JP2011238682A - ウエハー載置装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】流動性接着剤の硬化物を使用しつつ吸脱着性の高いウエハー載置装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハーWを吸着可能なプレート12の裏面と冷却板20の表面とを接着する接着層30が、流動性接着剤の硬化物からなる主接着部31と外周接着部32と、ガス供給孔接着部33と、リフトピン孔接着部34と、端子孔接着部35,36とを有している。この場合において、外周接着部32がプレート12の裏面の外周縁と冷却板20の表面の外周縁とを接着し、ガス供給孔接着部33と、リフトピン孔接着部34と、端子孔接着部35,36がプレート12の裏面と冷却板20の表面におけるガス供給孔23,リフトピン孔24,端子孔25,26の外周縁とを接着しているため、これらを備えないウエハー載置装置と比べてウエハーWの吸脱着性が高くなる。
【選択図】図2

Description

本発明は、ウエハー載置装置及びその製造方法に関する。
プラズマCVD装置やプラズマエッチング装置などのプラズマ処理装置では、通常、真空チャンバー内にウエハーを載置するためのウエハー載置装置が用いられる。ウエハー載置装置は、プラズマ処理を施すウエハーを吸着固定するための静電チャックと、この静電チャックを冷却する冷却板とを備えている。例えば、特許文献1には、セラミックスプレートからなる静電チャックと金属製の冷却板とを接着層により接着したウエハー載置装置が記載されている。このウエハー載置装置では、接着層が、流動性接着剤の硬化物からなる接着部と両面テープからなるスペーサー部とを含んでおり、スペーサー部により接着層の厚さを均一にできることが記載されている。
特開2003−258072号公報
特許文献1記載のウエハー載置装置は、接着層に流動性接着剤の硬化物を用いており、静電チャックと冷却板との間で十分な接着力が得られる。そのため、これをさらに改良して、ウエハー載置装置にとって重要な性能である吸着力及び脱着の早さ(以下、吸脱着性と表記する)を向上させることが望まれている。
本発明はこのような課題に鑑みなされたものであり、流動性接着剤の硬化物を使用しつつ吸脱着性の高いウエハー載置装置及びその製造方法を提供することを主目的とする。
本発明者らは、流動性接着剤の硬化物を使用せず両面テープのみで静電チャックと冷却板とを接合すると、静電チャックと冷却板との接着力は十分でないものの、流動性接着剤の硬化物を使用した場合よりも吸脱着性の高いウエハー載置装置が得られることを見いだした。そして、さらに検討した結果、流動性接着剤の硬化物によってセラミックス製のプレートと冷却板とを接着するにあたり、プレートの裏面の外周縁と冷却板の表面の外周縁とを両面テープにより接着することで、流動性接着剤の硬化物を使用しても高い吸脱着性が得られることを見い出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明のウエハー載置装置は、
ウエハーを表面に吸着可能な円盤状でセラミックス製のプレートと、
円盤状で金属製の冷却板と、
前記プレートの裏面と前記冷却板の表面とを接着し、流動性接着剤の硬化物からなる第1接着部及び両面テープからなる第2接着部を有する接着層と、
を備え、
前記第2接着部は、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着している、
ものである。
このウエハー載置装置では、ウエハーを吸着可能なセラミックス製のプレートの裏面と冷却板の表面とを接着する接着層が、流動性接着剤の硬化物からなる第1接着部と両面テープからなる第2接着部とを有している。そして、第2接着部はプレートの裏面の外周縁と冷却板の表面の外周縁とを接着している。これにより、両外周縁を接着する第2接着部を備えないウエハー載置装置と比べてウエハーの吸脱着性が高くなる。なお、吸脱着性が高くなるメカニズムについては定かではないが、例えば以下のように考えられる。すなわち、両外周縁を接着する第2接着部を備えない従来のウエハー載置装置では、流動性接着剤の硬化物からは揮発成分によるアウトガスが発生し、このアウトガスがプレートの表面を汚染して吸脱着性が低下している可能性がある。これに対して、本発明のウエハー載置装置では第1接着部がプレートの裏面,冷却板の表面,第2接着部に囲まれているためアウトガスによる汚染が起こりにくくなっているというメカニズムが考えられる。なお、前記第1接着部は、シリコーン樹脂を硬化させてなるものとし、前記第2接着部は、ポリイミド又はPETからなる中間層と、その中間層の両面にありシリコーン樹脂又はアクリル樹脂からなる粘着層とを有する両面テープからなるものとしてもよい。
本発明のウエハー載置装置において、前記冷却板は、前記流動性接着剤を注入する厚さ方向に貫通された注入孔を備えているものとしてもよい。こうすれば、第2接着部でプレートと冷却板とを接着しておき、プレートの裏面と冷却板の表面と両外周縁を接着する第2接着部とで囲まれる空間に注入孔から流動性接着剤を注入しその後に硬化させて第1接着部を形成することが可能になる。このように第1接着部を形成することで、予めプレートと冷却板とのいずれかに第1接着部を形成してからプレートと冷却板とを接着する場合と比較して第1接着部に巻き込まれる空気を少なくすることができ、ウエハー載置装置の均熱性を向上させることができる。
本発明のウエハー載置装置において、前記冷却板及び前記第1接着部を厚さ方向に貫通する貫通孔、を備え、前記第2接着部は、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着しているほか、前記プレートの裏面と前記冷却板の表面における前記貫通孔の外周縁とを接着しているものとしてもよい。こうすれば、冷却板及び第1接着部を貫通する貫通孔がある場合に、プレートの裏面と貫通孔の外周縁と接着する第2接着部を備えないウエハー載置装置と比べて、ウエハーの吸脱着性が高くなる。なお、前記貫通孔は、前記冷却板と前記第1接着部と前記プレートとを貫通するように設けられ、前記第2接着部は、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着しているほか、前記プレートの裏面における前記貫通孔の外周縁と前記冷却板の表面における前記貫通孔の外周縁とを接着しているものとしてもよい。
本発明のウエハー載置装置の製造方法は、
(a)静電チャック電極を有する円盤状でセラミックス製のプレートと、厚さ方向に貫通された注入孔及び貫通孔を有する円盤状で金属製の冷却板とを用意する工程と、
(b)前記工程(a)のあと、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを両面テープで接着すると共に、前記プレートの裏面と前記冷却板の表面の前記貫通孔の外周縁とを両面テープで接着して仮接合体とする工程と、
(c)前記工程(b)のあと、前記仮接合体のうち前記プレートの裏面と前記冷却板の表面と前記両面テープとで囲まれる空間に前記注入孔から流動性接着剤を注入する工程と、
(d)前記工程(c)のあと、前記流動性接着剤を硬化させる工程と、
を含むものである。
このウエハー載置装置の製造方法では、プレートの裏面と冷却板の表面とを、流動性接着剤の硬化物により接着するとともに、両外周縁を両面テープにより接着し、プレートの裏面と冷却板の表面の貫通孔の外周縁とを両面テープで接着する。これにより、両外周縁を接着する両面テープやプレートの裏面と冷却板の表面の貫通孔の外周縁とを接着する両面テープを備えないものと比べてウエハーの吸脱着性の高いウエハー載置装置が得られる。また、プレートと冷却板と両面テープとからなる仮接合体を作製してから流動性接着材を注入するため、予め流動性接着剤を塗布してからプレートと冷却板とを接合する場合と比較して接着層に巻き込まれる空気が少なくなる。これにより、プレートの均熱性が向上する。なお、プレートの裏面と冷却板の表面の貫通孔の外周縁とを両面テープで接着してから流動性接着剤を注入するため、貫通孔内に流動性接着剤が進入するのを防止できる。この場合において、前記流動性接着剤は、シリコーン樹脂とし、前記プレートの裏面の最外周縁と前記冷却板の表面の最外周縁とを接着する両面テープ及び前記プレートの裏面と前記冷却板の表面の前記貫通孔の外周縁とを接着する両面テープは、ポリイミド又はPETからなる中間層と、その中間層の両面にありシリコーン樹脂又はアクリル樹脂からなる粘着層とを有するものとしてもよい。また、前記プレートは、前記プレートを厚さ方向に貫通する貫通孔を有し、前記工程(b)では、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを両面テープで接着するほか、前記プレートの裏面の前記貫通孔の外周縁と前記冷却板の表面の前記貫通孔の外周縁とを両面テープで接着するものとしてもよい。
本発明のウエハー載置装置において、前記工程(b)では、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着する両面テープの内周側と外周側とに通じる通路を設け、前記工程(c)では、前記空間に前記注入孔から前記流動性接着剤を注入するにあたり、該流動性接着剤の注入に伴って前記通路から空気が抜けていくようにし、最後に前記通路が前記流動性接着剤で塞がれるようにするものとしてもよい。こうすれば、流動性接着剤を注入する際に空間内の空気が通路から逃げるため、接着層に巻き込まれる空気をさらに少なくできる。また、この場合において、前記注入孔は、前記冷却板の中心軸から外れて位置しており、前記工程(b)では、前記冷却板の中心軸を挟んで前記注入孔の反対側の位置に前記通路を設けるものとしてもよい。こうすれば、通路が注入孔から一番遠い場所に位置するため、確実に最後に通路が流動性接着剤で塞がれるようにできる。
前記の通路を設ける本発明のウエハー載置装置の製造方法において、前記工程(c)では、前記通路が前記流動性接着剤で塞がれたあと、該通路を両面テープにより外側から塞ぐものとしてもよい。こうすれば、流動性接着剤の硬化物の外周面が両面テープによって覆われて露出しなくなるため、ウエハーの吸脱着性が高くなる。
本発明のウエハー載置装置の製造方法において、前記工程(d)では、前記工程(c)で前記空間に前記流動性接着剤を注入してから、該空間内の流動性接着剤の内圧が解放されるまで前記仮接合体を放置した後、該流動性接着剤を硬化させるものとしてもよい。こうすれば、内圧を解放して流動性接着剤が均一になった後に硬化させるため、均熱性の高いウエハー載置装置を得ることができる。
ウエハー載置装置10の斜視図である。 図1のA−A断面図である。 図2のB−B断面図である。 両面テープの断面図である。 プレート12を示す説明図である。 冷却板20を示す説明図である。 両面テープ140の説明図である。 仮接合体110の説明図である。 仮接合体110を固定具150で固定した様子を示す説明図である。 流動性接着剤131を注入した仮接合体110の説明図である。 通路112を封止する様子を示す説明図である。 別の方法により通路112を封止する様子を示す説明図である。
次に、本発明の実施するための形態を図面に基づいて説明する。図1は本発明の実施形態であるウエハー載置装置10の斜視図、図2は図1のA−A断面図、図3は図2のB−B断面図である。
ウエハー載置装置10は、プレート12と、冷却板20と、ガス供給孔23と、リフトピン孔24と、端子孔25,26と、接着層30とを備えている。なお、ガス供給孔23と、リフトピン孔24と、端子孔25,26とが、本発明の貫通孔に相当する。
プレート12は、図2に示すように、セラミックス製(例えばアルミナ製や窒化アルミニウム製)の円盤状部材であり、静電電極14と抵抗発熱体16とを内蔵している。静電電極14は、円形の薄膜形状に形成されており、静電電極14の略中央には導電性の端子14aが固着されている。この端子14aは冷却板20及び接着層30を貫通する端子孔25の底部に露出しており、図示しない棒状端子と端子孔25内で電気的に接続されている。この棒状端子を介して静電電極14とプレート12の表面に載置されるウエハーWとの間に電圧を印加すると、プレート12の表面とウエハーWとの間に発生する静電気的な力によってウエハーWがプレート12に吸着される。抵抗発熱体16は、プレート12の全面にわたって配線されるように例えば一筆書きの要領でパターン形成されている。抵抗発熱体16の一端及び他端には導電性の端子16a(1つのみ図示)が固着されている。この端子16aはそれぞれ冷却板20及び接着層30を貫通する端子孔26の底部に露出しており、図示しない棒状端子と端子孔26内で電気的に接続されている。この棒状端子を介して抵抗発熱体16に電圧を印加すると、抵抗発熱体16が発熱してウエハーWを加熱する。なお、プレート12のうち静電電極14よりも上側の部分を誘電体層12a,静電電極14と抵抗発熱体16とに挟まれる部分を中層12b,抵抗発熱体16よりも下側の部分を下層12cと称するものとする。また、このプレート12をアルミナで形成した場合には、体積抵抗率が高いためクーロン型の静電チャックとして機能し、窒化アルミニウムで形成した場合には、アルミナよりも体積抵抗率が低いためジョンソン・ラーベック型の静電チャックとして機能する。
冷却板20は、プレート12と直径が略同一である小径円盤部20aと、小径円盤部20aよりも大径の大径円盤部20bとを同軸に連ねた形状をした段差付き円盤状部材である。この冷却板20は、プレート12と同軸に位置し、小径円盤部20aの表面がプレート12の裏面に接着層30を介して接着されている。この冷却板20は、金属製(例えばアルミニウム製)であり、冷媒(例えば水)が通過可能な冷媒通路22を内蔵している。この冷媒通路22は、プレート12の全面にわたって冷媒による冷却が可能なように形成されている。なお、冷媒通路22には、冷媒の供給口と排出口(いずれも図示せず)が設けられている。また、冷却板20には、冷却板20の中心軸から外れた位置を厚さ方向に貫通する熱電対孔21が形成されている。この熱電対孔21は、図示しない熱電対を挿入してプレート12の温度を測定するための孔である。なお、熱電対孔21の中心軸は、例えば冷却板20の中心軸から半径の22〜32%の長さだけ外れた位置に形成する。さらに、大径円盤部20bのうち小径円盤部20aよりも外側には、大径円盤部20bのみを貫通する固定孔27が形成されている。この固定孔27は、後述するウエハー載置装置10の製造工程で使用するための孔であり、図3に示すように計4箇所に設けられている。
ガス供給孔23は、冷却板20の下方からバックサイドガス(例えばアルゴンガスやヘリウムガス)を供給するための孔であり、図1,3に示すようにウエハー載置装置10の計12箇所に設けられている。このガス供給孔23に供給されたバックサイドガスは、プレート12の表面に載置されたウエハーWの裏面に存在する微小な空間を満たし、ガス熱伝導によってウエハーWを冷却する。
リフトピン孔24は、図示しないリフトピンを上下動可能に挿入するための孔であり、図1,3に示すようにウエハー載置装置10の計3箇所に設けられている。このリフトピン孔24に挿入されたリフトピンを突き上げることによりプレート12の表面に載置されたウエハーWを持ち上げることが可能となっている。
ガス供給孔23及びリフトピン孔24は、プレート12,接着層30,冷却板20を厚さ方向に貫通している。但し、静電電極14や抵抗発熱体16はガス供給孔23,リフトピン孔24の内周面に露出しないように設計されている。
接着層30は、プレート12の裏面と冷却板20の表面とを接着するものであり、厚さは例えば100μm〜500μmである。この接着層30は、主接着部31と、外周接着部32と、ガス供給孔接着部33と、リフトピン孔接着部34と、端子孔接着部35,36とを備えている。なお、主接着部31が本発明の第1接着部に相当し、外周接着部32と、ガス供給孔接着部33と、リフトピン孔接着部34と、端子孔接着部35,36とが本発明の第2接着部に相当する。主接着部31は、流動性接着剤の硬化物からなるものである。流動性接着剤は、好ましくは樹脂であり、例えば、シリコーン樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂のいずれかである。外周接着部32は、両面テープからなるものである。この両面テープの断面図を図4に示す。図4に示すように、両面テープは中間層とその両面にある粘着層とからなる3層構造をなしている。中間層は、好ましくは樹脂であり、例えば、ポリイミド樹脂又はポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂である。粘着層は、好ましくは樹脂であり、例えば、シリコーン樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂のいずれかである。この外周接着部32は、プレート12の裏面の外周縁と冷却板20の表面の外周縁とを接着している。ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36は、いずれも図4に示した両面テープからなるものであり、ウエハー載置装置10の厚さ方向から見てリング状をしている。ガス供給孔接着部33は、プレート12の裏面におけるガス供給孔23の外周縁と冷却板20の表面におけるガス供給孔23の外周縁とを接着している。リフトピン孔接着部34は、プレート12の裏面におけるリフトピン孔24の外周縁と冷却板20の表面におけるリフトピン孔24の外周縁とを接着している。端子孔接着部35,36は、それぞれプレート12の裏面と冷却板20の表面における端子孔25,26の外周縁とを接着している。外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36の径方向の幅は、例えば1〜2mmである。また、外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36の合計接着面積は、冷却板20の表面の面積の例えば1〜2%である。なお、プレート12の裏面,冷却板20の表面,外周接着部32で囲まれる空間のうち、ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36,ガス供給孔23,リフトピン孔24,端子孔25,26以外の部分は全て主接着部31で満たされている。
次に、本実施形態のウエハー載置装置10の使用例について説明する。このウエハー載置装置10のプレート12の表面にウエハーWを載置し、静電電極14とウエハーWとの間に電圧を印加することによりウエハーWを静電気的な力によってプレート12に吸着する。この状態で、ウエハーWにプラズマCVD成膜を施したりプラズマエッチングを施したりする。この場合、抵抗発熱体16に電圧を印加して加熱したり、冷却板20の冷媒通路22に冷媒を循環したり、ガス供給孔23へバックサイドガスを供給したりすることにより、ウエハーWの温度を一定に制御する。そして、ウエハーWの処理が終了したあと、静電電極14とウエハーWとの間の電圧をゼロにして静電気的な力を消失させ、リフトピン孔24に挿入されているリフトピン(図示せず)を突き上げてウエハーWをプレート12の表面から上方へリフトピンにより持ち上げる。その後、リフトピンに持ち上げられたウエハーWは搬送装置(図示せず)によって別の場所へ搬送される。
こうしたウエハー載置装置10の製造方法の一例を以下に説明する。
最初に、プレート12と冷却板20とを用意する。図5はプレート12の断面図、図6(a)は冷却板20の断面図、図6(b)は図6(a)のC視図である。まず、プレート12の作製について説明する。高い純度(例えば99.5%)のアルミナ粉末を焼成後密度99.5%以上とし、研削して、誘電体層12aとなる所定形状(例えば、外径310mm、厚さ2mm)の円盤状のアルミナ焼結体を得る。続いて、このアルミナ焼結体の裏面に炭化タングステン粉末とアルミナ粉末の混合粉末をテルピネオールに混ぜた印刷ペーストを用いて、スクリーン印刷法で静電電極14となる導電層を形成する。次に、この導電層を乾燥することで静電電極14とする。そして、炭化ニオブ(NbC)とアルミナとの混合粉末の焼結体からなる円柱状の端子14aを静電電極14の中心に糊で貼り付ける。この静電電極14を形成した誘電体層12aを金型内に設置し、静電電極14を形成した面の上に中層12bとなる純度99%以上のアルミナ粉末を所定の厚み(例えば、3mm)となるまで充填し、一軸加圧成形を行う。このようにして第1中間体が得られる。
続いて、第1中間体とは別に誘電体層12aと同様の材料により、下層12cとなる円盤状のアルミナ焼結体を用意しておき、これに導電層と同じ印刷ペーストを用いて抵抗発熱体16を印刷する。そして、端子14aと同様の材料により円柱状の端子16aを用意し、抵抗発熱体16を印刷した面の反対側の面からアルミナ焼結体に孔を開けて抵抗発熱体16の一端及び他端に端子16aを糊で貼り付ける。続いて、この抵抗発熱体16を印刷したアルミナ焼結体を加熱してテルピネオール及び糊を分解消失する加熱処理を行い、第2中間体を得る。第2中間体には、中心に第1中間体の端子14aを貫通させるための孔を開けておく。
そして、第1中間体の中層12bとなる側に第2中間体の抵抗発熱体16が接するように、且つ静電電極20に貼り付けられた端子14aが第2中間体の中心に開けられた孔に挿入されるように、第1中間体と第2中間体とを積層して、両中間体をホットプレス炉の黒鉛ダイの中に設置し、ホットプレス法により所定圧力で加熱焼成する。このようにして、静電電極14及び抵抗発熱体16を埋設したセラミックス基体が得られる。このセラミックス基体を研削加工して図1〜3に示したプレート12の形状(例えば直径299mm,厚さ3mmの円盤形状)とし、ダイアモンド砥石にてウエハーWを支持する面とその反対側の面との平面研削加工及びセラミックス基体の円筒研削加工を行う。そして、図1〜3に示したガス供給孔23のプレート貫通部分となるプレート側ガス供給孔123や、リフトピン孔24のプレート貫通部分となるプレート側リフトピン孔を形成することで、プレート12が得られる。
次に、冷却板20の作製について説明する。まず、アルミニウム製で内部に冷媒通路22を設けた所定の大きさ(例えば、小径円盤部20aとなる部分の直径が299mm,大径円盤部20bとなる部分の直径が344mm)の段差付き円盤状部材を用意する。そして、この円盤状部材に、ガス供給孔23,リフトピン孔24,端子孔25,26の冷却板貫通部分となる冷却板側ガス供給孔223,冷却板側リフトピン孔224,冷却板側端子孔225,226や、熱電対孔21,固定孔27を形成することで、冷却板20が得られる。
次に、図2,3に示した外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36となる外周接着テープ132,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136を用意する。図7は、外周接着テープ132,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136及びそれを含む両面テープ140の説明図である。図7に示すように、両面テープ140は、保護フィルム141,粘着層142,中間層143,粘着層144,保護フィルム145がこの順に積層されたものである。なお、保護フィルム141,145はPET樹脂製であり、粘着層142,144はシリコーン樹脂製であり、中間層143はポリイミド樹脂製である。粘着層142,144の厚さは例えばそれぞれ56〜69μmであり、中間層143の厚さは例えば18〜22μmである。この両面テープ140に、保護フィルム141から粘着層144までを貫通する切り込みを入れることで、図2,3に示した外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36と同じ形状・位置関係の外周接着テープ132,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136を形成しておく。なお、外周接着テープ132のうち、図3における冷却板20の中心軸を挟んで熱電対孔21の反対側の位置に相当する箇所には保護フィルム141から粘着層144までを貫通する2箇所の切り込みを入れて、所定の長さ(例えば10〜20mm)の外周接着テープ132bと、それ以外の部分である外周接着テープ132aとを形成しておく。
図7に示した両面テープ140を用意すると、保護フィルム141のうち、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の部分のみを剥がして粘着層142を露出させる。この状態で、外周接着テープ132aがプレート12の裏面の外周縁と対向し、ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134がそれぞれプレート12の裏面のプレート側ガス供給孔123,プレート側リフトピン孔の外周縁と対向し、端子孔接着テープ135,136内にそれぞれ端子14a,16aが収まるように位置を合わせて、両面テープ140のうち保護フィルム141側の面を、プレート12の裏面に貼り付ける。これにより、両面テープ140のうち、保護フィルム141を剥がした部分である外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の粘着層142のみがプレート12の裏面と接着される。続いて、両面テープ140のうち、保護フィルム145と、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136以外の部分とを除去する。これにより、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の粘着層142,中間層143,粘着層144のみがプレート12の裏面に残った状態になる。なお、除去した部分のうち、外周接着テープ132bは後の工程で用いる。この状態で、外周接着テープ132aが冷却板20の表面の外周縁と対向し、ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136がそれぞれ冷却板20の表面の冷却板側ガス供給孔223,冷却板側リフトピン孔224,冷却板側端子孔225,226の外周縁と対向するように位置を合わせ、粘着層144と冷却板20の表面とを貼り合わせて仮接合体110とする。図8(a)は仮接合体110の断面図、図8(b)はそのD−D断面図である。図示するように、この仮接合体110には、外周接着テープ132aの内周側と外周側とに通じる通路112が形成されている。この通路112は、両面テープ140をプレート12の裏面に貼り付けた際に外周接着テープ132bを除去したことにより形成されたものである。なお、通路112は、後述する流動性接着剤の注入時に、仮接合体110のうちプレート12の裏面と冷却板20の表面と外周接着テープ132aとで囲まれる空間114内の空気を外部に逃がすためのものである。
続いて、仮接合体110を上下逆にした状態で固定具150により固定するとともにバネ荷重を加える。図9はこのときの様子を示す説明図である。固定具150は、所定厚さ(例えば10mm)のSUS製の挟持板152,154と、挟持板152,154,冷却板20を位置決めする4つのアジャスターボルト156(2つのみ図示)と、バネ159とを備えている。挟持板152,154には、アジャスターボルト156を貫通させるための位置決め孔152a,154aや、熱電対孔21と同じ径の連結孔152bが形成されている。また、挟持板154には、プレート12を位置決めするための突起158が複数(1つのみ図示)形成されている。バネ159は、アジャスターボルト156のナットと挟持盤152との間に配置することで、ナットの位置調整により任意のバネ荷重を挟持盤152に加えることができるようになっている。固定具150による仮接合体110の固定は以下のように行う。まず、複数のガス供給孔23にプレート12の表面側から突起158を差し込んで挟持板154上に仮接合体110を載置する。続いて、位置決め孔152a,154a,固定孔27が同軸上に位置し、連結孔152bと熱電対孔21とが連通するように挟持板152を冷却板20の裏面に載置して、仮接合体110が挟持板152,154に挟まれるようにする。次に、位置決め孔154a,固定孔27,位置決め孔152aをこの順で貫通するようにアジャスターボルト156のボルトを挿入する。そして、アジャスターボルト156のナットと挟持盤152とでバネ159を挟み、ナットの位置を調整してバネ159の弾性力によるバネ荷重を挟持盤152に加える。このバネ荷重により挟持盤152と挟持盤154とが互いに接近する方向に押され、仮接合体110が挟持盤152,154で挟持される。このときのバネ荷重は、例えば冷却板20の裏面における面圧で0.005〜0.02MPa、好ましくは0.011MPaとなるように調整する。これにより、仮接合体110が固定具150に固定され、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36がプレート12や冷却板20から剥がれるのを防止することができる。
仮接合体110を固定具150により固定した後、互いに連通している連結孔152bと熱電対孔21とを介して、外部から仮接合体110の空間114内にシリコーン樹脂製の流動性接着剤131を所定圧力(例えば0.01〜0.1MPa、好ましくは0.04MPa)で注入する。これにより、注入された流動性接着剤131は熱電対孔21の位置を中心として空間114内に広がっていき、空間114内は流動性接着剤131で満たされていく。なお、ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36によりガス供給孔23と、リフトピン孔24と、端子孔25,26内に流動性接着剤131は侵入しない。また、このとき空間114内の空気は流動性接着剤131に押し出されて通路112から逃げていく。そして、通路112は空間114において流動性接着剤131の注入孔である熱電対孔21から最も遠い場所に位置するため、流動性接着剤131は空間114のうち通路112に最後に到達して、通路112を塞ぐ。通路112が塞がれたら流動性接着剤131の注入を終了する。図10(a)はこのときの仮接合体110の断面図、図10(b)は図10(a)のE−E断面図である。その後、外周接着テープ132bを用いて通路112を外側から塞いで封止する。図11は、通路112を封止する様子を示す説明図である。図11(a)は、外周接着テープ132bを通路112の外側から貼り付ける様子を示し、図11(b)は、外周接着テープ132bによる封止後の状態を示している。図示するように、外周接着テープ132bによる通路112の封止は、外周接着テープ132bが外周接着テープ132aと同様にプレート12の裏面の外周縁及び冷却板20の表面の外周縁とを接着し且つ通路112内で外周接着テープ132aと連なるように貼り付け、外周接着テープ132aと外周接着テープ132bとが一体となって図2,3で示した外周接着部32となるようにすることで行う。通路112を封止することにより、仮接合体110の側面において流動性接着剤131が露出する部分がなくなる。
続いて、仮接合体110を大気中にて静置し、空間114内に注入された流動性接着剤131の内圧が解放されるまで待つ。待つ時間は、流動性接着剤131の材質や注入圧力に応じて適宜定めてもよく、例えば10時間としてもよい。その後、大気炉に入れて所定条件(例えば、80℃〜150℃で1〜12時間)下で流動性接着剤131を硬化させる。そして、固定具150を取り外してから仮接合体110を真空中(例えば1×10-3Pa未満),所定条件(例えば、145℃〜155℃で70〜90時間)下でベーキングして流動性接着剤131を完全に硬化させる。これにより、流動性接着剤131が硬化して主接着部31となり、ウエハー載置装置10を得ることができる。なお、流動性接着剤131を硬化させる条件下では、両面テープの接着性は影響を受けない。
以上詳述した本実施形態のウエハー載置装置10によれば、外周接着部32がプレート12の裏面の外周縁と冷却板20の表面の外周縁とを接着しているため、両外周縁を接着する外周接着部32を備えないウエハー載置装置と比べてウエハーWの吸脱着性が高くなる。また、ガス供給孔接着部33,リフトピン接着部34はプレート12の裏面におけるガス供給孔23,リフトピン孔24の外周縁と冷却板20の表面におけるガス供給孔23,リフトピン孔24の外周縁とを接着しており、端子孔接着部35,36はプレート12の裏面と冷却板20の表面における端子孔25,26の外周縁とを接着しているため、ガス供給孔接着部33,リフトピン接着部34,端子孔接着部35,36を備えないウエハー載置装置と比べてウエハーWの吸脱着性が高くなる。
