CN113774360B - 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备 - Google Patents

一种往复旋转升降的化学气相沉积设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113774360B
CN113774360B CN202111330342.6A CN202111330342A CN113774360B CN 113774360 B CN113774360 B CN 113774360B CN 202111330342 A CN202111330342 A CN 202111330342A CN 113774360 B CN113774360 B CN 113774360B
Authority
CN
China
Prior art keywords
piece
lifting
vapor deposition
chemical vapor
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111330342.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113774360A (zh
Inventor
金小亮
李中云
崔世甲
潘学勤
宋维聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bitong Semiconductor Equipment Suzhou Co ltd
Original Assignee
Bitong Semiconductor Equipment Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bitong Semiconductor Equipment Suzhou Co ltd filed Critical Bitong Semiconductor Equipment Suzhou Co ltd
Priority to CN202111330342.6A priority Critical patent/CN113774360B/zh
Publication of CN113774360A publication Critical patent/CN113774360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113774360B publication Critical patent/CN113774360B/zh
Priority to PCT/CN2022/120432 priority patent/WO2023082853A1/zh
Priority to TW111143247A priority patent/TWI811155B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，包括腔体、基座、固定支架、升降机构及旋转机构。本发明利用磁流体密封原理实现设备密封，并实现旋转升降功能为一体，可同时满足往复旋转、升降移动、晶圆加热等的协同工作的同时互不影响，且往复式旋转可避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。另外，旋转机构内可设置吹气装置，避免腔体内形成的微颗粒对旋转机构（磁液）的影响，可保证旋转机构高效稳定的运行。相对于现有设备，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的整体结构精简了较多传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。

Description

一种往复旋转升降的化学气相沉积设备
技术领域
本发明属于半导体高端制造设备领域，涉及一种优化的往复旋转升降的化学气相沉积设备。
背景技术
化学气相沉积（CVD）设备对反应腔体内真空度、薄膜沉积的均匀性具有较高的要求，现有公开技术中，有独立利用旋转装置和独立运用升降装置来提高薄膜均匀性的设计方案，考虑到制造成本、设备功耗和运行的稳定性，均不是适用于CVD设备的最佳选择，主要原因如下：（1）需要一定的真空密闭性，但没有物理气相沉积（PVD）要求那么高（腔体内压强决定），因此适用于PVD的设计方案的制造成本和功耗都较高，也比较复杂；（2）需要同时解决旋转、升降、电气线路缠绕、电磁波干扰等问题；（3）现有设备设计方案的传动组件太多，稳定性还有待进一步提升。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种优化的往复旋转升降的化学气相沉积设备，用于解决现有技术中化学气相沉积设备结构复杂、稳定性差等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，包括：
