KR20090081285A - 반도체 제조설비용 전자밸브 - Google Patents

반도체 제조설비용 전자밸브 Download PDF

Info

Publication number
KR20090081285A
KR20090081285A KR1020080007271A KR20080007271A KR20090081285A KR 20090081285 A KR20090081285 A KR 20090081285A KR 1020080007271 A KR1020080007271 A KR 1020080007271A KR 20080007271 A KR20080007271 A KR 20080007271A KR 20090081285 A KR20090081285 A KR 20090081285A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
closing
elevating
electromagnet
chamber
Prior art date
Application number
KR1020080007271A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100949778B1 (ko
Inventor
박영남
고대운
김현겸
Original Assignee
(주)엘티엘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)엘티엘 filed Critical (주)엘티엘
Priority to KR1020080007271A priority Critical patent/KR100949778B1/ko
Publication of KR20090081285A publication Critical patent/KR20090081285A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100949778B1 publication Critical patent/KR100949778B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
    • F16K27/04—Construction of housing; Use of materials therefor of sliding valves
    • F16K27/048—Electromagnetically actuated valves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조설비용 전자밸브에 관한 것으로, 웨이퍼를 공급하도록 형성한 챔버바디(11)의 일측 상하부에 내부로 관통된 개구부(12)를 형성한 트레스퍼챔버(10)와; 상기 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12) 양측으로 전원인가 방향에 따라 동일극성 다른극성을 띄는 승하강전자석(23)을 복수 형성한 승하강자력부(20)와; 상기 승하강자력부(20)의 승하강전자석(23)에 고정되어 극성변화에 따라 승하강하는 승하강플레이트(31)를 형성한 승하강부(30)와; 상기 승하강부(30)의 상기 승하강플레이트(31)의 배면에 공급되는 전원인가 방향에 따라 동일극성 또는 다른극성을 띄는 개폐1전자석(41), 개폐2전자석(42)을 형성한 개폐자력부(40)및; 상기 개폐자력부(40)의 개폐2전자석(42)에 정면에 고정되어 극성변화에 따라 개폐되는 개폐플레이트(51)를 형성한 개폐부(50)를 포함하여 구성한다.
웨이퍼, 진공, 전자석, 전자밸브

Description

반도체 제조설비용 전자밸브{Electromagnet valve for Semiconductor manufacturing device}
본 발명은 반도체 제조설비용 전자밸브에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체를 제조하기 위해서 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판인 웨이퍼는 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.
상기와 같이 구성되는 웨이퍼를 이용한 반도체 제조공정을 살펴보면 다음과같다.
반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 기본적으로 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.
먼저, 단결정성장공정은 고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정 을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시키고, 성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라내는 규소봉절단공정을 거쳐서, 는 웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 형성하는 웨이퍼 표면연마공정을 거친다.
상기와 같이 표면이 연마된 웨이퍼는 CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계하고, 설계된 회로패턴을 유리판 위에 그려 마스크를 만드는 마스크(Mask)제작 공정을 거쳐서, 800~1200℃의 고온에서 산소나 수증기를 성 산화(Oxidation)공정에서 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)을 형성한 상태로 감광액 도포(Photo Resist Coating)공정에서 빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.
이렇게, 감광액이 도포된 웨이퍼를 노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 노광(Exposure)공정을 거쳐서, 현상(Development)공정에서 웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨 상태로, 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거시키는 식각(Etching)공정을 거친다.
상기와 같이, 식각공정 거친 웨이퍼는 이온주입(Ion Implantation)공정에서 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다.
이렇게, 전자소자의 특성을 만든 웨이퍼에 절연막이나 전도성 막을 증착하는기술은 일반적으로 반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 화학기상증착(CVD:Chemical VaporDeposition)방법을 주로 사용하였으나, 최근에는 나노기술의 발달로 인해 화학적으로 달라붙는 현상을 이용해 웨이퍼 표면에 분자를 흡착시킨 후 치환시켜 흡착과 치환을 번갈아 진행하기 때문에 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있는 특징이 있으며, 또 CVD보다 낮은 온도(500도 이하)에서 우수한 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합한 원자층증착(ALD:Atomic Layer Deposition)방법을 사용하고 있다.
상기와 같이, 웨이퍼의 표면에 박막을 증착시킨 상태에서 웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄이나 구리선으로 연결시키는 금속배선(Metallization)공정을 거쳐서, 불량품을 선별하여 웨이퍼를 절단시켜 칩을 접착하고 금선으로 연결 밀봉하여 반도체소자를 완성한다.
이와 같이, 반도체 소자를 생산하는 제조설비 중에 제 1도에서 나타낸 바와 같이 웨이퍼에 식각, 산화, 애칭 및 증착작업을 수행하기 위해서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼챔버를 형성하여 웨이퍼를 이물질의 혼입없이 각 공정을 수행하도록 내부에 진공을 형성한 로드락챔버에 공급하여 각 공정에 맞게 고진공과 고온의 환경에서 웨이퍼를 가공한다.
상기와 같은, 웨이퍼를 트랜스퍼챔버 내부에 수납한 상태로 웨이퍼를 로드락챔버 측으로 이송하기 위해서 안치하여 회전하는 트랜스퍼암은 웨이퍼를 안치한 상태로 공급위치로 회전하여 리니어모터의 조작으로 로드락챔버 측으로 직선이동하면서 웨이퍼를 공급하는 것으로, 플레이트에 고정된 트랜스퍼 암을 회전과 직선공정을 반복하면서 동작이 복잡하고 신속한 동작이 이루어지지 못하였다.
또한, 종래의 진공으로 형성된 로드락챔버의 내측으로 복수의 웨이퍼를 수납하도록 상하 이송되는 웨이퍼수납부의 이송축은 로드락챔버의 진공환경에서 웨이퍼가 수납되도록 수납구를 상하로 이송하여야 함으로써, 상하로 이송되는 이송축에서강한압력으로 진공상태를 유지하는 부분에 누출이 발생하여 진공의 압략을 조절이 어려워 제품의 불량이 발생하는 문제점이있었다.
