JP7068921B2 - 部品の形成方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 99
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 88
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 72
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 26
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
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- H01J37/32715—Workpiece holder
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Plasma Technology (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
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Description
図1に示すプラズマ処理装置100は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置100は、処理容器112及び載置台116を備えている。処理容器112は、略円筒形状を有しており、その内部空間を処理室112cとして提供している。処理容器112は、例えば、アルミニウムから構成されている。処理容器112の内部空間側の表面には、アルマイト膜、及び/又は、酸化イットリウム膜といった耐プラズマ性を有するセラミックス製の皮膜が形成されている。処理容器112は接地されている。処理容器112の側壁には、ウェハWを処理室112cに搬入し、処理室112cから搬出するための開口112pが形成されている。開口112pは、ゲートバルブGVによって開閉することが可能となっている。
次に、3Dプリンタ200の構成一例について、図3を参照しながら説明する。図3は、一実施形態に係る3Dプリンタ200の構成の一例を示す。本実施形態に係る3Dプリンタ200は、プラズマ処理装置内で使用される部品を形成(製造)する装置の一例である。ただし、部品を形成する装置は、図3に示す3Dプリンタ200の構成に限られない。
次に、3Dプリンタ200の動作の一例について、図4及び図5を参照しながら説明する。図4は、一実施形態に係る部品の形成処理の一例を示すフローチャートである。図5は、一実施形態に係る部品の形成方法を説明するための図である。
境界層129は、アルミニウム合金の粉末とSiCの粉末との配合率を線形的に変化させるスロープ状(グラディエーション状)の傾斜積層に限られない。境界層129は、アルミニウム合金の粉末とSiCの粉末との配合率を段階的に変化させるステップ状の傾斜積層であってもよい。また、基台121及び吸着部123の材料毎の線膨張係数に応じて境界層129の傾斜(各材料の配合率)を変えてもよい。
なお、本実施形態では、載置台116の製造を行う3Dプリンタ200の一例として粉末床溶融型の3Dプリンタを適用した。粉末床溶融型の3Dプリンタでは、ステージ202に粉末状の原料を敷き詰めてレーザ光等で溶かし、再び粉末状の原料を敷き詰めてレーザ光等で溶かす作業を繰り返して部品を形成する。このため、粉末床溶融型の3Dプリンタは、予め形成する立体構造が明確であり、かつ中空構造等の複雑な構造を有する載置台116及び上部電極130の構造物の製造に適している。
最後に、3Dプリンタを用いた異種のセラミックスの積層構造を有する部品の製造について簡単に説明する。例えば、基台121の材料がSiCであり、吸着部123の材料がアルミナである場合、載置台116は、異種のセラミックスの積層構造を有する部品の一例となる。この場合、基台121の材料は第1のセラミックスの原料の一例であり、吸着部123の材料は第1のセラミックスとは異なる第2のセラミックスの原料の一例である。
64 第2高周波電源
100 プラズマ処理装置
112 処理容器
116 載置台
117 基台
120 静電チャック
121 基台
123 吸着部
125 電極膜
129 境界層
130 上部電極
139 ガス供給部
151 第1制御部
200 3Dプリンタ
202 ステージ
203 原料格納部
204 レーザ走査装置
205 ローラ
206 光源
207 ローラ駆動部
208 レーザ駆動部
209 レーザ光走査スペース
210 チャンバ
250 第2制御部
HN ヒータ
Claims (22)
- プラズマ処理装置内で使用される部品の形成方法であって、
第1のセラミックスの原料と該第1のセラミックスとは異なる第2のセラミックスの原料とを供給しながら前記第1のセラミックスの原料及び前記第2のセラミックスの原料にエネルギービームを照射する第1の工程を含み、
前記第1の工程において、
前記第1のセラミックスの原料と前記第2のセラミックスの原料は各々の配合率を変えながら供給する、
部品の形成方法。 - 第1のセラミックスと第2のセラミックスとの一方の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する第2の工程と、
第1のセラミックスと第2のセラミックスとの他方の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する第3の工程と、を含み、
前記第2の工程は前記第1の工程の前に実行され、
前記第3の工程は前記第1の工程の後に実行される、
請求項1に記載の部品の形成方法。 - プラズマ処理装置内で使用される部品の形成方法であって、
金属の原料を供給しながら前記金属の原料にエネルギービームを照射することで基台を形成する第1の工程と、
前記基台の上に前記金属の原料とセラミックスの原料とを供給しながら前記金属の原料と前記セラミックスの原料にエネルギービームを照射することで前記基台の上に境界層を形成する第2の工程と、
前記セラミックスの原料を供給しながら前記セラミックスの原料にエネルギービームを照射することでセラミックス層を形成する第3の工程と、を含み、
前記第2の工程において、
前記金属の原料と前記セラミックスの原料は各々の配合率を変えながら供給する、
部品の形成方法。 - 前記第2の工程は、前記基台の上に供給する前記金属の原料とセラミックスの原料との配合率を連続的又は段階的に変えながら供給する、
請求項3に記載の部品の形成方法。 - 前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程の順に各工程を実行する、
請求項3又は4に記載の部品の形成方法。 - 前記第3の工程、前記第2の工程及び前記第1の工程の順に各工程を実行する、
請求項3又は4に記載の部品の形成方法。 - 更にヒータの原料を供給しながら前記ヒータの原料にエネルギービームを照射することでヒータ層を形成する第4の工程を含む、
請求項3~6のいずれか一項に記載の部品の形成方法。 - 更に電極膜の原料を供給しながら前記電極膜の原料にエネルギービームを照射することで電極膜を形成する第5の工程を含む、
請求項3~7のいずれか一項に記載の部品の形成方法。 - 前記基台には、流路が形成されている、
請求項3~8のいずれか一項に記載の部品の形成方法。 - 前記原料は、粉末状である、
請求項1~9のいずれか一項に記載の部品の形成方法。 - 前記エネルギービームは、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームであり、前記原料がセラミックスの場合には紫外線である、
請求項1~10のいずれか一項に記載の部品の形成方法。 - プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内において基板をプラズマ処理するためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマ処理装置内に配置される部品と、を有し、
前記部品は、第1のセラミックスの原料と該第1のセラミックスとは異なる第2のセラミックスの原料とを供給しながら前記第1のセラミックスの原料及び前記第2のセラミックスの原料にエネルギービームを照射する工程において、
前記第1のセラミックスの原料と前記第2のセラミックスの原料は各々の配合率を変えながら供給することで形成された境界層を有する部品である、プラズマ処理装置。 - 前記部品は、更に前記第1のセラミックスと前記第2のセラミックスとの一方の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程により形成された第1の層と、
前記第1のセラミックスと前記第2のセラミックスとの他方の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程により形成された第2の層とを有し、
前記境界層が前記第1の層と前記第2の層の間に配置される、
請求項12に記載のプラズマ処理装置。 - プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内において基板をプラズマ処理するためのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
プラズマ処理装置内に配置される部品とを有し、
前記部品は、金属の原料を供給しながら前記金属の原料にエネルギービームを照射することで基台を形成する第1の工程により形成された第1の層と、
前記基台の上に前記金属の原料とセラミックスの原料とを供給しながら前記金属の原料と前記セラミックスの原料にエネルギービームを照射することで前記基台の上に境界層を形成する第2の工程により形成された境界層と、
前記セラミックスの原料を供給しながら前記セラミックスの原料にエネルギービームを照射することでセラミックス層を形成する第3の工程により形成された第2の層とを有し、
前記境界層は、
前記第2の工程において、前記金属の原料と前記セラミックスの原料の各々の配合率を変えながら供給することで形成されている、
プラズマ処理装置。 - 前記境界層は、前記基台の上に供給する前記金属の原料とセラミックスの原料との配合率を連続的又は段階的に変えながら形成されている、
請求項14に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部品は、前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程の順に各工程を実行することで形成された部品である、
請求項14又は15に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部品は、前記第3の工程、前記第2の工程、前記第1の工程の順に各工程を実行することで形成された部品である、
請求項14又は15に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部品は、更にヒータの原料を供給しながら前記ヒータの原料にエネルギービームを照射することでヒータ層を形成する第4の工程により形成されたヒータ層を有する部品である、
請求項14~17のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部品は、更に電極膜の原料を供給しながら前記電極膜の原料にエネルギービームを照射することで電極膜を形成する第5の工程により形成された電極層を有する部品である、
請求項14~18のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記基台には流路が形成されている、
請求項14~19のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記原料は、粉末状である、
請求項12~20のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記エネルギービームは、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームであり、前記原料が樹脂の場合には紫外線である、
請求項12~21のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018094128A JP7068921B2 (ja) | 2018-05-15 | 2018-05-15 | 部品の形成方法及びプラズマ処理装置 |
TW111127900A TWI815575B (zh) | 2018-05-15 | 2019-05-08 | 電漿處理裝置及電漿處理裝置用零件 |
TW112129754A TW202347498A (zh) | 2018-05-15 | 2019-05-08 | 靜電吸盤的形成方法及電漿處理裝置 |
TW108115818A TWI776055B (zh) | 2018-05-15 | 2019-05-08 | 零件形成方法及電漿處理裝置 |
KR1020207007061A KR20210009294A (ko) | 2018-05-15 | 2019-05-10 | 부품의 형성 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
CN201980004518.3A CN111095499A (zh) | 2018-05-15 | 2019-05-10 | 部件的形成方法和等离子体处理装置 |
PCT/JP2019/018726 WO2019221022A1 (ja) | 2018-05-15 | 2019-05-10 | 部品の形成方法及びプラズマ処理装置 |
KR1020237010765A KR20230047221A (ko) | 2018-05-15 | 2019-05-10 | 부품의 형성 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
US16/646,258 US11967487B2 (en) | 2018-05-15 | 2019-05-10 | Forming method of component and plasma processing apparatus |
JP2022075358A JP7319425B2 (ja) | 2018-05-15 | 2022-04-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用部品 |
JP2023118203A JP2023153859A (ja) | 2018-05-15 | 2023-07-20 | 静電チャックの形成方法及びプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018094128A JP7068921B2 (ja) | 2018-05-15 | 2018-05-15 | 部品の形成方法及びプラズマ処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022075358A Division JP7319425B2 (ja) | 2018-05-15 | 2022-04-28 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019201087A JP2019201087A (ja) | 2019-11-21 |
JP7068921B2 true JP7068921B2 (ja) | 2022-05-17 |
Family
ID=68540266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018094128A Active JP7068921B2 (ja) | 2018-05-15 | 2018-05-15 | 部品の形成方法及びプラズマ処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11967487B2 (ja) |
JP (1) | JP7068921B2 (ja) |
KR (2) | KR20230047221A (ja) |
CN (1) | CN111095499A (ja) |
TW (3) | TW202347498A (ja) |
WO (1) | WO2019221022A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112863972B (zh) * | 2021-01-11 | 2024-02-06 | 中国科学院空天信息创新研究院 | 快热阴极热子组件及其制备方法 |
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WO2016205729A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-22 | Applied Materials, Inc. | Surface processing in additive manufacturing with laser and gas flow |
WO2017066077A1 (en) | 2015-10-16 | 2017-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
JP2018507327A (ja) | 2015-02-06 | 2018-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 膜応力低減および動作温度低減用に構成された3d印刷されたチャンバ部品 |
Family Cites Families (24)
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JPS6411960A (en) | 1987-07-01 | 1989-01-17 | Furukawa Electric Co Ltd | Film forming method |
JPH05170522A (ja) | 1991-12-25 | 1993-07-09 | Toshiba Corp | アルミナ系複合セラミックス焼結体 |
JPH0662541U (ja) | 1993-02-17 | 1994-09-02 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置における被処理物支持用部材 |
JP4004086B2 (ja) | 1996-07-22 | 2007-11-07 | 日本発条株式会社 | 静電チャック装置 |
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JP4163984B2 (ja) | 2003-03-26 | 2008-10-08 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
JP6182082B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-08-16 | 日本碍子株式会社 | 緻密質複合材料、その製法及び半導体製造装置用部材 |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
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JP6442296B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
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DE102015213103A1 (de) | 2015-07-13 | 2017-01-19 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts |
JP6611326B2 (ja) | 2015-12-15 | 2019-11-27 | 国立大学法人大阪大学 | 金属間化合物を含有する構造物の製造方法 |
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-
2018
- 2018-05-15 JP JP2018094128A patent/JP7068921B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-08 TW TW112129754A patent/TW202347498A/zh unknown
- 2019-05-08 TW TW108115818A patent/TWI776055B/zh active
- 2019-05-08 TW TW111127900A patent/TWI815575B/zh active
- 2019-05-10 WO PCT/JP2019/018726 patent/WO2019221022A1/ja active Application Filing
- 2019-05-10 KR KR1020237010765A patent/KR20230047221A/ko active Application Filing
- 2019-05-10 US US16/646,258 patent/US11967487B2/en active Active
- 2019-05-10 CN CN201980004518.3A patent/CN111095499A/zh active Pending
- 2019-05-10 KR KR1020207007061A patent/KR20210009294A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018507327A (ja) | 2015-02-06 | 2018-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 膜応力低減および動作温度低減用に構成された3d印刷されたチャンバ部品 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019221022A1 (ja) | 2019-11-21 |
US11967487B2 (en) | 2024-04-23 |
JP2019201087A (ja) | 2019-11-21 |
TW202004900A (zh) | 2020-01-16 |
KR20230047221A (ko) | 2023-04-06 |
CN111095499A (zh) | 2020-05-01 |
TWI815575B (zh) | 2023-09-11 |
TWI776055B (zh) | 2022-09-01 |
US20210366691A1 (en) | 2021-11-25 |
TW202243004A (zh) | 2022-11-01 |
TW202347498A (zh) | 2023-12-01 |
KR20210009294A (ko) | 2021-01-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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