JP2009302346A - 基板温調固定装置 - Google Patents

基板温調固定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009302346A
JP2009302346A JP2008156018A JP2008156018A JP2009302346A JP 2009302346 A JP2009302346 A JP 2009302346A JP 2008156018 A JP2008156018 A JP 2008156018A JP 2008156018 A JP2008156018 A JP 2008156018A JP 2009302346 A JP2009302346 A JP 2009302346A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
substrate temperature
fixing device
substrate
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008156018A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5049891B2 (ja
JP2009302346A5 (ja
Inventor
Hiroshi Yonekura
寛 米倉
Yoshiki Saito
美喜 齋藤
Teruki Tamagawa
晃樹 玉川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2008156018A priority Critical patent/JP5049891B2/ja
Priority to US12/482,482 priority patent/US8641825B2/en
Publication of JP2009302346A publication Critical patent/JP2009302346A/ja
Publication of JP2009302346A5 publication Critical patent/JP2009302346A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5049891B2 publication Critical patent/JP5049891B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001Maintaining constant desired temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】耐プラズマ性に優れた接着層を有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、前記接着層は、耐プラズマ性を有する物質を含有することを特徴とする。
【選択図】図6

Description

本発明は、基板温調固定装置に係り、特に基体上に載置された吸着対象物を吸着する静電チャックを有する基板温調固定装置に関する。
従来、ICやLSI等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置(例えば、CVD装置やPVD装置等)やプラズマエッチング装置は、基板(例えば、シリコンウエハ)を真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。このようなステージとして、例えば、静電チャックを有する基板温調固定装置が提案されている。基板温調固定装置は、静電チャックにより基板を吸着保持し、吸着保持された基板が所定の温度となるように温度制御を行う装置である。
図1は、従来の基板温調固定装置を簡略化して例示する平面図である。図2は、従来の基板温調固定装置を簡略化して例示する図1のA−A線に沿う断面図である。図1及び図2を参照するに、基板温調固定装置100は、静電チャック101と、接着層105と、ベースプレート106とを有する。静電チャック101は、基体102と、静電電極103とを有するクーロン力型静電チャックである。基体102は、ベースプレート106上に接着層105を介して固定されている。基体102は、セラミックスにより構成されている。ベースプレート106はAl等の金属により構成されている。
セラミックスにより構成されている基体102と、Al等の金属から構成されているベースプレート106とは熱膨張率が異なるため、これらの熱膨張率差により生じる応力を緩和するために、これらを接着する接着層105には柔軟性が求められる。そのため、接着層105としては、柔軟性を有するシリコン接着剤が用いられている。
基体102の上面102aの外縁部には平面視円環状の突起部である外周シールリング102bが設けられている。外周シールリング102bの平面視内側には、円柱形状の多数の突起部102cが平面視水玉模様状に点在するように設けられている。
静電電極103は、薄膜静電電極であり、基体102に内蔵されている。静電電極103は、基板温調固定装置100の外部に設けられた直流電源(図示せず)に接続され、所定の電圧が印加されると、基板等の吸着対象物(図示せず)を外周シールリング102b及び多数の突起部102cの上面に吸着保持する。吸着保持力は、静電電極103に印加される電圧が高いほど強くなる。
ベースプレート106は、静電チャック101を支持するためのものである。ベースプレート106には、発熱体(図示せず)や水路104が設けられており、基体102の温度制御を行う。発熱体(図示せず)は、電圧を印加されることで発熱し、接着層105を介して基体102を加熱する。
水路104は、ベースプレート106の下面106bに形成された冷却水導入部104aと、冷却水排出部104bとを有する。冷却水導入部104a及び冷却水排出部104bは、基板温調固定装置100の外部に設けられた冷却水制御装置(図示せず)に接続されている。冷却水制御装置(図示せず)は、冷却水を冷却水導入部104aから水路104に導入し、冷却水排出部104bから排出する。冷却水を循環させベースプレート106を冷却することで、接着層105を介して基体102を冷却する。
基体102,接着層105,ベースプレート106には、これらを貫通するガス路108が形成されている。ガス路108は、ベースプレート106の下面106bに形成された複数のガス導入部108aと基体102の上面102aに形成された複数のガス排出部108bとを有する。複数のガス導入部108aは、基板温調固定装置100の外部に設けられたガス圧力制御装置(図示せず)に接続されている。ガス圧力制御装置(図示せず)は、不活性ガスの圧力を、例えば、0〜50Torrの範囲で可変し、不活性ガスをガス導入部108aからガス路108に導入することができる。
図3は、従来の基板温調固定装置が基板を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。同図中、図1及び図2と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。図3において、107は基板、109は不活性ガスが充填されるガス充填部である。図3を参照するに、基板107は、基体102の外周シールリング102b及び多数の突起部102cの上面に吸着保持されている。基板107は、ベースプレート106に内蔵されている発熱体(図示せず)や水路104により温度制御される。
