JPH09100936A - ゲートバルブおよびそれを用いて構成された半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲートバルブの摺動部をなくすことにより、
異物の発生を低減する。 【解決手段】 ゲートバルブ外壁５内の底面に電磁石か
らなる浮上用磁石６〜６ｂが設けられ、コントローラ１
２が浮上用磁石６〜６ｂのＮ極とＳ極との切り替えを順
次行い、リニアモータの原理により永久磁石からなるバ
ルブヘッド１１を移動させ、磁力によりＯリング１０に
バルブヘッド１１を密着させ搬送口９を閉じる。ゲート
バルブ外壁の端部には電磁石からなるバルブヘッドスト
ップ用磁石７，７ａが設けられ、移動中のバルブヘッド
１１をバルブヘッド１１と同極の磁力により所定の位置
に停止させる。その側面には電磁石からなる接触防止用
磁石８ａが設けられ、バルブヘッド１１の接触を防止さ
せる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ゲートバルブおよ
びそれを用いて構成された半導体製造装置に関し、特
に、クリーン度が要求される装置に用いられるゲートバ
ルブに適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、た
とえば、半導体装置の製造工程において、酸化装置や薄
膜形成装置などのクリーン度が要求される製造装置に用
いられるゲートバルブは、バルブヘッドの移動を行う駆
動系にエアシリンダなどを用いて駆動を行っている。

【０００３】また、このゲートバルブの取り付け時に
は、たとえば、チャンバの取り付けを行う位置にシャフ
ト用の孔を設け、チャンバ内と外気とを遮断するために
Ｏリングなどのシール材を取り付けている。

【０００４】なお、この種のゲートバルブについて詳し
く述べてある例としては、株式会社ジャパンマシニスト
社、１９８６年７月１５日発行「知りたいエアトロニク
ス」コガネイ・エアトロニクス研究会著、Ｐ９０〜Ｐ９
７があり、この文献には、各種のエアバルブの概要が記
載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なクリーン度が要求される半導体製造装置のゲートバル
ブでは、次のような問題点があることが本発明者により
見い出された。

【０００６】すなわち、ゲートバルブの駆動時にシャフ
トの継ぎ目、シリンダなどを駆動する駆動部が摺動部と
なり、それら摺動部から異物が発生してしまう問題があ
る。

【０００７】また、真空処理装置などにおいては、Ｏリ
ングなどシール材の磨耗などによってチャンバのリーク
の恐れも生じてしまう。

【０００８】本発明の目的は、ゲートバルブの摺動部を
なくすことにより、ゲートバルブからの異物の発生を低
減することのできるゲートバルブおよびそれを用いて構
成された半導体製造装置を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明のゲートバルブは、開孔
部が設けられた第１の外箱内に遊挿され、前記開孔部の
開閉を行う磁石により構成された第１のバルブヘッド
と、第１の外箱の内部における底面または上面の少なく
ともいずれかに設けられ、第１のバルブヘッドを浮上お
よび移動させる複数の電磁石により構成されたバルブヘ
ッド移動手段と、該バルブヘッド移動手段を所定の入力
信号に基づいて制御する第１の制御手段とよりなるもの
である。

【００１２】これにより、第１の外箱に設けられた開孔
部の開閉を無摺動により行うことができる。

【００１３】また、本発明のゲートバルブは、前記第１
の外箱内における両端部に、前記第１の制御手段により
制御され、第１のバルブヘッドを所定の位置に停止させ
る電磁石により構成されたバルブヘッド停止手段を設け
たものである。

【００１４】これにより、第１のバルブヘッドの移動時
において、同極性の磁力による反発力で移動している第
１のバルブヘッドを所定の位置に停止させることができ
る。

【００１５】さらに、本発明のゲートバルブは、前記第
１の外箱内の側面に、磁石または電磁石のいずれかによ
り構成され、第１のバルブヘッドと第１の外箱内におけ
る側面との接触を防止するバルブヘッド接触防止手段を
設けたものである。

【００１６】これにより、第１のバルブヘッドの移動時
または浮上停止時に、第１のバルブヘッドと第１の外箱
内における側面との接触を防止することができる。

【００１７】また、本発明のゲートバルブは、所定の位
置に設けられた供給用開孔部の開閉を行う第２のバルブ
ヘッドと、その第２のバルブヘッドの固定を行い、第２
の外箱内に遊挿され、磁石により構成されたバルブ固定
部材と、磁石または電磁石のいずれかにより構成され、
該第２の外箱内面に設けられた第２のバルブヘッドの浮
上、および接触防止用のバルブヘッド浮上手段と、第２
の外箱内における一方の端部に設けられ、バルブ固定部
材の移動を行う電磁石により構成されたバルブ固定部材
移動手段と、該バルブ固定部材移動手段の制御を所定の
入力信号に基づいて行う第２の制御手段とよりなるもの
である。

【００１８】これにより、無摺動で第２のバルブヘッド
が所定の位置に設けられた供給用開孔部の開閉を行うこ
とができる。

【００１９】さらに、本発明のゲートバルブは、前記バ
ルブ固定部材移動手段を第２の外箱と分離して、その第
２の外箱の外側における一方の端部近傍に設けたもので
ある。

【００２０】これにより、ゲートバルブの設置および配
線を容易にすることができる。

【００２１】また、本発明の半導体製造装置は、前記ゲ
ートバルブを用いて構成されたものである。

【００２２】これにより、良好な半導体装置を製造する
ことができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて詳細に説明する。

【００２４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１による酸化装置に設けられたゲートバルブの断面
図、図２は、本発明の実施の形態１によるゲートバルブ
を平面から見たときの断面図、図３（ａ）〜（ｃ）は、
本発明の実施の形態１によるゲートバルブの移動原理説
明図である。

【００２５】本実施の形態１において、半導体製造装置
の一種である半導体ウエハに酸化膜を形成させる酸化装
置１は、処理室であるチャンバ２および処理前の半導体
ウエハが搬送される搬送室３が設けられている。

【００２６】また、チャンバ２と搬送室３との間には、
チャンバ２と搬送室３とをシールするゲートバルブ４が
設けられている。

【００２７】このゲートバルブ４は、ゲートバルブ外壁
（第１の外箱）５が設けられ、このゲートバルブ外壁５
の内側における底面の周辺部には、電磁石から構成され
る浮上用磁石６〜６ｂ（バルブヘッド移動手段）が設け
られている。

【００２８】また、ゲートバルブ外壁５における両端部
の側面には電磁石からなるバルブヘッドストップ用磁石
（バルブヘッド停止手段）７，７ａが設けられ、その両
側面には、図２に示すように、電磁石からなる接触防止
用磁石（バルブヘッド接触防止手段）８，８ａが設けら
れている。

【００２９】さらに、ゲートバルブ外壁５における一方
の端部近傍には、半導体ウエハ搬送用の搬送口（開孔
部）９，９ａが設けられており、チャンバ２側に設けら
れた搬送口９には、シール材であるＯリング１０が設け
られている。

【００３０】また、ゲートバルブ外壁５の内部には、永
久磁石からなるバルブヘッド（第１のバルブヘッド）１
１が設けられており、このバルブヘッド１１を移動させ
ることによってゲートバルブ４の開閉を行う。

【００３１】そして、バルブヘッド１１の制御を行うた
めの浮上用磁石６〜６ｂ、バルブヘッドストップ用磁石
７，７ａおよび接触防止用磁石８，８ａは、コントロー
ラ（第１の制御手段）１２と配線１３により接続され、
このコントローラ１２に設けられた、たとえば、閉開ス
イッチ（図示せず）によりバルブヘッド１１の制御が自
動的に行われている。

【００３２】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。

【００３３】まず、ゲートバルブ４を閉じる場合につい
て説明する。

【００３４】ゲートバルブ４が開いている状態では、バ
ルブヘッド１１がバルブヘッドストップ用磁石７の近傍
に位置している。

【００３５】また、バルブヘッドストップ用磁石７，７
ａは、前述したように電磁石よりなり、コントローラ１
２が永久磁石からなるバルブヘッド１１と同極の磁力を
かけて、バルブヘッド１１とバルブヘッドストップ用磁
石７を反発させることにより静止する状態のバルブヘッ
ド１１を停止させている。

【００３６】そして、ゲートバルブ外壁５の内面におけ
る底部に設けられた浮上用磁石６〜６ｂの内、バルブヘ
ッド１１が位置している部分の浮上用磁石６はコントロ
ーラ１２によってバルブヘッド１１と同じ極性にされて
いる。

【００３７】また、ゲートバルブ外壁５の内部における
両側面に設けられた接触防止用磁石８，８ａもコントロ
ーラ１２により、バルブヘッド１１と同じ極性にされて
いる。

【００３８】よって、バルブヘッド１１は、その反発す
る力によってどの部分とも接触することなく浮上した状
態となっている。

【００３９】そして、ゲートバルブ４を閉じる場合、作
業者がコントローラ１２に設けられた閉ボタンを押す
と、コントローラ１２は浮上用磁石６〜６ｂにおける隣
接する相互の浮上用磁石６〜６ｂの各々の極性を順次変
えながらバルブヘッド１１を反対側の端部近傍まで移動
させる。

【００４０】たとえば、図３（ａ）に示すように、バル
ブヘッド１１がＮ極であると、バルブヘッド１１が停止
している下側に位置する浮上用磁石６もＮ極となってい
る。

【００４１】そして、バルブヘッド１１の移動時には、
図３（ｂ）に示すように、浮上用磁石６〜６ｂがそれぞ
れ交互にＮ極、Ｓ極となり、浮上用磁石６ａがバルブヘ
ッド１１と異極のＳ極となるのでバルブヘッド１１は引
きつけられる。

【００４２】次に、図３（ｃ）に示すように、その瞬間
に浮上用磁石６ａの極性は反転し、バルブヘッド１１と
同極のＮ極となり、その隣の浮上用磁石６ｂも反転し、
異極であるＳ極となる。

【００４３】このＮ極とＳ極との切り替わりを順次行っ
ていくことによって、バルブヘッド１１が浮上用磁石６
〜６ｂとの反発力および引き込まれる力により移動し、
バルブヘッド１１は反対側の端部近傍まで移動すること
になる。

【００４４】また、これら浮上用磁石６〜６ｂの数を増
やすことによって、より精密なバルブヘッド１１の制御
を行うこともできる。

【００４５】そして、バルブヘッド１１が反対側の端部
近傍まで移動してくると、コントローラ１２はバルブヘ
ッド１１と同極の磁力を発生しているバルブヘッドスト
ップ用磁石７ａの磁力を強め、バルブヘッド１１と同極
のバルブヘッドストップ用磁石７ａと反発し合う力によ
って接触することなく停止させながら、徐々にバルブヘ
ッドストップ用磁石７ａの磁力を弱めて所定の位置に停
止するように制御を行う。

【００４６】その後、バルブヘッド１１が停止するとコ
ントローラ１２は、バルブヘッド１１が停止している部
分に位置する浮上用磁石６ｂをバルブヘッド１１と同極
であるＮ極にして、その磁力を強めることによりバルブ
ヘッド１１をその場でより浮上させ、Ｏリング１０と確
実に密着させて搬送口（開孔部）９を閉じる。

【００４７】次に、ゲートバルブ４を開ける場合には、
コントローラ１２の開ボタンが押されることによって前
述した工程とは反対に、浮上用磁石６ｂの磁力を弱め、
Ｏリング１０と密着していたバルブヘッド１１を下側に
移動させる。

【００４８】そして、浮上用磁石６ａをＳ極に反転さ
せ、バルブヘッド１１を引きつけた後、浮上用磁石６ａ
をＮ極に、浮上用磁石６をＳ極にさせて、反対側の端部
近傍まで移動させる。ここでも、バルブヘッド１１はバ
ルブヘッドストップ用磁石７ａとの反発力によって停止
する。

【００４９】それにより、本実施の形態１によれば、バ
ルブヘッド１１が磁力によって絶えず浮上しているの
で、摺動部分を少なくでき、摺動部から発生する異物を
大幅に低減することができる。

【００５０】また、本実施の形態１では、浮上用磁石６
〜６ｂをゲートバルブ外壁５の内側における底面に設け
たが、図４に示すように、電磁石から構成される浮上用
磁石（バルブヘッド移動手段）６ｃ〜６ｅを設けるよう
にしてもよい。

【００５１】この場合、浮上用磁石６ｃ〜６ｅの極性
は、コントローラ１２によりバルブヘッド１１と異なっ
た極性に制御を行い、バルブヘッド１１を引きつけるこ
とによって浮上させる。

【００５２】また、バルブヘッド１１の移動は、本実施
の形態１と同様に、浮上用磁石６ｃ〜６ｅのＮ極とＳ極
とを順次切り替えることによって移動させる。

【００５３】さらに、図５に示すように、、ゲートバル
ブ外壁５の内側における底面に浮上用磁石６〜６ｂを、
上面に浮上磁石６ｃ〜６ｅを設けるようにしてもよい。

【００５４】この場合は、コントローラ１２により、浮
上用磁石６〜６ｂの極性をバルブヘッド１１と同極性に
し、浮上用磁石６ｃ〜６ｅの極性をバルブヘッド１１と
異なった極性に制御し、一方でバルブヘッド１１を反発
させ、他方でバルブヘッド１１を引きつけることによっ
て浮上させる。

【００５５】また、バルブヘッド１１の移動は、浮上用
磁石６〜６ｅのＮ極とＳ極とを順次切り替えることによ
って移動させる。

【００５６】（実施の形態２）図６は、本発明の実施の
形態２による酸化装置のチャンバに取り付けられたゲー
トバルブの断面図である。

【００５７】本実施の形態２では、半導体製造装置であ
る半導体ウエハに酸化膜を形成させる酸化装置１のチャ
ンバ２ａ内に処理ガス供給用のシリンダタイプのゲート
バルブ４ａが設けられている。

【００５８】このゲートバルブ４ａはシリンダ（第２の
外箱）１４が設けられ、そのシリンダ１４の内面には電
磁石からなる浮上用磁石（バルブヘッド浮上手段）１５
が設けられている。

【００５９】また、シリンダ１４内には永久磁石からな
るバルブ固定部材ＢＬが遊挿されている。このバルブ固
定部材ＢＬはピストン１６がシャフト１７の一方の端部
に固定されて構成されている。さらに、シャフト１７の
他方の端部にはバルブヘッド（第２のバルブヘッド）１
１ａが設けられている。

【００６０】そして、このバルブヘッド１１ａがチャン
バ２ａに設けられた処理ガス供給口（供給用開孔部）１
８に取り付けられているシール材であるＯリング１０ａ
と密着することにより処理ガスの供給を停止させる。

【００６１】また、シリンダ１４内のチャンバ２ａ側の
端部には、電磁石からなるピストン移動用磁石（バルブ
固定部材移動手段）１９が設けられている。そして、浮
上用磁石１５およびピストン移動用磁石１９は、前記実
施の形態１と同様に、配線１３ａによって接続されてい
るコントローラ（第２の制御手段）１２ａにより制御が
行われている。

【００６２】ここで、ゲートバルブ４ａが閉じる場合に
ついて説明する。

【００６３】まず、ゲートバルブ４ａが開いている状
態、すなわち、バルブヘッド１１ａがＯリング１０ａと
密着していない状態では、ピストン１６はピストン移動
用磁石１９により引きつけられた状態となっている。

【００６４】たとえば、ピストン１６およびシャフト１
７がＮ極であると、ピストン移動用磁石１９はコントロ
ーラ１２ａによってＳ極に制御されており、ピストン移
動用磁石１９側にピストン１６を引きつけて固定してい
る。

【００６５】また、浮上用磁石１５はピストン１６およ
びシャフト１７と同極のＮ極となっており、同極の反発
力によってピストン１６ならびにシャフト１７はどの部
分とも接触していない状態となっている。

【００６６】そして、ゲートバルブ４ａを閉じる場合に
は、たとえば、コントローラ１２ａに設けられた閉ボタ
ンを押すことにより、コントローラ１２ａがピストン移
動用磁石１９をＳ極からＮ極に変換し、その反発力によ
ってピストン１６をシリンダ１４における他方の端部近
傍に移動させる。

【００６７】それによって、バルブヘッド１１ａは処理
ガス供給口１８に設けられたＯリング１０ａと密着し、
ゲートバルブ４ａが閉じられたことになる。

【００６８】また、ゲートバルブ４ａを開ける場合に
は、コントローラ１２ａがピストン移動用磁石１９をＮ
極からＳ極に変えてピストン１６を引きつけることによ
って行う。

【００６９】それにより、本実施の形態２においても、
ピストン１６が磁力によって絶えず浮上しているので摺
動部分を少なくでき、摺動部から発生する異物を大幅に
低減することができる。

【００７０】また、シリンダタイプのバルブをチャンバ
２ａに取り付けるシャフト用の孔が不要となり、真空処
理装置などの場合に、それが原因のリークをなくすこと
ができる。

【００７１】（実施の形態３）図７は、本発明の実施の
形態３による酸化装置のチャンバに取り付けられたゲー
トバルブの断面図である。

【００７２】本実施の形態３においては、半導体ウエハ
に酸化膜を形成させる酸化装置１の処理室であるチャン
バ２ｂに処理ガス供給用のシリンダタイプのゲートバル
ブ４ｂが設けられている。

【００７３】このゲートバルブ４ｂは、チャンバ２ｂの
内側にシリンダ（第２の外箱）１４ａが設けられてい
る。

【００７４】また、シリンダ１４ａ内には永久磁石から
なるピストン１６ａと同じく永久磁石からなるシャフト
１７ａの端部とが接続されたバルブ固定部材ＢＬが遊挿
されている。さらに、シャフト１７ａの他方の端部には
バルブヘッド（第２のバルブヘッド）１１ｂが設けられ
ている。

【００７５】さらに、シリンダ１４ａの内面には電磁石
である浮上用磁石（バルブヘッド浮上手段）１５ａが設
けられている。

【００７６】また、チャンバ２ｂの外壁には、ピストン
移動手段（バルブ固定部材移動手段）ＰＭが設けられて
おり、このピストン移動手段ＰＭ内には電磁石であるピ
ストン移動用磁石１９ａが設けられている。

【００７７】さらに、浮上用磁石１５ａおよびピストン
移動用磁石１９ａは配線１３ｂにより接続され、コント
ローラ（第２の制御手段）１２ｂにより制御が行われて
いる。

【００７８】そして、このバルブヘッド１１ｂがチャン
バ２ｂに設けられた、たとえば、処理ガス供給口１８ａ
（供給用開孔部）に取り付けられているシール材である
Ｏリング１０ｂと密着することにより処理ガスの供給を
停止させる。

【００７９】ここで、ゲートバルブ４ｂが閉じる場合に
ついて説明する。

【００８０】まず、ゲートバルブ４ｂが開いている状
態、すなわち、バルブヘッド１１ｂがＯリング１０ｂと
密着していない状態では、ピストン１６ａはシリンダ１
４ａに設けられたピストン移動用磁石１９ａにより引き
つけられた状態となっている。

【００８１】たとえば、ピストン１６ａおよびシャフト
１７ａがＮ極であると、ピストン移動用磁石１９ａはコ
ントローラ１２ｂによってＳ極に制御されており、ピス
トン移動用磁石１９ａ側にピストン１６ａを引きつけて
固定している。

【００８２】また、浮上用磁石１５ａはピストン１６ａ
およびシャフト１７ａと同極のＮ極となっており、同極
の反発力によってピストン１６ａならびにシャフト１７
ａはどの部分とも接触していない状態となっている。

【００８３】そして、ゲートバルブ４ｂを閉じる場合に
は、たとえば、コントローラ１２ｂに設けられた閉ボタ
ンを押すことにより、コントローラ１２ｂがピストン移
動用磁石１９ａをＳ極からＮ極に変換し、その反発力に
よってピストン１６ａをシリンダ１４ａにおける他方の
端部近傍に移動させる。

【００８４】それによって、バルブヘッド１１ｂはＯリ
ング１０ｂと密着し、ゲートバルブ４ｂが閉じられたこ
とになる。

【００８５】また、ゲートバルブ４ｂを開ける場合に
は、コントローラ１２ｂがピストン移動用磁石１９ａを
Ｎ極からＳ極に変えてピストン１６ａを引きつけること
によって行う。

【００８６】それにより、本実施の形態３においても、
ピストン１６ａが磁力によって絶えず浮上しているので
摺動部分を少なくでき、摺動部から発生する異物を大幅
に低減することができる。

【００８７】また、シリンダタイプのバルブをチャンバ
２ｂに取り付けるシャフト用の孔が不要となり、真空処
理装置などの場合に、それが原因のリークをなくすこと
ができる。

【００８８】さらに、ピストン移動用磁石１９ａをチャ
ンバ２ｂの外側に設けるので、配線１３ｂの配線をチャ
ンバ内に施さなくともよく、配線作業が容易となり、異
物の発生をより大幅に低減することができる。

【００８９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００９０】たとえば、前記実施の形態１では、接触防
止用磁石８，８ａが電磁石により構成されていたが、バ
ルブヘッド１１と同極の永久磁石を用いるようにしても
よい。

【００９１】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００９２】（１）本発明によれば、ゲートバルブにお
ける摺動部がなくなるので、異物の発生を大幅に低減す
ることができる。

【００９３】（２）また、本発明では、ゲートバルブを
取り付ける取り付け孔が不要となるので取り付け作業が
容易となり、真空処理装置などにおいては、その取り付
け孔からのリークなどの不具合をなくすことができる。

【００９４】（３）さらに、本発明においては、上記
（１），（２）により、半導体製造装置の用いることに
よって、ゲートバルブから発生する異物による半導体装
置の欠陥を低減でき、半導体装置の製造を効率よく行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による酸化装置に設けら
れたゲートバルブの断面図である。

【図２】本発明の実施の形態１によるゲートバルブを平
面から見たときの断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態１によ
るゲートバルブの移動原理説明図である。

【図４】本発明の他の実施の形態による酸化装置に設け
られたゲートバルブの断面図である。

【図５】本発明のさらに他の実施の形態による酸化装置
に設けられたゲートバルブの断面図である。

【図６】本発明の実施の形態２による酸化装置のチャン
バに取り付けられたゲートバルブの断面図である。

【図７】本発明の実施の形態３による酸化装置のチャン
バに取り付けられたゲートバルブの断面図である。

【符号の説明】

１ 酸化装置 ２〜２ｂ チャンバ ３ 搬送室 ４〜４ｂ ゲートバルブ ５ ゲートバルブ外壁（第１の外箱） ６〜６ｅ 浮上用磁石（バルブヘッド移動手段） ７ バルブヘッドストップ用磁石（バルブヘッド停止手
段） ７ａ バルブヘッドストップ用磁石（バルブヘッド停止
手段） ８ 接触防止用磁石（バルブヘッド接触防止手段） ８ａ 接触防止用磁石（バルブヘッド接触防止手段） ９ 搬送口（開孔部） ９ａ 搬送口（開孔部） １０〜１０ｂ Ｏリング １１ バルブヘッド（第１のバルブヘッド） １１ａ バルブヘッド（第２のバルブヘッド） １１ｂ バルブヘッド（第２のバルブヘッド） １２ コントローラ（第１の制御手段） １２ａ コントローラ（第２の制御手段） １２ｂ コントローラ（第２の制御手段） １３〜１３ｂ 配線 １４ シリンダ（第２の外箱） １４ａ シリンダ（第２の外箱） １５ 浮上用磁石（バルブヘッド浮上手段） １５ａ 浮上用磁石（バルブヘッド浮上手段） １６ ピストン １６ａ ピストン １７ シャフト １７ａ シャフト １８ 処理ガス供給口（供給用開孔部） １８ａ 処理ガス供給口（供給用開孔部） １９ ピストン移動用磁石（バルブ固定部材移動手段） １９ａ ピストン移動用磁石 ＢＬ バルブ固定部材 ＰＭ ピストン移動手段（バルブ固定部材移動手段）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 開孔部が設けられた第１の外箱内に遊挿
   され、前記開孔部の開閉を行う磁石により構成された第
   １のバルブヘッドと、前記第１の外箱の内部における底
   面または上面の少なくともいずれかに設けられ、前記第
   １のバルブヘッドを浮上および移動させる複数の電磁石
   により構成されたバルブヘッド移動手段と、前記バルブ
   ヘッド移動手段を所定の入力信号に基づいて制御する第
   １の制御手段とよりなることを特徴とするゲートバル
   ブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のゲートバルブにおいて、
   前記第１の外箱内における両端部に、前記第１の制御手
   段により制御が行われ、前記第１のバルブヘッドを所定
   の位置に停止させる電磁石により構成されたバルブヘッ
   ド停止手段を設けたことを特徴とするゲートバルブ。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のゲートバルブに
   おいて、前記第１の外箱内の側面に、磁石または電磁石
   のいずれかにより構成され、前記第１のバルブヘッドと
   前記第１の外箱内の側面との接触を防止するバルブヘッ
   ド接触防止手段を設けたことを特徴とするゲートバル
   ブ。
4. 【請求項４】 請求項１，２または３記載のゲートバル
   ブを用いて構成されたことを特徴とする半導体製造装
   置。
5. 【請求項５】 所定の供給用開孔部の開閉を行う第２の
   バルブヘッドと、前記第２のバルブヘッドの固定を行
   い、第２の外箱内に遊挿され、磁石により構成されたバ
   ルブ固定部材と、磁石または電磁石のいずれかにより構
   成され、前記第２の外箱内面に設けられた前記第２のバ
   ルブヘッドの浮上、および接触を防止させるバルブヘッ
   ド浮上手段と、前記第２の外箱内における一方の端部に
   設けられ、前記バルブ固定部材の移動を行う電磁石によ
   り構成されたバルブ固定部材移動手段と、前記バルブ固
   定部材移動手段の制御を所定の入力信号に基づいて行う
   第２の制御手段とよりなることを特徴とするゲートバル
   ブ。
6. 【請求項６】 請求項４記載のゲートバルブにおいて、
   前記バルブ固定部材移動手段を前記第２の外箱と分離し
   て、前記第２の外箱の外側における一方の端部近傍に設
   けたことを特徴とするゲートバルブ。
7. 【請求項７】 請求項５または６記載のゲートバルブを
   用いて構成されたことを特徴とする半導体製造装置。