腔体，底部设有通孔；
基座，包括基座台及基座轴，所述基座台位于所述腔体内，所述基座轴位于所述基座台下方并与所述基座台固定连接，所述基座轴的底端穿过所述通孔以延伸至所述腔体外；
固定支架，位于所述腔体下方并与所述腔体底部固定连接；
升降机构，位于所述腔体下方并与所述固定支架连接，所述升降机构包括升降支架；
旋转机构，位于所述腔体下方并包括定子、转子、带动件、连接件、磁液密封件、磁液及可伸缩管型组件，所述定子与所述升降支架固定连接并套设于所述转子外围以驱动所述转子以所述基座轴为中心旋转，所述带动件位于所述转子上方并与所述转子固定连接，所述带动件还套设于所述基座轴外围并与所述基座轴固定连接，所述可伸缩管型组件位于所述带动件上方并套设于所述基座轴外围，所述可伸缩管型组件的顶部与所述腔体底部密封连接，所述可伸缩管型组件的底部与所述连接件的顶部密封连接，所述磁液密封件套设于所述带动件外围并与所述带动件的外侧壁之间形成一磁液收容空间，所述磁液位于所述磁液收容空间内，所述磁液密封件的顶部与所述连接件的底部密封连接，所述磁液密封件的底部与所述升降支架的顶部密封连接。
可选地，所述升降机构还包括驱动电机、减速器、螺纹杆及螺纹块，所述驱动电机、所述减速器及所述螺纹杆自下而上依次连接，所述减速器还与所述固定支架固定连接，所述螺纹杆在所述减速器的带动下作旋转运动，所述螺纹块套设于所述螺纹杆外围以随所述螺纹杆的旋转而作升降运动，所述固定支架的一侧面设有导轨槽，所述螺纹块的一侧嵌入所述导轨槽内，所述螺纹块的另一侧与所述升降支架固定连接以带动所述升降支架作升降运动。
可选地，所述固定支架包括支撑部及导轨块，所述支撑部的顶端与所述腔体底部固定连接，所述导轨块位于所述支撑部的侧面并与所述支撑部固定连接，所述减速器的顶端与所述导轨块的底端固定连接，所述导轨槽自所述导轨块背离所述支撑部的一面开口。
可选地，所述可伸缩管型组件包括第一固定件、波纹管及第二固定件，所述波纹管的顶端与底端分别与所述第一固定件及所述第二固定件固定连接，所述第一固定件与所述腔体底部密封连接。
可选地，所述旋转机构还包括吹气装置，所述连接件的外侧面设有与所述吹气装置连接的进气口，所述连接件内埋设有与所述进气口连通的环形气道，所述环形气道的底部设有多个出气口，所述出气口与所述基座轴之间的垂直距离小于所述带动件的外侧壁与所述基座轴之间的垂直距离。
可选地，所述连接件的底部设有滑动槽，所述带动件的顶端伸入滑动槽内并与所述连接件滑动连接。
可选地，所述旋转机构还包括滤波器及开口密封件，所述滤波器的顶端伸入所述转子内，所述开口密封件的顶部与所述转子的顶部连接并遮盖所述转子的顶部开口，所述开口密封件的底部与所述滤波器的顶部连接并遮盖所述滤波器的顶部开口，所述开口密封件中设有容许电气线穿过的电气线孔，所述电气线一端连接所述基座台，另一端穿过所述电气线孔并通过所述滤波器延伸到外界。
可选地，所述定子包括铁芯和线圈，所述线圈位于所述铁芯与所述转子之间。
可选地，所述化学气相沉积设备还包括至少一辅助支架，所述辅助支架包括支撑杆、滑动轴及滑动件，所述支撑杆的顶端与所述腔体底部固定连接，所述支撑杆包括自下而上间隔设置的第一延伸侧翼与第二延伸侧翼，所述滑动轴的底端与顶端分别与所述第一延伸侧翼及所述第二延伸侧翼固定连接，所述滑动件与所述升降支架连接并套设于所述滑动轴外围以沿所述滑动轴作升降运动。
可选地，所述升降支架中设有容许所述滑动轴穿过的穿孔。
如上所述，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备利用磁流体密封原理实现设备密封，并实现旋转升降功能为一体，可同时满足往复旋转、升降移动、晶圆加热等的协同工作的同时互不影响，且往复式旋转可避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。另外，旋转机构内可设置吹气装置，避免腔体内形成的微颗粒对旋转机构（磁液）的影响，可保证旋转机构高效稳定的运行。相对于现有设备，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的整体结构精简了较多传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。
附图说明
图1显示为本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的立体结构示意图。
图2显示为本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的剖面结构示意图。
图3显示为所述腔体的立体结构示意图。
图4显示为所述基座的立体结构示意图。
图5显示为所述固定支架的立体结构示意图。
图6显示为所述辅助支架的立体结构示意图。
图7显示为所述升降机构的立体结构示意图。
图8显示为所述旋转机构的剖面结构示意图。
图9显示为图8中椭圆框所示区域的放大图。