아울러, 종래의 로드락챔버에서 언로딩되는 웨이퍼의 불순물의 혼입을 최소화 하도록 외측에 형성된 크린룸은 진공에서 초진공상태로 변환되면서 기압차로 인해 불순물이 급격하게 유입되어 제품에 질을 저하시키는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 주목적은 반도체 제조설비인 트랜스퍼챔버와 로드락챔버에 기밀을 향상시키고, 부피를 축소시키면서 웨이퍼의 공급을 원활히 하도록 극성의 방향에 따라 신속하게 개폐할 수 있도록 하여 생산성을 향상시키도록 한 반도체 제조설비용 전자밸브를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는;웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부가 복수 구비된 챔버바디를 형성하되, 챔버바디 일측에 내부로 관통된 개구부를 상하 복구 형성한 트렌스퍼챔버와;; 상기 트레스퍼챔버의 개구부 양측으로 전원인가 방향에 따라 상호 동일 극성 또는 다른 극성을 띄는 승하강전자석을 복수 형성한 승하강자력부와; 상기 트레스퍼챔버의 개구부와 대향되어 양측단이 승하강전자석에 고정시킨 승하강플레이트를 형성한 승하강부와; 상기 승하강부의 승하강플레이트의 배면에 전원인가 방향에 따라 극성이 바뀌는 개폐1전자석을 복수 형성하고, 개폐1전자석과 대응되어 전원인가 방향에 따라 개폐1전자석과 동일 극성 또는 다른 극성을 띄는 개폐2전자석을 복수 형성한 개폐자력부및; 상기 개폐자력부의 개폐2전자석 배면에 트레스퍼챔버의 개구부에 밀착되는 개폐플레이트를 형성한 개폐부를 포함하여 구성한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 상기 트레스퍼챔버의 개구부 양측 으로 전면 중앙이 길이방향으로 개구된 승강공간부를 내부에 구비한 승강하우징을 형성하여, 승강하우징의 내부에 승하강전자석을 수용하여 승하강시 이탈하지 않도록 구성한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 상기 승하강부의 승하강플레이트 배면에 전면이 고정되어 개폐플레이트와 대향되는 개폐하우징을 복수 형성하되, 개폐하우징의 내부 중앙에 배면이 개구되어 걸림턱을 구비한 개폐공간부를 형성하며, 개폐공간부에 상기 개폐1전자석을 수용하여 일측을 고정하고, 개폐2전자석의 내측을 개폐1전자석과 대향되도록 개폐공간부 내부에 유동되도록 수용시키면서 걸림턱에 걸려 외부로 이탈하지 않도록 하며, 개폐2전자석의 외측을 개폐하우징의 외부에 위치하도록하여 개폐플레이트를 고정하도록 구성한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 상기 트레스퍼챔버의 개구부 측에 밀착되는 개폐플레이트의 배면에 진공의 누출을 방지하여 기밀성을 향상시키도록 기밀부재를 구성한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 상기 개폐자력부의 개폐2전자석이 고정된 개폐플레이트의 일면에 개구부 개방시 개폐하우징의 일면과 결합되는 결합공간부를 구성한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 트레스퍼챔버의 개구부 양측으로 각각 승하강전자석을 내부에 구비한 승강하우징이 형성되고, 승하 강플레이트의 배면에 개폐1전자석과, 개폐2전자석의 일부를 수용한 개폐하우징이 형성되어 개구부를 개폐하는 개폐구성을 축소하는 효과를 제공한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 공급되는 전원이 인가되는 방향에 따라 복수 형성한 승하강전자석, 개폐1전자석, 개폐2전자석의 극성이 상호 동일하거나 다르게 되면서 반발과 인력으로 개구부를 개폐함으로써 개폐동작이 단순화된 효과를 제공한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는; 복수 형성한 승하강전자석, 개폐1전자석, 개폐2전자석에 공급되는 전원의 인가 방향에 따라 극성이 바뀌면서 개폐 동작이 신속하게 이루어져 웨이퍼 이송시 발생되는 개폐플레이트와의 충돌을 방지하여 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는 복수 형성한 개폐1전자석, 이와 대응되는 개폐2전자석의 극성이 상호 동일한 극성이 되도록 전원을 인가하면서 인가되는 전원의 세기를 크게 하여 개폐플레이트가 개구부에 밀착되는 밀착력을 배가시킬 수 있어 개구부의 기밀성을 향상시키는 효과를 제공한다.
본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브는 승하강전자석의 극성이 동일하여 상호 반발하여 승하강플레이트가 승하강하도록 하면서 공급되는 전원의 세기에 따라 이송속도와 이송거리를 정확하게 제어함에 따라 정확성을 향상시키는 효과를 제공한다.
이러한 본 발명의 바람직한 실시 예를 도면을 참조하면서 살펴보면 다음과 같다.
우선 도면들 중 동일한 구성요소 또는 부품들은 가능한 동일한 참조부호로 나타내고 있음에 유의하여야 하며, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않기 위하여 생략한다.
제 2도는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 전자밸브를 개략적으로 나타낸 사시도이고, 제 3도는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 전자밸브의 동작상태를 나타낸 것으로서, a)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 측단면도이며, b)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 측단면도이고, 제 4도는 제 3도의 주요 부분을 확대한 확대도이며, 제 5도는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 정면도이고, 제 6도는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 정면도이며, 제 7도는 개폐부의 작동상태를 나타낸 것으로서, a)는 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 평단면도이고, b)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 평단면도이다.
제 2도 내지 제 7도에서 나타낸 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브(1)는; 웨이퍼를 공급하도록 형성한 챔버바디(11)의 일측 상하부에 내부로 관통된 개구부(12)를 형성한 트레스퍼챔버(10)와; 상기 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12) 양측으로 전원인가 방향에 따라 동일극성 다른극성을 띄는 승하강전자석(23)을 복수 형성한 승하강자력부(20)와; 상기 승하강자력부(20)의 승하강전자석(23)에 고정되어 극성변화에 따라 승하강하는 승하강플레이트(31)를 형성한 승하강부(30)와; 상기 승하강부(30)의 상기 승하강플레이트(31)의 배면에 공급되는 전원인가 방향에 따라 동일극성 또는 다른극성을 띄는 개폐1전자석(41), 개폐2전자석(42)을 형성한 개폐자력부(40)및; 상기 개폐자력부(40)의 개폐2전자석(42)에 정면에 고정되어 극성변화에 따라 개폐되는 개폐플레이트(51)를 형성한 개폐부(50)를 포함하여 구성한다.
상기 반도체 제조설비용 전자밸브(1)의 트레스퍼챔버(10)는; 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부(미도시)가 복수 구비된 챔버바디(11)를 형성한다.
그리고, 챔버바디(11) 일측에 내부로 관통된 개구부(12)를 상하 복수 형성한다.
상기 반도체 제조설비용 전자밸브(1)의 승하강자력부(20)는; 전면 중앙이 개방된 승강공간부(21)를 내부에 구비한 승강하우징(22)을 개구부(12)의 양측상하로 각각 복수 구성한다.
즉, 상부측 개구부(12) 양측에 형성되는 승강하우징(22)은 하부측이 상부측 개구부(12)와 동일선상에 위치하여 상부로 연장되게 형성하고, 하부측 개구부(12) 양측에 형성되는 승강하우징(22)은 상부측이 하부측 개구부(12)와 동일선상에 위치하여 하부로 연장되게 구성하는 것이 바람직하다.
이러한, 승강하우징(22)의 내부에 2개 1조로 이루어져 전원인가 방향에 따라 상호 동일 극성 또는 다른 극성을 띄는 승하강전자석(23)을 수용하여, 승하강전자석(23)이 외부로 이탈하지 않도록 한다.
여기서, 상기 승하강전자석(23)에 감겨지는 도선의 권선 횟수와 인가되는 전원의 세기를 인위적으로 조정하여 승하강전자석(23)의 자기력을 변경할 수 있도록 하여, 복수 형성한 승하강전자석(23)이 동일 극성 시 상호 이격되는 간격, 반응속도를 조절할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
아울러, 상부측 승강하우징(22)의 승강공간부(21)에 구성된 복수개의 승하강전자석(23) 중 가장 상부에 위치한 승하강전자석(23)을 승강공간부(21)에 고정하고, 하부측 승강하우징(22)의 승강공간부(21)에 구성된 복수개의 승하강전자석(23) 중 가장 하부에 위치한 승하강전자석(23)을 승강공간부(21)에 고정하여 극성이 변경되어도 고정된 승하강전자석(23)이 움직이지 않도록 하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 제조설비용 전자밸브(1)의 승하강부(30)는; 상기 승강하우징(22)의 내부에 구성한 복수개의 승하강전자석(23) 중 개구부(12)와 동일 선상에 놓은 승하강전자석(23)에 양측단이 고정되어 개구부(12)와 대향되는 승하강플레이트(31)를 형성하여, 승하강전자석(23)의 극성 변화로 인한 반발력과, 인력에 의하여 양측단이 고정된 승하강전자석(23)이 유동되면서 승하강하도록 구성한다.
아울러, 승하강플레이트(31)의 배면에 개구부(12)와 대향되는 배면 중앙이 개방되어 걸림턱(32a)을 구비한 개폐공간부(32)를 내부에 구비한 개폐하우징(33)을 등간격으로 복수 구성한다.
상기 반도체 제조설비용 전자밸브(1)의 개폐자력부(40)는; 승하강플레이트(31)의 개폐공간부(32) 내부에 2개 1조로 이루어져 일측이 고정되고, 전원인가 방향에 따라 상호 극성이 바뀌는 개폐1전자석(41)을 복수 구성한다.
그리고, 개폐1전자석(41)과 대응되어 공급되는 전원인가 방향에 따라 개폐1전자석(41)과 동일극성 또는 다른극성을 띄어 인력과 반발하는 개폐2전자석(42)을 구성한다.
여기서, 개폐2전자석(42)을 2개 1조로 구성하여 내측이 개폐공간부(32) 내부에 유동가능하도록 수용되어 걸림턱(32a)에 걸리도록 하며, 외측이 개방된 곳을 통하여 개폐하우징(33)의 외부에 위치하도록 구성한다.
아울러, 개폐1전자석(41), 개폐2전자석(42)에 각각 감겨지는 도선의 횟수와 공급되는 전원의 세기에 따라 자기력을 조절하도록 구성하여, 반응속도, 인력, 반발력을 조절하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 제조설비용 전자밸브(1)의 개폐부(50)는; 개폐자력부(40)의 개폐2전자석(42)의 외측에 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12)에 밀착되는 개폐플레이트(51)를 형성하여 개폐1전자석(41)과 개폐2전자석(42)이 극성 변화에 따라 인력 또는 반발시 개구부(12)를 개폐하도록 구성한다.
