KR20020091765A - 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20020091765A
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마츠나가다츠히사
사토아키히로
아쿠츠노리오
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 프로세스튜브를 용이하게 탈착할 수 있는 배치식 CVD 장치를 제공하는 것이다.
복수 매의 웨이퍼(W)를 보트(26)로 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브(14)와, 보트(26)를 처리의 전후에 수용하여 프로세스튜브(14)에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버(4)와, 보트(26)를 승강시키는 보트 엘리베이터(18)를 구비하고, 프로세스튜브(14)는 로드록 챔버(4)에 탑재되어 보트 엘리베이터(18)로 승강되고, 보트(26)는 보트 엘리베이터(18)의 승강판(22)에 세워진 지주(23)에 밀봉(seal) 캡(25)을 거쳐서 지지되고, 지주(23)의 외측에는 로드록 챔버(4)의 지주 삽입 통과구(12)를 기밀하게 밀봉하는 벨로스(27)가 로드록 챔버(4)와 승강판(22) 사이에 장착되어 있다.
로드록 챔버와 함께 프로세스튜브를 하강시킬 수 있기 때문에, 프로세스튜브를 용이하게 탈착하여 유지 보수할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND A METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING SAME}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이 것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법, 특히 로드록 챔버를 구비한 것에 관한 것으로, 예컨대 반도체 소자를 포함하는 반도체 집적 회로가 장착된 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 불순물을 확산하거나 절연막이나 금속막 등의 CVD막을 형성하거나 하는 기판 처리 장치에 이용하여 유효한 것에 관한 것이다.
종래의 이러한 종류의 기판 처리 장치로서는 특허 공보 제2548062호에 기재된 종형 열 처리 장치가 있다. 이 종형 열 처리 장치는 웨이퍼를 지지한 보트를 아래로부터 반입반출하고 보트의 반입시에는 밀폐되는 처리 챔버와, 처리 챔버의 아래쪽에 배치되어 상하로 신축 가능한 금속 벨로스로 이루어지는 로드록 챔버를구비하고 있고, 이 로드록 챔버는 크기가 다름과 동시에 상하에 배치된 두개의 신축 가능한 챔버부와, 이 두개의 챔버부를 연결함과 동시에 두개의 챔버부가 수축했을 때에는 이들을 중첩된 상자(크기의 차례대로 포개어 안에 넣을 수 있게 만든 상자)식으로 수납하는 연결 수단으로 구성되어 있다. 두개의 챔버부 중 상부에 위치하는 챔버부의 개방된 상단부는 처리 챔버에 기밀하게 결합되어, 두개의 챔버부 중 하부에 위치하는 챔버부의 하단부 내측은 보트에 기밀하게 결합되어 있고, 로드록 챔버의 외측에 마련된 승강 수단이 상기 연결 수단과 하부에 위치하는 챔버부의 하단부 외측에 결합되어, 이 승강 수단에 의해서 두개의 챔버부가 수축되도록 구성되어 있다.
그러나, 상기한 종형 열 처리 장치에 있어서는, 웨이퍼가 지름 300㎜가 되면 로드록 챔버의 내측의 챔버부를 구성하는 금속 벨로스의 지름은 400㎜ 이상이 되기 때문에, 로드록 챔버 내부를 진공 상태로 한 경우에는 로드록 챔버의 내부의 압력은 대기압(1kgf/㎠)과의 압력 차이에 근거하는 하중이 걸리므로 약 1200㎏이 된다. 또한, 외측의 챔버부를 구성하는 금속 벨로스의 지름은 500㎜ 정도가 되기 때문에, 로드록 챔버 내부를 진공 상태로 한 경우에는 로드록 챔버의 내부의 압력은 약 2000㎏이 된다. 그 결과, 승강 수단의 구동부가 너무 대형으로 되어 버린다고 하는 폐해가 파생한다.
그런데, 처리 챔버 내부의 프로세스튜브 및 보트의 표면은 처리 가스에 노출됨으로써 그 표면에는 반응 생성물이 부착되기 때문에, 프로세스튜브 및 보트는 정기적으로 세정되게 된다. 따라서, 프로세스튜브 및 보트는 처리 챔버에 대하여 탈착할 필요가 있다.
그러나, 상기한 열 처리 장치에서는, 프로세스튜브는 처리 챔버와 함께 이동시키지 않으면 출력할 수 없으며, 보트는 로드록 챔버를 분리하지 않으면 출력할 수 없다.
본 발명의 목적은 보트 엘리베이터가 대형이 되는 것을 회피하면서 프로세스튜브를 용이하게 탈착할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 복수 매의 기판을 보트로 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브와, 상기 보트를 상기 처리의 전후에 수용하여 상기 프로세스튜브에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버를 구비하고 있고, 상기 로드록 챔버는 상기 프로세스튜브를 탑재한 상태로 승강 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기한 수단에 의하면, 예컨대 프로세스튜브를 세정할 때에는 로드록 챔버를 하강시킴으로써 프로세스튜브를 함께 하강시킬 수 있기 때문에, 용이하게 탈착할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 1실시예인 배치식 CVD 장치를 도시하는 평면도,
도 1b는 본 발명의 1실시예인 배치식 CVD 장치를 도시하는 평면단면도,
도 2는 웨이퍼 차징 공정을 도시하는 측면단면도,
도 3은 성막 공정을 도시하는 측면단면도,
도 4는 보트 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 5는 프로세스튜브 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 6은 프로세스튜브 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 7은 본 발명의 다른 실시예인 배치식 CVD 장치의 웨이퍼 차징 공정을 도시하는 측면 단면도,
도 8은 성막 공정을 도시하는 측면단면도,
도 9는 보트 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 10은 프로세스튜브 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 11은 프로세스튜브 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도,
도 12는 본 발명의 별도의 다른 실시예인 배치식 CVD 장치의 웨이퍼 차징 공정을 도시하는 측면단면도,
도 13은 성막 공정을 도시하는 측면 단면도,
도 14는 프로세스튜브 반출 공정을 도시하는 일부 절단 측면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
W : 웨이퍼(기판) 1 : 배치식 CVD 장치(기판 처리 장치)
2 : 하우징 3 : 고정구
4 : 로드록 챔버 5 : 웨이퍼 반입반출구
6 : 게이트 7 : 보수점검구
8 : 게이트 9 : 배기관
10 : 보트 반입반출구 11 : 게이트
12 : 삽입 관통구 13 : 히터유닛(처리 챔버)
14 : 프로세스튜브 15 : 매니폴드
16 : 가스도입관 17 : 배기관
18 : 보트 엘리베이터 19 : 이송 나사 축
20 : 벨트 전동 장치 21 : 모터
22 : 승강판 23 : 지주
24 : 플랜지 25 : 밀봉 캡
26 : 보트 27 : 벨로스
28 : 결합부재 30 : 웨이퍼 탑재 이송 장치
31 : 로터리 액츄에이터 32 : 제 1 리니어 액츄에이터
33 : 제 2 리니어 액츄에이터 34 : 이동대
35 : 핀셋(tweezer) 36 : 엘리베이터
37 : 클린유닛 40 : 웨이퍼 반입반출구
41 : 포드 오프너 42 : 탑재대
43 : 캡 탈착기구 18A : 보트 엘리베이터
19A : 둥근 파이프 지주
이하, 본 발명의 1실시예를 도면에 의거하여 설명한다.
본 실시예에 있어서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반도체 장치의 제조방법에 있어서 웨이퍼에 불순물을 확산하거나 절연막이나 금속막 등의 CVD막을 형성하는 공정에 사용되는 배치식 종형 확산·CVD 장치(이하, 배치식 CVD 장치라고 함)로서 구성되어 있다. 또한, 이 배치식 CVD 장치(1)에서는 웨이퍼 반송용 캐리어로서 FOUP(front opening unified pod. 이하, 포드라고 함)가 사용되고 있다.
이하의 설명에 있어서, 전후좌우는 도 1을 기준으로 한다. 즉, 포드 오프너(41)측을 전측, 그 반대측, 즉 로드록 챔버(4)측을 후측, 클린유닛(37)측을 우측, 그 반대측, 즉 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)의 엘리베이터측(36)을 좌측으로 한다.
도 1a 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 배치식 CVD 장치(1)는 하우징(2)을 구비하고 있고, 하우징(2)의 내부에 있어서의 후단부에는 후기하는 보트(26)를 수용 가능한 기밀실로 형성된 로드록 챔버(4)가 설치되어 있다. 로드록 챔버(4)는 하우징(2)의 내부에 승강할 수 있도록 설치되어 있고, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 통상 운용시에는 하우징(2)의 상부에 배치되어 고정구(3)로 고정되어 있다. 로드록 챔버(4)의 전면벽에는 게이트(6)에 의해서 개폐되는 웨이퍼 반입반출구(5)가 개설되어 있다. 로드록 챔버(4)의 후면벽에는 보수점검 등에 있어서 보트를 로드록 챔버(4)의 내부에 대하여 출납하기 위한 보수점검구(7)가 개설되어 있고, 통상시에는 보수점검구(7)는 게이트(8)에 의해서 폐색되어 있다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 로드록 챔버(4)에는 배기관(9)이 접속되어 있고, 로드록 챔버(4)의 내부는 배기관(9)에 의해서 소정의 압력으로 유지되도록 되어 있다.
로드록 챔버(4)의 천장벽에는 보트 반입반출구(10)가 개설되어 있고, 보트반입반출구(10)는 게이트(11)에 의해서 개폐되도록 되어 있다. 또한, 로드록 챔버(4)의 바닥벽에는 후기하는 지주(23)를 삽입 통과하기 위한 삽입 관통구(12)가 그 중심선이 보트 반입반출구(10)의 중심선과 대략 중첩되도록 개설되어 있다.
하우징(2)의 후단부의 상부에는 처리 챔버로서의 히터유닛(13)이 수직 방향으로 설치되어 있고, 히터유닛(13)의 내부에는 상단부가 폐색하고 하단부가 개구한 원통형상의 프로세스튜브(14)가 동심원으로 배치되어 있다. 프로세스튜브(14)는 로드록 챔버(4)의 천장벽의 위에 매니폴드(15)를 거쳐서 지지되어 있고, 매니폴드(15)에는 프로세스튜브(14)의 원통 중공부에 의해서 형성된 처리실에 원료 가스나 퍼지 가스 등을 도입하기 위한 가스도입관(16)과, 프로세스튜브(14)의 내부를 배기하기 위한 배기관(17)이 접속되어 있다. 매니폴드(15)는 로드록 챔버(4)의 보트 반입반출구(10)에 동심원으로 배치되어 있다. 프로세스튜브(14) 및 매니폴드(15)의 중심과 로드록 챔버(4)의 중심은 대략 동일한 연직선상에 위치되어 있다.
하우징(2)의 하부에는 보트 및 로드록 챔버를 승강시키기 위한 보트 엘리베이터(18)가 로드록 챔버(4)의 외측에 설치되어 있다. 보트 엘리베이터(18)는 하우징(2)의 후벽의 외측 하부에 수직으로 입각되어 회전 가능하게 지지된 이송 나사 축(19)과, 이송 나사 축(19)을 벨트 전동 장치(20)를 거쳐서 정역 회전시키는 모터(21)와, 이송 나사 축(19)에 승강 가능하게 나사 결합된 승강판(22)을 구비하고 있고, 승강판(22)의 선단부에 수직으로 설치된 지주(23)를 이송 나사 축(19)의 정역 회전에 의해서 승강시키도록 구성되어 있다. 이송 나사 축(19)의 승강판(22)의 승강 스토로크는 프로세스튜브(14)의 높이 이상으로 설정되어 있다. 지주(23)의 하단부에는 플랜지(24)가 돌출 설치되어 있고, 플랜지(24)가 승강판(22)의 선단부에 당접되어 고정됨으로써, 지주(23)는 승강판(22)의 선단부에 수직으로 설치되어 있다. 또한, 이송 나사 축(19)과 승강판(22)의 나사 결합부에는 작동이나 백래시(backlash)를 양호하게 하기 위해서 볼나사 기구를 사용하는 것이 바람직하다.
지주(23)의 상단부는 로드록 챔버(4)의 바닥벽에 개설된 삽입 관통구(12)를 윗쪽으로 삽입 통과되어 있고, 그 상단부에는 밀봉 캡(25)이 수평으로 설치되어 있다. 밀봉 캡(25)은 프로세스튜브(14)의 화로구가 되는 로드록 챔버(4)의 보트 반입반출구(10)를 밀봉하도록 구성되어 있음과 동시에, 보트(26)를 수직으로 지지하도록 구성되어 있다. 보트(26)는 복수 매(예컨대, 25장, 50장, 100장, 125장, 150장씩 등)의 웨이퍼(W)를 그 중심을 맞추어 수평하게 지지한 상태로, 프로세스튜브(14)의 처리실에 대하여 보트 엘리베이터(18)에 의한 밀봉 캡(25)의 승강에 따라 반입반출하도록 구성되어 있다. 지주(23)의 중심선은 프로세스튜브(14) 및 매니폴드(15)의 중심과 로드록 챔버(4)의 중심과의 대략 동일한 연직선상에 위치되어 있다.
지주(23)의 외측에는 스테인레스강 등의 금속이 사용되어 원통의 주름상자형상으로 형성된 벨로스(27)가 로드록 챔버(4)의 삽입 관통구(12)를 기밀하게 밀봉하도록 동심원으로 배치되어 있고, 벨로스(27)의 상단 개구부 주변은 로드록 챔버(4)의 하면에 있어서의 삽입 관통구(12)의 개구부 주변에 고정되고, 벨로스(27)의 하단 개구부 주변은 지주(23)의 플랜지(24)의 상면에 고정되어 있다. 벨로스(27)의내경은 삽입 관통구(12)의 내경과 대략 동일하게 설정되어 있고, 벨로스(27)는 지주(23)의 승강에 추종하여 신축함으로써, 지주(23)의 승강을 허용하면서 삽입 관통구(12)를 기밀하게 밀봉하도록 되어 있다.
도 1a 내지 도 3 도시된 바와 같이, 하우징(2)내의 전측 영역에는 보트(26)에 대하여 웨이퍼(W)를 차징 및 디스차징하는 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)가 설치되어 있다. 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)는 로터리 액츄에이터(31)를 구비하고 있고, 로터리 액츄에이터(31)는 상면에 설치된 제 1 리니어 액츄에이터(32)를 수평면내에서 회전시키도록 구성되어 있다. 제 1 리니어 액츄에이터(32)의 상면에는 제 2 리니어 액츄에이터(33)가 설치되어 있고, 제 1 리니어 액츄에이터(32)는 제 2 리니어 액츄에이터(33)를 수평 이동시키도록 구성되어 있다. 제 2 리니어 액츄에이터(33)의 상면에는 이동대(34)가 설치되어 있고, 제 2 리니어 액츄에이터(33)는 이동대(34)를 수평 이동시키도록 구성되어 있다. 이동대(34)에는 웨이퍼(W)를 아래로부터 지지하는 핀셋(35)이 복수 매(본 실시예에서는 5장), 등간격으로 배치되어 수평으로 장착되어 있다. 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)는 이송 나사 장치 등에 의해서 구성된 엘리베이터(36)에 의해서 승강되도록 되어 있다. 엘리베이터(36)의 반대측에는 하우징(2)의 내부에 클린 에어를 공급하는 클린유닛(37)이 설치되어 있다.
도 1a 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 하우징(2)의 정면벽에는 웨이퍼를 하우징(2)에 대하여 반입반출하기 위한 웨이퍼 반입반출구(40)가 개설되어 있고, 웨이퍼 반입반출구(40)에는 포드 오프너(41)가 설치되어 있다. 포드 오프너(41)는포드(P)를 탑재하는 탑재대(42)와, 탑재대(42)에 탑재된 포드(P)의 캡을 탈착하는 캡 탈착기구(43)를 구비하고 있고, 탑재대(42)에 탑재된 포드(P)의 캡을 캡 탈착기구(43)로 탈착함으로써 포드(P)의 웨이퍼 출납구(40)를 개폐하도록 되어 있다. 포드 오프너(41)의 탑재대(42)에 대해서는 포드(P)가 도시하지 않는 공정내 반송 장치(RGV)에 의해서 공급 및 배출되도록 되어 있다.
이하, 상기 구성에 따른 배치식 CVD 장치(1)를 사용한 본 발명의 1실시예인 반도체 장치의 제조 방법의 성막 공정을 설명한다.
성막해야 할 웨이퍼(W)는 복수 매가 포드(P)에 수납된 상태로, 성막 공정을 실시하는 배치식 CVD 장치(1)로 공정내 반송 장치에 의해서 반송되어 온다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반송되어 오는 포드(P)는 포드 오프너(41)의 탑재대(42) 위에 공정내 반송 장치로부터 건네 받아 탑재된다. 포드(P)의 캡이 캡 탈착기구(43)에 의해서 분리되어 포드(P)의 웨이퍼 출납구(40)가 개방된다.
포드(P)가 포드 오프너(41)에 의해서 개방되면, 웨이퍼(W)는 포드(P)에서 5장씩 하우징(2)의 내부에 설치된 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)의 핀셋(35)에 의해서 하우징(2)의 웨이퍼 반입반출구(40)를 통해서 픽업되어, 웨이퍼 반입반출구(40)를 통해서 하우징(2)의 내부로 반입된다. 5장의 웨이퍼(W)가 하우징(2)의 내부로 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 반입되면, 로드록 챔버(4)의 웨이퍼 반입반출구(5)가 게이트(6)에 의해서 개방된다. 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)의 핀셋(35)에 의해서 유지된 5장의 웨이퍼(W)는 보트(26)로 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 웨이퍼 반입반출구(5)를 통하여 장전(차징)된다.
이후, 웨이퍼(W)의 포드(P)에서 보트(26)로의 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의한 장전작업이 반복된다. 그 동안, 보트 반입반출구(10)가 게이트(11)에 의해서 폐쇄됨으로써, 프로세스튜브(14)의 고온분위기가 로드록 챔버(4)의 내부에 유입되는 것은 방지되고 있다. 이 때문에, 장전도중의 웨이퍼(W) 및 장전된 웨이퍼(W)가 고온분위기에 노출되는 일이 없어, 웨이퍼(W)가 고온분위기에 노출되는 것에 의한 자연산화 등의 폐해의 파생은 방지되게 된다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 사전에 지정된 매수의 웨이퍼(W)가 보트(26)에 장전되면 웨이퍼 반입반출구(5)는 게이트(6)에 의해서 폐쇄된다. 덧붙여서 말하면, 로드록 챔버(4)의 보수점검구(7)는 게이트(8)에 의해서 폐쇄되어 있고, 보트 반입반출구(10)는 게이트(11)에 의해서 폐쇄되어 있다. 이와 같이 로드록된 상태에서 로드록 챔버(4)는 배기관(9)에 의해서 진공으로 배기함으로써, 내부의 산소나 수분이 제거된다.
로드록 챔버(4)의 내부의 산소나 수분이 진공배기에 의해서 제거되면, 도 3에 도시된 바와 같이 보트 반입반출구(10)가 게이트(11)에 의해서 개방되고, 보트(26)는 지주(23)를 거쳐서 보트 엘리베이터(18)에 의해서 상승되어 프로세스튜브(14)의 처리실로 반입(로딩)된다. 보트(26)가 상한에 도달하면, 보트(26)를 유지한 밀봉 캡(25)의 상면의 주변부가 보트 반입반출구(10)를 밀봉 상태로 폐색하기 때문에, 프로세스튜브(14)의 처리실은 기밀하게 폐쇄된 상태가 된다.
여기서, 로드록 챔버(4)의 내부의 산소나 수분이 사전에 제거되어 있기 때문에, 보트(26)의 프로세스튜브(14)로의 반입에 따라 외부의 산소나 수분이 프로세스튜브(14)의 처리실로 침입하는 것은 확실하게 방지되게 된다. 또한, 보트(26)의 프로세스튜브(14)로의 반입에 따라 보트(26)를 지지한 지주(23)가 상승함으로써, 벨로스(27)는 상하 방향으로 수축하지만, 벨로스(27)의 내측공간도 삽입 관통구(12)를 통하여 로드록 챔버(4)와 동시에 진공배기되고 있기 때문에, 벨로스(27)의 수축에 따라 벨로스(27)의 내측공간의 산소나 수분이 로드록 챔버(14)로 압출되는 현상의 발생은 미연에 방지되게 된다.
그 후, 프로세스튜브(14)의 처리실은 기밀하게 폐쇄된 상태에서 소정의 압력이 되도록 배기관(17)에 의해서 배기되고, 히터유닛(13)에 의해서 소정의 온도로 가열되어, 소정의 원료 가스가 가스도입관(16)에 의해서 소정의 유량만큼 공급된다. 이것에 의해서, 사전에 설정된 처리 조건에 대응하는 소망하는 막이 웨이퍼(W)에 형성된다.
사전에 설정된 처리 시간이 경과하면, 도 2에 도시된 바와 같이 보트(26)가 보트 엘리베이터(18)에 의해서 하강됨으로써, 처리 완료 웨이퍼(W)를 유지한 보트(26)가 로드록 챔버(4)의 내부로 반출(언로딩)된다. 이 때, 보트(26)의 프로세스튜브(14)로부터의 반출에 따라 보트(26)를 지지한 지주(23)가 하강함으로써 벨로스(27)는 상하 방향으로 신장하는데, 벨로스(27)의 내측공간의 압력은 삽입 관통구(12)를 통하여 로드록 챔버(4)의 내압과 동일하게 되어 있기 때문에, 벨로스(27)는 정상적으로 신장할 수 있다.
보트(26)가 로드록 챔버(4)의 내부로 반출되면, 우선 보트 반입반출구(10)가 게이트(11)에 의해서 폐쇄됨과 동시에, 로드록 챔버(4)의 로드록이 해제된다. 이어서, 로드록 챔버(4)의 웨이퍼 반입반출구(5)가 게이트(6)에 의해서 개방되고, 보트(26)의 처리 완료 웨이퍼(W)가 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 배출(디스차징)된다. 계속해서, 하우징(2)의 웨이퍼 반입반출구(40) 및 포드 오프너(41)의 탑재대(42)에 탑재된 비어있는 포드(P)의 캡이 포드 오프너(41)에 의해서 개방되고, 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 디스차징된 처리 완료된 웨이퍼(W)가 탑재대(42)의 비어있는 포드(P)에 웨이퍼 반입반출구(40)를 통하여 수납된다.
소정 매수의 처리 완료 웨이퍼(W)가 수납되면, 포드(P)는 캡 탈착기구(43)에 의해서 캡을 장착한 후에 포드 오프너(41)의 탑재대(42)로부터 다음 처리공정으로 공정내 반송 장치에 의해서 반송되어 간다. 이 디스차징작업 및 포드(P)로의 수납작업이 보트(26)의 모든 처리 완료 웨이퍼(W)에 대하여 반복되어 간다.
이후, 전술한 작용이 반복되어 웨이퍼(W)가 예컨대 25장, 50장, 100장, 125장, 150장씩 배치식 CVD 장치(1)에 의해서 배치 처리되어 간다. 이 배치 처리 동안에는 로드록 챔버(4)는 하우징(2)의 상부에 고정구(3)에 의해서 고정된 상태를 유지하고 있다.
그런데, 되풀이하여 처리를 실시하면 프로세스튜브(14)의 내면 및 보트(26)의 표면에도 성막의 퇴적이나 이물질의 부착에 의한 오염이 발생한다. 프로세스튜브(14)의 내면 및 보트(26)의 표면의 퇴적물이나 이물질이 뜻하지 않게 박리하여 이물질(particle)이 되면, 배치식 CVD 장치, 나아가서는 반도체 장치의 제조 방법의 양품률의 저하의 원인이 되기 때문에, 프로세스튜브(14) 및 보트(26)는 정기적 또는 부정기적으로 세정 등의 유지 보수 작업을 실시해야 한다.
이하, 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 특징 공정인 유지 보수 공정을 설명한다.
우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 로드록 챔버(4)가 하우징(2)의 상부에 배치되어 있음과 동시에, 보트(26)가 로드록 챔버(4)에 배치되어 있는 상태에서 보수점검구(7)가 게이트(8)에 의해서 개방된다. 이 때, 로드록 챔버(4)의 로드록은 해제되고, 보트(26)의 웨이퍼(W)는 모두 제거되어 비어있는 상태가 된다. 계속해서, 비어있는 보트(26)는 로드록 챔버(4)로부터 보수점검구(7)를 통하여 반출되어 보트 세정 공정으로 반송된다.
다음에, 도 5에 도시된 바와 같이, 지주(23)가 로드록 챔버(4)의 내부를 보트 엘리베이터(18)에 의해서 상승된다. 이 때, 보트(26)는 밀봉 캡(25)의 위에서 제거되어 있기 때문에, 지주(23)는 비어있는 상태로 로드록 챔버(4)의 내부를 상승하게 된다. 밀봉 캡(25)은 소정의 위치까지 상승되면, 결합부재(28)에 의해서 로드록 챔버(4)와 플랜지(24)가 결합되어, 로드록 챔버(4)를 하우징(2)에 고정하고 있는 고정구(3)가 하우징(2)과 로드록 챔버(4) 사이에서 분리된다. 고정구(3)가 분리되면, 로드록 챔버(4)는 결합부재(28) 상으로 건네 받아져, 결합부재(28)를 사이에 두고 보트 엘리베이터(18)의 승강판(22)에 지지된 상태가 된다.
이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 가스도입관(16) 및 배기관(17)이 매니폴드(15)로부터 분리된 후에 보트 엘리베이터(18)의 승강판(22)이 모터(21)에 의해서 프로세스튜브(14)의 높이 이상의 스토로크를 갖고 하강된다. 승강판(22)이 소정의 스토로크 하강하면, 결합부재(28)를 사이에 두고 승강판(22)에 지지된 로드록챔버(4)는 하우징(2)의 하부로 하강된다. 이 때, 로드록 챔버(4)는 프로세스튜브(14)의 높이 이상의 스토로크를 갖고 하강되기 때문에, 로드록 챔버(4)의 위에 탑재된 프로세스튜브(14)는 히터유닛(13)의 내부에서 하우징(2)의 상부로 반출된 상태가 된다. 그리고, 하우징(2)의 상부로 하강된 프로세스튜브(14)는 하우징(2)의 상부로부터 반출되어 프로세스튜브 세정 공정으로 반송된다.
세정된 프로세스튜브(14)는 로드록 챔버(4)의 위에 설치된 후에, 전술한 작동과 반대의 순서로 히터유닛(13)의 내부로 되돌려진다. 또한, 세정된 보트(26)는 보수점검구(7)로부터 로드록 챔버(4)의 내부로 반입되어 지주(23)에 지지된 밀봉 캡(25) 상으로 되돌려진다.
상기 실시예에 의하면, 다음의 효과를 얻을 수 있다.
1) 프로세스튜브를 탑재한 상태로 로드록 챔버를 승강 가능하게 구성함으로써, 로드록 챔버와 함께 프로세스튜브를 하강시킬 수 있기 때문에, 로드록 챔버 상에서 프로세스튜브를 분리함으로써 프로세스튜브의 유지 보수 작업을 간단하게 실시할 수 있고, 그 결과 배치식 CVD 장치의 가동효율을 높임과 동시에 배치식 CVD 장치 나아가서는 반도체 장치의 제조 방법의 양품률을 높일 수 있다.
2) 로드록 챔버와 프로세스튜브를 함께 보트 엘리베이터에 의해서 승강하도록 구성함으로써, 보트의 유지 보수 작업과 프로세스튜브의 유지 보수 작업을 보트 엘리베이터를 공용하여 실시할 수 있기 때문에, 유지 보수 작업의 비용 및 배치식 CVD 장치의 제조 비용 등을 저감할 수 있고, 또한 배치식 CVD 장치를 소형화할 수있기 때문에 설치면적을 저감할 수 있다.
3) 로드록 챔버의 승강 스토로크를 프로세스튜브의 높이 이상으로 설정함으로써, 로드록 챔버의 하강에 의해서 프로세스튜브를 히터유닛으로부터 안전하게 반출할 수 있기 때문에, 프로세스튜브의 유지 보수 작업을 안전하게 실시할 수 있다.
4) 로드록 챔버의 중심과 프로세스튜브의 중심을 대략 동일한 연직선상에 위치시킴으로써, 로드록 챔버와 프로세스튜브를 함께 보트 엘리베이터의 승강판에 의해서 확실하고 또한 안전하게 승강시킬 수 있기 때문에, 프로세스튜브의 유지 보수 작업을 안전하게 실시할 수 있다.
5) 보트 엘리베이터를 로드록 챔버의 외측의 하우징에 설치하고, 프로세스튜브를 보트 엘리베이터의 승강판에 입각된 지주에 프로세스튜브의 화로구를 밀봉하는 밀봉 캡을 거쳐서 지지하고, 지주의 외측에는 로드록 챔버의 지주 삽입 관통구를 기밀하게 밀봉하는 벨로스를 장착함으로써, 로드록 챔버의 기밀을 유지하면서, 로드록 챔버와 프로세스튜브를 함께 보트 엘리베이터에 의해서 승강시킬 수 있기 때문에, 보트 엘리베이터를 공용할 수 있고, 또한 보트 엘리베이터의 유지 보수 작업을 용이하게 실시할 수 있다.
6) 벨로스는 지주를 회피하기만 하면 되므로 그 외직경을 작게 설정할 수 있어, 그 결과 로드록 챔버의 내부가 진공이 된 때의 압력 차이에 의한 작용력을 경감할 수 있어, 보트 엘리베이터의 모터나 벨트 전동 장치 등을 소형으로 설정할 수 있다.
7) 보트 엘리베이터 외에 가이드부재를 설치하는 경우에도, 밀봉 캡이나 보트 엘리베이터의 승강판 및 로드록 챔버의 가이드는 공용할 수 있기 때문에, 배치식 CVD 장치의 제조 비용의 증가를 억제할 수 있다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시예인 CVD 장치를 도시하고 있다.
본 실시예가 상기 실시예와 다른 점은 보트 엘리베이터(18A)가 하우징(2)의 내부에 설치되어 있고, 보트 엘리베이터(18A)의 이송 나사 축(19A)이 둥근 파이프형상으로 형성된 지주(23A)의 중공부내의 중심선상에 배치되어 있는 점이다. 또한, 보트 엘리베이터(18A)의 모터(21)의 높이는 벨로스(27)가 가장 단축했을 때에 로드록 챔버(4)의 하면에 간섭하는 것을 회피하기 위해서, 벨로스(27)가 가장 단축했을 때의 로드록 챔버(4)의 하면의 높이보다도 낮게 설정되어 있다.
본 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 성막 공정 및 유지 보수공정은 상기 실시예와 마찬가지로 실시된다.
즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 로드록 챔버(4)가 하우징(2)의 상부에 고정되고, 로드록 챔버(4)의 내부에 보트(26)가 배치된 상태에서 포드(P)의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 보트(26)에 장전된다.
사전에 지정된 매수의 웨이퍼(W)가 보트(26)에 장전되면, 도 8에 도시된 바와 같이, 보트(26)가 보트 엘리베이터(18A)에 의해서 상승되어 프로세스튜브(14)의 처리실로 반입(로딩)된다. 이 때, 로드록 챔버(4)의 내부의 산소나 수분이 사전에 제거되어 있기 때문에, 보트(26)의 프로세스튜브(14)로의 반입에 따라 외부의 산소나 수분이 프로세스튜브(14)의 처리실로 침입하는 것은 확실하게 방지된다.
그 후, 프로세스튜브(14)의 처리실은 기밀하게 닫혀진 상태에서 소정의 압력이 되도록 배기관(17)에 의해서 배기되고, 히터유닛(13)에 의해서 소정의 온도로 가열되어, 소정의 원료 가스가 가스도입관(16)에 의해서 소정의 유량만큼 공급된다. 이것에 의해서, 사전에 설정된 처리 조건에 대응하는 소망하는 막이 웨이퍼(W)에 형성된다.
사전에 설정된 처리 시간이 경과하면, 도 7에 도시된 바와 같이 보트(26)가 보트 엘리베이터(18A)에 의해서 하강됨으로써, 처리 완료 웨이퍼(W)를 유지한 보트(26)가 로드록 챔버(4)의 내부로 반출(언로딩)된다. 로드록 챔버(4)의 내부로 반출된 보트(26)는 처리 완료 웨이퍼(W)가 웨이퍼 탑재 이송 장치(30)에 의해서 배출(디스차징)되어, 포드 오프너(41)의 탑재대(42)의 비어있는 포드(P)에 웨이퍼 반입반출구(40)를 통하여 수납된다.
유지 보수 작업에 있어서는, 도 9에 도시된 바와 같이 로드록 챔버(4)가 하우징(2)의 상부에 배치되어 있음과 동시에, 보트(26)가 로드록 챔버(4)에 배치되어 있는 상태에서 보수점검구(7)가 게이트(8)에 의해서 개방된다. 이 때, 로드록 챔버(4)의 로드록은 해제되어, 보트(26)의 웨이퍼(W)는 모두 제거되어 비어있는 상태가 된다. 계속해서, 비어있는 보트(26)는 로드록 챔버(4)로부터 보수점검구(7)를 통하여 반출되어 보트 세정 공정으로 반송된다.
이어서, 도 10에 도시된 바와 같이, 지주(23A)가 로드록 챔버(4)의 내부를 보트 엘리베이터(18A)에 의해서 상승된다. 지주(23A)가 소정의 위치까지 상승되면, 결합부재(28)에 의해서 로드록 챔버(4)와 플랜지(24)가 결합되어, 고정구(3)가 하우징(2)과 로드록 챔버(4) 사이에서 분리되고, 로드록 챔버(4)는 결합부재(28)상에 건네 받아진다.
다음에, 도 11에 도시된 바와 같이, 가스도입관(16)과 배기관(17)이 매니폴드(15)로부터 분리된 후에 보트 엘리베이터(18A)의 승강판(22)이 모터(21)에 의해서 프로세스튜브(14)의 높이 이상의 스토로크를 갖고 하강된다. 승강판(22)이 소정의 스토로크 하강하면, 결합부재(28)를 사이에 두고 승강판(22)에 지지된 로드록 챔버(4)는 하우징(2)의 하부로 하강되고, 로드록 챔버(4) 상에 탑재된 프로세스튜브(14)는 히터유닛(13)의 내부에서 하우징(2)의 상부로 반출된 상태가 된다. 그리고, 하우징(2)의 상부로 하강된 프로세스튜브(14)는 하우징(2)의 상부로부터 반출되어, 프로세스튜브 세정 공정으로 반송된다.
세정된 프로세스튜브(14)는 로드록 챔버(4) 상에 설치된 후에 전술한 작동과 역의 순서로 히터유닛(13)의 내부로 되돌려진다. 또한, 세정된 보트(26)는 보수점검구(7)로부터 로드록 챔버(4)의 내부로 반입되어 지주(23A)에 지지된 밀봉 캡(25) 상으로 되돌려진다.
본 실시예에 의하면, 보트 엘리베이터(18A)의 이송 나사 축(19A)이 지주(23A)의 중심선상에 배치되어 있음으로써, 이송 나사 축(19A) 및 승강판(22)으로 휨 모멘트가 작용하지 않기 때문에, 보트 엘리베이터(18A)의 구조를 한층 더 소형화하고 간단화할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
예컨대, 벨로스는 로드록 챔버의 외측으로 로드록 챔버 하면과 엘리베이터의승강판 사이에 개설하는 것에 한하지 않고, 도 12, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 로드록 챔버(4)의 내측에서 로드록 챔버(4)의 바닥벽 상면과 밀봉 캡(25)의 하면 사이에 개설하더라도 무방하다. 본 실시예에 있어서도, 상기 실시예와 동일한 작용 및 효과를 얻을 수 있다.
배치식 CVD 장치는 성막 처리에 사용하는 것에 한하지 않고, 산화막 형성 처리나 확산 처리 등의 처리에도 사용할 수 있다.
상기 실시예에서는 배치식 CVD 장치의 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고 기판 처리 장치 전반에 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 프로세스튜브를 용이하게 탈착할 수 있기 때문에, 프로세스튜브의 유지 보수 작업을 용이하게 실시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 복수 매의 기판을 보트로 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브와, 상기 보트를 상기 처리의 전후에 수용하여 상기 프로세스튜브에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버를 구비하고 있고, 상기 로드록 챔버는 상기 프로세스튜브를 탑재한 상태로 승강 가능하게 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드록 챔버의 승강 스토로크는 상기 프로세스튜브의 높이 이상으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 로드록 챔버의 중심과 상기 프로세스튜브의 중심이 대략 동일한 연직선상에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항에 있어서,
    상기 로드록 챔버는 상기 보트를 승강시키는 보트 엘리베이터에 의해서 승강되는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  5. 복수 매의 기판을 보트에 의해서 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브와, 상기 보트를 상기 처리의 전후에 수용하여 상기 프로세스튜브에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버와, 보트를 승강시키는 보트 엘리베이터를 구비하고 있고, 상기 보트 엘리베이터는 상기 로드록 챔버의 외측의 하우징에 설치되어 있고, 상기 보트는 이 보트 엘리베이터의 승강판에 입각된 지주에 상기 프로세스튜브의 화로구를 밀봉하는 밀봉 캡을 거쳐서 지지되어 있고, 상기 지주의 외측에는 상기 로드록 챔버의 지주 삽입 관통구를 기밀하게 밀봉하는 벨로스가 상기 로드록 챔버와 상기 승강판 사이에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  6. 복수 매의 기판을 보트로 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브와, 상기 보트를 상기 처리의 전후에 수용하여 상기 프로세스튜브에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버와, 보트를 승강시키는 보트 엘리베이터를 구비하고 있고, 상기 보트 엘리베이터는 상기 로드록 챔버의 외측의 하우징에 설치되어 있고, 상기 보트는 이 보트 엘리베이터의 승강판에 입각된 지주에 상기 프로세스튜브의 화로구를 밀봉하는 밀봉 캡을 거쳐서 지지되어 있고, 상기 지주의 외측에는 상기 로드록 챔버의 지주 삽입 관통구를 기밀하게 밀봉하는 벨로스가 상기 로드록 챔버와 상기 밀봉 캡 사이에 장착되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 지주가 파이프에 의해서 형성되어 있고, 상기 보트 엘리베이터의 이송 나사 축이 이 파이프의 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 이송 나사 축을 회전시키는 모터의 높이는 상기 벨로스가 가장 단축한 상태의 로드락의 높이보다도 낮게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 처리 장치.
  9. 복수 매의 기판을 보트에 의해서 지지한 상태로 처리하는 프로세스튜브와, 상기 보트를 상기 처리의 전후에 수용하여 상기 프로세스튜브에 대하여 반입반출하는 로드록 챔버를 구비하고 있고, 상기 로드록 챔버가 상기 프로세스튜브를 탑재한 상태로 승강 가능하게 구성되어 있는 기판 처리 장치를 이용하여, 상기 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세스튜브를 상기 로드록 챔버에 탑재한 상태로 하강시키고, 이 하강시킨 프로세스튜브를 분리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311864A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Tdk Corp 半導体処理装置用ロードポート
KR101004414B1 (ko) 2004-06-29 2010-12-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 로드락챔버
KR100729704B1 (ko) 2005-12-01 2007-06-18 박영남 반도체 제조설비
US8369975B2 (en) 2007-09-21 2013-02-05 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Online recipe synchronization in a real-time batch executive environment
US8825189B2 (en) * 2007-11-13 2014-09-02 Fisher Rosemount Systems, Inc. Methods and apparatus to execute an auxiliary recipe and a batch recipe associated with a process control system
US8150541B2 (en) * 2007-11-13 2012-04-03 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Methods and apparatus to modify a recipe process flow associated with a process control system during recipe execution
FR2933812B1 (fr) 2008-07-11 2010-09-10 Alcatel Lucent Dispositif de chargement/dechargement de substrats
JP5562188B2 (ja) * 2010-09-16 2014-07-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101371435B1 (ko) * 2012-01-04 2014-03-12 주식회사 유진테크 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치
JP2014110374A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 前室昇降機配置機構
JP6208588B2 (ja) * 2014-01-28 2017-10-04 東京エレクトロン株式会社 支持機構及び基板処理装置
US11444053B2 (en) * 2020-02-25 2022-09-13 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and method
US11688621B2 (en) 2020-12-10 2023-06-27 Yield Engineering Systems, Inc. Batch processing oven and operating methods

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5156521A (en) * 1987-10-15 1992-10-20 Epsilon Technology, Inc. Method for loading a substrate into a GVD apparatus
JPH0756879B2 (ja) * 1988-03-31 1995-06-14 日鉄セミコンダクター株式会社 半導体の無塵化製造装置
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2548062B2 (ja) * 1992-11-13 1996-10-30 日本エー・エス・エム株式会社 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー
US5484483A (en) * 1993-02-05 1996-01-16 Asm Japan, K.K. Thermal treatment apparatus
US5441570A (en) * 1993-06-22 1995-08-15 Jein Technics Co., Ltd. Apparatus for low pressure chemical vapor deposition
JP4578615B2 (ja) * 1999-07-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置

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Publication number Publication date
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