元件标号说明：100 腔体，101 通孔，200 基座，201 基座台，202 基座轴，300 固定支架，301 导轨槽，302 支撑部，303 导轨块，400 升降机构，401 升降支架，401a 穿孔，402 驱动电机，403 减速器，404 螺纹杆，405 螺纹块，500 旋转机构，501 定子，501a 铁芯，501b 线圈，502 转子，503 带动件，504 连接件，505 磁液密封件，506 磁液，507 可伸缩管型组件，507a 第一固定件，507b 波纹管，507c 第二固定件，508 吹气装置，509 进气口，510 环形气道，511 出气口，512 滤波器，513 开口密封件，600 辅助支架，601 支撑杆，601a 第一延伸侧翼，601b 第二延伸侧翼，602 滑动轴，603 滑动件。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，请参阅图1及图2，分别显示为该设备的立体结构示意图及剖面结构示意图，包括腔体100、基座200、固定支架300、升降机构400及旋转机构500。
具体的，请参阅图3，显示为所述腔体100的立体结构示意图，所述腔体100底部设有通孔101。
具体的，请参阅图4，显示为所述基座200的立体结构示意图，所述基座200包括基座台201及基座轴202，所述基座台201位于所述腔体100内，所述基座轴202位于所述基座台201下方并与所述基座台201固定连接，所述基座轴202的底端穿过所述通孔101以延伸至所述腔体100外。
作为示例，所述基座轴202与所述基座台201的下表面中心位置固定连接。所述基座台201包括加热部件（未图示），所述基座轴202内部中空以容许与所述加热部件连接的电气线穿过，所述电气线用于为所述基座台201的加热供电和其它相关器件的供电。
具体的，如图1及图2所示，所述固定支架300位于所述腔体100下方并与所述腔体100底部固定连接。
作为示例，请参阅图5，显示为所述固定支架300的立体结构示意图，所述固定支架300包括支撑部302及导轨块303，所述支撑部302的顶端与所述腔体100底部固定连接，所述导轨块303位于所述支撑部302的侧面并与所述支撑部302固定连接。本实施例中，所述固定支架300的一侧面设有导轨槽301，所述导轨槽301自所述导轨块303背离所述支撑部302的一面开口。
具体的，如图1及图2所示，所述升降机构400位于所述腔体100下方并与所述固定支架300连接，所述升降机构400包括升降支架401，所述升降支架401与所述旋转机构500固定连接，用于带动所述旋转机构500作升降运动。
作为示例，如图1及图2所示，所述化学气相沉积设备还包括至少一辅助支架600。请参阅图6，显示为所述辅助支架600的立体结构示意图，所述辅助支架600包括支撑杆601、滑动轴602及滑动件603，所述支撑杆601的顶端与所述腔体100底部固定连接，所述支撑杆601包括自下而上间隔设置的第一延伸侧翼601a与第二延伸侧翼601b，所述滑动轴602的底端与顶端分别与所述第一延伸侧翼601a及所述第二延伸侧翼601b固定连接，所述滑动件603与所述升降支架401连接并套设于所述滑动轴602外围以沿所述滑动轴602作升降运动。本实施例中，所述升降支架401中设有容许所述滑动轴602穿过的穿孔401a（参见后续图7）。
作为示例，所述辅助支架600的数量为两个，一个所述固定支架300与两个所述辅助支架600围绕所述基座轴202均匀分布，以形成稳定的三角结构，提高所述升降支架401对所述旋转机构500的支撑稳定性。
作为示例，请参阅图7，显示为所述升降机构400的立体结构示意图，本实施例中，所述升降机构400还包括驱动电机402、减速器403、螺纹杆404及螺纹块405，所述驱动电机402、所述减速器403及所述螺纹杆404自下而上依次连接。
具体的，如图1、图2及图7所示，所述减速器403还与所述固定支架300固定连接，所述螺纹杆404在所述减速器403的带动下作旋转运动，所述螺纹块405套设于所述螺纹杆404外围以随所述螺纹杆404的旋转而作升降运动，所述螺纹块405的一侧嵌入所述固定支架300的导轨槽301内以保证所述螺纹块405进行稳定的升降运动，所述螺纹块405的另一侧与所述升降支架401固定连接以带动所述升降支架401作升降运动，进而带动所述旋转机构500作升降运动。
作为示例，所述减速器403的顶端与所述固定支架300的所述导轨块303的底端固定连接，可稳定降低所述驱动电机402的速度。所述驱动电机可采用伺服电机。
具体的，如图1及图2所示，所述旋转机构500位于所述腔体100下方。请参阅图8，显示为所述旋转机构500的剖面结构示意图，本实施例中，所述旋转机构500包括定子501、转子502、带动件503、连接件504、磁液密封件505、磁液506及可伸缩管型组件507。
