JPH01162328A - 熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 熱処理装置の改良に関し、 ウェーハ受けを反応管に搬入・搬出するにあたり、ウェ
ーハ受けと反応管とが擦過することがなく、したがって
、ウェーハ受けと反応管との擦過にもとづく発塵がなく
、真空パージおよび／または、所望のガスを供給するに
あたり、気流に乗って、上記の塵埃が半導体ウェーハに
付着することのない熱処理装置を提供することを目的と
し、反応管と、この反応管の熱処理領域を加熱する加熱
器と、上記の反応管の内部をパージし、および／または
、上記の反応管に所望のガスを供給する流体系を有する
反応管と、該反応管中をその軸に沿って移動可能なウェ
ーハ受けと、該ウェーハ受けを前記反応管の軸に沿って
駆動するウェーハ受け駆動手段とが具備されてなる熱処
理装置において、前記反応管の少なくとも下半部には、
内面が１磁極をなし、外面が反対磁極をなす第１の磁石
が埋め込まれており、前記ウェーハ受けの少なくとも下
部には、前記第１の磁石と反撥する極性の第２の磁石が
埋め込まれており、前記ウェーハ受けの少なくとも両側
部には、前記第１の磁石と吸引する極性の第３の磁石が
埋め込まれているように構成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、熱処理装置の改良に関する。特に、ウェーハ
受けの搬入・搬出するにあたり、ウェーハ受けと反応管
とが擦過することがなく、この擦過に起因する発塵が半
導体ウェーハに付着することかないように改良されてい
る熱処理装置に関する。

〔従来の技術〕

従来技術に係る熱処理装置の１例を、第３図に示す。本
例においては、従来技術に係る熱処理装置は、熱処理領
域を加熱する加熱器１１と、内部をパージし、および／
または、所望のガスを供給する流体系を有する反応管１
と、この反応管１中をその軸に沿って移動可能なウェー
ハ受け２１と、ウェーハ受け２１を前記反応管１の軸に
沿って駆動するウェーハ受け駆動手段２とをもって構成
される。

上記に例示した熱処理装置においては、ウェーハ受け駆
動手段２を駆動して、ウェーハ受け２１を反応管１の熱
処理領域にセットし、反応管１の内部を真空にし、必要
に応じて所望のガスを供給し、加熱器１１を使用して加
熱し、熱処理をなす。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ウェーハ受け２１をウェーハ受け駆動手段２を駆動して
、反応管１の熱処理領域に搬入・搬出するにあたり、ウ
ェーハ受け２１と反応管１との擦過にもとづく発塵の可
能性があり、真空パージおよび／または、所望のガスを
供給するにあたり、この発塵にもとづ（塵埃が気流に乗
って半導体ウェーハに付着する可能性がある。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ウェ
ーハ受け２１を反応管１に搬入・搬出するにあたり、ウ
ェーハ受け２１と反応管１とが擦過することなく、した
がって擦過にもとづく発塵がなく、この発塵にもとづく
塵埃が、真空パージおよび／または、所望のガスを供給
するにあたり、気流に乗って半導体ウェーハに付着する
ことのない熱処理装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は、反応管（１）と、この反応管（１）の熱
処理領域を加熱する加熱器（１１）と、前記反応管（１
）の内部をパージし、および／または前記反応管（１）
に所望のガスを供給する流体系（１３）と、前記反応管
（１）中をその軸に沿って移動可能なウェーハ受け（２
１）と、このウェーハ受け（２１）を、前記反応管（１
）の軸に沿って駆動するウェーハ受け駆動手段（２）と
が具備されてなる熱処理装置において、 前記反応管（１）の少なくとも下半部には、内部が１磁
極をなし、外面が反対磁極をなす第１の磁石（１２）が
埋め込まれてなり、前記ウェーハ受け（２１）の少なく
とも下部には、前記第１の磁石（１２）と反撥する極性
の第２の磁石（２２）が埋め込まれてなり、前記ウェー
ハ受け（２１）の少なくとも両側部には、前記第１の磁
石（１２）と吸引する極性の第３の磁石（２３）が埋め
込まれてなる熱処理装置によって達成される。。

上記の構成において、第１の磁石（１２）を電磁石とし
、第２、第３の磁石（２２，２３）を永久磁石とすれば
、ウェーハ受け（２１）の浮上する高さの制御が容易で
あり、好適である。

〔作用〕

ウェーハ受け２１に埋め込まれた第２の磁石２２と反応
管１に埋め込まれた第１の磁石１２との反撥力によって
、ウェーハ受け２１は反応管１から浮上する。ウェーハ
受け２１の両側部に埋め込まれた第３の磁石２３と前記
第１の磁石１２との吸引力によって、ウェーハ受け２１
が反応管１内において移動することが抑制され、１箇所
に安定に浮上する。なお、第１の磁石１２に電磁石を使
用し、第２．３の磁石２２．２３に永久磁石を使用すれ
ば、第１の磁石１２と第２の磁石２２との反撥力、およ
び、第１の磁石１２と第３の磁石２３との吸引力を任意
に調整することが可能となり、浮上刃が容易に制御でき
、最適の位置に浮上させることが容易に可能となる。

この結果、ウェーハ受け２１をウェーハ受け駆動手段２
を駆動して、反応管１の熱処理領域に搬入・搬出するに
あたり、ウェーハ受け２１と反応管１とは擦過すること
がなく、したがって、擦過にもとづく発塵がなく、発塵
にもとづく塵埃が半導体ウェーハに付着することがない
。

なお、第１の磁石１２は反応管１中に、また第２．３の
磁石２２．２３はウェーハ受け２１中に、それぞれ埋め
込まれているため、磁石自身からの発塵の可能性がない
ことは言うまでもない。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る熱処
理装置について説明する。

第１．２図参照 １は反応管であり、熱処理領域を加熱する加熱器１１と
、内部をパージし、および／または、所望のガスを供給
する流体系１３とを有し、少なくとも、その下半部には
、内面が１磁極をなし、外面が反対磁極をなす第１の磁
石１２が埋め込まれている。

２１はウェーハ受けであり、前記反応管１中をその軸に
沿って移動可能であり、少なくともその下部には、前記
第１の磁石１２と反撥する極性の第２の磁石２２が埋め
込まれており、少なくともその両側部には、前記第１の
磁石１２と吸引する極性の第３の磁石２３が埋め込まれ
ている。

２はウェーハ受け駆動手段であり、前記ウェーハ受け２
１を前記反応管１の軸に沿って駆動する。

上記の熱処理装置を使用して、うエーハ受け２１を反応
管１内に搬入し、ウェーハ受け駆動手段２を駆動して、
前記ウェーハ受け２１を反応管１の熱処理領域にセット
すれば、前記ウェーハ受け２１は磁石の反撥力によって
反応管１から浮上するため、ウェーハ受け２１と反応管
１とが擦過する可能性はなく、擦過にもとづく発塵の可
能性はない。

熱処理を実行するには、ウェーハ受け駆動手段２を使用
してウェーハ受け２１を反応管１中に搬入した後、反応
管１を密閉し、その後、反応管１内を真空にし、場合に
よっては不活性ガスを供給し、加熱手段１１を使用して
加熱しアニールをなす。あるいは、真空にした後、所望
のガスを供給して加熱し、気相成長、あるいは、不純物
拡散等をなすことも可能である。

なお、第１の磁石１２に電磁石を使用し、第２．３の磁
石２２．２３に永久磁石を使用すれば、第１の磁石１２
と第２の磁石２２との反Ｉ發力、および第１の磁石１２
と第３の磁石２３との吸引力を任意に調整することが可
能となりウェーハ受け２１を、最適の位置に浮上させる
ことが容易に可能となる。

また、磁石に、１例としてサマリウム・コバルト等より
なる磁石を使用すれば、本発明に係る熱処理装置をもっ
て１　、０００°Ｃ程度までの熱処理をなすことが可能
である。

〔発明の効果〕

以上説明せるとおり、本発明に係る熱処理装置において
は、反応管の少なくとも下半分には、内面が１磁極をな
し、外面が反対磁極をなす第１の磁石が埋め込まれ、ウ
ェーハ受けの少なくとも下部には、前記第１の磁石と反
撥する極性の第２の磁石が埋め込まれ、前記ウェーハ受
けの少なくとも両側部には、前記第１の磁石と吸引する
極性の第３の磁石が埋め込まれているので、ウェーハ受
けは反応管内において第１と第２の磁石の反撥力によっ
て浮上し、しかも、第１と第３の磁石の吸引力によって
回転運動が抑制され浮上の安定性が保たれる。

この結果、ウェーハ受けを反応管に搬入・搬出するにあ
たり、ウェーハ受けと反応管とが擦過することがなく、
したがって、擦過にもとづく発塵がなく、この発塵にも
とづく塵埃が真空パージおよび／または、所望のガスを
供給するにあたり、気流に乗って半導体ウェーハに付着
することがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例に係る熱処理装置の反応管
およびウェーハ受けの横断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係る熱処理装置の全体断
面図である。 第３図は、従来技術に係る熱処理装置の全体断面図であ
る。 １・・・反応管、 １１・・・加熱手段、 １２・・・第１の磁石、 １３・・・流体系、 ２・・・ウェーハ受け駆動手段、 ２１・・・ウェーハ受け、 ２２・・・第２の磁石、 ２３・・・第３の磁石。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］反応管（１）と、 該反応管（１）の熱処理領域を加熱する加熱器（１１）
   と、 前記反応管（１）の内部をパージし、および／または前
   記反応管（１）に所望のガスを供給する流体系（１３）
   と、 前記反応管（１）中をその軸に沿って移動可能なウェー
   ハ受け（２１）と、 該ウェーハ受け（２１）を、前記反応管（１）の軸に沿
   って駆動するウェーハ受け駆動手段（２）とが具備され
   てなる熱処理装置において、 前記反応管（１）の少なくとも下半部には、内面が１磁
   極をなし、外面が反対磁極をなす第１の磁石（１２）が
   埋め込まれてなり、 前記ウェーハ受け（２１）の少なくとも下部には、前記
   第１の磁石（１２）と反撥する極性の第２の磁石（２２
   ）が埋め込まれてなり、 前記ウェーハ受け（２１）の少なくとも両側部には、前
   記第１の磁石（１２）と吸引する極性の第３の磁石（２
   ３）が埋め込まれてなる ことを特徴とする熱処理装置。 ［２］前記第１の磁石（１２）は電磁石であり、第２、
   第３の磁石（２２、２３）は永久磁石であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。