그리고, 개구부(12)에 밀착되어 진공의 누출을 방지하도록 개폐플레이트(51) 의 배면에 기밀부재(52)를 구성하는 것이 바람직하다.
아울러, 개폐2전자석(42)이 고정된 개폐플레이트(51)의 일면에 개구부(12)에서 이격시 개폐하우징(33)의 일면과 결합되는 결합공간부(53)를 형성하여, 승하강플레이트(31)와 트레스퍼챔버(10)가 이격된 사이 공간이 최소화 되도록 한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 제조설비용 전자밸브 작용은 다음과 같다.
먼저, 액정표시장치가 가공되는 진공과 고온의 제조설비에 소재(미도시)를 공급하도록 제조설비와 공급부분 사이를 연결하는 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12)에 밀착된 개폐플레이트(51)를 개폐하도록 한다.
이때, 승하강자력부(20)에 공급되는 전원의 인가 방향으로 인해 승하강전자석(23)이 서로 같은 극성을 갖게 되면서 반발력에 의하여 서로 밀어 내면서 복수개의 승하강전자석(23)이 고정된 승하강전자석(23)으로 부터 순차적으로 이격되어 승하강플레이트(31)가 개구부(12)와 동일 선상에 놓이게 된다.
그리고, 개폐플레이트(51)는 개폐자력부(40)의 개폐1전자석(41)과 개폐2전자석(42)이 상호 반발하도록 인가되는 전원에 의하여 상호 동일 극성으로 형성되어 반발력에 의하여 개폐플레이트(51)가 개구부(12)측에 밀착되어 기밀부재(52)에 의하여 진공의 누출을 방지한 상태이다.
이때, 개폐2전자석(42)의 내측이 걸림턱(32a)에 걸리게 되면서 외부로 이탈하지 않게 되며, 공급되는 전원의 세기에 따라 전자석의 자기력을 조절하여 밀착력 을 조절할 수 있게 된다.
이러한, 상태에서 개구부(12)를 개폐하기 위하여 제어부(미도시)의 제어로 개폐1전자석(41)과 개폐2전자석(42)이 상호 다른 극성이 되도록 전원을 인가하여 인력이 발생하도록 한다.
이때, 개폐1전자석(41)의 일측이 개폐공간부(32)에 고정된 상태가 되므로 개폐플레이트(51) 측에 고정된 개폐2전자석(42)의 내측이 인력에 의하여 개폐1전자석(41)에 붙게 되면서 개구부(12)를 폐쇄하고 있던 개폐플레이트(51)가 개구부(12)로부터 이격 된 상태가 된다.
여기서, 개폐1전자석(41)이 개폐공간부(32)에 고정된 상태가 되므로 유동되지 않고 개폐2전자석(42)만 극성에 따라 반발, 인력하게 된다.
아울러, 개폐2전자석(42)이 개폐1전자석(41)에 붙게되면서 개폐플레이트(51)가 개구부(12)에서 이격되면서 결합공간부(53)가 개폐하우징(33)의 배면에 밀착된 상태가 된다.
이렇게, 개폐플레이트(51)가 개구부(12)에서 이격된 상태에서, 제어부(미도시)의 제어로 승하강자력부(20)의 승하강전자석(23)이 상호 다른 극성이 되도록 전원이 인가되면서 복수 형성한 승하강전자석(23)이 서로 인력이 발생된다.
이때, 상부측 승강하우징(22) 내부에 수용된 승하강전자석(23)은 상부에 고정된 승하강전자석(23)에 의하여 순차적으로 상부측에 부착되면서 승하강플레이트(31)가 고정된 가장하부측 승하강전자석(23)이 상승하면서, 상부측 승하강플레이트(31)가 상승되어 상부측 개구부(12)를 개방하게 된다.
그리고, 하부측 승강하우징(22)의 내부에 수용된 승하강전자석(23)은 하부에 고정된 승하강전자석(23)에 의하여 순차적으로 하부측에 부착되면서 승하강플레이트(31)가 고정된 가장상부측 승하강전자석(23)이 하강하면서 하부측 승하강플레이트(31)가 하강하면서 하부측 개구부(12)를 개방하게 된다.
이와 같이 전원인가 방향에 따라 전자석이 서로 같은 극성으로 바뀌면서 반발하게되고, 또한 서로 다른 극성으로 바뀌면서 인력되어 전자밸브를 간편하게 개폐할 수 있게 된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에
의해서 정해져야 할 것이다.
제 1도는 본 발명이 적용되는 반도체 제조설비를 설명하는 참고도.
제 2도는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 전자밸브를 개략적으로 나타낸 사시도.
제 3도는 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 전자밸브의 동작상태를 나타낸 것으로서,
a)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 측단면도.
b)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 측단면도.
제 4도는 제 3도의 주요 부분을 확대한 확대도.
제 5도는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 정면도.
제 6도는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 정면도.
제 7도는 개폐부의 작동상태를 나타낸 것으로서,
a)는 개폐1전자석, 개폐2전자석이 동일 극성으로 인하여 상호 반발상태가 되어 개구부를 폐쇄한 상태를 나타낸 평단면도.
b)는 승하강전자석 및 개폐1전자석, 개폐2전자석이 다른 극성으로 인하여 상호 인력상태가 되어 개구부를 개방한 상태를 나타낸 평단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 트레스퍼챔버 11: 챔버몸체
12: 개구부 20: 승하강자력부
21: 승강공간부 22: 승강하우징
23: 승하강전자석 30: 승하강부
31: 승하강플레이트 32: 개폐공간부
33: 개폐하우징 40: 개폐자력부
41: 개폐1전자석 42: 개폐2전자석
50: 개폐부 51: 개폐플레이트
52: 기밀부재 53: 결합공간부