具体的，如图1、图2及图8所示，所述定子501与所述升降支架401固定连接并套设于所述转子502外围以驱动所述转子502以所述基座轴202为中心旋转，所述带动件503位于所述转子502上方并与所述转子502固定连接，所述带动件503还套设于所述基座轴202外围并与所述基座轴202固定连接，所述可伸缩管型组件507位于所述带动件503上方并套设于所述基座轴202外围，所述可伸缩管型组件507的顶部与所述腔体100底部密封连接，所述可伸缩管型组件507的底部与所述连接件504的顶部密封连接，所述磁液密封件505套设于所述带动件503外围并与所述带动件503的外侧壁之间形成一磁液收容空间，所述磁液506位于所述磁液收容空间内，所述磁液密封件505的顶部与所述连接件504的底部密封连接，所述磁液密封件505的底部与所述升降支架401的顶部密封连接。
作为示例，所述定子501的顶部与所述升降支架401固定连接。
作为示例，所述定子501包括铁芯501a和线圈501b，所述线圈501b位于所述铁芯501a与所述转子502之间，所述转子502在所述铁芯501a和所述线圈501b产生的磁场作用下以所述基座轴202为中心旋转，并带动所述带动件503旋转，进而带动所述基座轴202旋转。
作为示例，所述转子502的旋转方式为往复式旋转，可以避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。
作为示例，所述连接件504的底部可设有滑动槽（未图示），所述带动件503的顶端可伸入滑动槽内并与所述连接件504滑动连接，以增强所述带动件503的旋转稳定性。
具体的，由于所述带动件503需要作旋转运动，其顶端需要与所述连接件504之间留有一定活动间隙，为了实现所述带动件503顶部区域的密封，本发明利用了磁流体密封原理，即利用所述磁液密封件505及磁液506来实现所述带动件503顶部区域的密封。
需要指出的是，物理气相沉积（PVD）要求腔体内压强非常高，对密封性要求也非常高，因此需要使用物理隔绝密封才能满足条件，例如使用磁耦合产生的密封。而有别于磁耦合带动所形成的密封原理，本发明采用的磁液密封不仅可以达到对化学气相沉积（CVD）设备这种对高真空密封性要求不是太高的设备的密封要求，还可以精简较多的传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使得升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。
具体的，所述磁液506吸附在所述磁液密封件505内表面和所述带动件503的外表面上，所述带动件503作旋转运动时，所述磁液仍保持吸附状态并将所述带动件503内部空间与外界相隔绝。
作为示例，所述磁液密封件505与所述连接件504之间可通过紧固件固定连接，且所述磁液密封件505的顶部与所述连接件504的底部之间设有密封圈以实现界面处的密封；所述磁液密封件505与所述升降支架401之间可通过紧固件固定连接，且所述磁液密封件505的底部与所述升降支架401的顶部之间设有密封圈以实现界面处的密封。
作为示例，所述可伸缩管型组件507包括第一固定件507a、波纹管507b及第二固定件507c，所述波纹管507b的顶端与底端分别与所述第一固定件507a及所述第二固定件507c固定连接，所述第一固定件507a与所述腔体100底部密封连接。
作为示例，所述第一固定件507a与所述腔体100之间通过紧固件固定，且所述第一固定件507a的顶面与所述腔体100的底面之间设有密封圈以实现界面密封。
作为示例，如图8所示，所述旋转机构500还包括吹气装置508，所述连接件504的外侧面设有与所述吹气装置508连接的进气口509，所述连接件504内埋设有与所述进气口509连通的环形气道510，所述环形气道510的底部设有多个出气口511，所述出气口511与所述基座轴202之间的垂直距离小于所述带动件503的外侧壁与所述基座轴202之间的垂直距离。
作为示例，多个出气口511在所述环形气道510所在圆周上均匀分布。
具体的，所述吹气装置508通过吹气管向所述连接件504内部不断的吹气。请参阅图9，显示为图8中椭圆框所示区域的放大图，其中采用箭头示出了气流方向，气流的作用是防止腔体100内进行化学气相沉积时所产生的微粒子落入到所述旋转机构500中磁液内而影响磁液的密封效果。
作为示例，如图1、图2及图8所示，所述旋转机构500还包括滤波器512及开口密封件513，所述滤波器512的顶端伸入所述转子502内，所述开口密封件513的顶部与所述转子502的顶部连接并遮盖所述转子502的顶部开口，所述开口密封件513的底部与所述滤波器512的顶部连接并遮盖所述滤波器512的顶部开口，所述开口密封件513中设有容许电气线穿过的电气线孔，所述电气线一端连接所述基座台201，另一端穿过所述电气线孔并通过所述滤波器512延伸到外界。
具体的，所述滤波器512可以滤除从所述基座台201传到所述电气线上的电磁波，防止对外界供电线路产生干扰而造成对所述基座台201供电的不稳定。
具体的，所述基座台201同时进行往复旋转、升降移动、晶圆加热的过程如下：所述升降机构400的所述升降支架401随所述螺纹块405作升降运动，并带动所述旋转机构500升降，所述旋转机构500的所述转子502在升降的同时以所述基座轴202为中心旋转，从而带动所述带动件503作升降旋转运动，进而依次带动所述基座轴202、所述基座台201作升降旋转运动。在所述基座轴202的上升过程中，所述可伸缩管型组件507缩短，在所述基座轴202的下降过程中，所述可伸缩管型组件507伸长。所述基座轴202内的电气线为所述基座台201的加热供电，且所述电气线随所述基座台201作往复旋转运动，不会发生物理缠绕损毁。
综上所述，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备利用磁流体密封原理实现设备密封，并实现旋转升降功能为一体，可同时满足往复旋转、升降移动、晶圆加热等的协同工作的同时互不影响，且往复式旋转可避免电气线在旋转过程中发生物理缠绕损毁的问题。另外，旋转机构内可设置吹气装置，避免腔体内形成的微颗粒对旋转机构（磁液）的影响，可保证旋转机构高效稳定的运行。相对于现有设备，本发明的往复旋转升降的化学气相沉积设备的整体结构精简了较多传动组件，由此减少了由于较多冗余组件造成的不稳定性以及产生的机械磨损，使升降和旋转控制的准确度更高，稳定性更强，制造成本和功耗更低。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于，包括：
腔体，底部设有通孔；
基座，包括基座台及基座轴，所述基座台位于所述腔体内，所述基座轴位于所述基座台下方并与所述基座台固定连接，所述基座轴的底端穿过所述通孔以延伸至所述腔体外；
固定支架，位于所述腔体下方并与所述腔体底部固定连接；
升降机构，位于所述腔体下方并与所述固定支架连接，所述升降机构包括升降支架、驱动电机、减速器、螺纹杆及螺纹块，所述驱动电机、所述减速器及所述螺纹杆自下而上依次连接，所述减速器还与所述固定支架固定连接，所述螺纹杆在所述减速器的带动下作旋转运动，所述螺纹块套设于所述螺纹杆外围以随所述螺纹杆的旋转而作升降运动，所述螺纹块的一侧与所述升降支架固定连接以带动所述升降支架作升降运动；
旋转机构，位于所述腔体下方并包括定子、转子、带动件、连接件、磁液密封件、磁液及可伸缩管型组件，所述定子与所述升降支架固定连接并套设于所述转子外围以驱动所述转子以所述基座轴为中心旋转，所述带动件位于所述转子上方并与所述转子固定连接，所述带动件还套设于所述基座轴外围并与所述基座轴固定连接，所述可伸缩管型组件位于所述带动件上方并套设于所述基座轴外围，所述可伸缩管型组件的顶部与所述腔体底部密封连接，所述可伸缩管型组件的底部与所述连接件的顶部密封连接，所述磁液密封件套设于所述带动件外围并与所述带动件的外侧壁之间形成一磁液收容空间，所述磁液位于所述磁液收容空间内，所述磁液密封件的顶部与所述连接件的底部密封连接，所述磁液密封件的底部与所述升降支架的顶部密封连接；
滤波器，所述滤波器的顶端伸入所述转子内；
电气线，所述电气线一端连接所述基座台，另一端通过所述滤波器延伸到外界。
2.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述固定支架的一侧面设有导轨槽，所述螺纹块远离所述升降支架的一侧嵌入所述导轨槽内。
3.根据权利要求2所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述固定支架包括支撑部及导轨块，所述支撑部的顶端与所述腔体底部固定连接，所述导轨块位于所述支撑部的侧面并与所述支撑部固定连接，所述减速器的顶端与所述导轨块的底端固定连接，所述导轨槽自所述导轨块背离所述支撑部的一面开口。
4.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述可伸缩管型组件包括第一固定件、波纹管及第二固定件，所述波纹管的顶端与底端分别与所述第一固定件及所述第二固定件固定连接，所述第一固定件与所述腔体底部密封连接。
5.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述旋转机构还包括吹气装置，所述连接件的外侧面设有与所述吹气装置连接的进气口，所述连接件内埋设有与所述进气口连通的环形气道，所述环形气道的底部设有多个出气口，所述出气口与所述基座轴之间的垂直距离小于所述带动件的外侧壁与所述基座轴之间的垂直距离。
6.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述连接件的底部设有滑动槽，所述带动件的顶端伸入滑动槽内并与所述连接件滑动连接。
7.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述旋转机构还包括开口密封件，所述开口密封件的顶部与所述转子的顶部连接并遮盖所述转子的顶部开口，所述开口密封件的底部与所述滤波器的顶部连接并遮盖所述滤波器的顶部开口，所述开口密封件中设有容许电气线穿过的电气线孔。
8.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述定子包括铁芯和线圈，所述线圈位于所述铁芯与所述转子之间。
9.根据权利要求1所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述化学气相沉积设备还包括至少一辅助支架，所述辅助支架包括支撑杆、滑动轴及滑动件，所述支撑杆的顶端与所述腔体底部固定连接，所述支撑杆包括自下而上间隔设置的第一延伸侧翼与第二延伸侧翼，所述滑动轴的底端与顶端分别与所述第一延伸侧翼及所述第二延伸侧翼固定连接，所述滑动件与所述升降支架连接并套设于所述滑动轴外围以沿所述滑动轴作升降运动。
10.根据权利要求9所述的往复旋转升降的化学气相沉积设备，其特征在于：所述升降支架中设有容许所述滑动轴穿过的穿孔。
CN202111330342.6A 2021-11-11 2021-11-11 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备 Active CN113774360B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111330342.6A CN113774360B (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备
PCT/CN2022/120432 WO2023082853A1 (zh) 2021-11-11 2022-09-22 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备
TW111143247A TWI811155B (zh) 2021-11-11 2022-11-11 往復旋轉升降的化學氣相沉積設備

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111330342.6A CN113774360B (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113774360A CN113774360A (zh) 2021-12-10
CN113774360B true CN113774360B (zh) 2022-02-11

Family

ID=78957075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111330342.6A Active CN113774360B (zh) 2021-11-11 2021-11-11 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN113774360B (zh)
TW (1) TWI811155B (zh)
WO (1) WO2023082853A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113774360B (zh) * 2021-11-11 2022-02-11 陛通半导体设备(苏州)有限公司 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备
CN113774352B (zh) * 2021-11-11 2022-03-08 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 一种往复旋转升降的气相沉积设备
CN115579701B (zh) * 2022-12-09 2023-02-28 陛通半导体设备(苏州)有限公司 一种可旋转电连接的插头组件及半导体设备
CN117286570B (zh) * 2023-11-24 2024-02-20 浙江求是创芯半导体设备有限公司 一种外延设备
CN117467962B (zh) * 2023-12-28 2024-03-08 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 薄膜沉积设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
CN111364026A (zh) * 2020-05-27 2020-07-03 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 往复式旋转cvd设备及应用方法
CN111534809A (zh) * 2020-05-11 2020-08-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备
CN111705302A (zh) * 2020-08-18 2020-09-25 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备
CN211946124U (zh) * 2019-12-30 2020-11-17 上海东贝真空设备有限公司 Cvd水台升降旋转装置
CN212335281U (zh) * 2020-08-04 2021-01-12 西安电子科技大学 一种微波等离子体化学气相沉积装置
CN213142184U (zh) * 2020-08-04 2021-05-07 山西云矽电子科技有限公司 一种微波等离子体化学气相沉积装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032750A1 (ja) * 2008-09-16 2010-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板載置台
CN113774360B (zh) * 2021-11-11 2022-02-11 陛通半导体设备(苏州)有限公司 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
CN211946124U (zh) * 2019-12-30 2020-11-17 上海东贝真空设备有限公司 Cvd水台升降旋转装置
CN111534809A (zh) * 2020-05-11 2020-08-14 北京北方华创微电子装备有限公司 一种半导体工艺设备
CN111364026A (zh) * 2020-05-27 2020-07-03 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 往复式旋转cvd设备及应用方法
CN212335281U (zh) * 2020-08-04 2021-01-12 西安电子科技大学 一种微波等离子体化学气相沉积装置
CN213142184U (zh) * 2020-08-04 2021-05-07 山西云矽电子科技有限公司 一种微波等离子体化学气相沉积装置
CN111705302A (zh) * 2020-08-18 2020-09-25 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可实现晶圆平稳升降的气相沉积设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI811155B (zh) 2023-08-01
CN113774360A (zh) 2021-12-10
TW202328490A (zh) 2023-07-16
WO2023082853A1 (zh) 2023-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113774360B (zh) 一种往复旋转升降的化学气相沉积设备
WO2023082855A1 (zh) 一种往复旋转升降的气相沉积设备
CN101801817B (zh) 具备集成到室壁上的电动机的基片加工装置
CN104812534B (zh) 马达模块、多轴马达驱动组件、多轴机械手设备及电子装置制造系统与方法
TWI603905B (zh) 在電子裝置製造中經調適以傳送雙基材的機器人系統、設備和方法
TWI755329B (zh) 往復式旋轉cvd設備及應用方法
JP4660434B2 (ja) 搬送機構およびそれを備えた処理装置
CN105723012B (zh) 用于控制气流模式的处理腔室设备、系统及方法
CN203712406U (zh) 一种细小高速电主轴的风冷气封结构
JP2002059386A (ja) 搬送用ロボット
CN114774885B (zh) 一种高真空气相沉积设备
CN113172653B (zh) 柔性夹爪及自动化设备
CN106737634A (zh) 模块化多自由度工业机器人
JP2023513221A (ja) 分散型アクチュエータを搭載した真空環境ロボット
CN203625463U (zh) 一种真空沉积系统及其旋转馈入装置
CN220412076U (zh) 一种旋转吸附装置
JP2001332599A (ja) 搬送装置
KR102429257B1 (ko) 파우더용 원자층 증착 설비
CN103602956A (zh) 一种真空沉积系统及其旋转馈入装置
WO2022057179A1 (zh) 一种硅片吸附单元及硅片传输装置
CN116884890B (zh) 协同控压式刻蚀装置
CN114178940B (zh) 一种回转工作台装置和控制方法
CN219436836U (zh) 一种灌胶设备的底部密封升降装置
US20230241764A1 (en) Transfer robot
CN116024555B (zh) 衬底处理装置和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant