JP2022173242A - プラズマ処理装置及び部品 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、プラズマ処理装置1の一例について、図1を参照しながら説明する。本実施形態にかかるプラズマ処理装置1は、容量結合型(Capacitively Coupled Plasma:CCP)の平行平板プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置1は、ウェハW上をエッチングするためのプラズマを生成するプラズマ生成手段を有する。なお、プラズマ処理装置1は、処理容器10の内部に配置される部品を有し、基板を処理する基板処理システムの一例であり、前記部品は、前記部品の表面状態に応じて前記部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程により形成される。
次に、3Dプリンタ100の構成一例について、図2を参照しながら説明する。図2は、一実施形態に係る3Dプリンタ100の構成の一例を示す。本実施形態に係る3Dプリンタ100は、処理容器10内に配置され、プラズマにより消耗する部品(消耗部品)を修復する装置の一例である。ただし、消耗部品を修復する装置は、図2に示す3Dプリンタ100の構成に限られない。
まず、3次元スキャナ200の構成の一例について、図3を参照しながら説明する。図3は、一実施形態に係る3次元スキャナ200の構成の一例を示す。本実施形態に係る3次元スキャナ200は、エッジリング87の消耗状態を測定する装置の一例であり、かかる構成に限られない。
次に、3次元スキャナ200の動作の一例について図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る3次元データ生成処理の一例を示すフローチャートである。本処理は、プラズマ処理装置1にてプラズマ処理が所定時間行われたとき、又はプラズマ処理装置1に配置されたエッジリング87が所定以上消耗したときに開始される。エッジリング87の消耗度合いは、処理されたウェハWのエッチング形状、エッチングレート等のエッチング特性から判定してもよい。消耗したエッジリング87は、プラズマ処理装置1から取り外され、3次元スキャナ200に運ばれる(ステップS10)。
次に、3Dプリンタ100の動作の一例について、図5を参照しながら説明する。図5は、本実施形態に係る部品の修復、形成処理の一例を示すフローチャートである。本処理が開始されると、第2制御部150は、3次元スキャナ200から3次元データを受信する(ステップS20)。
なお、本実施形態では、エッジリング87の修復を行う3Dプリンタ100の一例として指向性エネルギー堆積型の3Dプリンタを適用した。指向性エネルギー堆積型の3Dプリンタでは、粉末状又はワイヤ状の原料を供給しながら、チャンバ110内の空間において原料をレーザ光で溶かし、溶かした原料を部品の所定位置に堆積させて部品の修復を行う。しかし、3Dプリンタ100は、かかる構成の3Dプリンタに限られない。
(付記1)
プラズマ処理装置内で使用される部品の形成方法であって、
前記部品の表面状態に応じて該部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程を含む、
部品の形成方法。
(付記2)
前記部品の表面状態を測定する工程を含み、
前記エネルギービームを照射する工程は、前記部品の表面状態を測定する工程を実行した後に行われる、
付記1に記載の部品の形成方法。
(付記3)
前記部品の表面状態は、3次元データとして測定される、
付記1又は2に記載の部品の形成方法。
(付記4)
前記3次元データは、非接触式の3次元スキャナにより測定される、
付記3に記載の部品の形成方法。
(付記5)
前記原料は、粉末状又はワイヤ状である、
付記1~4のいずれか一項に記載の部品の形成方法。
(付記6)
前記原料は、石英、SiC、Si、タングステンのいずれかである、
付記1~5のいずれか一項に記載の部品の形成方法。
(付記7)
前記エネルギービームを照射する工程は、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームを照射し、前記原料が前記金属以外の場合には紫外線を照射する、
付記1~6のいずれか一項に記載の部品の形成方法。
(付記8)
前記部品は、エッジリング、カバーリング、インシュレータリング及びトップシールドリングの少なくともいずれかである、
付記1~7のいずれか一項に記載の部品の形成方法。
(付記9)
前記部品の表面状態を測定する工程は、前記部品の消耗状態を測定し、
前記エネルギービームを照射する工程は、前記部品の消耗状態に応じて該部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する、
付記1~8のいずれか一項に記載の部品の形成方法。
(付記10)
処理容器と、
前記処理容器の内部に配置される部品と、を有し、
前記部品は、前記部品の表面状態に応じて前記部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程により形成された部品である、基板処理システム。
(付記11)
前記部品は、前記部品の表面状態を測定した後、測定した前記部品の表面状態に応じて前記部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する工程により形成された部品である、
付記10に記載の基板処理システム。
(付記12)
前記部品の表面状態は、3次元データとして測定される、
付記10又は11に記載の基板処理システム。
(付記13)
前記3次元データは、非接触式の3次元スキャナにより測定される、
付記12に記載の基板処理システム。
(付記14)
前記原料は、粉末状又はワイヤ状である、
付記10~13のいずれか一項に記載の基板処理システム。
(付記15)
前記原料は、石英、SiC、Si、タングステンのいずれかである、
付記10~14のいずれか一項に記載の基板処理システム。
(付記16)
前記エネルギービームを照射する工程は、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームを照射し、前記原料が前記金属以外の場合には紫外線を照射する、
付記10~15のいずれか一項に記載の基板処理システム。
(付記17)
前記部品は、エッジリング、カバーリング、インシュレータリング及びトップシールドリングの少なくともいずれかである、
付記10~16のいずれか一項に記載の基板処理システム。
(付記18)
前記部品の表面状態を測定する工程は、前記部品の消耗状態を測定し、
前記エネルギービームを照射する工程は、前記部品の消耗状態に応じて該部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する、
付記10~17のいずれか一項に記載の基板処理システム。
10 処理容器
15 ガス供給源
20 載置台
21 静電チャック
21a 電極膜
22 基台
25 直流電源
26 ヒータ
32 第1高周波電源
34 第2高周波電源
40 シャワーヘッド
41 トップシールドリング
42 シールドリング
49 排気路
50 排気装置
60 第1制御部
81 バッフル板
87 エッジリング
86 インシュレータリング
89 カバーリング
100 3Dプリンタ
110 チャンバ
102 ステージ
104 レーザ走査装置
105 原料供給ヘッド
106 光源
107 原料格納部
150 第2制御部
U プラズマ処理空間
D 排気空間
Claims (12)
- プラズマ処理容器と、
前記プラズマ処理容器内に配置される部品と、を有し、
前記部品は、プラズマ処理後の前記部品の消耗量を測定する第1の工程と、
前記部品の消耗量と閾値とを比較する第2の工程と、
前記第2の工程において、前記部品の消耗量が前記閾値を超えた場合に、前記部品に前記部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する第3の工程と、を実行することにより修復された部品である、
プラズマ処理装置。 - 前記部品は、前記第3の工程の後に、前記部品の修復が完了したかを判断する第4の工程を実行し、
前記第4の工程において、前記部品の修復が完了していないと判断した場合に、前記第3の工程及び前記第4の工程の順に各工程を実行することにより修復された部品である、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記原料は、粉末状又はワイヤ状である、
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記原料は、石英、SiC、Si、タングステンのいずれかである、
請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記第3の工程は、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームを照射し、前記原料が前記金属以外の場合には紫外線を照射する、
請求項1~4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記部品は、エッジリング、カバーリング、インシュレータリング及びトップシールドリングの少なくともいずれかである、
請求項1~5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - プラズマ処理容器内に配置されるプラズマ処理装置用の部品であって、
前記部品は、プラズマ処理後の前記部品の消耗量を測定する第1の工程と、
前記部品の消耗量と閾値とを比較する第2の工程と、
前記第2の工程において、前記部品の消耗量が前記閾値を超えた場合に、前記部品に前記部品の原料を供給しながら前記原料にエネルギービームを照射する第3の工程と、を実行することにより修復された部品。 - 前記部品は、前記第3の工程の後に、前記部品の修復が完了したかを判断する第4の工程を実行し、
前記第4の工程において、前記部品の修復が完了していないと判断した場合に、前記第3の工程及び前記第4の工程の順に各工程を実行することにより修復された、
請求項7に記載の部品。 - 前記原料は、粉末状又はワイヤ状である、
請求項7又は8に記載の部品。 - 前記原料は、石英、SiC、Si、タングステンのいずれかである、
請求項7~9のいずれか一項に記載の部品。
- 前記第3の工程は、前記原料が金属の場合には光学レーザ又は電子ビームを照射し、前記原料が前記金属以外の場合には紫外線を照射する、
請求項7~10のいずれか一項に記載の部品。 - 前記部品は、エッジリング、カバーリング、インシュレータリング及びトップシールドリングの少なくともいずれかである、
請求項7~11のいずれか一項に記載の部品。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004266127A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Kawasaki Microelectronics Kk | 石英治具およびその再生方法 |
JP2015506855A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-03-05 | アードマン アラン | タイヤにトレッド再生するための装置及び方法 |
WO2016178777A1 (en) * | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Applied Materials, Inc. | Corrosion control for chamber components |
JP2017060735A (ja) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | シェンヂェン エクセレント テクノロジー カンパニー リミテッドShenzhen Excellent Technology Company Limited | 組織又は器官の欠損部補填物の構築方法及び構築システム |
JP2017212427A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 韓國東海炭素株式會社 | 半導体製造用部品の再生方法、その再生装置及び再生部品 |
JP2018032721A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
JP2018507327A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 膜応力低減および動作温度低減用に構成された3d印刷されたチャンバ部品 |
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---|---|---|---|---|
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JP2011210853A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Tokyo Electron Ltd | 消耗量測定方法 |
JP6017936B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN104674210A (zh) * | 2013-12-02 | 2015-06-03 | 齐欢 | 一种工件激光自动化修复方法 |
CN104851775A (zh) * | 2014-02-13 | 2015-08-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种修复位于有源区衬底上损伤的方法 |
CN107112275B (zh) * | 2014-12-19 | 2020-10-30 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的边缘环 |
US10041868B2 (en) * | 2015-01-28 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber |
DE102016203094B4 (de) * | 2016-02-26 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum dauerhaften Reparieren von Defekten fehlenden Materials einer photolithographischen Maske |
US20180061696A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
CN106729988A (zh) * | 2017-01-12 | 2017-05-31 | 广东泰宝医疗器械技术研究院有限公司 | 一种具有抗菌性能的3d打印骨修复支架及其制备方法 |
CN109290569B (zh) * | 2017-07-24 | 2024-04-19 | 通用电气技术有限公司 | 用于通过增材制造修理部件的方法 |
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Patent Citations (7)
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---|---|---|---|---|
JP2004266127A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Kawasaki Microelectronics Kk | 石英治具およびその再生方法 |
JP2015506855A (ja) * | 2011-12-16 | 2015-03-05 | アードマン アラン | タイヤにトレッド再生するための装置及び方法 |
JP2018507327A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-03-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 膜応力低減および動作温度低減用に構成された3d印刷されたチャンバ部品 |
WO2016178777A1 (en) * | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Applied Materials, Inc. | Corrosion control for chamber components |
JP2017060735A (ja) * | 2015-09-23 | 2017-03-30 | シェンヂェン エクセレント テクノロジー カンパニー リミテッドShenzhen Excellent Technology Company Limited | 組織又は器官の欠損部補填物の構築方法及び構築システム |
JP2017212427A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 韓國東海炭素株式會社 | 半導体製造用部品の再生方法、その再生装置及び再生部品 |
JP2018032721A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
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