CN116884890B - 协同控压式刻蚀装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒和控压部；刻蚀筒内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；控压部包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道。本申请能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力。

Description

协同控压式刻蚀装置

技术领域

本发明涉及半导体制造设备领域，尤其是一种协同控压式刻蚀装置。

背景技术

随着半导体产业的快速发展，电子芯片工艺技术日益成熟，改变工艺、设备结构的方式来提高晶圆加工的质量是目前半导体行业增加竞争力的最直接的方式。

通过对刻蚀腔体内部设计副腔的方式使等离子在晶圆表面更加集中，提高晶圆加工的质量，但与此同时却提高了对腔体内部的控压要求。

现有技术常采用圆筒状的备件（也叫副腔）安装在工艺腔体内部、晶圆工艺区域外侧，单一的副腔将晶圆罩在内部，形成相对较小的工艺反应区，晶圆通过副腔上的晶圆传送进出口进出，而工艺腔体内的压力控制则是通过抽真空时摆阀或蝶阀的开启大小来实现的。

由于副腔是单一的圆筒状备件，只含有一个晶圆传送进出口且无法精准控制强内压力，晶圆在靠近副腔进出口的部分等离子体浓度与其他部分存在差异，等离子浓度在晶圆表面分布不均匀，晶圆整体工艺效果差。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力，从而提高晶圆整体工艺效果。本发明采用的技术方案是：

一种协同控压式刻蚀装置，包括

刻蚀筒，其内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；

控压部，包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；

其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道，所述控压通道供工艺气体从控压内环内部向控压外环外部发散；

所述控压部底部与ESC底座之间具有容置开口，所述控压外环与所述控压内环之间的相对运动使得容置开口打开或关闭。

进一步地，还包括第一驱动件和第二驱动件，所述第一驱动件的输出端连接于控压外环，所述第二驱动件的输出端连接于控压内环，所述控压外环和控压内环分别在第一驱动件和第二驱动件的驱动下产生相对运动。

进一步地，所述控压外环顶部设置有供第二驱动件的输出端贯穿的外环缺口。

进一步地，所述控压内环内部设置有若干加强筋，若干所述加强筋的一端相连接，其连接点位于控压内环的轴线上。

进一步地，所述刻蚀筒包括刻蚀筒体和刻蚀筒盖，所述刻蚀筒盖设置在刻蚀筒体顶部；

所述刻蚀筒盖上设置有凹槽，所述控压外环滑动设置在凹槽内，且至少所述控压外环的底部延伸至刻蚀筒盖下侧。

进一步地，所述刻蚀筒体侧面设置有晶圆通道，所述晶圆通道能够打开或关闭。

进一步地，所述刻蚀筒体内底面向上凸出设置有筒状的置物台，所述ESC底座设置在置物台顶部；

所述置物台内部设置有PIN针，所述PIN针能够沿竖直方向运动，所述PIN针一端能够穿出ESC底座。

进一步地，所述刻蚀筒体上设置有抽真空通道，所述抽真空通道用于连接抽真空系统。

本发明的优点：

本申请利用两个控压环的相对运动，改变控压通道的大小，来配合原有的抽真空系统实现协同控压，实现对工艺腔体内部压力更加精准的控制，通过控制内外出气通道的重合度来控制等离子分散的速率，使等离子在晶圆表面的时间得以控制，同时避免局部等离子体浓度差异的问题，提高晶圆的工艺质量。

附图说明

图1为本发明的结构组成示意图。

图2为本发明的爆炸图。

图3为本发明的剖面图。

图4为本发明控压内环与控压外环相对运动状态示意图。

图5为控压内环与控压外环相对运动的第一个实施例图。

图6为控压内环与控压外环相对运动的第二个实施例图。

图7为控压内环与控压外环相对运动的第三个实施例图。

图中：10-刻蚀筒，10a-容置开口，10b-晶圆通道，10c-抽真空通道，110-刻蚀筒体，110a-门阀，120-刻蚀筒盖，130-置物台，20-ESC底座，30-控压内环，310-内环出气通道，320-加强筋，40-控压外环，410-外环出气通道，420-外环缺口，50-控压通道，60-第一驱动件，70-第二驱动件，80-PIN针。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅附图1-4，本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒10和控压部；刻蚀筒10内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座20，所述ESC底座20上设置用于吸附晶圆的ESC；

控压部包括控压内环30和控压外环40，所述控压内环30的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道310，所述控压外环40位于控压内环30外表面，所述控压外环40的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道410；

其中，所述控压外环40与所述控压内环30之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道410与至少部分所述内环出气通道310连通并形成控压通道50，所述控压通道50供工艺气体从控压内环30内部向控压外环40外部发散。

本申请晶圆刻蚀工艺需要在真空状态下操作，刻蚀筒10作为常用的刻蚀设备利用抽真空系统为晶圆提供真空操作环境；ESC在晶圆加工过程中主要起到为晶圆背面提供支撑的作用，以静电吸附的方式保证其固定，为晶圆提供动态恒定的温度，所以在本申请刻蚀工艺过程里，ESC位于ESC底座20顶面上，晶圆放置在ESC顶面上。

现有技术中，刻蚀腔体内只有单一的副腔，即一个环状件，腔体内的压力是依靠摆阀或蝶阀的启闭大小来实现的；等离子体从上向下分散，由于在环状件的侧面预留了晶圆进出通道，等离子体只能从晶圆进出通道流出环状件，晶圆表面或副腔内等离子体浓度在靠近晶圆进出通道的位置较大、远离晶圆进出通道的位置较小，会出现晶圆表面等离子体浓度差异的情况。

而本申请针对等离子体在刻蚀腔体内的运动路径和压力做了改进：取消原本的晶圆进出通道，通过控压内环30和控压外环40之间的相对运动，控制等离子体的流向分布使得等离子体均匀流向各个控压通道50，呈环状均匀向外分散，等离子体浓度在晶圆表面更均匀；

与此同时，控压内环30与控压外环40之间的相对运动可以改变控压通道50的大小，通过控制控压通道50的大小，可以更精准的实现对控压内环30内部的压力控制、控制等离子体分散的速率，通过改变控压通道50的大小为0来控制等离子体在晶圆表面停留的时间，实现晶圆在更加精准的压力值和更加精准的等离子体浓度环境下进行刻蚀工艺，达到协同控压的目的。

可以理解的，请参阅附图3，控压内环30和控压外环40均为薄壁结构，控压外环40自上而下套在控压内环30外表面，控压外环40与控压内环30间隙配合；当控压外环40与控压内环30之间发生相对运动时，因控压内环30与控压外环40的间隙配合使得控压内环30与控压外环40之间不会出现摩擦，从而避免刻蚀腔体内产生粉末杂质；

控压内环30、控压外环40、ESC底座20同轴布置，控压外环40的直径大于ESC的直径且小于ESC底座的直径，ESC的直径大于晶圆的直径，控压外环40或控压内环30不会触碰到晶圆，使晶圆得到充分反应的同时保护晶圆不受损坏。

具体地，内环出气通道310设置一组、呈环形布置在控压内环30的圆柱面上，外环出气通道410设置一组、呈环形布置在控压外环40的圆柱面上；内环出气通道310与外环出气通道410重合部分形成的控压通道50为一组、呈环形布置，且每个控压通道50的大小相同，等离子体穿过若干等高的控压通道50流出控压内环30；

可以理解的是，请参阅附图3，控压通道50的高度高于晶圆的高度，使得控压内环30内的等离子体向下分散至晶圆表面。

更具体地，请参阅附图3和4，内环出气通道310设置至少两组、上下等距间隔布置，每组内环出气通道310呈环形布置在控压内环30的圆柱面上，外环出气通道410设置至少两组、上下等距间隔布置，其数量与内环出气通道310对应，每组外环出气通道410呈环形布置在控压外环40的圆柱面上；内环出气通道310与外环出气通道410重合部分形成的控压通道50为至少上下等距间隔布置的两组、每组控压通道50呈环形布置，且每个控压通道50的大小相同，等离子体穿过若干等高的控压通道50流出控压内环30；

通过多组控压通道50为等离子体提供分散路径，可以避免控压内环30内局部压力差异过大的问题，有利于等离子体更均匀的分散。

在一些实施例中，内环出气通道310和外环出气通道410的形状为腰形、矩形、圆形。

为了更直观的体现本申请的技术效果，下面给出测试数据对比：

An表示采用现有技术的工艺反应区（相当于控压内环内部）呈环状等距选取8个测量点处的等离子体浓度数据，Bn表示本申请的工艺反应区（即控压内环内部）呈环状等距选取8个测量点处的等离子体浓度数据；

从表中可知，A1、A2、A8相较于A3-A7距离晶圆进出口更近，等离子体浓度更高，现有技术的工艺反应区内等离子体浓度分布差异较大；B1-B8中经过精准控压和均匀分散的等离子体在控压内环30内部的浓度更均匀，各处等离子体浓度差异小；

因此，通过改变控压通道50的大小，实现对工艺腔体内部压力更加精准的控制，通过控制内外出气通道的重合度来控制等离子分散的速率，使等离子在晶圆表面的时间得以控制，从而避免局部等离子浓度差异的问题。

为了方便操控控压内环30与控压外环40之间的相对运动，本申请还包括第一驱动件60和第二驱动件70，所述第一驱动件60的输出端连接于控压外环40，所述第二驱动件70的输出端连接于控压内环30，所述控压外环40和控压内环30分别在第一驱动件60和第二驱动件70的驱动下产生相对运动。

作为本申请的第一种实施例，如附图3-6所示，第一驱动件60为升降驱动件，第二驱动件为旋转驱动件；第一驱动件60驱动控压外环40在第一高度和第二高度之间做升降运动，第二驱动件70驱动控压内环30绕其轴线旋转，来实现控压内环30与控压外环40之间的相对运动。

具体地，在控压过程中，控压内环30的旋转动作可以先于控压外环40的升降动作，也可以后于控压外环40的升降动作；

控压内环30的旋转动作先于控压外环40的升降动作时，如附图5所示，自刻蚀腔体内开始抽真空之后（抽真空系统与摆阀的配合实现初步控压），控压外环40在第一驱动件60的带动下从第一高度降至第二高度，此时第二驱动件70开始动作，通过控制控压内环30的转动角度，使内环出气通道310和外环出气通道410之间逐渐重合，控压通道50从0开始逐渐增大，直至控压内环30内的压力（即工艺反应区的压力）达到所需值，使晶圆的工艺反应区的压力得到更精准的控制，同时控压内环30内的等离子体速率和等离子体浓度得到进一步的控制，当控压内环30再次旋转使得控压通道50减小至0时，等离子体累积在控压内环30内，如此实现等离子体在晶圆表面停留的时间可控，进一步提高晶圆的工艺质量；

控压内环30的旋转动作后于控压外环40的升降动作时，如附图6所示，自刻蚀腔体内开始抽真空之时（抽真空系统与摆阀的配合实现初步控压），控压内环30开始旋转直至内环出气通道310和外环出气通道410逐渐重合，当摆阀将刻蚀腔体内的压力控制到一个大致区间时，控压外环40从第一高度降至第二高度，改变控压通道50的大小，直至控压内环30内的压力达到所需值，当控压内环30再次旋转使得控压通道50减小至0时，等离子体累积在控压内环30内。

上述两种协同控压方式都是通过控制控压通道50的大小来实现的，刻蚀腔体内部的等离子体由于控压通道50的大小不同而扩散速率不同，从而在更精准的压力控制下更集中的分布在晶圆表面，提升工艺质量。

作为本申请的第二种实施例（图未示），第一驱动件60为旋转驱动件，第二驱动件为升降驱动件；第一驱动件60驱动控压外环40绕其轴线旋转，第二驱动件70驱动控压内环30在第一高度和第二高度之间升降，来实现控压内环30与控压外环40之间的相对运动；第二种实施例与第一种实施例原理相同故不做赘述。

需要解释的是，在同一圆周上的若干内环出气通道310中，两个相邻的内环出气通道310之间的距离大于内环出气通道310自身的宽度，外环出气通道410与内环出气通道310做同样布置，初始状态下内环出气通道310与外环出气通道410形成的控压通道50的大小为0。

在以上两种实施例中，升降驱动件为升降气缸、滚珠丝杠驱动机构等常用直线驱动设备，旋转驱动件为电机、旋转气缸等常用转动驱动设备。

在上述两种实施例的基础上，作为本申请的第三种实施例，如附图7所示，在控压外环40的外部增加一个挡环，挡环能够与控压外环40之间产生相对运动并对外环出气通道410遮挡，进一步控制控压通道50的大小。

作为第三种实施例的优选，控压内环30与控压外环40之间、控压外环40与挡环之间能够分别实现相对运动，从而通过三者的旋转与升降的叠加进一步控制控压通道50的大小，并且在控压内环30或挡环其中一个无法工作时作为替换，保证刻蚀工艺顺利进行。

作为本申请的其他实施例（图未示），控压内环30不动或转动，控压外环40相对于控压内环30呈螺旋状升降，同样能够改变控压通道50的大小。

在本申请中，请参阅附图3，所述控压部底部与ESC底座20之间具有容置开口10a，所述控压外环40与所述控压内环30之间的相对运动使得容置开口10a打开或关闭。

容置开口10a的设计区别于现有技术中的晶圆进出通道；晶圆进出通道是在副腔（相当于控压内环）的侧面做开槽处理，槽的宽度不大于副腔的直径，足够晶圆进出副腔即可；而容置开口10a是存在于控压部与ESC底座20之间的间隙，晶圆从控压部外任何方向均可进出控压内环，而控压部对容置开口10a做封闭处理使得控压部内形成相对较小的工艺反应区，等离子体只能均匀的从控压通道50流出控压内环30。

具体地，在第一种实施例中，如附图3所示，容置开口10a的打开或关闭是依靠控压外环40在第一位置和第二位置之间升降来实现的；当控压外环40从第一高度下降至第二高度时，容置开口10a关闭，控压外环40内部形成相对较小的工艺反应区，等离子体只能均匀的从控压通道50流出控压内环30；当控压外环40从第二高度上升到第一高度时，容置开口10a打开，可以取出刻蚀后的晶圆，或向ESC表面放置待刻蚀的晶圆；需要说明的是，刻蚀加工前，刻蚀筒10内的刻蚀腔体先进行抽真空操作，而后控压外环40下行，容置开口10a关闭，等离子体开始分散。

具体地，在第二种实施例中（图未示），容置开口10a 的打开或关闭是依靠控压内环30在第一位置和第二位置之间升降来实现的；当控压内环30从第一高度下降至第二高度时，容置开口10a关闭，控压内环30内部形成相对较小的工艺反应区，等离子体只能均匀的从控压通道50流出控压内环30；当控压内环30从第二高度上升到第一高度时，容置开口10a打开，可以取出刻蚀后的晶圆，或向ESC表面放置待刻蚀的晶圆。

在其他实施例中（图未示），当控压内环30不动或转动，控压外环40呈螺旋状升降时，容置开口10a的打开或关闭依然是依靠控压外环40在第一位置和第二位置之间升降来实现的。

容易理解的，不论是在哪种实施例里，容置开口10a打开时，控压部的最低点（即控压内环30的底部或控压外环40的底部）的高度需要高于晶圆放置在ESC上时的晶圆顶面的高度，避免晶圆放入或取出时控压部与晶圆发生碰撞而损坏晶圆。

在本申请中，如附图2或3所示，为保证控压外环40的升降动作与控压内环30的旋转动作之间不产生运动干涉，所述控压外环40顶部设置有供第二驱动件70的输出端贯穿的外环缺口420。

如附图3所示，外环缺口420的形状优选为圆形，其直径大于第二驱动件70的输出端的直径，外环缺口420还可以在一定程度上减小控压外环40的重量；另外，由于还需要在控压外环40的顶面预留第一驱动件60的输出端所需安装位置，所以外环缺口420也不宜过大。

所述控压内环30内部设置有若干加强筋320，若干所述加强筋320的一端相连接，其连接点位于控压内环30的轴线上。

在一具体实施例中，如附图2所示，控压内环30内部设置三根加强筋320来提高控压内环30的结构强度，三根加强筋320的一端相连接，其连接点位于控压内环30的轴线上，如此两个相邻加强筋320之间的夹角为120°，第二驱动件70的输出端连接于三根加强筋320的连接点；并且，还能够在加强筋320上开设供等离子体流出的气孔，使得等离子体能够由气孔流出，因此加强筋320既能够起到结构加强的作用，又能够保证控压内环30的通气效果。

请参阅附图2，刻蚀筒的具体结构为：所述刻蚀筒10包括刻蚀筒体110和刻蚀筒盖120，所述刻蚀筒盖120设置在刻蚀筒体110顶部。

在一具体实施例中，刻蚀筒盖120上设置有供第一驱动件60的输出端、第二驱动件70的输出端穿过的孔，为了保证刻蚀腔体内的真空度，在各输出端和孔之间连接密封轴承。

所述刻蚀筒盖120上设置有凹槽，所述控压外环40滑动设置在凹槽内，且至少所述控压外环40的底部延伸至刻蚀筒盖120下侧。

等离子体在刻蚀腔体内分散时，不会通过凹槽和外环缺口420进入控压外环40内部；请参阅附图3，容易想到的是，在第一种实施例中，即使控压外环40运动至第二高度，控压外环40的顶部也不会脱离凹槽，保证控压外环40始终处于运动导向状态。

为了实现在不开启刻蚀筒盖120的状态下将晶圆送入或移出刻蚀筒10内，所述刻蚀筒体110侧面设置有晶圆通道10b，所述晶圆通道10b能够打开或关闭。

一般情况下，晶圆通道10b的启闭是通过门阀110a来实现的；当门阀110a打开时，晶圆通道10b打开，晶圆可以从晶圆通道10b进入刻蚀腔体内，也可以从刻蚀腔体内取出；当门阀110a关闭时，晶圆通道10b关闭，刻蚀腔体封闭，然后才可以控制内部压力。

作为本申请的其他实施例，晶圆通道10b的启闭还可以通过其他阀门、开关结构来实现。

需要说明的是，晶圆通道10b的高度与ESC底座20的高度相当，通过传送手指将晶圆水平送入ESC上放置或水平移出刻蚀腔体，避免晶圆倾斜掉落。

为了实现ESC底座20的平稳放置，并为线束预留走线空间，所述刻蚀筒体110内底面向上凸出设置有筒状的置物台130，所述ESC底座20设置在置物台130顶部。

具体地，控压内环30的轴线、控压外环40的轴线垂直于ESC底座20的顶面，在上述两种实施例中，容置开口10a关闭时控压内环30的底面或控压外环40的底面与ESC底座20的顶面贴合。

ESC底座与置物台130之间可以通过螺纹连接来达到快速拆装的目的；ESC的线束穿过ESC底座进入置物台130内，最终穿出刻蚀筒体110底面（图未示）提高设备集成度，减少外部暴露的线束长度。

所述置物台130内部设置有PIN针80，所述PIN针80能够沿竖直方向运动，所述PIN针80一端能够穿出ESC底座20。

具体地，ESC底座20上有多个供PIN针80穿过的细孔；初始状态下PIN针80穿出ESC底座上方，当传送手指将晶圆传送至ESC上方时，需要PIN针将晶圆顶起；可以理解的，当容置开口10a打开时，控压部的最低点应当高于PIN针顶起晶圆时晶圆的高度，避免控压外环40接触晶圆；随着传送手指退出刻蚀腔体、晶圆通道关闭，刻蚀腔体内处于真空状态，PIN针80下降使晶圆与ESC表面接触并吸附。

PIN针80在竖直方向上的运动依靠刻蚀装置之外的直线驱动件，在此不赘述其控制过程。

本申请所述刻蚀筒体110上设置有抽真空通道10c，所述抽真空通道10c用于连接抽真空系统；

另外还可以在抽真空通道10c内安装闷盖，不使用时封堵抽真空通道10c。

工作原理如附图3-6所示：

真空状态下，传送手指搭载晶圆从晶圆通道10b进入刻蚀腔体内部， PIN针将晶圆顶起；传送手指退出刻蚀腔体，晶圆通道10b关闭，刻蚀腔体内部依旧处于真空状态时，PIN针80下降使晶圆与ESC表面接触并吸附，随后工艺气体自刻蚀腔体上方向下分散，摆阀打开对刻蚀腔体内部初步控压；

容置开口10a关闭，控压内环30与控压外环40相对运动至控压通道50大小达到所需要求时，控压内环30内的压力被精准控制，等离子体均匀分散至晶圆表面；

控压内环30与控压外环40再次相对运动至控压通道50为0，等离子体在晶圆表面停留；

刻蚀结束时，容置开口10a和晶圆通道10b依次打开，取出晶圆。

最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照实例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的保护范围当中。

Claims (7)

1.一种协同控压式刻蚀装置，其特征在于：包括

刻蚀筒（10），其内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座（20），所述ESC底座（20）上设置用于吸附晶圆的ESC；

控压部，包括控压内环（30）和控压外环（40），所述控压内环（30）的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道（310），所述控压外环（40）位于控压内环（30）外表面，所述控压外环（40）的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道（410）；

其中，所述控压外环（40）与所述控压内环（30）之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道（410）与至少部分所述内环出气通道（310）连通并形成控压通道（50），所述控压通道（50）供工艺气体从控压内环（30）内部向控压外环（40）外部发散；

所述控压部底部与ESC底座（20）之间具有容置开口（10a），所述控压外环（40）与所述控压内环（30）之间的上下相对运动使得容置开口（10a）打开或关闭；容置开口（10a）关闭时，工艺气体从控压通道（50）流出控压内环（30）；当容置开口（10a）打开时，取出刻蚀后的晶圆或向ESC表面放置待刻蚀的晶圆；

所述刻蚀筒（10）包括刻蚀筒体（110）和刻蚀筒盖（120），所述刻蚀筒盖（120）设置在刻蚀筒体（110）顶部，所述刻蚀筒盖（120）上设置有凹槽，所述控压外环（40）滑动设置在凹槽内，且至少所述控压外环（40）的底部延伸至刻蚀筒盖（120）下侧。

2.根据权利要求1所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：

还包括第一驱动件（60）和第二驱动件（70），所述第一驱动件（60）的输出端连接于控压外环（40），所述第二驱动件（70）的输出端连接于控压内环（30），所述控压外环（40）和控压内环（30）分别在第一驱动件（60）和第二驱动件（70）的驱动下产生相对运动。

3.根据权利要求2所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：所述控压外环（40）顶部设置有供第二驱动件（70）的输出端贯穿的外环缺口（420）。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：所述控压内环（30）内部设置有若干加强筋（320），若干所述加强筋（320）的一端相连接，其连接点位于控压内环（30）的轴线上。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：所述刻蚀筒体（110）侧面设置有晶圆通道（10b），所述晶圆通道（10b）能够打开或关闭。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：所述刻蚀筒体（110）内底面向上凸出设置有筒状的置物台（130），所述ESC底座（20）设置在置物台（130）顶部；

所述置物台内部设置有PIN针（80），所述PIN针（80）能够沿竖直方向运动，所述PIN针（80）一端能够穿出ESC底座（20）。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的协同控压式刻蚀装置，其特征在于：所述刻蚀筒体（110）上设置有抽真空通道（10c），所述抽真空通道（10c）用于连接抽真空系统。