また、上述した本実施形態のウエハー載置装置10の製造方法によれば、プレート12と冷却板20と外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136とからなる仮接合体110を作製してから流動性接着剤131を注入するため、予め流動性接着剤131をプレート12の裏面又は冷却板20の表面に塗布してから両者を接合する場合と比較して接着層31に巻き込まれる空気が少なくなる。これにより、プレート12の均熱性が向上する。さらに、流動性接着剤131の注入孔となる熱電対孔21を冷却板20の中心軸から外れた位置に形成し、通路112がこの中心軸を挟んで熱電対孔21の反対側の位置に形成するため、通路112が熱電対孔21から一番遠い場所に位置する。これにより、流動性接着剤131を注入する際に通路112が塞がれるのが最後になり、空間114内の空気を通路112から逃がして接着層31に巻き込まれる空気を少なくできる。さらにまた、通路112が流動性接着剤131で塞がれたあと、通路112を外周接着テープ132bにより外側から塞ぐため、流動性接着剤131の硬化物の外周面が外周接着テープ132a,132bによって覆われて露出しなくなり、ウエハーWの吸脱着性が高くなる。そしてまた、空間114内に流動性接着剤131が注入されたあと、仮接合体110を大気中にて静置し、流動性接着剤131の内圧が解放されるまで待った後に流動性接着剤131を硬化させるため、注入された流動性接着剤の内圧が均一になり均熱性の高いウエハー載置装置が得られる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述したウエハー載置装置10の製造方法において、流動性接着剤131は熱電対孔21から注入するものとしたが、流動性接着剤131の注入孔は熱電対孔21に限られない。例えば、他の用途がない注入のためだけの孔を冷却板20に形成するものとしてもよい。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、通路112は、両面テープ140をプレート12の裏面に貼り付けた際に外周接着テープ132bを除去することで形成するものとしたが、他の方法により形成してもよい。例えば、外周接着テープ132をプレート12の裏面に冷却板20に貼り付けた後に、外周接着テープ132に穴を開けて形成しても良い。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、通路112は外周接着テープ132bにより図11のように封止するものとしたが、他の方法により封止してもよい。例えば、図12に示すように、粘着層と基体とを備えた封止テープを用いて、粘着層が通路112をまたがって外周接着テープ132aの外周面に接着するようにこの封止テープを貼り付けることで通路112の封止を行ってもよい。この場合、封止テープの粘着層は両面テープ140の粘着層142,144と同じ材質とし、封止テープの基体は両面テープ140の中間層143と同じ材質としてもよい。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、仮接合体110の形成は、両面テープ140の粘着層142をプレート12の裏面に貼り付けた後、両面テープ140の粘着層144を冷却板20の表面に貼り付けるものとしたが、両面テープ140の粘着層144を冷却板20の表面に貼り付けた後、両面テープ140の粘着層142をプレート12の裏面に貼り付けるものとしてもよい。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136は、1枚の両面テープ140から形成するものとしたが、2枚以上の両面テープを積層して形成するものとしてもよい。例えば、プレート12の裏面に両面テープ140を貼り付けた後、両面テープ140と同じ位置に貫通する切り込みを入れた両面テープを互いの切り込み位置が一致するように位置を合わせて貼り付け、積層した2枚の両面テープにより外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136を形成してもよい。こうすることで、外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の厚さを調整することができる。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、冷却板20の表面に外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の粘着層144を接着した際に、冷却板20の表面に円形の両面テープからなるスペーサーを複数貼り付けるものとしてもよい。このスペーサーを、例えば冷却板20の表面における所定の単位面積あたりの外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136,スペーサーの接着面積が冷却板20の表面全体にわたってほぼ均等になるようにすることで、仮接合体110にバネ159のバネ荷重を加えたときにプレート12の表面の平坦度が悪化するのを防止することができる。このようなスペーサーについては、例えば特開2003−258072号公報に記載されている。
上述したウエハー載置装置10において、外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36の径方向の幅は、例えば1〜2mmであるものとしたが、外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36の径方向の幅は同じ値としてもよいし、それぞれ異なる値としてもよい。例えば、外周接着部32の径方向の幅をガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36の径方向の幅よりも大きくしてもよい。
上述したウエハー載置装置10において、熱電対孔21は図2に示すように主接着部31を貫通していないが、熱電対孔21が主接着部31も貫通しており熱電対孔21の底面がプレート12の裏面であるものとしてもよい。こうすれば、熱電対孔21に挿入される熱電対をよりプレート12に近い位置に設置することができる。この場合、端子孔25,26における端子孔接着部35,36と同様に、プレート12の裏面と冷却板20の表面における熱電対孔21の外周縁とを両面テープからなる熱電対孔接着部が接着しているものとしてもよい。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、冷却板20の中心軸を挟んで熱電対孔21の反対側の位置に通路112を形成するものとしたが、これに限られず、空間114内の空気を外部に逃がすことができるように形成すればよい。ただし、上述したように通路112が塞がれるのを最後にできるため、冷却板20の中心軸を挟んで熱電対孔21の反対側の位置に通路112を形成することが好ましい。
上述したウエハー載置装置10の製造方法において、固定具150で仮接合体を固定するにあたり、固定孔27にアジャスターボルト156を貫通させるものとしたが、固定具150に限らずどのように仮接合体110を固定してもよい。この場合、冷却板20に固定孔27を形成しないものとしてもよい。
[実施例1]
実施例1として、図5〜11を用いて説明した製造方法により図1〜3に示した実施形態のウエハー載置装置10を作製した。具体的には以下のように作成した。
はじめに、純度99.5%のアルミナ粉末を焼成後密度99.5%以上とし、研削して、誘電体層12aとなる外径310mm、厚さ2mmの円盤状のアルミナ焼結体を得た。次に、このアルミナ焼結体の裏面に炭化タングステン粉末とアルミナ粉末の混合粉末をテルピネオールに混ぜた印刷ペーストを用いて、スクリーン印刷法で静電電極14となる導電層を形成した。そして、この導電層を乾燥することで直径294mmの静電電極14とした。そして、炭化ニオブ(NbC)とアルミナとの混合粉末の焼結体からなる直径1mmの円柱状の端子14aを静電電極14の中心に糊で貼り付けた。この静電電極14を形成した誘電体層12aを金型内に設置し、静電電極14を形成した面の上に中層12bとなる純度99.5%のアルミナ粉末を厚さ3mmとなるまで充填し、一軸加圧成形を行った。このようにして第1中間体を得た。
続いて、第1中間体とは別に誘電体層12aと同様の材料により、下層12cとなる円盤状のアルミナ焼結体を用意しておき、これに導電層と同じ印刷ペーストを用いて抵抗発熱体16を印刷した。そして、端子14aと同様の材料により直径2mm円柱状の端子16aを用意し、抵抗発熱体16を印刷した面の反対側の面からアルミナ焼結体に孔を開けて抵抗発熱体16の一端及び他端に端子16aを糊で貼り付けた。続いて、この抵抗発熱体16を印刷したアルミナ焼結体を加熱してテルピネオール及び糊を分解消失する加熱処理を行い、第2中間体を得た。第2中間体には、中心に第1中間体の端子14aを貫通させるための孔を開けておいた。
そして、第1中間体と第2中間体とを積層して、この積層体を黒鉛ダイに設置し、黒鉛ホットプレス炉に入れて、圧力10MPaで一軸プレスしながら、窒素雰囲気1.02気圧、昇温速度500℃/hで加熱し最高温度1650℃を1時間維持した後、炉内で冷却して焼成した。このようにして、静電電極14及び抵抗発熱体16を埋設したセラミックス基体を得た。このセラミックス基体を研削加工して直径299mm,厚さ3mmの円盤形状とし、ダイアモンド砥石にてウエハーWを支持する面とその反対側の面との平面研削加工及びセラミックス基体の円筒研削加工を行った。そして、図5に示したプレート側ガス供給孔123や、プレート側リフトピン孔を形成して、プレート12を得た。なお、プレート側ガス供給孔123の内径は0.8mm,プレート側リフトピン孔の内径は3.5mmとした。
次に、冷却板20を作製した。まずアルミニウム製で内部に冷媒通路22を設けた段差付き円盤状部材を用意した。この円盤状部材のうち、小径円盤部20aとなる部分は直径299mm,厚さ6mmとし、大径円盤部20bとなる部分は直径344mm,厚さ29mmとした。そして、この円盤状部材に、図6に示した冷却板側ガス供給孔223,冷却板側リフトピン孔224,冷却板側端子孔225,226,熱電対孔21,固定孔27を形成した。なお、熱電対孔21の中心軸は、冷却板20の中心軸から半径の30%の長さだけ外れた位置に形成した。また、熱電対孔21の内径は8mm、冷却板側端子孔225の内径は6mm、冷却板20の中心軸よりの冷却板側端子孔226の内径は8mm、冷却板20の外周よりの冷却板側端子孔226の内径は8mmとした。
次に、両面テープ140を用意し、上述したように切り込みを入れて外周接着テープ132a,132b,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136と、円形のスペーサーとを形成し、これにより冷却板20とプレート12とを接着して仮接合体110を得た。両面テープ140は、保護フィルム141,145がPET樹脂製であり、粘着層142,144がシリコーン樹脂製であり、中間層143がポリイミド樹脂製のものを用いた。また、両面テープ140は、保護フィルム141,145を除いた厚さが145μmであり、粘着層142,144の厚さがそれぞれ62.5μm、中間層143の厚さが20μmのものを用いた。また、外周接着テープ132a,132b,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136の径方向の幅は2mmとし、通路112の長さは20mmとした。スペーサーは直径が5mmであり、冷却板20の表面における10000mm2あたりの外周接着テープ132a,ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136,スペーサーの接着面積が冷却板20の表面全体にわたってほぼ均等になるように合計5枚を両面テープ140から形成して冷却板20に貼り付けた。冷却板20の表面の面積に対する外周接着部32,ガス供給孔接着部33,リフトピン孔接着部34,端子孔接着部35,36,スペーサーの合計接着面積は、冷却板20の表面の面積の1.4%であった。
続いて、図9に示したように固定具150により仮接合体110を上下逆にした状態で固定し、且つ冷却板20の裏面における面圧が0.011MPaとなるバネ荷重を仮接合体110に印可した。この状態で、連通している連結孔152b,熱電対孔21を介して、外部から仮接合体110の空間114内にシリコーン樹脂製の流動性接着剤131を0.04MPaの圧力で注入した。そして、空間114内が流動性接着剤131で満たされ、通路112が塞がれたときに流動性接着剤131の注入を終了した。その後、外周接着テープ132bを用いて図11のように通路112を外側から塞いで封止した。
そして、流動性接着剤131を注入した仮接合体110を大気中にて10時間静置した。その後、大気炉に入れて150℃で8時間経過させて流動性接着剤131を硬化させ、さらに固定具150を取り外してから仮接合体110を真空中(1×10-3Pa未満)において150℃で80時間ベーキングして流動性接着剤131を完全に硬化させた。このようにして、実施例1のウエハー載置装置10を得た。
[実施例2]
両面テープ140の中間層143がPET樹脂製であり、粘着層142,144がアクリル樹脂製である点、両面テープ140の保護フィルム141,145を除いた厚さが300μm,粘着層142,144の厚さがそれぞれ37.5μm,中間層143の厚さが75μmである点以外は、実施例1と同様にしてウエハー載置装置10を作製し、実施例2とした。
[比較例1]
外周接着部32を備えない点以外は、実施例1と同様のウエハー載置装置を作製し、比較例1とした。なお、比較例1は、以下のようにして作製した。まず、実施例1と同様にしてプレート12,冷却板20を作製した。次に、流動性接着剤131を冷却板20の表面にスクリーン印刷した後、ガス供給孔接着テープ133,リフトピン孔接着テープ134,端子孔接着テープ135,136,スペーサーを冷却板20に貼り付けた。そして、プレート12と冷却板20とを接着して仮接合体とし、これを固定具150により固定した。その後、実施例1と同様に大気炉中及び真空中で流動性接着剤131を硬化させて、比較例1のウエハー載置装置を作製した。
[評価試験1]
作製した実施例1,実施例2,比較例1のウエハー載置装置について、プレート12の平面度,接着層30のガスシール性,ウエハーWの吸着力及び脱着時間,接着層30の欠陥及び穴詰まりの有無,プレート12の表面の均熱性についての測定を行った。プレート12の平面度は、プレート12の表面の13点の高さを3次元測定装置にて測定し、最高高さと最低高さとの差を平面度として測定した。ガスシール性は、ガス供給孔23,リフトピン孔24,端子孔25,26のうち測定対象以外の孔を塞いでヘリウムリークディテクターにてヘリウムリーク量を測定し、これを各孔について測定することで評価を行った。ウエハーWの吸着力の測定は、以下のように行った。まず、静電電極14に500Vの電圧を印加してシリコーン製のウエハーWをプレート12の表面に吸着させ、その状態で冷却板20の裏面からガス供給孔23を介してウエハーWの裏面にバックサイドガス(アルゴンガス)を供給した。このときガスの流量を測定しながら、ガス圧を100Paから徐々に上げていき、ガスの流量が急に増えるときのガス圧力を測定した。このガスの流量が急に増えるときのガス圧力を、ウエハーWの吸着力とした。ウエハーWの脱着時間の測定は、ウエハーWをプレート12の表面に吸着させた状態で、供給するガスの圧力を500Paとし、印加電圧を0Vにしてから供給するガスの流量が急に増えるまでの時間として測定した。欠陥及び穴詰まりの有無は、超音波探傷装置にて、接着層30の欠陥の検出の有無を判定したり、目視や通気チェックによりガス供給孔23,リフトピン孔24,端子孔25,26の穴詰まりの有無を判定したりすることで評価した。均熱性の評価は以下のように行った。まず、真空チャンバーに実施例1,実施例2,比較例1のウエハー載置装置を設置し、冷却通路22に60℃の冷却水を流しながら抵抗発熱体16に供給する電力を調整してプレート12の表面中央の温度が150℃になるようにした。そして、温度が安定した状態でIRカメラによりプレート12の表面の温度分布を測定し温度の最大値と最小値との差ΔTを均熱性の指標として測定した。
[評価試験2]
実際にウエハー載置装置を使用した状態を模擬するため、実施例1,2,比較例1のウエハー載置装置を、1℃/sにて室温→150℃→室温と昇降温させ、これを1サイクルとして1000サイクル行った。その後、評価試験1と同様の試験を行った。
評価試験1,2の結果を表1に示す。表1から明らかなように、評価試験1,2共に平面度,Heリーク量,欠陥及び穴詰まりについては実施例1,2,比較例1のいずれも同様に良好な結果が得られた。しかし、評価試験1の吸脱着性(吸着力,脱着時間)については、比較例1と比べて実施例1,2の方が良好な結果が得られた。また、比較例1は評価試験1と比べて評価試験2における脱着時間がさらに長くなっており熱サイクルによる吸脱着性の低下が見られるが、実施例1,2については評価試験1と評価試験2とで吸脱着性に変化は見られず、実施例1,2は熱サイクルによる吸脱着性の低下がないことがわかる。実施例1,2は比較例1と比べて外周接着部32を備えている構成のため、この構成の違いにより吸脱着性が高くなっていると考えられる。また、差ΔTについては、評価試験1,2のいずれにおいても、比較例1と比べて実施例1,2の方が差ΔTの値が小さく良好な結果が得られた。実施例1,2では、仮接合体110を作製してから流動性接着剤131を注入しているため、比較例1と比べて接着層13に巻き込まれる空気が少なくなり、プレート12の均熱性が向上していると考えられる。
Figure 2011238682
10 ウエハー載置装置、12 プレート、12a 誘電体層、12b 中層、12c 下層、14 静電電極、14a 端子、16 抵抗発熱体、16a 端子、20 冷却板、20a 小径円盤部、20b 大径円盤部、21 熱電対孔、22 冷媒通路、23 ガス供給孔、24 リフトピン孔、25,26 端子孔、27 固定孔、30 接着層、31 主接着部、32 外周接着部、33 ガス供給孔接着部、34 リフトピン孔接着部、35,36 端子孔接着部、110 仮接合体、112 通路、114 空間、123 プレート側ガス供給孔、131 流動性接着剤、132,132a,132b 外周接着テープ、133 ガス供給孔接着テープ、134 リフトピン孔接着テープ、135,136 端子孔接着テープ、140 両面テープ、141,145 保護フィルム、142,144 粘着層、143 中間層、150 固定具、152,154 挟持板、152a,154a 位置決め孔、152b 連結孔、156 アジャスターボルト、158 突起、159 バネ、223 冷却板側ガス供給孔、224 冷却板側リフトピン孔、W ウエハー。

Claims (9)

  1. ウエハーを表面に吸着可能な円盤状でセラミックス製のプレートと、
    円盤状で金属製の冷却板と、
    前記プレートの裏面と前記冷却板の表面とを接着し、流動性接着剤の硬化物からなる第1接着部及び両面テープからなる第2接着部を有する接着層と、
    を備え、
    前記第2接着部は、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着している、
    ウエハー載置装置。
  2. 前記冷却板は、前記流動性接着剤を注入する厚さ方向に貫通された注入孔を備えている、
    請求項1に記載のウエハー載置装置。
  3. 請求項1又は2に記載のウエハー載置装置であって、
    前記冷却板及び前記第1接着部を厚さ方向に貫通する貫通孔、
    を備え、
    前記第2接着部は、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着しているほか、前記プレートの裏面と前記冷却板の表面における前記貫通孔の外周縁とを接着している、
    ウエハー載置装置。
  4. 前記第1接着部は、シリコーン樹脂を硬化させてなるものであり、
    前記第2接着部は、ポリイミド又はPETからなる中間層と、その中間層の両面にありシリコーン樹脂又はアクリル樹脂からなる粘着層とを有する両面テープからなる、
    請求項1〜3のいずれか1項に記載のウエハー載置装置。
  5. (a)静電チャック電極を有する円盤状でセラミックス製のプレートと、厚さ方向に貫通された注入孔及び貫通孔を有する円盤状で金属製の冷却板とを用意する工程と、
    (b)前記工程(a)のあと、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを両面テープで接着すると共に、前記プレートの裏面と前記冷却板の表面の前記貫通孔の外周縁とを両面テープで接着して仮接合体とする工程と、
    (c)前記工程(b)のあと、前記仮接合体のうち前記プレートの裏面と前記冷却板の表面と前記両面テープとで囲まれる空間に前記注入孔から流動性接着剤を注入する工程と、
    (d)前記工程(c)のあと、前記流動性接着剤を硬化させる工程と、
    を含むウエハー載置装置の製造方法。
  6. 前記工程(b)では、前記プレートの裏面の外周縁と前記冷却板の表面の外周縁とを接着する両面テープの内周側と外周側とに通じる通路を設け、
    前記工程(c)では、前記空間に前記注入孔から前記流動性接着剤を注入するにあたり、該流動性接着剤の注入に伴って前記通路から空気が抜けていくようにし、最後に前記通路が前記流動性接着剤で塞がれるようにする、
    請求項5に記載のウエハー載置装置の製造方法。
  7. 前記注入孔は、前記冷却板の中心軸から外れて位置しており、
    前記工程(b)では、前記冷却板の中心軸を挟んで前記注入孔の反対側の位置に前記通路を設ける、
    請求項6に記載のウエハー載置装置の製造方法。
  8. 前記工程(c)では、前記通路が前記流動性接着剤で塞がれたあと、該通路を両面テープにより外側から塞ぐ、
    請求項6又は7に記載のウエハー載置装置の製造方法。
  9. 前記工程(d)では、前記工程(c)で前記空間に前記流動性接着剤を注入してから、該空間内の流動性接着剤の内圧が解放されるまで前記仮接合体を放置した後、該流動性接着剤を硬化させる、
    請求項5〜8のいずれか1項に記載のウエハー載置装置の製造方法。
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KR1020110040241A KR101266669B1 (ko) 2010-05-07 2011-04-28 웨이퍼 배치 장치의 제조 방법

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014041919A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置、残留吸着除去方法
JP2014165267A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 複合部材及びその製造方法
JP2014165459A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 支持装置
JP2014207374A (ja) * 2013-04-15 2014-10-30 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品及びその製造方法
JP2016127170A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP2017147312A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
KR101833318B1 (ko) 2016-05-13 2018-03-02 주식회사 이에스티 정전척의 제조방법
JP2018181866A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法
WO2018230446A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP2020077849A (ja) * 2018-09-18 2020-05-21 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法および保持装置
JP2020136536A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 京セラ株式会社 試料保持具

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9337067B2 (en) * 2011-05-13 2016-05-10 Novellus Systems, Inc. High temperature electrostatic chuck with radial thermal chokes
KR101800337B1 (ko) * 2011-09-28 2017-11-22 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
JP6017328B2 (ja) * 2013-01-22 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
KR102036907B1 (ko) * 2013-04-17 2019-10-28 삼성디스플레이 주식회사 패턴 마스크 제작을 위한 금속 시트의 고정 장치
JP5811513B2 (ja) * 2014-03-27 2015-11-11 Toto株式会社 静電チャック
US9805963B2 (en) 2015-10-05 2017-10-31 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with thermal choke
US20170352565A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Chunlei Zhang Workpiece carrier with gas pressure in inner cavities
US10688750B2 (en) 2017-10-03 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Bonding structure of E chuck to aluminum base configuration
KR102176064B1 (ko) * 2017-11-10 2020-11-09 주식회사 아이앤티 정전척 제조방법 및 정전척
US10847402B2 (en) * 2018-04-02 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Bond protection around porous plugs
US11456161B2 (en) 2018-06-04 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
WO2020242661A1 (en) 2019-05-24 2020-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support carrier with improved bond layer protection
JP7328018B2 (ja) 2019-06-13 2023-08-16 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
KR102640172B1 (ko) 2019-07-03 2024-02-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법
KR20230101216A (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 세메스 주식회사 가스누출 검사장치 및 검사방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945757A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Kyocera Corp 静電チャック
JPH1065047A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Tokuyama Corp 半導体素子搭載用パッケージの製造方法
JP2003258072A (ja) * 2002-03-07 2003-09-12 Ngk Insulators Ltd セラミックス−金属接合体
JP2005243877A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 真空中冷却用セラミック部品
JP2009302346A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板温調固定装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5886863A (en) 1995-05-09 1999-03-23 Kyocera Corporation Wafer support member

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0945757A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Kyocera Corp 静電チャック
JPH1065047A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Tokuyama Corp 半導体素子搭載用パッケージの製造方法
JP2003258072A (ja) * 2002-03-07 2003-09-12 Ngk Insulators Ltd セラミックス−金属接合体
JP2005243877A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Kyocera Corp 真空中冷却用セラミック部品
JP2009302346A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板温調固定装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014041919A (ja) * 2012-08-22 2014-03-06 Ulvac Japan Ltd 静電吸着装置、残留吸着除去方法
JP2014165267A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 複合部材及びその製造方法
JP2014165459A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 支持装置
JP2014207374A (ja) * 2013-04-15 2014-10-30 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品及びその製造方法
US10512125B2 (en) 2015-01-06 2019-12-17 Tokyo Electron Limited Mounting table and substrate processing apparatus
JP2016127170A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP2017147312A (ja) * 2016-02-17 2017-08-24 日本特殊陶業株式会社 保持装置および保持装置の製造方法
KR101833318B1 (ko) 2016-05-13 2018-03-02 주식회사 이에스티 정전척의 제조방법
JP2018181866A (ja) * 2017-04-03 2018-11-15 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法
WO2018230446A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
JP6470878B1 (ja) * 2017-06-13 2019-02-13 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材
TWI766038B (zh) * 2017-06-13 2022-06-01 日商日本碍子股份有限公司 半導體製造裝置用構件
US11469118B2 (en) 2017-06-13 2022-10-11 Ngk Insulators, Ltd. Member for semiconductor manufacturing apparatus
JP2020077849A (ja) * 2018-09-18 2020-05-21 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法および保持装置
JP7455536B2 (ja) 2018-09-18 2024-03-26 日本特殊陶業株式会社 保持装置の製造方法
JP2020136536A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 京セラ株式会社 試料保持具
JP7214502B2 (ja) 2019-02-21 2023-01-30 京セラ株式会社 試料保持具

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