KR100729704B1 - 반도체 제조설비 - Google Patents

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KR100729704B1 KR1020050116613A KR20050116613A KR100729704B1 KR 100729704 B1 KR100729704 B1 KR 100729704B1 KR 1020050116613 A KR1020050116613 A KR 1020050116613A KR 20050116613 A KR20050116613 A KR 20050116613A KR 100729704 B1 KR100729704 B1 KR 100729704B1
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Abstract

본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 챔버바디를 형성하고, 챔버바디의 상부을 개폐하는 커버를 형성한 트랜스퍼챔버와, 상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 트랜스퍼 암으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스로 가이드되면서 리니어모터의 구동으로 공급시키는 웨이퍼이송부와, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 트랜스퍼도어 측으로 회전시키는 웨이퍼회전부와, 상기 트랜스퍼챔버의 커버에 횡방향으로 개폐축을 형성하고, 개폐축에 양측으로 구동구의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암을 형성하여 개폐암의 구동으로 커버를 개폐시키는 커버개폐부와, 상기 트랜스퍼챔버의 커버에 횡방향으로 개폐축을 형성하고, 개폐축에 개폐암을 구동구로 힌지베어링에 형성하여 구동구의 회전으로 커버를 개폐시키는 커버개폐부와, 상기 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프로 진공하여 웨이퍼를 가공하도록 형성한 로드락챔버와, 상기 로드락챔버의 웨이퍼수납부를 상하로 이송시키도록 형성한 수납이송부와, 상기 로드락챔버를 안치하여 오염물질의 혼입을 방지하는 크린룸을 포함하여 구성한다.
트랜스퍼챔버, 웨이퍼암, 텐션조절구, 레벨플레이트, 기어박스

Description

반도체 제조설비 {Semiconductor manufacturing device}
도 1은 본 발명이 적용되는 액정표시장치 제조설비를 설명하는 참고도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 정면도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 트랜스퍼챔버를 나타내는 정면도.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 평면도.
도 6는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 정면도.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 정면도.
도 9은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 로드락챔버와 수납이송부를 나타내는 정면도.
도 10는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 나타내는 측면도.
도 11은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 일부절개하여 확대한 일부절개 확대도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 : 제조설비 110 : 트랜스퍼챔버
111 : 챔버바디 112 : 웨이퍼공급부
113 : 웨이퍼센서 114 : 챔버클램프
115 : 커버 116 : 커버클램프
117 : 트랜스포도어 118 : 도어센서
119 : 진공펌프 120 : 웨이퍼이송부
121 : 트랜스퍼암 122 : 웨이퍼안착부
123 : 텐션조절구 124 : 조절나사
125 : 리니어모터 126 : 리니어베이스
127 : 레벨베이스 128 : 락볼트
129 : 서포트볼트 130 : 웨이퍼회전부
131 : 중공축 132 : 스러스트베어링
133 : 깊은홈볼베어링 134 : 회전축
135 : 회전모터 140 : 커버개폐부
141 : 개폐암 142 : 개폐축
143 : 힌지베어링 144 : 완충스프링
145 : 스프링고정구 146 : 암고정블록
147 : 기어축 148 : 기어박스
149 : 구동구 150 : 로드락챔버
151 : 웨이퍼수납부 152 : 개폐도어
153 : 도어센서 154 : 클램프
155 : 진공펌프 156 : 수납위치감지센서
157 : 레벨플레이트 160 : 수납이송부
161 : 이송축 162 : 벨로우즈블록
163 : 볼부쉬 164 : 연결브라켓
165 : 베어링 166 : 가이드
167 : 볼스크류 168 : 이송모터
170 : 크린룸 171 : 챔버안치부
172 : 수납부 173 : 공기청정부
174 : 외벽 175 : 내벽
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체를 공급하는 트랜스퍼챔버의 커버개폐를 용이하게 하면서 트랜스퍼암의 처짐을 방지하여 정확한 위치에서 이송하여 이송효율을 증대하고, 로드락챔버의 기밀구조를 향상하며, 로드락챔버의 외측에 형성된 크린룸을 이중벽 구조로 형성하여 기압차에 의한 외부 오염물질의 유입을 차단하여 생산성을 향상시킨 반도체 제조설비에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체를 제조하기 위해서 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판인 웨이퍼는 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.
상기와 같이 구성되는 웨이퍼를 이용한 반도체 제조공정을 살펴보면 다음과같다.
반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 기본적으로 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.
먼저, 단결정성장공정은 고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시키고, 성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라내는 규소봉절단공정을 거쳐서, 는 웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 형성하는 웨이퍼 표면연마공정을 거친다.
상기와 같이 표면이 연마된 웨이퍼는 CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계하고, 설계된 회로패턴을 유리판 위에 그려 마스크를 만드는 마스크(Mask)제작 공정을 거쳐서, 800~1200℃의 고온에서 산소나 수증기를 성 산화(Oxidation)공정에서 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)을 형성한 상태로 감광액 도포(Photo Resist Coating)공정에서 빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.
이렇게, 감광액이 도포된 웨이퍼를 노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 노광(Exposure)공정을 거쳐서, 현상(Development)공정에서 웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨 상태로, 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거시키는 식각(Etching)공정을 거친다.
상기와 같이, 식각공정 거친 웨이퍼는 이온주입(Ion Implantation)공정에서 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.
이렇게, 전자소자의 특성을 만든 웨이퍼에 절연막이나 전도성 막을 증착하는 기술은 일반적으로 반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)방법을 주로 사용하였으나, 최근에는 나노기술의 발달로 인해 화학적으 로 달라붙는 현상을 이용해 웨이퍼 표면에 분자를 흡착시킨 후 치환시켜 흡착과 치환을 번갈아 진행하기 때문에 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있는 특징이 있으며, 또 CVD보다 낮은 온도(500도 이하)에서 우수한 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합한 원자층증착(ALD:Atomic Layer Deposition)방법을 사용하고 있다.
상기와 같이, 웨이퍼의 표면에 박막을 증착시킨 상태에서 웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄이나 구리선으로 연결시키는 금속배선(Metallization)공정을 거쳐서, 불량품을 선별하여 웨이퍼를 절단시켜 칩을 접착하고 금선으로 연결 밀봉하여 반도체소자를 완성한다.
이와 같이, 반도체 소자를 생산하는 제조설비 중에 웨이퍼에 식각, 산화, 애칭 및 증착작업을 수행하기 위해서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼챔버를 형성하여 웨이퍼를 이물질의 혼입없이 각 공정을 수행하도록 내부에 진공을 형성한 로드락챔버에 공급하여 각 공정에 맞게 고진공과 고온의 환경에서 웨이퍼를 가공한다.
상기와 같은, 웨이퍼를 트랜스퍼챔버 내부에 수납한 상태로 웨이퍼를 로드락챔버 측으로 이송하기 위해서 안치하여 회전하는 트랜스퍼암은 웨이퍼를 안치한 상태로 공급위치로 회전하여 리니어모터의 조작으로 로드락챔버 측으로 직선이동하면서 웨이퍼를 공급하는 것으로, 플레이트에 고정된 트랜스퍼 암을 회전과 직선공정을 반복하면서 발생되는 미세한 레벨 변경차를 조정하기 어려워 생산이 계속 될수록 이송 위치에 미세한 변화가 커져서 웨이퍼가 로드락챔버의 수납측에 이송되면서 표면에 손상이 발생되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 이송 공급하는 트랜스퍼암은 중앙에 형성된 회전부를 중심으로 회전모터에 의해 계속 중량물인 웨이퍼를 안치한 상태로 회전하여 리니어모터의 조작으로 직선이동하여 로드락챔버로 공급됨으로써, 계속되는 중량물의 이송으로 인해 중앙에 고정된 트랜스퍼암의 처짐현상이 발생하여 일정한 주기가 되면 교체하여야 함에 따라 유지보수 비용이 발생하고, 교체하지 않고 처짐현상이 지속되면 웨이퍼가 정확하게 이송되지 않아 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
그리고, 종래의 트랜스퍼챔버의 상부에 클램프로 고정하여 트랜스퍼챔버 내부를 진공화 시키도록 형성한 커버는 중량물에 진공유지를 위해서 하부에 기밀부재를 형성되어 급격한 개폐로 기밀부재가 충격에 의해 파손되거나 틈이 발생하면 진공이 되지 않아 교체하여야 하는 어려운 문제점이 있었다.
또한, 종래의 진공으로 형성된 로드락챔버의 내측으로 복수의 웨이퍼를 수납하도록 상하 이송되는 웨이퍼수납부의 이송축은 로드락챔버의 진공환경에서 웨이퍼가 수납되도록 수납구를 상하로 이송하여야 함으로써, 상하로 이송되는 이송축에서 강한압력으로 진공상태를 유지하는 부분에 누출이 발생하여 진공환경의 유지가 어려워 제품의 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
아울러, 종래의 로드락챔버에서 언로딩되는 웨이퍼의 불순물의 혼입을 최소화 하도록 외측에 형성된 크린룸은 진공에서 초진공상태로 변환되면서 기압차로 인해 불순물이 급격하게 유입되어 제품에 질을 저하시키는 문제점이 있었다.
이와 같은, 문제점을 해결하고자 안출된 본 발명의 주목적은 반도체를 제조하는 제조설비인 트랜스퍼챔버와 로드락챔버에 기밀을 향상시키고 웨이퍼의 공급을 원활히 하도록 트랜스퍼암의 레벨과 수평조정이 가능하며, 트랜스퍼챔버의 상부에 형성된 커버의 개폐구조를 개선하여 생산성을 향상시키는데 있다.
이와 같은, 목적을 달성하고자 안출된 본 발명의 반도체 제조설비는 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부가 복수로 구비된 챔버바디를 형성하고, 챔버바디의 상부을 개폐하는 커버를 형성하며, 챔버바디의 일측으로 도어센서로 감지하면서 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼도어를 구비하고, 커버가 폐쇄된 챔버바디를 진공시키는 진공펌프를 형성한 트랜스퍼챔버와, 상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 트랜스퍼 암으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스로 가이드되면서 리니어모터의 구동으로 공급시키는 웨이퍼이송부와, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 트랜스퍼도어 측으로 회전시키는 웨이퍼회전부와, 상기 트랜스퍼챔버의 커버에 횡방향으로 개폐축을 형성하고, 개폐축에 양측으로 구동구의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암을 형성하여 개폐암의 구동으로 커버를 개폐시키는 커버개폐부와, 상기 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프로 진공하여 웨이퍼를 가공하 도록 형성한 로드락챔버와, 상기 로드락챔버의 웨이퍼수납부를 상하로 이송시키도록 형성한 수납이송부와, 상기 로드락챔버를 안치하여 내부에 오염물질의 혼입을 방지하는 크린룸을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼공급부는 웨이퍼의 수량을 감지하는 웨이퍼센서를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 트랜스퍼챔버는 챔버바디의 측부에 복수로 챔버클램프를 형성하고, 상부에 커버의 대응되는 위치에 커버클램프를 형성하여 내부에 진공환경을 유지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사로 결합시켜 트랜스퍼암의 처짐현상을 탄성력으로 보완하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 리니어베이스의 하부에 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 조정하는 레벨베이스를 형성하여 레벨베이스의 레벨 조정으로 트랜스퍼암의 전체레벨을 조정하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼회전부는 트랜스퍼암의 회전 중심에 중공축을 형성하고, 중공축과 회전모터가 연동되도록 회전축으로 결합하여 회전모터의 구동으로 트랜스퍼암이 회전하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 웨이퍼회전부는 회전되는 중공축을 지지하도록 스러스트베어링과 깊은홈볼베어링을 형성하여 트랜스퍼암을 회전 시키는 중공축의 하중을 견고하 게 지지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커버개폐부는 커버의 상부 중앙에 횡측으로 개폐축을 형성하여 양단에 힌지베어링으로 힌지 결합시키고, 개폐축의 양측으로 개폐암을 형성하여 단부에 형성된 구동구의 회전에 의해 힌지베어링을 중심으로 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 커버개폐부의 개폐축에 양측에 형성된 개폐암과 커버 사이에 완충스프링을 스프링고정구에 고정 형성하여 커버 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링의 탄성력으로 흡수하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 커버개폐부의 개폐암의 단부를 고정시키도록 암고정블록을 형성하고, 복수의 기어로 일정한 속도로 감속시키는 기어박스가 연결된 기어축과 개폐암을 연결시키도록 형성하며, 기어박스의 일측으로 회전하는 동력원인 구동구를 형성하여 구동구의 회전으로 기어박스에서 일정한 속도의 회전력을 기어축과 연결된 개폐암으로 전달시켜 힌지베어링으로 힌지 결합된 개폐암이 상하로 구동하면서 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 로드락챔버는 웨이퍼수납부의 하부에 상하로 이송되는 레벨플레이트를 형성하고, 레벨플레이트의 이송위치를 감지하는 수납위치센서를 측부에 형성하여 상하로 작동되는 웨이퍼수납부의 위치를 감지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 수납이송부는 웨이퍼수납부의 하부에 이송축을 형성하고, 이송축의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드에 베어링을 결합시킨 상태로 베어링의 상부에 볼스크류를 이송모터와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류를 연결브라켓으로 연동되도록 이송축과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드로 가이드하면서 베어링에 결합된 볼스크류가 상하로 구동하면서 연결브라켓으로 연결된 이송축을 상하로 이송하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 수납이송부의 이송축의 하부에 볼부쉬로 벨로우즈블록과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 크린룸은 로드락챔버를 챔버안치부에 안치시키고, 챔버안치부의 일측으로 웨이퍼를 인출하는 공간인 수납부를 형성하며, 상부에 공기청정부를 형성하여 내부 오염물질을 제거하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
아울러, 상기 크린룸은 일정한 간격으로 내벽과 외벽으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비에 바람직한 실시예를 도면을 참조하면서 살펴보면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 정면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 평면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 트랜스퍼챔버를 나타내는 정면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 평면도이며, 도 6는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 정면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 평면도이며, 도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 정면도이고, 도 9은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 로드락챔버와 수납이송부를 나타내는 정면도이며, 도 10는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 나타내는 측면도이고, 도 11은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 일부절개하여 확대한 일부절개 확대도이다.
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도 2 내지 도 11에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비(100)는 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼챔버(110)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)에서 공급되는 웨이퍼를 트랜스퍼암(121)으로 이송하는 웨이퍼이송부(121)와, 상기 웨이퍼이송부(120)의 이송위치변위에 따라 트랜스퍼암(121)을 회전시키는 웨이퍼회전부(130)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)의 상부을 개폐하는 커버개폐부(140)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)에서 웨이퍼를 공급받아 진공상태에서 가공하는 로드락챔버(150)와, 상기 로드락챔버(150)에 웨이퍼를 수납하도록 이송하는 수납이송부(160)와, 상기 로드락챔버(150)를 안치하여 외기의 불순물 유입을 차단시키는 크린룸(170)을 포함하여 구성한다.
상기 트랜스퍼챔버(110)는 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부(112)가 복수로 구비된 챔버바디(111)를 형성하고, 챔버바디(111)의 상부을 개폐하는 커버(115)를 형성하며, 챔버바디(111)의 일측으로 도어센서(118)로 감지하면서 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼도어(117)를 구비하고, 커버(114)가 폐쇄된 챔버바디(111)를 진공시키는 진공펌프(119)를 형성하도록 구성한다.
여기서, 상기 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼공급부(112)는 웨이퍼의 수량을 감지하는 웨이퍼센서(113)를 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 트랜스퍼챔버(110)는 챔버바디(111)의 측부에 복수로 챔버클램프(114)를 형성하고, 상부에 커버(115)의 대응되는 위치에 커버클램프(116)를 형성하여 내부에 진공환경을 유지하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼이송부(120)는 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼를 트랜스퍼암(121)으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스(126)로 가이드 되면서 리니어모터(125)의 구동으로 공급시키도록 구성한다.
여기서, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부(122)를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구(123)의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사(124)로 결합시켜 트랜스퍼암(121)의 처짐현상을 탄성력으로 보완하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 리니어베이스(126)의 하부에 락볼트(128)와 서포트볼트(129)로 레벨을 조정하는 레벨베이스(127)를 형성하여 레벨베이스(127)의 레벨 조정으로 트랜스퍼암(121)의 전체레벨을 조정하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼회전부(130)은 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)을 트랜스퍼도어(117) 측으로 회전시키도록 구성한다.
여기서, 상기 웨이퍼회전부(130)는 트랜스퍼암(121)의 회전 중심에 중공축(131)을 형성하고, 중공축(131)과 회전모터(135)가 연동되도록 회전축(134)으로 결합하여 회전모터(135)의 구동으로 트랜스퍼암(121)이 회전하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 웨이퍼회전부(130)는 회전되는 중공축(131)을 지지하도록 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)을 회전 시키는 중공축(131)의 하중을 견고하게 지지하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 커버개폐부(140)는 트랜스퍼챔버(110)의 커버(115)에 횡방향으로 개폐축(142)을 형성하고, 개폐축(142)에 양측으로 구동구(149)의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암(141)을 형성하여 개폐암(141)의 구동으로 커버(115)를 개폐시키도록 구성한다.
여기서, 상기 커버개폐부(140)는 커버(115)의 상부 중앙에 횡측으로 개폐축(142)을 형성하여 양단에 힌지베어링(143)으로 힌지 결합시키고, 개폐축(142)의 양측으로 개폐암(141)을 형성하여 단부에 형성된 구동구(149)의 회전에 의해 힌지베어링(143)을 중심으로 커버(115)를 개폐시키도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 커버개폐부(140)의 개폐축(142)에 양측에 형성된 개폐암(141)과 커버(115) 사이에 완충스프링(144)을 스프링고정구(145)에 고정 형성하여 커버(115) 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링(144)의 탄성력으로 흡수하도록 구성하는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 커버개폐부(110)의 개폐암(141)의 단부를 고정시키도록 암고정 블록(146)을 형성하고, 복수의 기어로 일정한 속도로 감속시키는 기어박스(148)가 연결된 기어축(147)과 개폐암(141)을 연결시키도록 형성하며, 기어박스(148)의 일측으로 회전하는 동력원인 구동구(149)를 형성하여 구동구(149)의 회전으로 기어박스(148)에서 일정한 속도의 회전력을 기어축(147)과 연결된 개폐암(141)으로 전달시켜 힌지베어링(143)으로 힌지 결합된 개폐암(141)이 상하로 구동하면서 커버(115)를 개폐시키도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 로드락챔버(150)는 트랜스퍼챔버(110)에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부(151)에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어(152)를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프(155)로 진공하여 웨이퍼를 가공하도록 구성한다.
여기서, 상기 로드락챔버(150)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 상하로 이송되는 레벨플레이트(157)를 형성하고, 레벨플레이트(157)의 이송위치를 감지하는 수납위치센서(156)를 측부에 형성하여 상하로 작동되는 웨이퍼수납부(151)의 위치를 감지하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 수납이송부(160)는 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151)를 상하로 이송시키도록 구성한다.
여기서, 상기 수납이송부(160)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 이송축(161)을 형성하고, 이송축(161)의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드(166)에 베어링(165)을 결합시킨 상태로 베어링(165)의 상부에 볼스크류(167)를 이송모터(168)와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류(167)를 연결브라켓(164)으로 연동되도록 이송축(161)과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드(166)로 가이드하 면서 베어링(165)에 결합된 볼스크류(167)가 상하로 구동하면서 연결브라켓(164)으로 연결된 이송축(161)을 상하로 이송하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 수납이송부(160)의 이송축(161)의 하부에 볼부쉬(163)로 벨로우즈블록(162)과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축(161)에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전하도록 구성하는 것이 바람직하다.
상기 크린룸(170)은 로드락챔버(150)를 안치하여 내부에 오염물질의 혼입을 방지하도록 구성한다.
여기서, 상기 크린룸(170)은 로드락챔버(150)를 챔버안치부(171)에 안치시키고, 챔버안치부(171)의 일측으로 웨이퍼를 인출하는 공간인 수납부(172)를 형성하며, 상부에 공기청정부(173)를 형성하여 내부 오염물질을 제거하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 크린룸(170)은 일정한 간격으로 내벽(175)과 외벽(174)으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화하도록 구성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비의 작용을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 트랜스퍼챔버(110)에 웨이퍼를 웨이퍼공급부(112)에 웨이퍼센서(113)로 감지하면서 적재시킨 상태에서 상부에 커버를 커버개폐부(140)의 구동구(149)를 작동시켜 기어박스(148)에서 일정한 속도로 감속한 상태에서 기어축(147)을 회전하 면 기어축(147)에 연결된 개폐암(141)이 커버에 고정된 개폐축(142)의 힌지베어링(143)을 중심으로 커버(115)를 개폐시키도록 이송하는 커버개폐부(140)를 구동시켜 챔버바디(111)의 상부에 커버(115)를 폐쇄한 상태로 챔버클램프(114)를 커버클램프(116) 측으로 클램핑하여 내부를 밀폐시키고 진공펌프(119)로 내부에 압력을 조절한다.
이때, 상기 커버개폐부(140)의 개폐축(142)에 양측에 형성된 개폐암(141)과 커버(115) 사이에 완충스프링(144)을 스프링고정구(145)에 고정 형성하여 커버(115) 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링(144)의 탄성력으로 흡수하여 커버(115)의 파손을 방지하고 기밀성을 향상시킨다.
이렇게, 트랜스퍼챔버(110)에 압력을 조절하면서 내부에 웨이퍼공급부(112)에 적재된 웨이퍼를 이송하기 위해서 웨이퍼회전부(130)의 회전모터(135)를 구동시켜 회전축(134)을 회전하면 연동되는 중공축(131)이 회전하면서 상부에 고정된 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)을 회전하여 웨이퍼공급부(112)의 위치로 이송한 상태로 트랜스퍼암(121)의 단부에 형성된 웨이퍼안착부(122)에 웨이퍼가 안착되도록 리니어베이스(126)로 가이드 되면서 리니어모터(127)의 구동으로 직선 운동하여 웨이퍼를 웨이퍼안착부(122)에 안착시키도록 전 후진 한다.
이때, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부(122)를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구(123)의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사(124)로 결합시켜 트랜스퍼암(121)의 처짐현상을 탄성력으로 보완하여 처짐에 의한 위치변위를 최소화 시키도록 한다.
또한, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 리니어베이스(126)의 하부에 락볼트(128)와 서포트볼트(129)로 레벨을 조정하는 레벨베이스(127)를 형성하여 레벨베이스(127)의 레벨 조정으로 트랜스퍼암(121)의 전체레벨을 간편하게 조정하도록 한다.
아울러, 상기 웨이퍼회전부(130)는 회전되는 중공축(131)을 지지하도록 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)을 회전 시키는 중공축(131)의 가중되는 스러스트하중과 회전에 의한 원심하중을 복수의 베어링으로 견고하게 지지하여 수명을 증대시키는데 있다.
상기와 같이, 리니어모터(125)의 구동으로 트랜스퍼암(121)을 전 후진하여 웨이퍼안착부(122)에 웨이퍼를 안착시킨 상태로 웨이퍼회전부(130)로 트랜스퍼암(121)을 회전시켜 로드락챔버(150)로 공급하는 트랜스퍼도어(117) 측으로 회전한 상태로 도어센서(118)에서 웨이퍼의 공급위치를 감지하면서 리니어모터(125)를 구동시켜 트랜스퍼도어(117)를 거쳐 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151) 측으로 공급한다.
이렇게, 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151)로 트랜스퍼암(121)에 거치된 웨이퍼를 공급하면 웨이퍼수납부(151)의 하부에 형성된 수납이송부(160)로 상하 이송하면서 복수의 웨이퍼를 수납시키고, 웨이퍼 수납이 끝나면 트랜스퍼도어(117)를 폐쇄한 상태로 로드락챔버(150)의 전면에 형성된 개폐도어(152)를 폐쇄한 상태로 클램프(154)를 결합시켜 밀폐시킨 상태로 하부에 형성된 진공펌프(155)로 내부를 진공상태로 만든 상태에서 공정을 진행시킨다.
이때, 상기 수납이송부(160)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 이송축(161)을 형성하고, 이송축(161)의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드(166)에 베어링(165)을 결합시킨 상태로 베어링(165)의 상부에 볼스크류(167)를 이송모터(168)와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류(167)를 연결브라켓(164)으로 연동되도록 이송축(161)과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드(166)로 가이드하면서 베어링(165)에 결합된 볼스크류(167)가 상하로 구동하면서 연결브라켓(164)으로 연결된 이송축(161)을 상하로 이송한다.
또한, 상기 수납이송부(160)의 이송축(161)의 하부에 볼부쉬(163)로 벨로우즈블록(162)과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축(161)에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전시킨다.
상기와 같이, 로드락챔버(150)에서 웨이퍼를 가공한 후에 내부에 공기를 공기청정부(173)로 순환시켜 불순물의 혼입을 방지한 크린룸(170)의 내부에서 개폐도어(152)의 클램프(154)를 해제하여 내부에 가공된 웨이퍼를 크린룸(170)의 수납부(172) 측으로 인출시켜 생산된 웨이퍼를 이송한다.
이때, 상기 크린룸(170)은 일정한 간격으로 내벽(175)과 외벽(174)으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화시킨다.
따라서, 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼공급부(112)에 적재된 웨이퍼를 로드락챔버(150) 측으로 이송하는 트랜스퍼암(121)에 조절나사(124)로 텐션을 조절하는 텐션조절구(123)를 형성하여 회전하면서 이송하는 트랜스퍼암(121)의 처짐을 방지하고, 트랜스퍼암(121)을 회전하도록 하부에 회전모터(135)와 연결된 중공축(131)에 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)에서 발생되는 스러스트하중과 회전에 따른 원심하중을 견고하게 지지시키며, 트랜스퍼챔버(110)의 상부를 개폐하는 커버(115)를 구동구(149)의 회전으로 개폐암(141)을 구동시켜 간편하게 커버(115)를 개폐시키고, 커버(115)와 개폐암(141) 사이에 완충스프링(144)을 형성하여 개폐에 따른 충격을 탄성으로 흡수하여 커버(115)의 파손을 최소화 하며, 이송된 웨이퍼를 로드락챔버(150)에 수납하도록 형성된 웨이퍼수납부(151)를 이송하는 수납이송부(160)에 이송축(161)을 볼부쉬(163)와 벨로우즈블록(162)으로 결합하여 기밀성을 향상시키도록 형성하고, 로드락챔버(150)에서 가공된 웨이퍼를 인출하는 크린룸(170)을 이중격벽으로 형성시켜 외부와의 기압차로 인한 불순물의 혼입을 방지시킨다.
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비는 반도체의 웨이퍼를 제작하기 위해서 로드락챔버에 공급하도록 웨이퍼를 안치한 상태로 회전하면서 직선으로 이동하는 트랜스퍼챔버의 트랜스퍼암은 직선운동되도록 가이드하는 리니어베이스 하부에 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 조절하도록 형성한 레벨베이스를 형성하여 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 손쉽게 조절함으로써, 회전과 직선운동을 반복하는 트랜스퍼암에서 발생되는 레벨의 변위를 조작하여 간편하게 변위된 트랜스퍼암을 레벨을 조작함에 따라 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 웨이퍼를 회전하면서 직선이동시키는 트랜스퍼암의 처짐현상을 방지하기 위해서 탄성형 철편형태의 텐션조절구를 텐션을 조절하는 조절나사와 결합시켜 상부에 형성함으로써, 조절나사의 조절로 트랜스퍼암의 상부에 형성된 텐션조절구를 조절하여 처짐을 방지하도록 텐션을 용이하게 조절하여 트랜스퍼암의 처짐을 방지하여 정확한 이송위치를 확보하여 이동시에 파손을 최소화 시키는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼암을 회전시키도록 레벨베이스 하부에 형성된 웨이퍼회전부에 회전되는 중공축과 회전축을 스러스트베어링과 깊은홈볼베어링으로 이중으로 고정 지지하여 웨이퍼이송부에서 전달되는 스러스트 하중과 웨이퍼가 수납회전하는 트랜스퍼암의 편중된 중량을 회전함에 따라 발생되는 원심하중을 이중으로 지지하여 회전모터의 회전력을 정확하고 지속적으로 전달시키면서 하중의 집중에 따른 파손을 방지하여 정확하게 원하는 위치에 회전하면서 수명을 증대시키는 효과를 제공한다.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버의 상부를 개폐하는 커버의 중앙으로 횡방향의 개폐축을 형성하고, 개폐축의 양단부에 힌지베어링을 형성한 상태로 양측으로 개폐암을 형성하며, 개폐암의 하부에 완충스프링을 형성하여 힌지베어링을 중심으로 회전하면서 상부로 커버를 개폐시키는 개폐암의 하부에 완충스프링을 형성하여 개폐에 대한 충격이 커버로 전달되는 것을 방지함으로써, 진공을 위해 기밀성을 향상시킨 커버의 개폐에 따른 충격을 최소화 하여 커버의 기밀성을 유지시켜 생산성을 향상시키는데 있다.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버의 상부에 형성된 커버를 개폐하도록 연결한 개폐암을 힌지베어링을 중심으로 상승하도록 기어축에 연결하여 구동속도를 조절하는 복수의 기어가 연결형성된 기어박스에 연결하여 수동 및 전동의 구동구로 결합시켜 구동구의 회전으로 중량의 커버를 일정한 속도로 개폐함으로써, 작은 힘으로 일정한 속도로 개폐되는 최적의 감속비를 가지는 기어박스를 구동구와 연결하여 커버의 개폐를 용이하게 함에 따라 사용 편의성을 향상시키는 효과를 제공한다.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 로드락챔버의 웨이퍼수납부에 복수로 적재하도록 상하강시키는 수납이송부와 결합되는 하부에 로드락챔버의 내부 진공환경에 누출을 방지하도록 벨로우즈블록과볼부쉬를 이송축에 형성하여 상하 작동 시에도 간극의 발생을 억제시켜 내부에 진공환경을 보존함으로써, 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 로드락챔버에서 가공된 웨이퍼를 청정공간에서 박스에 담는 작업을 실시하도록 외측에 형성된 크린룸을 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화함으로써, 생산된 웨이퍼의 불순물 접촉을 방지하여 웨이퍼의 불량률을 감소시킴에 따라 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.

Claims (15)

  1. 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부가 복수로 구비된 챔버바디를 형성하고, 챔버바디의 상부을 개폐하는 커버를 형성하며, 챔버바디의 일측으로 도어센서로 감지하면서 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼도어를 구비하고, 커버가 폐쇄된 챔버바디를 진공시키는 진공펌프를 형성한 트랜스퍼챔버와 ;
    상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 트랜스퍼 암으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스로 가이드되면서 리니어모터의 구동으로 공급시키는 웨이퍼이송부와 ;
    상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 트랜스퍼도어 측으로 회전시키는 웨이퍼회전부와 ;
    상기 트랜스퍼챔버의 커버에 횡방향으로 개폐축을 형성하고, 개폐축에 양측으로 구동구의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암을 형성하여 개폐암의 구동으로 커버를 개폐시키는 커버개폐부와 ;
    상기 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프로 진공하여 웨이퍼를 가공하도록 형성한 로드락챔버와 ;
    상기 로드락챔버의 웨이퍼수납부를 상하로 이송시키도록 형성한 수납이송부와 ;
    상기 로드락챔버를 안치하여 내부에 오염물질의 혼입을 방지하는 크린룸을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼공급부는 웨이퍼의 수량을 감지하는 웨이퍼센서를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 트랜스퍼챔버는 챔버바디의 측부에 복수로 챔버클램프를 형성하고, 상부에 커버의 대응되는 위치에 커버클램프를 형성하여 내부에 진공환경을 유지하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사로 결합시켜 트랜스퍼암의 처짐현상을 탄성력으로 보완하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 리니어베이스의 하부에 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 조정하는 레벨베이스를 형성하여 레벨베이스의 레벨 조정으로 트랜스퍼암의 전체레벨을 조정하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼회전부는 트랜스퍼암의 회전 중심에 중공축을 형성하고, 중공축과 회전모터가 연동되도록 회전축으로 결합하여 회전모터의 구동으로 트랜스퍼암이 회전하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼회전부는 회전되는 중공축을 지지하도록 스러스트베어링과 깊은홈볼베어링을 형성하여 트랜스퍼암을 회전 시키는 중공축의 하중을 견고하게 지지하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 커버개폐부는 커버의 상부 중앙에 횡측으로 개폐축을 형성하여 양단에 힌지베어링으로 힌지결합시키고, 개폐축의 양측으로 개폐암을 형성하여 단부에 형성된 구동구의 회전에 의해 힌지베어링을 중심으로 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 커버개폐부의 개폐축에 양측에 형성된 개폐암과 커버 사이에 완충스프링을 스프링고정구에 고정 형성하여 커버 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링의 탄성력으로 흡수하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 커버개폐부의 개폐암의 단부를 고정시키도록 암고정블록을 형성하고, 복수의 기어로 일정한 속도로 감속시키는 기어박스가 연결된 기어축과 개폐암을 연결시키도록 형성하며, 기어박스의 일측으로 회전하는 동력원인 구동구를 형성하여 구동구의 회전으로 기어박스에서 일정한 속도의 회전력을 기어축과 연결된 개폐암으로 전달시켜 힌지베어링으로 힌지 결합된 개폐암이 상하로 구동하면서 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 로드락챔버는 웨이퍼수납부의 하부에 상하로 이송되는 레벨플레이트를 형성하고, 레벨플레이트의 이송위치를 감지하는 수납위치센서를 측부에 형성하여 상하로 작동되는 웨이퍼수납부의 위치를 감지하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 수납이송부는 웨이퍼수납부의 하부에 이송축을 형성하고, 이송축의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드에 베어링을 결합시킨 상태로 베어링의 상부에 볼스크류를 이송모터와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류를 연결브라켓으로 연동되도록 이송축과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드로 가이드하면서 베어링에 결합된 볼스크류가 상하로 구동하면서 연결브라켓으로 연결된 이송축을 상하로 이송하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 수납이송부의 이송축의 하부에 볼부쉬로 벨로우즈블록과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 크린룸은 로드락챔버를 챔버안치부에 안치시키고, 챔버안치부의 일측으로 웨이퍼를 인출하는 공간인 수납부를 형성하며, 상부에 공기청정부를 형성하여 내부 오염물질을 제거하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 크린룸은 일정한 간격으로 내벽과 외벽으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화하도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
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