウエハ表面に対し平行に配置される請求項
１または２記載の半導体ウエハ処理装置。 - 【請求項４】 前記予備室内に、前記ブレイクフィルタ
により層流状態でガスが導入される請求項１、２または
３記載の半導体ウエハ処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21529994A JP3147325B2 (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | 半導体ウエハ処理装置 |
| TW084108573A TW293136B (ja) | 1994-08-17 | 1995-08-16 | |
| KR1019950025281A KR0172519B1 (ko) | 1994-08-17 | 1995-08-17 | 반도체 처리시스템의 가스공급헤드 및 로드 록 실 |
| US08/516,361 US5578129A (en) | 1993-03-17 | 1995-08-17 | Gas supplying head and load lock chamber of semiconductor processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21529994A JP3147325B2 (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | 半導体ウエハ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864582A JPH0864582A (ja) | 1996-03-08 |
| JP3147325B2 true JP3147325B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=16670027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21529994A Expired - Lifetime JP3147325B2 (ja) | 1993-03-17 | 1994-08-17 | 半導体ウエハ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147325B2 (ja) |
| KR (1) | KR0172519B1 (ja) |
| TW (1) | TW293136B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101625014B1 (ko) * | 2014-03-28 | 2016-05-27 | 유니이노 주식회사 | 보행 타입 바이크 |
| KR101835901B1 (ko) | 2010-05-17 | 2018-03-07 | 작사 네트웍스 | 가변 트랙을 갖는 차량 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3926890B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| KR100489638B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치제조설비의건식식각설비 |
| JP3367421B2 (ja) * | 1998-04-16 | 2003-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ |
| US20040118343A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-06-24 | Tapp Frederick L. | Vacuum chamber load lock purging method and apparatus |
| KR100621804B1 (ko) * | 2004-09-22 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 디퓨저 및 그를 구비한 반도체 제조설비 |
| KR100686285B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2007-02-22 | 주식회사 래디언테크 | 플라즈마 처리 장치 및 배기 판 |
| KR200449961Y1 (ko) * | 2008-05-07 | 2010-08-25 | 삼성물산 주식회사 | 퍼지 캡 |
| JP5356732B2 (ja) | 2008-06-06 | 2013-12-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| JP7169169B2 (ja) * | 2018-11-15 | 2022-11-10 | クアーズテック株式会社 | ブレイクフィルタおよびその製造方法 |
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