JP7365221B2 - 半導体製造装置用部品、保持装置、および半導体製造装置用部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体製造装置用部品、保持装置、および半導体製造装置用部品の製造方法に関する。

半導体製造装置に使用されるアルミナ質耐食部材が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されているアルミナ質耐食部材は、アルミナを主体として、所定量の希土類元素を含み、アルミナ結晶の粒界にＲＥ－ＡＬ－Ｏ結合を有している。

特許第３９７１５３９号公報

特許文献１に記載されたアルミナ質耐食部材は、粒界相の耐食性をアルミナ結晶よりも向上させ、高耐食性を有する。しかしながら、当該部材の表面に存在する結晶相の種類などによっては、例えばプラズマなどにさらされると、各相における耐食性の違いにより、浸食されやすい相と、浸食されづらい相とが発生する。この結果、プラズマなどにさらされると、浸食されやすい相の浸食が進行し、浸食されづらい相の粒子が凸形状に表面に残った状態となりやすい。この浸食されづらい相の粒子は、さらなる浸食されやすい相の浸食の進行によって表面から脱落し、パーティクルの原因となるおそれがある。また、アルミナ質耐食部材が例えば半導体製造装置のウェハー載置面として使用されると、浸食されづらい相の粒子とウェハーとに局所的な擦れが生じ、浸食されづらい粒子の一部が欠け、パーティクルの原因となるおそれがある。またパーティクルの原因とはならない場合でも、浸食の進行に伴って表面の凹凸が大きくなりやすく、ウェハー載置面のガスシール性およびチャック力の低下が生じるおそれがある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、高耐食性を有し、プラズマなどにさらされた場合の浸食によって生じるパーティクルの発生および表面の凹凸の増大を抑制する半導体製造装置用部品を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含むセラミックス部を備える半導体製造装置用部品が提供される。この半導体製造装置用部品は、前記セラミックス部の表面のＸ線回折法により検出される結晶相が、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなる。

この構成の表面は、ガドリニウム元素を含んでいるため、純粋なアルミナに比較して、粒界のプラズマに対する耐食性が高くなり、焼結性が向上する。また、本構成の表面は、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相で形成されている。換言すると、本構成の表面は、ＧｄＡｌＯ₃などの二次相を含んでいない。そのため、本構成の表面は、耐食性の異なる複数の相を含まない。そのため、例えば、本構成が半導体製造装置のウェハー載置面に使用されると、ウェハー載置面に浸食の進行度合いが異なる複数の相が存在せず、浸食されづらい粒子の一部が欠けてパーティクルとして発生することを抑制できる。また、ウェハー載置面での凹凸の増大が抑制されるため、ウェハー載置面のガスシール性およびチャック力の低下を抑制できる。

（２）上記態様の半導体製造装置用部品において、前記結晶相の粒径は、１．５μｍ以下であってもよい。
この構成の表面では、結晶相の粒径が１．５μｍ以下と小さい。そのため、表面に凹凸が発生したとしても、凹凸の大きさ自体が大きくなく、本構成が使用された場合に凹凸の影響が少なくなる。

（３）本発明の他の一形態によれば、セラミックスにより形成され、第１の面と、前記第１の面の裏面である第２の面と、前記第２の面と内部とのいずれか一方に形成された電極と、を有する保持部材であって、前記第１の面に、前記保持部材の外縁に沿って連続して形成された凸状のシールバンド部を有する保持部材と、前記保持部材の前記第２の面において接合されたベース部材と、を備えた、前記保持部材の前記第１の面上に対象物を保持する保持装置が提供される。この保持装置は、前記保持部材が、上記態様の半導体製造装置用部品を含み、前記シールバンド部のうち、前記対象物が保持される面は、前記セラミックス部の表面である。
この構成によれば、対象物と接触して保持するシールバンドの面は、アルミナを主成分としガドリニウム元素を含むコランダム構造の単相で形成されている。そのため、シールバンド部の表面に生じる凹凸の増大を小さくできる。これにより、対象物がシールバンド部によって保持された際のガスシール性およびチャック力の低下を抑制できる。また、シールバンド部の表面は、単相で形成されているため、浸食度合いの異なりによって発生するパーティクルを低減できる。

（４）上記態様の保持装置において、前記第１の面は、さらに、前記シールバンド部の内側において、複数の凸部からなるエンボスパターン部を有し、前記エンボスパターン部のうち、前記対象物が保持される側の面が、前記セラミックス部の表面であってもよい。
この構成によれば、対象物を保持するシールバンド部に加えて、対象物を保持するエンボスパターンの表面も、アルミナを主成分としガドリニウム元素を含むコランダム構造の単相で形成されている。そのため、シールバンド部の表面に加えてエンボスパターンの表面での凹凸の増大が抑制される。これにより、対象物がシールバンド部およびエンボスパターンの表面によって保持された際のガスシール性およびチャック力の低下が抑制される。また、シールバンド部およびエンボスパターンの表面は、単相で形成されているため、浸食度合いの異なりによって発生するパーティクルを低減できる。

（５）本発明の他の一形態によれば、上記態様の半導体製造装置用部品の製造方法が提供される。この製造方法は、Ａｌ₂Ｏ₃原料と、Ｇｄ₂Ｏ₃原料とをアルコール中で混合して乾燥させる粉末作製工程と、前記粉末作製工程によって得られた混合粉末を、成形して１２５０℃以上１４００℃以下で焼成する焼成工程と、を備える。
この構成によれば、表面がアルミナを主成分としガドリニウム元素を含むコランダム構造の単相で形成された半導体製造装置用部品を製造できる。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、半導体製造装置用部品、半導体製造装置、保持装置、静電チャック、およびこれらを備える部品、および半導体製造装置用部品の製造方法等の形態で実現することができる。

本実施形態のアルミナ質耐食部材の表面を拡大した画像である。 比較例のアルミナ質部材の表面を拡大した画像である。 アルミナ質耐食部材の製造方法のフローチャートである。 アルミナ質耐食部材の実施例およびアルミナ質部材の比較例についての説明図である。 アルミナ質耐食部材を使用した半導体ウェハーの保持装置の概略断面図である。 保持装置の概略上面図である。 図６におけるＡ－Ａ断面の拡大概略図である。

＜実施形態＞
本発明の実施形態としてのアルミナ質耐食部材１０は、半導体製造装置用部品として用いられ、プラズマに対する耐食性に優れる。アルミナ質耐食部材１０は、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナ）を主成分とし、Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０５ｍｏｌ％（０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下）のＧｄ（ガドリニウム）元素を含むセラミックス部５を備えている。

セラミックス部５の表面の結晶相は、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相のみからなる。換言すると、セラミックス部５の表面の結晶相は、例えば、ＧｄＡｌＯ₃（ペロブスカイト構造），ＧｄＡｌ₁₁Ｏ₁₈（β－アルミナ構造）、Ｇｄ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂（ガーネット構造）、Ｇｄ₄Ａｌ₂Ｏ₉（モノクリニック構造）、Ｇｄ₂Ｏ₃、およびＧｄＯのいずれの二次相も含んでいない。なお、表面の結晶相は、ＸＲＤ（X‐ray diffraction：Ｘ線回折法）により検出される。本実施形態のＸＲＤの測定条件としては、波長がＣｕＫαであり、Ｘ線の出力が４５ｋＶ，２００ｍＡ、集中法、２θ／θ法、スキャンスピード４°／ｍｉｎ、スキャン範囲２０．０～８０．０°である。

図１は、本実施形態のアルミナ質耐食部材１０の表面を拡大した画像ＩＭ１である。図２は、比較例のアルミナ質部材１１の表面を拡大した画像ＩＭ２である。画像ＩＭ１，ＩＭ２には、鏡面研磨された各部材１０，１１の表面にプラズマエッチングが行われた後、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察した場合の拡大画像が示されている。画像ＩＭ１，ＩＭ２の拡大倍率は、図１，２内に示される白線の実線の長さが２０μｍとなる倍率である。

図１に示されるアルミナ質耐食部材１０の全体は、セラミックス部５で構成されている。図２に示されるアルミナ質部材１１は、セラミックス部５と、図２中に白点で示される二次相部６とを含んでいる。アルミナ質部材１１における二次相部６は、ＧｄＡｌＯ₃およびＧｄＡｌ₁₁Ｏ₁₈の二次相で構成されている。

図３は、アルミナ質耐食部材１０の製造方法のフローチャートである。アルミナ質耐食部材１０の製造方法では、初めに、予め測定した量のＡｌ₂Ｏ₃原料と、Ｇｄ₂Ｏ₃原料とをエタノール中でボールミル混合して乾燥させる粉末作製工程が行われる（ステップＳ１）。Ｇｄ₂Ｏ₃原料の添加量は、Ａｌ₂Ｏ₃原料に対して０．０５ｍｏｌ％である。なお、Ｇｄ₂Ｏ₃の含有量は、ＩＣＰ発光分析で調べることができる。次に、前記粉末作製工程によって得られた混合粉末が、ホットプレス装置により成形されて１４００℃（１２５０℃以上１４００℃以下）で焼成される焼成工程が行われ（ステップＳ２）、アルミナ質耐食部材１０が製造される。

図４は、アルミナ質耐食部材の実施例１～７およびアルミナ質部材の比較例１～８についての説明図である。図４には、実施例１～７および比較例１～８を製造する際の各種条件および製造後の実施例１～７および比較例１～８の測定値の一覧表が示されている。具体的には、製造する際の各種条件として、粉末作製工程（図３のステップＳ１）においてＡｌ₂Ｏ₃原料に加えられるＧｄ₂Ｏ₃添加量（ｍｏｌ％）およびＭｇＯの添加量（ｍｏｌ％）と、焼成工程（ステップＳ２）の焼成温度が示されている。なお、比較例７，８では、Ｇｄ元素の代わりに、Ｙ（イットリウム）元素とＹｂ（イッテルビウム）元素を含んでいる。そのため、比較例７，８の材料として、Ｙ₂Ｏ₃，Ｙｂ₂Ｏ₃が０．０５ｍｏｌ％加えられる。

図４に示される製造後の実施例１～７および比較例１～８の測定値として、鏡面研磨された表面にプラズマエッチングを行った後のＸＲＤにより検出された主相および副相（二次相）１，２と、当該表面の主相の粒子径（μｍ）と、表面粗さ（算術平均高さ）Ｓａ（μｍ）とが示されている。本明細書では、粒子径の測定はインターセプト法により行われている。具体的には、測定対象に対して鏡面研磨が行われた後、プラズマエッチングが行われた表面がＳＥＭ観察され、表面の拡大画像が得られる。得られた二次電子像の画像上に長さＬの直線が引かれた際に、直線が横切る粒子の数ｎが測定される。なお、直線の両端が内部にある粒子は０．５個として数えられる。その後に、下記式（１）によって平均粒径Ｄ（μｍ）が算出される。
Ｄ＝１．５×Ｌ／ｎ・・・（１）
また、本実施形態では、凹凸の大きさとして図４に示される表面粗さＳａを用いて評価した。本実施形態では、表面粗さＳａの測定は、ＩＳＯ２５１７８規格に準拠した装置で測定されている。当該装置は、垂直走査型低コヒーレンス干渉法を用いて、表面粗さＳａを測定する。

図４に示されるように、実施例１～７の各サンプルの表面は、ＸＲＤ検出によってα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相のみから成る。実施例１～６の表面では、粒子径が１．５μｍ以下であり、表面粗さＳａが０．０１５μｍよりも小さい。実施例７の表面では、粒子径が１．５μｍよりも大きく、表面粗さＳａが０．０２０μｍよりも小さい。なお、図１の画像ＩＭ１に示されるアルミナ質耐食部材１０は、実施例３のサンプルである。

一方で、比較例１～８の内の比較例１のサンプルの表面は、ＸＲＤ検出によってα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相のみからなるものの、粒子径が１．５μｍよりも大きく、表面粗さＳａが０．０１５μｍよりも大きい。なお、比較例１のサンプルに添加されたＧｄ₂Ｏ₃の量は、０．００５ｍｏｌ％（＜０．０１ｍｏｌ％）である。比較例２，３は、ＸＲＤ検出によってα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造以外の副相１，２を含み、粒子径が１．５μｍよりも大きく、表面粗さＳａが０．０１５μｍよりも大きい。なお、図２の画像ＩＭ２に示されるアルミナ質部材１１は、比較例２のサンプルである。比較例４～６は、ＸＲＤ検出によってα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造以外の副相１を含み、粒子径が１．５μｍ以下であり、表面粗さＳａが０．０１５μｍよりも小さい。比較例７，８は、ＸＲＤ検出によってα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造以外の副相１を含み、粒子径が１．５μｍよりも大きく、表面粗さＳａが０．０１５μｍよりも大きい。

図４に示される製造条件およびサンプルの測定値から、実施例１～７は、下記条件１，２を満たしている。
条件１：Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含む
条件２：ＸＲＤ回折によりサンプルの表面から検出される結晶相がα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなる
一方で、比較例１～８の内、条件２のみを満たす比較例１は、表面粗さＳａが０．０２０以上である。残りの比較例２～８は、条件２を満たしていない、すなわち、耐食性が異なる複数の相が表面に存在している。そのため、比較例２～８は、プラズマエッチングが継続すると、浸食された表面から、浸食されずに残る副相の粒子が脱落して、パーティクルの原因となるおそれがある。

以上説明したように、本実施形態のアルミナ質耐食部材１０は、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナ）を主成分とし、Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０５ｍｏｌ％（０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下）のＧｄ（ガドリニウム）元素を含むセラミックス部５を備えている。表面にＧｄ元素が含まれることにより、粒界のプラズマ耐食性が強化され、焼結性が向上する。また、耐食性セラミックス部５の表面の結晶相は、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相のみからなる。すなわち、セラミックス部５の表面は、ＧｄＡｌＯ₃などの耐食性の異なる二次相を含んでいない。そのため、表面がプラズマエッチングされても、各相の異なる度合いの浸食によって生じる表面の凹凸の増大が抑制される。これにより、アルミナ質耐食部材１０が半導体製造装置のウェハー載置面などに使用されても、二次相の粒子の一部が欠けることによるパーティクルの発生が抑制される。また、ウェハー載置面での凹凸の増大が抑制されるため、ウェハー載置面のガスシール性およびチャック力の低下が抑制される。

また、本実施形態のセラミックス部５の表面における結晶相の粒径は、１．５μｍ以下である。そのため、粒径が十分に小さいため、プラズマエッチング後の表面の凹凸の増大が抑制される。

図５は、アルミナ質耐食部材１０を使用した半導体ウェハー（対象物）Ｗの保持装置１００の概略断面図である。保持装置１００は、プラズマエッチングやイオン注入、電子ビーム露光等を行う半導体製造装置の一部である。保持装置１００は、半導体ウェハーＷ（以下、単に「ウェハーＷ」とも呼ぶ）の固定・平面度矯正・搬送等を行い、かつ、ウェハーＷを冷却するための静電チャックとして利用される。

図５には、保持装置１００と、保持装置１００によって保持されるウェハーＷとの概略断面図が示されている。図５に示されるように、保持装置１００は、セラミックスにより形成されて載置面（第１の面）２３にウェハーＷを保持する保持部材２０と、保持部材２０の他方の面である接合面（第２の面）２４に接合層４０を介して接合されるベース部材３０とを備えている。なお、ウェハーＷを保持する保持部材２０の載置面２３は、図１では簡略化して示されているが、後述するシールバンド部２６や複数のエンボス２７が形成されている。

保持部材２０は、例えばアルミナ、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、イットリア、窒化アルミニウムといったセラミックスにより形成されている多層構造の焼結体である。保持部材２０の内部には、導電体としての複数の電極２１が埋設されている。ウェハーＷが載置面２３に載置された状態で、電極２１に電圧が印加されると静電力が発生し、ウェハーＷは載置面２３に固定される。

保持部材２０の内部には、保持部材２０の接合面２４と載置面２３とを積層方向に貫通する貫通孔であるガス流路２２が設けられている。ガス流路２２は、後述するベース部材３０のガス供給孔３１から供給される、ウェハーＷを冷却するための不活性ガス（例えば、ヘリウムガス）を載置面２３上に供給するための孔である。図５に示されるように、ガス流路２２は、載置面２３上に複数の噴出口を有する。

ベース部材３０は、例えばアルミニウム、ステンレスといった金属によって形成されている。ベース部材３０の内部には、積層方向を貫通するようにガス供給孔３１が形成されている。ポンプ等の機器により供給される不活性ガスは、ガス供給孔３１を介して、保持部材２０のガス流路２２へと供給される。

図６は、保持装置１００の概略上面図である。図７は、図６におけるＡ－Ａ断面の拡大概略図である。図６に示されるように、保持部材２０およびベース部材３０の形状は、中心Ｏを中心とする略円盤状である。載置面２３には、複数のガス流路２２の出口が形成されている。また、図６および図７に示されるように、載置面２３は、平面２５と、平面２５の外縁に沿って連続して形成された凸状のシールバンド部２６と、シールバンド部２６の内側において平面２５から突出している複数の円柱状のエンボス２７とを備えている。載置面２３は、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含んでいる。シールバンド部２６のうち、ウェハーＷが保持される面と、複数のエンボス２７のうち、ウェハーＷが保持される側の面とは、ＸＲＤにより検出される相が、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなる。そのため、ウェハーＷは、保持部材２０に保持されると、セラミックス部５で形成されたシールバンド部２６およびエンボスの表面に吸着する。なお、シールバンド部２６の内側における平面２５および複数のエンボス２７を合わせた領域は、エンボスパターン部に相当する。

アルミナ質耐食部材１０が保持部材２０に使用される場合には、アルミナ質耐食部材１０の原料である混合粉末が事前に予備プレスによって成形される。保持部材２０の電極２１用の金属メッシュまたは金属箔が配置された状態で、プレス成形体の間に予備プレスされた混合粉末が配置されて、ホットプレスによって焼成される。焼成後に、研削加工によって加工されて、シールバンド部２６およびエンボス２７の表面にセラミックス部５の表面が形成された保持部材２０が製造される。

以上説明したように、保持装置１００は、セラミックで形成された保持部材２０と、保持部材２０に接合されたベース部材３０とを備えている。保持部材２０は、内部に形成された電極２１と、載置面２３の外縁に沿って連続して形成されたシールバンド部２６とを有している。ウェハーＷを保持する載置面２３のシールバンド部２６の表面は、セラミックス部５の表面で形成されている。そのため、保持部材２０がウェハーＷを保持した際にウェハーＷに接触するシールバンド部２６の表面は、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分としＧｄ元素を含むコランダム構造の単相で形成されている。そのため、保持部材２０が、ウェハーＷの固定・平面度矯正・搬送等を行い、かつ、ウェハーＷを冷却するための静電チャックとして使用されても、シールバンド部２６の表面に生じる凹凸の増大が抑制される。これにより、不活性ガスのシール性の低下および静電チャック時のチャック力の低下が抑制される。また、シールバンド部２６の表面は、純粋なアルミナよりも耐食性が高い単相で形成されているため、プラズマエッチングなどの浸食により、表面から発生するパーティクル源が低減する。

また、シールバンド部２６の表面に加えて、保持部材２０におけるエンボス２７の表面は、セラミックス部５の表面で形成されている。すなわち、ウェハーＷの保持時に、ウェハーＷに接触するエンボス２７の表面は、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分としＧｄ元素を含むコランダム構造の単相で形成されている。そのため、保持部材２０の使用によって、エンボス２７の表面に生じる凹凸の増大が抑制される。これにより、不活性ガスのシール性の低下および静電チャック時のチャック力の低下が抑制される。また、プラズマエッチングなどの浸食により、表面から発生するパーティクル源が低減する。なお、エンボス２７およびシールバンド部２６の表面はセラミックス部５の表面と同じように、ＸＲＤにより結晶相が測定される。測定方法としては、例えば、保持部材２０のエンボス２７またはシールバンド部２６の表面を含むように１ｃｍ角に切り出し、エンボス２７またはシールバンド部２６の表面のみが測定範囲となるようにＸ線を細く絞って照射することで、当該表面が測定される。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

上記実施形態では、半導体製造装置用部品の一例としてのアルミナ質耐食部材１０および実施例１～７について説明したが、その他の半導体製造装置用部品と態様として種々変形可能である。他の実施形態のアルミナ質耐食部材は、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分としてＧｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含み、セラミックス部の表面の結晶相がα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなっていればよい。例えば、アルミナ質耐食部材は、焼結助剤として機能するＭｇＯを混合粉末の材料として含んでいてもよい。なお、この場合のＭｇＯは、０．２ｍｏｌ％以下が好ましい。０．２ｍｏｌ％より大きいと、例えばＭｇＡｌ₂Ｏ₄やＭｇＯ等の二次相が生じやすく、好ましくない。また、アルミナ質耐食部材における結晶相の粒径は、１．５μｍよりも大きくてもよい。

上記実施形態のアルミナ質耐食部材１０の製造方法は、一例であって、その他の製造方法によってアルミナ質耐食部材１０が製造されてもよい。例えば、焼成温度が１２４０℃（＜１２５０℃）であっても、製造されたアルミナ質耐食部材が、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分としてＧｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含み、セラミックス部の表面の結晶相がα－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなっていればよい。例えば、粉末作製工程でエタノール以外のアルコールが用いられてもよいし、水等アルコール以外の分散媒が用いられてもよい。

また、上記実施形態の保持装置１００は、一例であって、保持装置１００の各構成および形状については、種々変形可能である。例えば、保持部材２０とベース部材３０とを接合するために、接合層３０以外の方法が用いられてもよく、例えばボルト締結であってもよい。保持部材２０内に埋設された電極２１は、保持部材２０の接合面２４に形成されてもよい。保持部材２０のガス流路２２およびベース部材３０のガス供給孔３１は、載置面２３とウェハーＷとの間に不活性ガスを供給可能な範囲で、種々変形可能である。平面２５に形成されるエンボス２７の各形状および大きさは異なっていてもよいし、平面２５に対する配置も変形可能である。エンボス２７が平面２５に形成されていなくてもよい。シールバンド部２６の表面にセラミックス部５の表面が形成され、エンボス２７の表面にセラミックス部５の表面が形成されていなくてもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

５…セラミックス部
６…二次相部
１０…アルミナ質耐食部材（半導体製造装置用部品）
１１…アルミナ質部材
２０…保持部材
２１…電極
２２…ガス流路
２３…載置面（第１の面）
２４…接合面（第２の面）
２５…平面（エンボスパターン部）
２６…シールバンド部
２７…エンボス（エンボスパターン部）
３０…ベース部材
３２…ガス供給孔
４０…接合層
１００…保持装置
Ｄ…平均粒径
ＩＭ１，ＩＭ２…画像
Ｌ…直線の長さ
ｎ…粒子の数
Ｏ…中心
Ｗ…半導体ウェハー（対象物）

Claims (5)

1. Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、Ｇｄ₂Ｏ₃換算で０．０１ｍｏｌ％以上０．１ｍｏｌ％以下のＧｄ元素を含むセラミックス部を備える半導体製造装置用部品において、
   前記セラミックス部の表面のＸ線回折法により検出される結晶相が、α－Ａｌ₂Ｏ₃（コランダム）構造の単相からなること、を特徴とする半導体製造装置用部品。
2. 請求項１に記載の半導体製造装置用部品であって、
   前記結晶相の粒径は、１．５μｍ以下であること、を特徴とする半導体製造装置用部品。
3. セラミックスにより形成され、第１の面と、前記第１の面の裏面である第２の面と、前記第２の面と内部とのいずれか一方に形成された電極と、を有する保持部材であって、前記第１の面に、前記保持部材の外縁に沿って連続して形成された凸状のシールバンド部を有する保持部材と、
   前記保持部材の前記第２の面において接合されたベース部材と、
   を備えた、前記保持部材の前記第１の面上に対象物を保持する保持装置であって、
   前記保持部材が、請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置用部品を含み、
   前記シールバンド部のうち、前記対象物が保持される面は、前記セラミックス部の表面であること、を特徴とする保持装置。
4. 請求項３に記載の保持装置であって、
   前記第１の面は、さらに、前記シールバンド部の内側において、複数の凸部からなるエンボスパターン部を有し、
   前記エンボスパターン部のうち、前記対象物が保持される側の面が、前記セラミックス部の表面であること、を特徴とする保持装置。
5. 請求項１または請求項２に記載の半導体製造装置用部品の製造方法であって、
   Ａｌ₂Ｏ₃原料と、Ｇｄ₂Ｏ₃原料とをアルコール中で混合して乾燥させる粉末作製工程と、
   前記粉末作製工程によって得られた混合粉末を、成形して１２５０℃以上１４００℃以下で焼成する焼成工程と、
   を備えること、を特徴とする製造方法。

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