Claims (5)

  1. 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부가 복수 구비된 챔버바디를 형성하되, 챔버바디(11) 일측에 내부로 관통된 개구부(12)를 상하 복수 형성한 트렌스퍼챔버(10)와;
    상기 트렌스퍼챔버(10)의 개구부(12) 양측으로 전원인가 방향에 따라 상호 동일 극성 또는 다른 극성을 띄는 승하강전자석(23)을 복수 형성한 승하강자력부(20)와;
    상기 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12)와 대향되어 양측단이 승하강전자석(23)에 고정시킨 승하강플레이트(31)를 형성한 승하강부(30)와;
    상기 승하강부(30)의 승하강플레이트(31)의 배면에 전원인가 방향에 따라 극성이 바뀌는 개폐1전자석(41)을 복수 형성하고, 개폐1전자석(41)과 대응되어 전원인가 방향에 따라 개폐1전자석(41)과 동일 극성 또는 다른 극성을 띄는 개폐2전자석(42)을 복수 형성한 개폐자력부(40)및;
    상기 개폐자력부(40)의 개폐2전자석(42) 배면에 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12)에 밀착되는 개폐플레이트(51)를 형성한 개폐부(50)를 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 전자밸브.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12) 양측으로 전면 중앙이 길이방향으로 개구된 승강공간부(21)를 내부에 구비한 승강하우징(22)을 형성하여, 승강하우징(22)의 내부에 승하강전자석(23)을 수용하여 승하강시 이탈하지 않도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 전자밸브.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 승하강부(30)의 승하강플레이트(31) 배면에 전면이 고정되어 개폐플레이트(51)와 대향되는 개폐하우징(33)을 복수 형성하되, 개폐하우징(33)의 내부 중앙에 배면이 개구되어 걸림턱(32a)을 구비한 개폐공간부(32)를 형성하며, 개폐공간부(32)에 상기 개폐1전자석(41)을 수용하여 일측을 고정하고, 개폐2전자석(42)의 내측을 개폐1전자석(41)과 대향되도록 개폐공간부(32) 내부에 유동되도록 수용시키면서 걸림턱(32a)에 걸려 외부로 이탈하지 않도록 하며, 개폐2전자석(42)의 외측을 개폐하우징(33)의 외부에 위치하도록하여 개폐플레이트(51)를 고정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 전자밸브.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 트레스퍼챔버(10)의 개구부(12) 측에 밀착되는 개폐플레이트(51)의 배면에 진공의 누출을 방지하여 기밀성을 향상시키도록 기밀부재(52)를 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 전자밸브.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 개폐자력부(40)의 개폐2전자석(42)이 고정된 개폐플레이트(51)의 일면에 개구부(12) 개방시 개폐하우징(33)의 일면과 결합되는 결합공간부(53)를 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비용 전자밸브.
KR1020080007271A 2008-01-23 2008-01-23 반도체 제조설비용 전자밸브 KR100949778B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080007271A KR100949778B1 (ko) 2008-01-23 2008-01-23 반도체 제조설비용 전자밸브

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080007271A KR100949778B1 (ko) 2008-01-23 2008-01-23 반도체 제조설비용 전자밸브

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090081285A true KR20090081285A (ko) 2009-07-28
KR100949778B1 KR100949778B1 (ko) 2010-03-30

Family

ID=41292283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080007271A KR100949778B1 (ko) 2008-01-23 2008-01-23 반도체 제조설비용 전자밸브

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100949778B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI440788B (zh) * 2011-03-03 2014-06-11 Nat Univ Tsing Hua 內坎自閉式機台閘閥

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09100936A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Hitachi Ltd ゲートバルブおよびそれを用いて構成された半導体製造装置
JP2001015571A (ja) * 1999-07-02 2001-01-19 Tokyo Electron Ltd ゲートバルブ
KR100596332B1 (ko) 2004-01-05 2006-07-06 주식회사 에이디피엔지니어링 게이트 밸브

Also Published As

Publication number Publication date
KR100949778B1 (ko) 2010-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240096688A1 (en) Single wafer processing environments with spatial separation
KR101770970B1 (ko) 이송 챔버 가스 퍼지 장치, 전자 디바이스 프로세싱 시스템들, 및 퍼지 방법들
US20200090978A1 (en) Methods Of Operating A Spatial Deposition Tool
WO1996025760A1 (fr) Procede et machine de fabrication de semiconducteurs
US11131022B2 (en) Atomic layer self aligned substrate processing and integrated toolset
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
CN109314071B (zh) 十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统
CN115188689A (zh) 用于调节气体流的处理装置和方法
US20070049020A1 (en) Method and apparatus for reducing tensile stress in a deposited layer
KR100949778B1 (ko) 반도체 제조설비용 전자밸브
US20200066572A1 (en) Methods Of Operating A Spatial Deposition Tool
US11056277B2 (en) Magnetized substrate carrier apparatus with shadow mask for deposition
JP2009054859A (ja) 基板受入装置及び基板受入方法
JP2023113690A (ja) 空間堆積ツールを操作する方法
Bates Silicon wafer processing
KR100729704B1 (ko) 반도체 제조설비
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
KR20070058229A (ko) 진공챔버의 힌지장치
JP7249407B2 (ja) 補完的なパターンのステーション設計
KR20070000686A (ko) 반도체 디바이스 제조 설비의 웨이퍼 리프팅 장치
JPH1050802A (ja) 基板処理装置
JP2011236479A (ja) 金属膜形成システム、金属膜形成方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2008103508A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP4180201B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20100028346A (ko) 서브 웨이퍼 홀더를 포함하는 반도체 제조설비

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130314

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141222

Year of fee payment: 5

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150305

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160919

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181220

Year of fee payment: 9

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 10

R401 Registration of restoration
R401 Registration of restoration