ガス圧力制御装置(図示せず)は、不活性ガスを複数のガス導入部108aからガス路108に導入する。導入された不活性ガスが、ガス排出部108bから排出され、基板107と基体102の上面102aとの間に形成された空間であるガス充填部109に充填されると、基体102と基板107との間の熱伝導性が向上する。外周シールリング102bは、ガス充填部109に充填された不活性ガスが、ガス充填部109外に漏れることを防止するために設けられている。
以上のように、従来の基板温調固定装置100は、静電チャック101の基体102の外周シールリング102b及び多数の突起部102cの上面に基板107を吸着保持する。又、従来の基板温調固定装置100の基体102の上面102aの外縁部に設けられた平面視円環状の突起部である外周シールリング102bは、基体102と基板107との間の熱伝導性を向上するためにガス充填部109に充填された不活性ガスがガス充填部109外に漏れることを防止する。又、従来の基板温調固定装置100のベースプレート106に内蔵されている発熱体(図示せず)や水路104は、基板107の温度を制御する(例えば、特許文献1〜3参照)。
特開2000−317761号公報 特開2000−332091号公報 特開2003−224180号公報
しかしながら、従来の基板温調固定装置100をプラズマ中で使用すると、接着層105を構成するシリコン接着剤は耐プラズマ性が低いため、接着層105の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食される。又、基体102の上面102aに堆積する付着物を除去するためにプラズマクリーニングを行うが、クリーニングの際にプラズマは接着層105に設けられたガス路108等の貫通孔に進入し、接着層105の貫通孔の周辺部がプラズマに曝されることによって侵食される。
接着層105が侵食されると、侵食された部分から不活性ガスが漏れることにより、基体102と基板107との間の熱伝導性が低下するという問題や、基板温調固定装置100を使用する真空チャンバ内の真空度が低下する問題や、パーティクルが発生することにより基板107がパーティクルにより汚染されるという問題等があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、耐プラズマ性に優れた接着層を有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、前記接着層は、耐プラズマ性を有する物質を含有することを特徴とする。
本発明によれば、耐プラズマ性に優れた接着層を有する基板温調固定装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
〈第1の実施の形態〉
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する平面図である。図5は、本発明の第1の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する図4のB−B線に沿う断面図である。図4及び図5を参照するに、基板温調固定装置10は、静電チャック11と、接着層15と、ベースプレート16とを有する。
静電チャック11は、基体12と、静電電極13とを有するクーロン力型静電チャックである。基体12は誘電体であり、ベースプレート16上に接着層15を介して固定されている。基体12としては、例えば、Al、AlN等のセラミックスを用いることができる。
基体12の厚さtは、例えば、1〜20mmとすることができる。基体12の外径φは、例えば、6インチ、8インチ、12インチ等とすることができる。基体12の比誘電率(1KHz)は、例えば、9〜10、基体12の体積抵抗率は、例えば、1012〜1016Ωmとすることができる。
12aは基体12の上面を示している。基体12の上面12aの外縁部には平面視円環状の突起部である外周シールリング12bが設けられている。外周シールリング12bの平面視内側には、円柱形状の多数の突起部12cが平面視水玉模様状に点在するように設けられている。外周シールリング12bの上面と突起部12cの上面とは略面一である。このように、基体12の上面12aに多数の突起部12cを設けることにより、吸着対象物の裏面側に付着するパーティクルを低減することができる。
多数の突起部12cの上面の高さhは略同一であり、高さhは、例えば、5〜30μmとすることができる。突起部12cの上面の直径φは、例えば、0.1〜2.0mmとすることができる。突起部12cは、円柱形状(平面視円形)以外に、平面視楕円形、平面視6角形等の平面視多角形、直径の異なる複数の円柱を組み合わせた形状、これらの組み合わせ等でも構わない。なお、突起部12cが、円柱形状(平面視円形)以外の場合も含めて、本願では「平面視水玉模様状」と表現する。
突起部12cは、例えば、サンドブラスト加工により形成される。具体的には、基体12の上面12aの突起部12cを形成したい部分をマスクし、細かい粒子を気体の圧力により基体12の上面12aに打ち付け、マスクされてない部分を削ることにより形成される。なお、突起部12cは、基体12の上面12aに略均一に設けられていれば、どのような規則性に従って配置されても構わない。
静電電極13は、薄膜電極であり、基体12に内蔵されている。静電電極13は、基板温調固定装置10の外部に設けられた直流電源(図示せず)に接続され、所定の電圧が印加されると、基板等の吸着対象物(図示せず)との間にクーロン力を発生させ、吸着対象物(図示せず)を外周シールリング12b及び多数の突起部12cの上面に吸着保持する。吸着保持力は、静電電極13に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極13は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極13の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いることができる。
接着層15は、基体12を、ベースプレート16上に固定するために設けられている。接着層15の厚さは任意で構わないが、例えば、0.1〜0.5mmとすることができる。接着層15は、接着剤15a中に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材20を内包している。
接着層15が部材20を内包しているのは、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用した場合に、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止するためである。又、プラズマクリーニングの際に、プラズマが接着層15に設けられたガス路18等の貫通孔から進入し、接着層15の貫通孔の周辺部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止するためである。
図6は、図5における接着層を拡大して例示する断面図である。図7は、接着層に内包される部材の例を示す平面図である。図6及び図7において、図5と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。図6及び図7に示す部材20は平面視略円形の部材であり、接着層15の略全体に設けられる。部材20の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。部材20の厚さは、接着層15の厚さに合わせて適宜決めることができる。部材20は、耐プラズマ性を有する物質を主成分としている。
部材20には、複数の開口部20aが網目状(メッシュ状)に設けられている。部材20の開口部20aには、接着剤15aが充填されている。部材20における複数の開口部20aの配置は、規則的であっても不規則的であっても構わない。複数の開口部20aの大きさは特に限定されないが、例えば、メッシュ規格10〜200mesh程度とすることができる。全ての開口部20aの大きさは、必ずしも同一でなくても構わない。
接着剤15aとしては、例えば、柔軟性に優れ、熱伝導率の良いシリコン接着剤等を用いることができる。部材20は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂を主成分とする材料から構成することができる。ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂は、耐プラズマ性に優れているからである。なお、ポリテトラフルオロエチレンを主成分とする複数の網目状の開口部を有する部材は、テフロン(登録商標)メッシュと呼ばれることがある。
部材20として、ポリイミド系樹脂を用いることもできる。ポリイミド系樹脂も耐プラズマ性に優れているからである。但し、ポリイミド系樹脂は硬度が高く加工性に優れない、又、比較的薄い物が多く100meshや200mesh等の目の細かいポリイミドメッシュは入手しにくい等の問題がある。一方、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂は、薄いものから厚いものまで容易に入手でき、柔らかいものもあるため穴加工等も容易である。又、10〜200mesh程度のテフロンメッシュは容易に入手できる。このように、加工性、入手性等を考慮すれば、部材20としてポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂を用いることが好ましい。
部材20が複数の開口部20aを有する理由は、基体12とベースプレート16との接着性を向上させるためである。例えば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする開口部を有しない部材を内包することも可能である。この場合も、後述する本発明の効果を奏するが、基体12とベースプレート16との接着性が低下するため、接着性を維持するためには開口部を有することが好ましい。
このように、部材20における開口部20aは、基体12とベースプレート16との接着性を向上させるために設けられているので、必ずしも網目状でなくても構わない。開口部の他の形態の例としては、複数の孔や複数のスリット等を挙げることができる。開口部の大きさは特に限定されないが、スリットであれば幅1〜10mm程度、孔であれば直径1〜10mm程度が好ましい。
接着層15を形成するためには、始めにベースプレート16上に接着剤15aを塗布した後、塗布した接着剤15a上に部材20を載置し、更に開口部20aに接着剤15aを充填するように部材20上に接着剤15aを塗布する。次いで、部材20上に塗布された接着剤15a上に基体12を載置し、加熱や紫外線照射等により接着剤15aを硬化させる。これにより、部材20を内包する接着層15が形成される。
このように、部材20は接着層15と一体的に形成されるため、部材20が基体12とベースプレート16との間を隙間なく埋めることが可能となり、露出した部材20の剥がれ落ち等を防止できる。
以上、接着層15が耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材20を内包している例を示したが、接着層15は、部材20に代えて、耐プラズマ性を有する物質を含有していてもよい。耐プラズマ性を有する物質とは、例えば、フッ素系樹脂の粒子とすることができる。フッ素系樹脂の粒子としては、ポリテトラフルオロエチレンの粒子が好ましい。ポリテトラフルオロエチレンは、耐プラズマ性に優れているからである。
耐プラズマ性を有する物質を含有する接着層15を形成するためには、予めフッ素系樹脂の粒子等を接着剤15aに混合しておく。そして、ベースプレート16上に接着剤15aを塗布した後、塗布した接着剤15a上に基体12を載置し、加熱や紫外線照射等により接着剤15aを硬化させる。これにより、フッ素系樹脂の粒子等の耐プラズマ性を有する物質を含有する接着層15が形成される。
このように、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材20を内包、又は、耐プラズマ性を有する物質を含有することにより、接着層15の耐プラズマ性を向上することができる。これにより、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用しても、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。又、プラズマクリーニングの際に、プラズマが接着層15に設けられたガス路18等の貫通孔から進入し、接着層15の貫通孔の周辺部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。又、部材20に例えば網目状等の開口部を設けることにより、基体12とベースプレート16との接着性を維持することができる。
ベースプレート16は、静電チャック11を支持するためのものである。ベースプレート16には、発熱体(図示せず)や水路14が設けられており、基体12の温度制御を行う。ベースプレート16の材料としては、例えば、Al等を用いることができる。発熱体(図示せず)は、電圧を印加されることで発熱し、接着層15を介して基体12を加熱する。
水路14は、ベースプレート16の下面16bに形成された冷却水導入部14aと、冷却水排出部14bとを有する。冷却水導入部14a及び冷却水排出部14bは、基板温調固定装置10の外部に設けられた冷却水制御装置(図示せず)に接続されている。冷却水制御装置(図示せず)は、冷却水を冷却水導入部14aから水路14に導入し、冷却水排出部14bから排出する。冷却水を循環させベースプレート16を冷却することで、接着層15を介して基体12を冷却する。
基体12,接着層15,ベースプレート16には、これらを貫通するガス路18が形成されている。ガス路18は、ベースプレート16の下面16bに形成された複数のガス導入部18aと基体12の上面12aに形成された複数のガス排出部18bとを有する。複数のガス導入部18aは、基板温調固定装置10の外部に設けられたガス圧力制御装置(図示せず)に接続されている。ガス圧力制御装置(図示せず)は、不活性ガスの圧力を、例えば、0〜50Torrの範囲で可変し、不活性ガスをガス導入部18aからガス路18に導入することができる。
図8は、本発明に係る基板温調固定装置が基板を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。同図中、図4及び図5と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する場合がある。図8において、17は基板、19は不活性ガスが充填されるガス充填部である。図8を参照するに、基板17は、外周シールリング12b及び多数の突起部12cの上面に吸着保持されている。
基板17は、ベースプレート16に設けられている発熱体(図示せず)や水路14により温度制御される。基板17は、例えば、シリコンウエハ等である。基板17の厚さは、例えば、700μm〜1000μmである。突起部12cの形状及び寸法を選定することにより、これ以外の厚さの基板に対しても本発明を適用することができる。
ガス圧力制御装置(図示せず)は、不活性ガスを複数のガス導入部18aからガス路18に導入する。導入された不活性ガスが、ガス排出部18bから排出され、基板17の下面と基体12の上面12aとの間に形成された空間であるガス充填部19に充填されると、基体12と基板17との間の熱伝導性が向上する。不活性ガスとしては、例えば、HeやAr等を用いることができる。
本発明の第1の実施の形態に係る基板温調固定装置10によれば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材20を内包、又は、耐プラズマ性を有する物質を含有することにより、接着層15の耐プラズマ性を向上することができる。これにより、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用しても、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。又、プラズマクリーニングの際に、プラズマが接着層15に設けられたガス路18等の貫通孔から進入し、接着層15の貫通孔の周辺部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。
その結果、接着層15のプラズマに侵食された部分から不活性ガスが漏れることによる基体12と基板17との間の熱伝導性の低下や、パーティクルが発生することによる基板17のパーティクルによる汚染を防止できる。
なお、接着層15に内包される部材は、第1の実施の形態において例示した部材20とは異なる形態でも構わない。以下に示す第1の実施の形態の変形例1〜変形例3において、接着層15に内包される部材の他の例を示す。
〈第1の実施の形態の変形例1〉
図9は、接着層に内包される部材の他の例を示す平面図である。図9に示す部材21は、平面視略円環状の部材であり、接着層15の外縁部のみに設けられる。部材21の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。部材21の厚さは、接着層15の厚さに合わせて適宜決めることができる。部材21は、耐プラズマ性を有する物質を主成分としている。部材21を構成する具体的な材料については、部材20と同等であるため、その説明は省略する。
部材21は、貫通孔である複数の開口部21aを有する。複数の開口部21aには接着剤15aが充填される。部材21における複数の開口部21aの配置は、規則的であっても不規則的であっても構わない。開口部21aの形状や大きさは特に限定されないが、例えば、平面視略円形の貫通孔で直径1〜10mm程度とすることができる。複数の開口部21aの大きさは、必ずしも同一でなくても構わない。
プラズマは接着層15を外側から浸食するので、図9に示すような部材21を接着層15の外縁部のみに設けることで、接着層15が外縁部からプラズマによって侵食されることを防止できる。
部材21が複数の開口部21aを有する理由は、基体12とベースプレート16との接着性を向上させるためである。例えば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする開口部を有しない部材を内包することも可能である。この場合も、後述する本発明の効果を奏するが、基体12とベースプレート16との接着性が低下するため、開口部を有することが好ましい。
本発明の第1の実施の形態の変形例1によれば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材21を内包することにより、接着層15の耐プラズマ性を向上することができる。これにより、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用しても、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。
その結果、接着層15のプラズマに侵食された部分から不活性ガスが漏れることによる基体12と基板17との間の熱伝導性の低下や、パーティクルが発生することによる基板17のパーティクルによる汚染を防止できる。
〈第1の実施の形態の変形例2〉
図10は、接着層に内包される部材の他の例を示す平面図である。図10に示す部材22及び23は平面視略円環状の部材であり、部材22は接着層15の外縁部に内包され、部材23は接着層15の貫通孔の周辺部に内包される。ここでいう貫通孔は、図5に示すガス路18及びその他の貫通孔を含む。その他の貫通孔とは、例えば、リフトピンを通すリフトピン孔、基板の温度を測定するセンサー孔等である。
部材22の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。部材23の内径φは、接着層15の貫通孔の孔径と略同一か若干大きい。部材22及び23の厚さは、接着層15の厚さに合わせて適宜決めることができる。部材22及び23は、耐プラズマ性を有する物質を主成分としている。部材22及び23を構成する具体的な材料については部材20と同等であるため、その説明は省略する。
部材22及び23には、複数の開口部22a及び23aが網目状(メッシュ状)に設けられている。複数の開口部22a及び23aには接着剤15aが充填される。部材22及び23における複数の開口部22a及び23aの配置は、規則的であっても不規則的であっても構わない。複数の開口部22a及び23aの大きさは特に限定されないが、例えば、メッシュ規格10〜200mesh程度とすることができる。全ての開口部22a及び23aの大きさは、必ずしも同一でなくても構わない。
プラズマは接着層15を外側から浸食するので、図10に示すような部材22を接着層15の外縁部に設けることで、接着層15が外縁部からプラズマによって侵食されることを防止できる。又、プラズマクリーニングの際には、プラズマは接着層15を貫通孔の周辺部からも浸食するので、図10に示すような部材23を接着層15の貫通孔の周辺部に設けることで、接着層15が貫通孔の周辺部からプラズマによって侵食されることを防止できる。
部材22及び23が複数の開口部22a及び23aを有する理由は、基体12とベースプレート16との接着性を向上させるためである。例えば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする開口部を有しない部材を内包することも可能である。この場合も、後述する本発明の効果を奏するが、基体12とベースプレート16との接着性が低下するため、開口部を有することが好ましい。
本発明の第1の実施の形態の変形例2によれば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材22及び23を内包することにより、接着層15の耐プラズマ性を向上することができる。これにより、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用しても、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。又、プラズマクリーニングの際に、プラズマが接着層15に設けられたガス路18等の貫通孔から進入し、接着層15の貫通孔の周辺部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。
その結果、接着層15のプラズマに侵食された部分から不活性ガスが漏れることによる基体12と基板17との間の熱伝導性の低下や、パーティクルが発生することによる基板17のパーティクルによる汚染を防止できる。
〈第1の実施の形態の変形例3〉
図11〜図13は、接着層に内包される部材の他の例を示す平面図である。図11〜図13に示す部材24〜26は、耐プラズマ性を有する物質を主成分とするシートに所定の開口部を設けた物である。部材24〜26を構成する具体的な材料については部材20と同等であるため、その説明は省略する。
図11に示す部材24は、平面視略円環状部が複数の平面視略直線部で連結された構造である。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部を除く部分は開口部であり、開口部には接着剤15aが充填される。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部の幅は、例えば、2〜10mm程度とすることができる。部材24の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。
図12に示す部材25は、大小2種類の略同心円状の平面視略円環状部が複数の平面視略直線部で連結された構造である。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部を除く部分は開口部であり、開口部には接着剤15aが充填される。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部の幅は、例えば、2〜10mm程度とすることができる。部材25の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。
図13に示す部材26は、大中小3種類の略同心円状の平面視略円環状部が複数の平面視略直線部で連結された構造である。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部を除く部分は開口部であり、開口部には接着剤15aが充填される。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部の幅は、例えば、2〜10mm程度とすることができる。部材26の外径φは、基体12の外径φと略同一か若干小さい。
部材24〜26の厚さは、接着層15の厚さに合わせて適宜決めることができる。部材24〜26の平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部には、開口部は設けられていない。平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部を除く部分は開口部であり、開口部には接着剤15aが充填されるため、平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部に開口部が設けられていなくても、基体12とベースプレート16との接着性を十分に確保できるからである。
プラズマは接着層15を外側から浸食するので、部材24〜26を図11〜図13に示すように、少なくとも接着層15の外縁部を囲むような形態とすることで、接着層15が外縁部等からプラズマによって侵食されることを防止できる。
本発明の第1の実施の形態の変形例3によれば、接着層15に耐プラズマ性を有する物質を主成分とする部材24、25、又は26を内包することにより、接着層15の耐プラズマ性を向上することができる。これにより、基板温調固定装置10をプラズマ中で使用しても、接着層15の外縁部がプラズマに曝されることによって侵食されることを防止できる。
その結果、接着層15のプラズマに侵食された部分から不活性ガスが漏れることによる基体12と基板17との間の熱伝導性の低下や、パーティクルが発生することによる基板17のパーティクルによる汚染を防止できる。
以上、本発明の好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、各実施の形態及びその変形例では、本発明をクーロン力型静電チャックに適用する例を示したが、本発明は、ジョンソン・ラーベリック型静電チャックにも同様に適用することができる。
又、各実施の形態及びその変形例では、本発明をエンボスタイプ(基体の上面に多数の突起部が形成されているタイプ)の表面形状を有する静電チャックに適用する例を示したが、本発明は、エンボスタイプの表面形状を有さない静電チャックにも同様に適用することができる。
又、第1の実施の形態の変形例1の図9に例示した部材21の開口部21aは、網目状の開口部でも構わないし、第1の実施の形態の変形例2の図10に例示した部材22及び23の開口部22a及び23aは、貫通孔でも構わない。
又、第1の実施の形態の変形例3の図11〜図13において、平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部を除く部分である開口部の形状は、図11〜図13に例示した以外の形状でも構わない。
又、第1の実施の形態の変形例3の図11〜図13に例示した平面視略円環状部及び複数の平面視略直線部に、例えば網目状等の開口部を設けても構わない。
従来の基板温調固定装置を簡略化して例示する平面図である。 従来の基板温調固定装置を簡略化して例示する図1のA−A線に沿う断面図である。 従来の基板温調固定装置が基板を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する平面図である。 本発明の第1の実施の形態に係る基板温調固定装置を簡略化して例示する図4のB−B線に沿う断面図である。 図5における接着層を拡大して例示する断面図である。 接着層に内包される部材の例を示す平面図である。 本発明に係る基板温調固定装置が基板を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。 接着層に内包される部材の他の例を示す平面図(その1)である。 接着層に内包される部材の他の例を示す平面図(その2)である。 接着層に内包される部材の他の例を示す平面図(その3)である。 接着層に内包される部材の他の例を示す平面図(その4)である。 接着層に内包される部材の他の例を示す平面図(その5)である。
符号の説明
10,100 基板温調固定装置
11,101 静電チャック
12,102 基体
12a,102a 基体の上面
12b,102b 外周シールリング
12c,102c 多数の突起部
13,103 静電電極
14,104 水路
14a,104a 冷却水導入部
14b,104b 冷却水排出部
15,105 接着層
15a 接着剤
16,106 ベースプレート
16b,106b ベースプレートの下面
17,107 基板
18,108 ガス路
18a,108a ガス導入部
18b,108b ガス排出部
19,109 ガス充填部
20,21,22,23,24,25,26 部材
20a,21a,22a,23a 開口部
高さ
φ〜φ
厚さ

Claims (8)

  1. 吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、
    前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、
    前記接着層は、耐プラズマ性を有する物質を含有することを特徴とする基板温調固定装置。
  2. 前記接着層は、複数の開口部を有する部材を内包し、
    前記部材は、前記耐プラズマ性を有する物質を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の基板温調固定装置。
  3. 前記複数の開口部は、前記部材に網目状に形成されていることを特徴とする請求項2記載の基板温調固定装置。
  4. 前記部材は、平面視において少なくとも前記接着層の外縁部に内包されていることを特徴とする請求項2又は3記載の基板温調固定装置。
  5. 前記部材は、平面視において少なくとも前記接着層の貫通孔の周辺部に内包されていることを特徴とする請求項2乃至4の何れか一項記載の基板温調固定装置。
  6. 前記耐プラズマ性を有する物質は、フッ素系樹脂であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の基板温調固定装置。
  7. 前記フッ素系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項6記載の基板温調固定装置。
  8. 更に、前記基体及び前記接着層を貫通し、前記基体の上面と前記吸着対象物の下面とが形成する空間に圧力を調整した不活性ガスを充填するガス路を有し、
    少なくとも、平面視において前記接着層の前記ガス路が貫通する部分を囲むように、前記部材が内包されていることを特徴とする請求項2乃至7の何れか一項記載の基板温調固定装置。
JP2008156018A 2008-06-13 2008-06-13 基板温調固定装置 Expired - Fee Related JP5049891B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008156018A JP5049891B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 基板温調固定装置
US12/482,482 US8641825B2 (en) 2008-06-13 2009-06-11 Substrate temperature regulation fixed apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008156018A JP5049891B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 基板温調固定装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009302346A true JP2009302346A (ja) 2009-12-24
JP2009302346A5 JP2009302346A5 (ja) 2011-04-14
JP5049891B2 JP5049891B2 (ja) 2012-10-17

Family

ID=41413681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008156018A Expired - Fee Related JP5049891B2 (ja) 2008-06-13 2008-06-13 基板温調固定装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8641825B2 (ja)
JP (1) JP5049891B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011238682A (ja) * 2010-05-07 2011-11-24 Ngk Insulators Ltd ウエハー載置装置及びその製造方法
KR20140107279A (ko) * 2011-12-20 2014-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
JP2014165459A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 支持装置
JP2015138807A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
KR20150112777A (ko) * 2014-03-27 2015-10-07 토토 가부시키가이샤 정전 척
JP2016092105A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
KR20170113560A (ko) * 2015-02-18 2017-10-12 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치 및 반도체 제조 장치
CN111326443A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 三星电子株式会社 用于制造半导体器件的设备
JP2021093488A (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品、保持装置、および半導体製造装置用部品の製造方法
US11575335B2 (en) 2020-03-26 2023-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatic chuck device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9623503B2 (en) * 2013-10-31 2017-04-18 Semes Co., Ltd. Support unit and substrate treating device including the same
DE102014008031B4 (de) 2014-05-28 2020-06-25 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung
DE102014008030A1 (de) 2014-05-28 2015-12-03 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung
DE102014007903A1 (de) 2014-05-28 2015-12-03 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit Noppen-Elektroden und Verfahren zu deren Herstellung
DE102014008029B4 (de) 2014-05-28 2023-05-17 Asml Netherlands B.V. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Elektroden-Trägerscheibe und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung
CN105441904B (zh) * 2014-06-18 2018-06-26 中微半导体设备(上海)有限公司 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法
US10269557B2 (en) * 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
JP6839314B2 (ja) * 2019-03-19 2021-03-03 日本碍子株式会社 ウエハ載置装置及びその製法
CN113892061A (zh) * 2019-05-29 2022-01-04 Asml控股股份有限公司 分裂式双面晶片和掩模板夹具

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03104893U (ja) * 1990-02-08 1991-10-30
JPH07153820A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Kyocera Corp 半導体製造用サセプタおよびその製造方法
JP2001291760A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Hitachi Chem Co Ltd 剥離方法及び剥離用テープ
JP2005033181A (ja) * 2003-05-12 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006156691A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Kyocera Corp 基板保持部材
JP2007027494A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Komico Co Ltd 静電チャックを備える基板ホルダ及びその製造方法
JP2007048998A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Seiko Epson Corp 吸着装置および描画装置
JP2008028354A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Applied Materials Inc 急速温度勾配コントロールによる基板処理
JP2008034465A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nisshinbo Ind Inc ウエハ固定装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2567162A (en) * 1948-01-14 1951-09-04 Du Pont Coated electrical conductor and method of making same
US3431160A (en) * 1963-09-06 1969-03-04 Usui Kokusai Sangyo Kk Method of making a wear-resistant sliding-surface structure
US5766750A (en) * 1994-08-25 1998-06-16 W. L. Gore & Associates, Inc. Process for making an adhesive-filler polymer film composite
US6280584B1 (en) * 1998-07-29 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Compliant bond structure for joining ceramic to metal
JP2000317761A (ja) 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
JP3805134B2 (ja) 1999-05-25 2006-08-02 東陶機器株式会社 絶縁性基板吸着用静電チャック
JP2003224180A (ja) 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP4034145B2 (ja) * 2002-08-09 2008-01-16 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
US7651571B2 (en) * 2005-12-22 2010-01-26 Kyocera Corporation Susceptor
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03104893U (ja) * 1990-02-08 1991-10-30
JPH07153820A (ja) * 1993-11-30 1995-06-16 Kyocera Corp 半導体製造用サセプタおよびその製造方法
JP2001291760A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Hitachi Chem Co Ltd 剥離方法及び剥離用テープ
JP2005033181A (ja) * 2003-05-12 2005-02-03 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006156691A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Kyocera Corp 基板保持部材
JP2007027494A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Komico Co Ltd 静電チャックを備える基板ホルダ及びその製造方法
JP2007048998A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Seiko Epson Corp 吸着装置および描画装置
JP2008028354A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Applied Materials Inc 急速温度勾配コントロールによる基板処理
JP2008034465A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Nisshinbo Ind Inc ウエハ固定装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101266669B1 (ko) 2010-05-07 2013-05-27 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 배치 장치의 제조 방법
US8940115B2 (en) 2010-05-07 2015-01-27 Ngk Insulators, Ltd. Wafer mount device and manufacturing method thereof
JP2011238682A (ja) * 2010-05-07 2011-11-24 Ngk Insulators Ltd ウエハー載置装置及びその製造方法
KR102147551B1 (ko) * 2011-12-20 2020-08-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
KR20140107279A (ko) * 2011-12-20 2014-09-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 탑재대 및 플라즈마 처리 장치
JP2014165459A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 支持装置
JP2015138807A (ja) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
KR102238923B1 (ko) * 2014-03-27 2021-04-12 토토 가부시키가이샤 정전 척
KR20150112777A (ko) * 2014-03-27 2015-10-07 토토 가부시키가이샤 정전 척
JP2016092105A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
KR20170113560A (ko) * 2015-02-18 2017-10-12 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치 및 반도체 제조 장치
KR102508955B1 (ko) 2015-02-18 2023-03-13 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치 및 반도체 제조 장치
CN111326443A (zh) * 2018-12-17 2020-06-23 三星电子株式会社 用于制造半导体器件的设备
KR20200074663A (ko) * 2018-12-17 2020-06-25 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR102623545B1 (ko) * 2018-12-17 2024-01-10 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP2021093488A (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品、保持装置、および半導体製造装置用部品の製造方法
JP7365221B2 (ja) 2019-12-12 2023-10-19 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置用部品、保持装置、および半導体製造装置用部品の製造方法
US11575335B2 (en) 2020-03-26 2023-02-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatic chuck device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5049891B2 (ja) 2012-10-17
US20090308538A1 (en) 2009-12-17
US8641825B2 (en) 2014-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5049891B2 (ja) 基板温調固定装置
JP4974873B2 (ja) 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5025576B2 (ja) 静電チャック及び基板温調固定装置
JP5619486B2 (ja) フォーカスリング、その製造方法及びプラズマ処理装置
TWI467691B (zh) Electrostatic chuck and its manufacturing method
KR101217379B1 (ko) 포커스 링 및 기판 탑재 시스템
CN105355585B (zh) 基板处理装置的基板载置台
JP5762798B2 (ja) 天井電極板及び基板処理載置
JP5250408B2 (ja) 基板温調固定装置
JP2007266342A (ja) 載置台及び真空処理装置
WO2004084298A1 (ja) 静電チャックを用いた基板保持機構およびその製造方法
TW200818311A (en) Heat conductive structure and substrate treatment apparatus
CN111261571A (zh) 基板固定装置
KR102592338B1 (ko) 일체형 다공성 필터를 포함하는 정전척 및 이의 제조 방법
JP5570900B2 (ja) 基板載置面に樹脂突起物層を形成する方法及び樹脂突起物層転写部材
KR102327461B1 (ko) 개량된 아킹 방지 기능을 가지는 정전척
KR101952559B1 (ko) 챔버 구성부품들을 연결하기 위해 이용되는 접착제 재료
KR20220086487A (ko) 정전 척 및 기판 고정 장치
JP2014529884A (ja) パターン化されたウェハを取り付けるための取付け装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110223

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120328

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120703

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120723

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5049891

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees