JP2967770B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイス等の
製造プロセスに用いられる半導体素子基板等のエッチン
グもしくは薄膜形成等のプラズマ処理を行う半導体製造
装置に関する。
製造プロセスに用いられる半導体素子基板等のエッチン
グもしくは薄膜形成等のプラズマ処理を行う半導体製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】低ガス圧力に保った真空反応容器内にマ
イクロ波を導入することにより、ガス放電を起こし得ら
れたプラズマを、試料に照射することによりエッチング
や薄膜形成等の処理を行うプラズマ処理装置は、高集積
半導体素子や液晶の製造に欠かせない。
イクロ波を導入することにより、ガス放電を起こし得ら
れたプラズマを、試料に照射することによりエッチング
や薄膜形成等の処理を行うプラズマ処理装置は、高集積
半導体素子や液晶の製造に欠かせない。
【０００３】特に、プラズマ生成に関わるマイクロ波と
生成されたプラズマ中のイオンの加速を行うための電力
とをそれぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置が、ド
ライエッチング技術及び薄膜形成技術において望まれ
る。
生成されたプラズマ中のイオンの加速を行うための電力
とをそれぞれ独立に制御できるプラズマ処理装置が、ド
ライエッチング技術及び薄膜形成技術において望まれ
る。
【０００４】図３は従来のプラズマ処理装置を示すもの
であり、プラズマの生成とプラズマ中のイオンの加速と
を独立に制御することができるプラズマエッチング装置
を模式的に示した断面図である（Ｔ．Ａｋｉｍｏｔｏ
ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．，３３（１９９４），
Ｈ．Ｍａｂｕｃｈｉｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．１６ｔｈ
Ｓｙｍｐ．ＤｒｙＰｒｏｃｅｓｓ，Ｐ２３５（１９９
５））。
であり、プラズマの生成とプラズマ中のイオンの加速と
を独立に制御することができるプラズマエッチング装置
を模式的に示した断面図である（Ｔ．Ａｋｉｍｏｔｏ
ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｊ．Ａ．Ｐ．，３３（１９９４），
Ｈ．Ｍａｂｕｃｈｉｅｔ ａｌ．，Ｐｒｏｃ．１６ｔｈ
Ｓｙｍｐ．ＤｒｙＰｒｏｃｅｓｓ，Ｐ２３５（１９９
５））。
【０００５】図中１は中空直方体形状の反応容器を示し
ている。反応容器１の上部はマイクロ波の透過性を有し
ており、誘電損失が小さく且つ耐熱性を有する、例え
ば、石英ガラスまたはＡｌ2Ｏ3等を用いて形成された誘
電体板２によって気密状態に封止してある。
ている。反応容器１の上部はマイクロ波の透過性を有し
ており、誘電損失が小さく且つ耐熱性を有する、例え
ば、石英ガラスまたはＡｌ2Ｏ3等を用いて形成された誘
電体板２によって気密状態に封止してある。
【０００６】反応容器１の上方には、誘電体板２と所定
の空間１８において対向し且つ誘電体板２を覆い得る大
きさの弗素樹脂製の誘電体線路３が設置してあり、この
誘電体線路３は誘電体材料で形成された誘電体層３を有
しており、この誘電体層３の上面にはＡｌ等の金属板４
が設置してある。
の空間１８において対向し且つ誘電体板２を覆い得る大
きさの弗素樹脂製の誘電体線路３が設置してあり、この
誘電体線路３は誘電体材料で形成された誘電体層３を有
しており、この誘電体層３の上面にはＡｌ等の金属板４
が設置してある。
【０００７】誘電体線路３にはマイクロ波発振機５より
マイクロ波導波管６を介してマイクロ波が導入されるよ
うになっており、誘電体線路３の終端は金属で封止して
ある。また、誘電体板２の上部には、プラズマ均一性を
制御するために必要なＡｌ等の金属で作成された、厚さ
が３ｍｍのマイクロ波遮蔽板１１が設置してある。
マイクロ波導波管６を介してマイクロ波が導入されるよ
うになっており、誘電体線路３の終端は金属で封止して
ある。また、誘電体板２の上部には、プラズマ均一性を
制御するために必要なＡｌ等の金属で作成された、厚さ
が３ｍｍのマイクロ波遮蔽板１１が設置してある。
【０００８】そして、反応容器１の内部には処理対象物
である試料Ｓを保持するための試料保持部７と試料台８
とが設けてあり、試料保持部７には試料Ｓの表面にバイ
アス電圧を発生させるための高周波電源９が接続してあ
る。また、反応容器１の下部には、反応容器１を真空に
排気するための排気装置に接続された排気管１２が連結
してあり、反応容器１の側壁には、反応容器１内に必要
な反応ガスを供給するためガス供給管１３が接続してあ
る。
である試料Ｓを保持するための試料保持部７と試料台８
とが設けてあり、試料保持部７には試料Ｓの表面にバイ
アス電圧を発生させるための高周波電源９が接続してあ
る。また、反応容器１の下部には、反応容器１を真空に
排気するための排気装置に接続された排気管１２が連結
してあり、反応容器１の側壁には、反応容器１内に必要
な反応ガスを供給するためガス供給管１３が接続してあ
る。
【０００９】反応容器１及び上部電極１０にはそれぞれ
ヒーター１４及び１５が設置してあり、反応容器１及び
上部電極１０を予め加熱している。また、それぞれのヒ
ーター１４、１５に対し、電力を供給するためのヒータ
ー電源１６が設置してある。
ヒーター１４及び１５が設置してあり、反応容器１及び
上部電極１０を予め加熱している。また、それぞれのヒ
ーター１４、１５に対し、電力を供給するためのヒータ
ー電源１６が設置してある。
【００１０】上記のように構成されたプラズマ処理装置
にあっては、以下のようにして試料Ｓ表面にプラズマ処
理が施される。まず、排気管１２から排気を行って反応
容器１内を所定の圧力に設定し、その後、ガス供給管１
３から反応ガスを供給する。
にあっては、以下のようにして試料Ｓ表面にプラズマ処
理が施される。まず、排気管１２から排気を行って反応
容器１内を所定の圧力に設定し、その後、ガス供給管１
３から反応ガスを供給する。
【００１１】次に、マイクロ波発振機５においてマイク
ロ波を発振させ、導派管６を介して誘電体線路３に導入
する。すると誘電体線路３下方に電界が形成され、マイ
クロ波導入窓１７を通り抜けて反応容器１内においてガ
スが励起されプラズマを発生する。同時に、前記プラズ
マ中のイオンのエネルギーを制御するため、高周波電源
９により試料Ｓが載置されている試料保持部７に高周波
電源９を印加し、試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させ
る。このバイアス電圧により、イオンを試料Ｓに対して
垂直に入射させると共に、試料Ｓに入射するイオンのエ
ネルギーを制御する。
ロ波を発振させ、導派管６を介して誘電体線路３に導入
する。すると誘電体線路３下方に電界が形成され、マイ
クロ波導入窓１７を通り抜けて反応容器１内においてガ
スが励起されプラズマを発生する。同時に、前記プラズ
マ中のイオンのエネルギーを制御するため、高周波電源
９により試料Ｓが載置されている試料保持部７に高周波
電源９を印加し、試料Ｓ表面にバイアス電圧を発生させ
る。このバイアス電圧により、イオンを試料Ｓに対して
垂直に入射させると共に、試料Ｓに入射するイオンのエ
ネルギーを制御する。
【００１２】このようなプラズマ処理装置において試料
Ｓとしての基板を連続処理することにより、誘電体線路
３の温度は、プラズマからの入熱によって融点に近い２
５０℃まで上昇し、誘電体線路３の熱膨張を原因とする
変形が発生した。これは、誘電体線路３の保持方法に問
題があると考えられ、その改善策として、図４に示すよ
うに誘電体線路３を、複数の弗素樹脂製のビス１９で、
上部の金属板４に取り付けていた。
Ｓとしての基板を連続処理することにより、誘電体線路
３の温度は、プラズマからの入熱によって融点に近い２
５０℃まで上昇し、誘電体線路３の熱膨張を原因とする
変形が発生した。これは、誘電体線路３の保持方法に問
題があると考えられ、その改善策として、図４に示すよ
うに誘電体線路３を、複数の弗素樹脂製のビス１９で、
上部の金属板４に取り付けていた。
【００１３】しかしながら、誘電体線路３そのものの熱
膨張によりビス１９が変形し、誘電体線路３の固定が確
実にできなくなると共に、誘電体線路３の変形も観察さ
れた。図５の（１）、（２）に誘電体線路３の変形前後
の拡大図を示す。変形後は、図５の（２）に示すよう
に、金属板４と誘電体線路３の間に空間が生じ、経時変
化を起こすことが分かる。
膨張によりビス１９が変形し、誘電体線路３の固定が確
実にできなくなると共に、誘電体線路３の変形も観察さ
れた。図５の（１）、（２）に誘電体線路３の変形前後
の拡大図を示す。変形後は、図５の（２）に示すよう
に、金属板４と誘電体線路３の間に空間が生じ、経時変
化を起こすことが分かる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、テフ
ロン製の誘電体線路３は均一なプラズマを生成するため
の重要部品である。即ち、誘電体線路３に導入されたマ
イクロ波は、誘電体線路３の表面上に定在波を形成し、
その定在波が形成する電界によりプラズマが発生する。
したがって、誘電体線路３の歪みやガタは均一なプラズ
マの発生に対し、重大な影響を与える。このような経時
変化は、エッチング均一性の再現性を著しく悪化させ好
ましくない。ところが、すでに述べたように、従来のプ
ラズマ処理装置における誘電体線路３の固定では、テフ
ロン製ビス１９の強度が足りず、誘電体線路３の熱膨張
による力でテフロン製ビス１９が変形する。また、一度
変形した誘電体線路３もまた初期の形状を再現しない。
ロン製の誘電体線路３は均一なプラズマを生成するため
の重要部品である。即ち、誘電体線路３に導入されたマ
イクロ波は、誘電体線路３の表面上に定在波を形成し、
その定在波が形成する電界によりプラズマが発生する。
したがって、誘電体線路３の歪みやガタは均一なプラズ
マの発生に対し、重大な影響を与える。このような経時
変化は、エッチング均一性の再現性を著しく悪化させ好
ましくない。ところが、すでに述べたように、従来のプ
ラズマ処理装置における誘電体線路３の固定では、テフ
ロン製ビス１９の強度が足りず、誘電体線路３の熱膨張
による力でテフロン製ビス１９が変形する。また、一度
変形した誘電体線路３もまた初期の形状を再現しない。
【００１５】よって、従来のプラズマ処理装置の構造で
は、部品の経時変化によるエッチング均一性の再現性悪
化が顕著に観察される。ところで、この対策としてビス
１９の本数を多くすることも考えられるが、多量のビス
１９の設置は、誘電体線路３中に誘電率の異なる部位を
多量に存在させることになるため、大きくプラズマ均一
性を悪化させる可能性があって現実的ではない。したが
って、誘電体線路３の設置方法を見直し、経時変化を起
こさない構造の必要性が要請されていた。
は、部品の経時変化によるエッチング均一性の再現性悪
化が顕著に観察される。ところで、この対策としてビス
１９の本数を多くすることも考えられるが、多量のビス
１９の設置は、誘電体線路３中に誘電率の異なる部位を
多量に存在させることになるため、大きくプラズマ均一
性を悪化させる可能性があって現実的ではない。したが
って、誘電体線路３の設置方法を見直し、経時変化を起
こさない構造の必要性が要請されていた。
【００１６】本発明は、上記の事情に着目してなされた
ものであって、その目的とするところは、誘電体線路の
熱膨張による変形を抑制し、エッチング均一性の経時変
化を無くしたプラズマ処理装置を提供することにある。
ものであって、その目的とするところは、誘電体線路の
熱膨張による変形を抑制し、エッチング均一性の経時変
化を無くしたプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明に係るプラズマ処理装置は、マイ
クロ波発振器と、マイクロ波を伝送するマイクロ波導波
管と、前記マイクロ波導波管に接続された誘電体線路に
対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応容器と、
前記反応容器内に処理すべき試料基板を載置するために
設けられた試料保持部と、前記試料保持部に高周波電界
または直流電界を印加する手段と、試料と対向に配置さ
れたマイクロ波が通過できる窓が設けられ、プラズマの
均一性制御に有効なマイクロ波遮蔽板を備えたプラズマ
処理装置において、前記誘電体線路を、この誘電体線路
の上部に設けた金属板と、前記誘電体線路の下部に設け
たマイクロ波遮蔽板との間に、前記金属板及び前記マイ
クロ波遮蔽板に密着するように設置して、前記誘電体線
路がプラズマ処理中の温度上昇により変形することを抑
制するようにしたことを特徴とする。
めに、請求項１の発明に係るプラズマ処理装置は、マイ
クロ波発振器と、マイクロ波を伝送するマイクロ波導波
管と、前記マイクロ波導波管に接続された誘電体線路に
対向配置されるマイクロ波導入窓を有する反応容器と、
前記反応容器内に処理すべき試料基板を載置するために
設けられた試料保持部と、前記試料保持部に高周波電界
または直流電界を印加する手段と、試料と対向に配置さ
れたマイクロ波が通過できる窓が設けられ、プラズマの
均一性制御に有効なマイクロ波遮蔽板を備えたプラズマ
処理装置において、前記誘電体線路を、この誘電体線路
の上部に設けた金属板と、前記誘電体線路の下部に設け
たマイクロ波遮蔽板との間に、前記金属板及び前記マイ
クロ波遮蔽板に密着するように設置して、前記誘電体線
路がプラズマ処理中の温度上昇により変形することを抑
制するようにしたことを特徴とする。
【００１８】かかる構成により、均一なプラズマの生成
に対し重要な部品である誘電体線路の歪みが抑制され、
経時変化のない良好なプラズマ処理が実現できるように
なる。
に対し重要な部品である誘電体線路の歪みが抑制され、
経時変化のない良好なプラズマ処理が実現できるように
なる。
【００１９】また、上記の目的を達成するために、請求
項２の発明に係るプラズマ処理装置は、請求項１に記載
のプラズマ処理装置において、前記反応容器の上部を封
止する誘電体板の上部に、前記マイクロ波遮蔽板を設置
し、このマイクロ波遮蔽板に重ねて前記誘電体線路を設
置し、前記誘電体線路の上部に金属板を設け、前記誘電
体板を前記マイクロ波遮蔽板を介して前記誘電体線路に
密着させると共に、前記誘電体線路を前記金属板に密着
させた。
項２の発明に係るプラズマ処理装置は、請求項１に記載
のプラズマ処理装置において、前記反応容器の上部を封
止する誘電体板の上部に、前記マイクロ波遮蔽板を設置
し、このマイクロ波遮蔽板に重ねて前記誘電体線路を設
置し、前記誘電体線路の上部に金属板を設け、前記誘電
体板を前記マイクロ波遮蔽板を介して前記誘電体線路に
密着させると共に、前記誘電体線路を前記金属板に密着
させた。
【００２０】かかる構成により、上記した請求項１の発
明の作用効果と同様な作用効果を奏し得るばかりか、従
来のプラズマ処理装置に比較し飛躍的にその再現性が向
上できる。
明の作用効果と同様な作用効果を奏し得るばかりか、従
来のプラズマ処理装置に比較し飛躍的にその再現性が向
上できる。
【００２１】また、上記の目的を達成するために、請求
項３の発明に係るプラズマ処理装置は、請求項１又は請
求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記誘電体
線路を前記金属板にビスで固定した。
項３の発明に係るプラズマ処理装置は、請求項１又は請
求項２に記載のプラズマ処理装置において、前記誘電体
線路を前記金属板にビスで固定した。
【００２２】かかる構成により、上記した請求項１の発
明の作用効果と同様な作用効果を奏し得るばかりか、従
来のプラズマ処理装置に比較し飛躍的にその再現性が向
上できる。
明の作用効果と同様な作用効果を奏し得るばかりか、従
来のプラズマ処理装置に比較し飛躍的にその再現性が向
上できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００２４】（実施例１） 本発明の実施の実施例１を図１に示す。図１は本発明に
係るプラズマ処理装置（実施例１）の構成説明図であ
る。本発明に係るプラズマ処理装置は、Ａｌ、ステンレ
ス等の金属により形成された反応容器１を備えており、
この反応容器１の上部はマイクロ波の透過性を有してお
り、誘電損失が小さく且つ耐熱性を有している。すなわ
ち、反応容器１の容器本体１Ａの上部には開口部１Ｂが
形成してあり、この開口部１Ｂが石英ガラスまたはＡｌ
2Ｏ3等を用いて形成された誘電体板２によって気密状態
に封止してある。
係るプラズマ処理装置（実施例１）の構成説明図であ
る。本発明に係るプラズマ処理装置は、Ａｌ、ステンレ
ス等の金属により形成された反応容器１を備えており、
この反応容器１の上部はマイクロ波の透過性を有してお
り、誘電損失が小さく且つ耐熱性を有している。すなわ
ち、反応容器１の容器本体１Ａの上部には開口部１Ｂが
形成してあり、この開口部１Ｂが石英ガラスまたはＡｌ
2Ｏ3等を用いて形成された誘電体板２によって気密状態
に封止してある。
【００２５】そして、誘電体板２の上部には、プラズマ
均一性を制御するために必要なＡｌ等の金属で作成され
た、厚さが３ｍｍのマイクロ波遮蔽板１１が設置してあ
り、更に、このマイクロ波遮蔽板１１に重ねて、誘電体
板２を覆い得る大きさのテフロン製の誘電体線路３が設
置してある。この誘電体線路３は、誘電損失の小さい弗
素樹脂等の誘電体材料で形成された誘電体層３Ａを有し
ており、この誘電体層３の上面にはＡｌ等の金属板４が
設置してある。
均一性を制御するために必要なＡｌ等の金属で作成され
た、厚さが３ｍｍのマイクロ波遮蔽板１１が設置してあ
り、更に、このマイクロ波遮蔽板１１に重ねて、誘電体
板２を覆い得る大きさのテフロン製の誘電体線路３が設
置してある。この誘電体線路３は、誘電損失の小さい弗
素樹脂等の誘電体材料で形成された誘電体層３Ａを有し
ており、この誘電体層３の上面にはＡｌ等の金属板４が
設置してある。
【００２６】この場合、誘電体板２は窓を有するマイク
ロ波遮蔽板１１に密着し、また、マイクロ波遮蔽板１１
は誘電体線路３の下部に密着しており、更には、誘電体
線路３はその上部において金属板４に密着していて、従
来のプラズマ処理装置における、誘電体線路３を固定す
るビス１９は使用しない。これにより、誘電体線路３
は、その上部に設けた金属板４と、下部に設けたマイク
ロ波遮蔽板１１との間に、金属板４及びマイクロ波遮蔽
板１１に密着するように設置されていて、確実に面で上
下から固定されるために、プラズマ処理中の温度上昇に
より誘電体線路３が熱膨張して、この熱膨張による歪み
が抑制される。
ロ波遮蔽板１１に密着し、また、マイクロ波遮蔽板１１
は誘電体線路３の下部に密着しており、更には、誘電体
線路３はその上部において金属板４に密着していて、従
来のプラズマ処理装置における、誘電体線路３を固定す
るビス１９は使用しない。これにより、誘電体線路３
は、その上部に設けた金属板４と、下部に設けたマイク
ロ波遮蔽板１１との間に、金属板４及びマイクロ波遮蔽
板１１に密着するように設置されていて、確実に面で上
下から固定されるために、プラズマ処理中の温度上昇に
より誘電体線路３が熱膨張して、この熱膨張による歪み
が抑制される。
【００２７】誘電体線路３にはマイクロ波発振機５より
マイクロ波導波管６を介してマイクロ波が導入されるよ
うにしてあり、誘電体線路３の終端は金属で封止してあ
る。
マイクロ波導波管６を介してマイクロ波が導入されるよ
うにしてあり、誘電体線路３の終端は金属で封止してあ
る。
【００２８】反応容器１の内部には、処理対象物である
試料（試料基板）Ｓを保持するための試料保持部７と試
料台８が設けてあり、試料保持部７には、試料Ｓの表面
にバイアス電圧を発生させるための高周波電源（高周波
電界を印加する手段）９が接続してある。また、反応容
器１の下部には、反応容器１を真空に排気するための排
気装置に接続された排気管１２が連結してあり、反応容
器１の側壁には反応容器１内に必要な反応ガスを供給す
るためガス供給管１３が接続してある。
試料（試料基板）Ｓを保持するための試料保持部７と試
料台８が設けてあり、試料保持部７には、試料Ｓの表面
にバイアス電圧を発生させるための高周波電源（高周波
電界を印加する手段）９が接続してある。また、反応容
器１の下部には、反応容器１を真空に排気するための排
気装置に接続された排気管１２が連結してあり、反応容
器１の側壁には反応容器１内に必要な反応ガスを供給す
るためガス供給管１３が接続してある。
【００２９】反応容器１及び上部電極１０には、それぞ
れヒーター１４及び１５が設置してあり、反応容器１及
び上部電極１０を予め加熱している。また、それぞれの
ヒーター１４、１５に対し電力を供給するためのヒータ
ー電源１６が設置してある。
れヒーター１４及び１５が設置してあり、反応容器１及
び上部電極１０を予め加熱している。また、それぞれの
ヒーター１４、１５に対し電力を供給するためのヒータ
ー電源１６が設置してある。
【００３０】従来のプラズマ処理装置及び本発明に係る
プラズマ処理装置の双方において、新品の誘電体線路３
を取り付けた後、プラズマ処理を行った時のエッチング
均一性の経時変化は図２のようになった。この場合、圧
力20mTorr 、μ波パワー1800W、RFパワー600W、CHF3、4
0sccm、CD40sccmの実験条件で、基板１枚あたり３００
秒照射し連続処理を行った。
プラズマ処理装置の双方において、新品の誘電体線路３
を取り付けた後、プラズマ処理を行った時のエッチング
均一性の経時変化は図２のようになった。この場合、圧
力20mTorr 、μ波パワー1800W、RFパワー600W、CHF3、4
0sccm、CD40sccmの実験条件で、基板１枚あたり３００
秒照射し連続処理を行った。
【００３１】なお、本発明に係るプラズマ処理装置にお
いて、誘電体線路３がマイクロ波遮蔽板１１に接触する
ことで、このマイクロ波遮蔽板１１の効果が変わり、エ
ッチング均一性が悪化したため、マイクロ波遮蔽板１の
位置や形状を見直すことで、従来のプラズマ処理装置と
ほぼ同等のエッチング性能が得られることを確認した。
いて、誘電体線路３がマイクロ波遮蔽板１１に接触する
ことで、このマイクロ波遮蔽板１１の効果が変わり、エ
ッチング均一性が悪化したため、マイクロ波遮蔽板１の
位置や形状を見直すことで、従来のプラズマ処理装置と
ほぼ同等のエッチング性能が得られることを確認した。
【００３２】その結果を図２に示す。従来のプラズマ処
理装置では、基板の処理枚数が５００枚で均一性は±１
０％まで悪化した。一方、本発明に係るプラズマ処理装
置では、基板のプラズマ処理として５００枚までの処理
で±５％までの均一性を維持し、本発明により経時変化
が改善された。
理装置では、基板の処理枚数が５００枚で均一性は±１
０％まで悪化した。一方、本発明に係るプラズマ処理装
置では、基板のプラズマ処理として５００枚までの処理
で±５％までの均一性を維持し、本発明により経時変化
が改善された。
【００３３】（実施例２） また、上記した本発明の実施例１においては、従来のプ
ラズマ処理装置における、誘電体線路３を固定するビス
１９を無くしたが、このビス１９を付けたまま、本発明
のプラズマ処理装置を構成することも可能である。この
ような構造にすることで、誘電体線路３を固定する強度
が飛躍的に増大し、なお一層の再現性向上が期待でき
る。また、これは、上記した本発明の実施例２への適用
も可能である。
ラズマ処理装置における、誘電体線路３を固定するビス
１９を無くしたが、このビス１９を付けたまま、本発明
のプラズマ処理装置を構成することも可能である。この
ような構造にすることで、誘電体線路３を固定する強度
が飛躍的に増大し、なお一層の再現性向上が期待でき
る。また、これは、上記した本発明の実施例２への適用
も可能である。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプラ
ス処理装置にあっては、均一なプラズマの生成に対し重
要な部品である誘電体線路の歪みが抑制され、経時変化
のない良好なプラズマ処理が実現できるようになる。
ス処理装置にあっては、均一なプラズマの生成に対し重
要な部品である誘電体線路の歪みが抑制され、経時変化
のない良好なプラズマ処理が実現できるようになる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の構成説明図で
ある。
ある。
【図２】エッチング均一性と処理枚数との関係図であ
る。
る。
【図３】従来のプラズマ処理装置の構成説明図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置における誘電体線路の
固定手段の断面図である。
固定手段の断面図である。
【図５】（１）は従来のプラズマ処理装置における誘電
体線路の変形前の説明図である。 （２）は同誘電体線路の変形後の説明図である。
体線路の変形前の説明図である。 （２）は同誘電体線路の変形後の説明図である。
１ 反応容器 １Ａ 容器本体 １Ｂ 開口部 ２ 誘電体板 ３ 誘電体線路 ３Ａ 誘電体層 ４ 金属板 ５ マイクロ波発振器 ６ マイクロ波導波管 ７ 試料保持部 ８ 試料台 ９ 高周波電源 １０ 上部電極 １１ マイクロ波遮蔽板 １２ 排気管 １３ ガス供給管 １４ ヒーター １５ ヒーター １６ ヒーター電源 １７ マイクロ波導入窓 Ｓ 試料（試料基板） １８ 空間 １９ ビス
Claims (3)
- 【請求項１】 マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送
するマイクロ波導波管と、前記マイクロ波導波管に接続
された誘電体線路に対向配置されるマイクロ波導入窓を
有する反応容器と、前記反応容器内に処理すべき試料基
板を載置するために設けられた試料保持部と、前記試料
保持部に高周波電界または直流電界を印加する手段と、
試料と対向に配置されたマイクロ波が通過できる窓が設
けられ、プラズマの均一性制御に有効なマイクロ波遮蔽
板を備えたプラズマ処理装置において、 前記誘電体線路を、この誘電体線路の上部に設けた金属
板と、前記誘電体線路の下部に設けたマイクロ波遮蔽板
との間に、前記金属板及び前記マイクロ波遮断板に密着
するように設置して、前記誘電体線路がプラズマ処理中
の温度上昇により変形することを抑制するようにしたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記反応容器の上部を封止する誘電体板
の上部に、前記マイクロ波遮断板を設置し、このマイク
ロ波遮蔽板に重ねて前記誘電体線路を設置し、前記誘電
体線路の上部に金属板を設け、前記誘電体板を前記マイ
クロ波遮蔽板を介して前記誘電体線路に密着させると共
に、前記誘電体線路を前記金属板に密着させた請求項１
に記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 前記誘電体線路を前記金属板にビスで固
定した請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307694A JP2967770B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9307694A JP2967770B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144893A JPH11144893A (ja) | 1999-05-28 |
| JP2967770B2 true JP2967770B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=17972108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9307694A Expired - Fee Related JP2967770B2 (ja) | 1997-11-10 | 1997-11-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2967770B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4563729B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-11-10 JP JP9307694A patent/JP2967770B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11144893A (ja) | 1999-05-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |