JPH10189294A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH10189294A JPH10189294A JP8347022A JP34702296A JPH10189294A JP H10189294 A JPH10189294 A JP H10189294A JP 8347022 A JP8347022 A JP 8347022A JP 34702296 A JP34702296 A JP 34702296A JP H10189294 A JPH10189294 A JP H10189294A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave introduction
- introduction window
- microwave
- plasma
- plasma processing
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】マイクロ波導入窓を大きくしても、マイクロ波
導入窓の破損がなく、また安定したプラズマ処理が可能
なプラズマ処理装置を提供する。 【構成】マイクロ波を供給する手段（誘電体層２１、導
波管２２、マイクロ波発振器２３）と、反応容器１１と
を備えたプラズマ処理装置であって、反応容器１１内に
マイクロ波が導入されるマイクロ波導入窓１４の外周部
を加熱する加熱手段３１を備えるプラズマ処理装置。
導入窓の破損がなく、また安定したプラズマ処理が可能
なプラズマ処理装置を提供する。 【構成】マイクロ波を供給する手段（誘電体層２１、導
波管２２、マイクロ波発振器２３）と、反応容器１１と
を備えたプラズマ処理装置であって、反応容器１１内に
マイクロ波が導入されるマイクロ波導入窓１４の外周部
を加熱する加熱手段３１を備えるプラズマ処理装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波を利用して
プラズマを発生させて、半導体素子基板や液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）用ガラス基板などに、エッチング、アッ
シング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの
処理を施すプラズマ処理装置に関する。
プラズマを発生させて、半導体素子基板や液晶ディスプ
レイ（ＬＣＤ）用ガラス基板などに、エッチング、アッ
シング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの
処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造プロセスでは、反応ガスに外
部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプ
ラズマを用いてエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処
理を施すことが広く行われている。特に、プラズマを用
いたドライエッチング技術はこのＬＳＩ製造プロセスに
とって不可欠な基本技術となっている。
部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプ
ラズマを用いてエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処
理を施すことが広く行われている。特に、プラズマを用
いたドライエッチング技術はこのＬＳＩ製造プロセスに
とって不可欠な基本技術となっている。
【０００３】近年、これらのプラズマ処理に、１３．５
６ＭＨｚ程度の高周波を用いてプラズマを発生させる装
置以外に、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる装
置が用いられるようになってきている。マイクロ波を用
いる方が１３．５６ＭＨｚ前後の高周波を用いるのに比
べて、高密度のプラズマを発生させることが容易なため
である。
６ＭＨｚ程度の高周波を用いてプラズマを発生させる装
置以外に、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる装
置が用いられるようになってきている。マイクロ波を用
いる方が１３．５６ＭＨｚ前後の高周波を用いるのに比
べて、高密度のプラズマを発生させることが容易なため
である。
【０００４】しかし、一般にマイクロ波を用いたプラズ
マ処理装置では、大面積に均一にプラズマを発生させる
ことが難しいという問題がある。そこで、この問題を解
決すべく、本出願人は誘電体層を用いたプラズマ処理装
置を提案している（特開昭62-5600号公報）。
マ処理装置では、大面積に均一にプラズマを発生させる
ことが難しいという問題がある。そこで、この問題を解
決すべく、本出願人は誘電体層を用いたプラズマ処理装
置を提案している（特開昭62-5600号公報）。
【０００５】図４は、従来の誘電体層を用いたプラズマ
処理装置を示す模式的断面図である。
処理装置を示す模式的断面図である。
【０００６】試料台１５が配設された反応容器１１（処
理室１２）の上部には、マイクロ波導入口１３が開口し
ており、このマイクロ波導入口１３がマイクロ波導入窓
１４により気密に封止されている。そして、マイクロ波
導入窓１４に対向して誘電体層２１が設けられている。
理室１２）の上部には、マイクロ波導入口１３が開口し
ており、このマイクロ波導入口１３がマイクロ波導入窓
１４により気密に封止されている。そして、マイクロ波
導入窓１４に対向して誘電体層２１が設けられている。
【０００７】マイクロ波発振器２３から発振されたマイ
クロ波は、導波管２２を介して誘電体層２１に導入され
る。誘電体層２１を伝播するマイクロ波により誘電体層
２１の下方に形成される電界が、マイクロ波導入窓１４
を透過して、処理室１２に導入され、ガス導入管１６か
ら導入されたガスを励起してプラズマが生成する。この
プラズマによって、試料Ｓの表面にエッチングなどのプ
ラズマ処理が施される。
クロ波は、導波管２２を介して誘電体層２１に導入され
る。誘電体層２１を伝播するマイクロ波により誘電体層
２１の下方に形成される電界が、マイクロ波導入窓１４
を透過して、処理室１２に導入され、ガス導入管１６か
ら導入されたガスを励起してプラズマが生成する。この
プラズマによって、試料Ｓの表面にエッチングなどのプ
ラズマ処理が施される。
【０００８】この装置は、マイクロ波導入窓１４および
誘電体層２１の面積を大きくすることにより、広い平面
領域に均一にプラズマを発生させることができるという
利点を備えている。
誘電体層２１の面積を大きくすることにより、広い平面
領域に均一にプラズマを発生させることができるという
利点を備えている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＬＣＤ用のガラ
ス基板は大きくなり、４００ｍｍ×４００ｍｍ以上のガ
ラス基板を均一に処理できる装置の要求が高まってい
る。
ス基板は大きくなり、４００ｍｍ×４００ｍｍ以上のガ
ラス基板を均一に処理できる装置の要求が高まってい
る。
【００１０】しかしながら、ＬＣＤ用ガラス基板に対応
させてマイクロ波導入窓をより大きくした場合、マイク
ロ波導入窓が熱ひずみにより破損したり、破損に至らな
いまでもプラズマ処理の均一性が悪化するという問題が
生じていた。
させてマイクロ波導入窓をより大きくした場合、マイク
ロ波導入窓が熱ひずみにより破損したり、破損に至らな
いまでもプラズマ処理の均一性が悪化するという問題が
生じていた。
【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、マイクロ波導入窓を大きくしても、
マイクロ波導入窓の破損がなく、また安定したプラズマ
処理が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的と
している。
されたものであり、マイクロ波導入窓を大きくしても、
マイクロ波導入窓の破損がなく、また安定したプラズマ
処理が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的と
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、マイクロ波を供給する手段と、反応容器とを備え
たプラズマ処理装置であって、反応容器内にマイクロ波
が導入されるマイクロ波導入窓の外周部を加熱する加熱
手段を備えることを特徴としている。
置は、マイクロ波を供給する手段と、反応容器とを備え
たプラズマ処理装置であって、反応容器内にマイクロ波
が導入されるマイクロ波導入窓の外周部を加熱する加熱
手段を備えることを特徴としている。
【００１３】マイクロ波導入窓を大きくした場合、マイ
クロ波導入窓が熱ひずみにより破損したり、プラズマ処
理の均一性が悪化するという問題は、次のことに起因し
ている。
クロ波導入窓が熱ひずみにより破損したり、プラズマ処
理の均一性が悪化するという問題は、次のことに起因し
ている。
【００１４】図５は、従来の誘電体層を用いたプラズマ
処理装置のマイクロ波導入窓の部分を示す模式的平面図
である。
処理装置のマイクロ波導入窓の部分を示す模式的平面図
である。
【００１５】マイクロ波導入窓１４は、真空封止用のＯ
リング１９を反応容器上部のフランジ面１１ａとの間に
挟む必要があるので、マイクロ波導入口１３より大きく
なる。すなわち、マイクロ波導入窓１４は、マイクロ波
導入口１３に面する内部領域１４ｂと、反応容器上部の
フランジ面に面する外周部１４ａからなる。マイクロ波
導入窓の内部領域１４ｂは、プラズマに直接曝されるの
で、プラズマにより加熱される。一方、マイクロ波導入
窓の外周部１４ａは、プラズマに曝されないので、加熱
されない。
リング１９を反応容器上部のフランジ面１１ａとの間に
挟む必要があるので、マイクロ波導入口１３より大きく
なる。すなわち、マイクロ波導入窓１４は、マイクロ波
導入口１３に面する内部領域１４ｂと、反応容器上部の
フランジ面に面する外周部１４ａからなる。マイクロ波
導入窓の内部領域１４ｂは、プラズマに直接曝されるの
で、プラズマにより加熱される。一方、マイクロ波導入
窓の外周部１４ａは、プラズマに曝されないので、加熱
されない。
【００１６】一方、マイクロ波導入窓は、例えば石英ガ
ラス（ＳｉＯ2）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの、耐熱
性およびマイクロ波透過性を有し、しかも誘電損失が小
さい誘電体で作製されるが、これら誘電体材料は熱伝導
率が小さい。
ラス（ＳｉＯ2）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの、耐熱
性およびマイクロ波透過性を有し、しかも誘電損失が小
さい誘電体で作製されるが、これら誘電体材料は熱伝導
率が小さい。
【００１７】その結果、マイクロ波導入窓の温度分布
は、中央部が高く周辺が低い分布を示す。マイクロ波導
入窓が大きくなればなるほど、この中央部と周辺の温度
差が大きくなるため、マイクロ波導入窓の熱ひずみによ
る破損やプラズマ処理の均一性の悪化の問題が生じるの
である。
は、中央部が高く周辺が低い分布を示す。マイクロ波導
入窓が大きくなればなるほど、この中央部と周辺の温度
差が大きくなるため、マイクロ波導入窓の熱ひずみによ
る破損やプラズマ処理の均一性の悪化の問題が生じるの
である。
【００１８】本発明のプラズマ処理装置は、中央部にく
らべ温度が低くなるマイクロ波導入窓の外周部を加熱す
る手段を備えている。そのため、マイクロ波導入窓の温
度分布を改善し、不均一な温度分布に起因するマイクロ
波導入窓の破損やプラズマ処理の均一性の悪化を抑制す
ることができる。
らべ温度が低くなるマイクロ波導入窓の外周部を加熱す
る手段を備えている。そのため、マイクロ波導入窓の温
度分布を改善し、不均一な温度分布に起因するマイクロ
波導入窓の破損やプラズマ処理の均一性の悪化を抑制す
ることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。
て図面に基づいて説明する。
【００２０】図１は、本発明のプラズマ処理装置の１例
を示す模式的断面図である。反応容器１１は、中空直方
体の形状をしており、その全体がアルミニウム（Ａｌ）
などの金属で形成されている。反応容器１１の周囲壁は
二重構造であり、内部に冷却水通流路１８が形成されて
いる。
を示す模式的断面図である。反応容器１１は、中空直方
体の形状をしており、その全体がアルミニウム（Ａｌ）
などの金属で形成されている。反応容器１１の周囲壁は
二重構造であり、内部に冷却水通流路１８が形成されて
いる。
【００２１】反応容器１１の内部は処理室１２になって
おり、その中央には試料Ｓが載置される試料台１５が配
設されている。反応容器１１の周囲壁を貫いてガス導入
管１６が設けられており、また反応容器１１の底部壁に
は排気口１７が設けられている。プラズマ処理に用いら
れるガスは、ガス導入管１６から処理室１２に導入さ
れ、排気口１７から排気される。
おり、その中央には試料Ｓが載置される試料台１５が配
設されている。反応容器１１の周囲壁を貫いてガス導入
管１６が設けられており、また反応容器１１の底部壁に
は排気口１７が設けられている。プラズマ処理に用いら
れるガスは、ガス導入管１６から処理室１２に導入さ
れ、排気口１７から排気される。
【００２２】反応容器１１（処理室１２）の上部には、
マイクロ波導入口１３が開口してあり、このマイクロ波
導入口１３は、反応容器の上部フランジ面１１ａとの間
にＯ−リング１９を挟んで載置されたマイクロ波導入窓
１４により気密に封止される。マイクロ波導入窓１４
は、耐熱性およびマイクロ波透過性を有し、誘電損失が
小さい誘電体で作製される。マイクロ波導入窓１４の材
料として、石英ガラス（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ
3）などを用いれば良い。
マイクロ波導入口１３が開口してあり、このマイクロ波
導入口１３は、反応容器の上部フランジ面１１ａとの間
にＯ−リング１９を挟んで載置されたマイクロ波導入窓
１４により気密に封止される。マイクロ波導入窓１４
は、耐熱性およびマイクロ波透過性を有し、誘電損失が
小さい誘電体で作製される。マイクロ波導入窓１４の材
料として、石英ガラス（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ
3）などを用いれば良い。
【００２３】反応容器１１（処理室１２）の上方には金
属容器２０が設けてあり、この金属容器２０の内部に
は、マイクロ波導入窓１４と対向して、誘電体層２１が
形成されている。この誘電体層２１の材料として、テフ
ロン（登録商標）等のフッ素樹脂、ポリスチレン、ポリ
エチレンなどを用いれば良い。また、誘電体層２１の一
端には導波管２２を介してマイクロ波発振器２３が連結
されており、マイクロ波発振器２３から発振されたマイ
クロ波は導波管２２を経て誘電体層２１に導入される。
属容器２０が設けてあり、この金属容器２０の内部に
は、マイクロ波導入窓１４と対向して、誘電体層２１が
形成されている。この誘電体層２１の材料として、テフ
ロン（登録商標）等のフッ素樹脂、ポリスチレン、ポリ
エチレンなどを用いれば良い。また、誘電体層２１の一
端には導波管２２を介してマイクロ波発振器２３が連結
されており、マイクロ波発振器２３から発振されたマイ
クロ波は導波管２２を経て誘電体層２１に導入される。
【００２４】マイクロ波導入窓１４の外周部の加熱手段
３１として、ラバーヒータ（商品名）がアルミニウム製
の固定枠３２によりマイクロ波導入窓１４の外周部に密
着せられている。
３１として、ラバーヒータ（商品名）がアルミニウム製
の固定枠３２によりマイクロ波導入窓１４の外周部に密
着せられている。
【００２５】図２は、このプラズマ処理装置のマイクロ
波導入窓の部分を示す模式的平面図である。
波導入窓の部分を示す模式的平面図である。
【００２６】なお、加熱手段３１としては、ラバーヒー
タ以外にシースヒータ（商品名）などを用いることがで
きる。
タ以外にシースヒータ（商品名）などを用いることがで
きる。
【００２７】この装置を用いて、試料Ｓにプラズマ処理
を施す方法について説明する。
を施す方法について説明する。
【００２８】あらかじめ、ラバーヒータなどの加熱手段
３１に通電して、マイクロ波導入窓１４の外周部を、１
００〜１６０℃程度に加熱しておく。
３１に通電して、マイクロ波導入窓１４の外周部を、１
００〜１６０℃程度に加熱しておく。
【００２９】まず、処理室１２内を排気し、ガス導入管
１６から所定のガスを導入し所要の圧力に設定する。次
に、マイクロ波発振器２３にてマイクロ波を発振させ、
これを導波管２２を介して誘電体層２１に導入させる。
誘電体層２１を伝搬するマイクロ波により誘電体層２１
の下方に電界が形成され、この電界がマイクロ波導入窓
１４を透過して、処理室１２に導入され、プラズマが生
成される。このプラズマによって試料Ｓの表面にプラズ
マ処理が施される。
１６から所定のガスを導入し所要の圧力に設定する。次
に、マイクロ波発振器２３にてマイクロ波を発振させ、
これを導波管２２を介して誘電体層２１に導入させる。
誘電体層２１を伝搬するマイクロ波により誘電体層２１
の下方に電界が形成され、この電界がマイクロ波導入窓
１４を透過して、処理室１２に導入され、プラズマが生
成される。このプラズマによって試料Ｓの表面にプラズ
マ処理が施される。
【００３０】この装置においては、あらかじめマイクロ
波導入窓１４の外周部が所定の温度に加熱されているた
め、プラズマによりマイクロ波導入窓１４の内部領域が
加熱されたとしても、内部領域と外周部の温度差を抑え
ることができる。その結果、マイクロ波導入窓の破損や
プラズマ処理の均一性の悪化などを抑制することができ
る。
波導入窓１４の外周部が所定の温度に加熱されているた
め、プラズマによりマイクロ波導入窓１４の内部領域が
加熱されたとしても、内部領域と外周部の温度差を抑え
ることができる。その結果、マイクロ波導入窓の破損や
プラズマ処理の均一性の悪化などを抑制することができ
る。
【００３１】なお、この例は誘電体層を用いるプラズマ
処理装置に関するものであるが、これに限られず、大面
積のマイクロ波導入窓を用いてプラズマを発生させる装
置に適用できることは言うまでもない。
処理装置に関するものであるが、これに限られず、大面
積のマイクロ波導入窓を用いてプラズマを発生させる装
置に適用できることは言うまでもない。
【００３２】
【実施例】本発明の実施例について説明する。本実施例
で用いたプラズマ処理装置は、図１および図２に示した
ものである。プラズマ発生面積（マイクロ波導入口１３
の面積）は３６０ｍｍ×４６０ｍｍとし、マイクロ波導
入窓１４として４００ｍｍ×５００ｍｍの大きさで厚さ
２０ｍｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）板を用いた。マイクロ
波導入窓の外周部を加熱する加熱手段３１としてラバー
ヒータを用いた。
で用いたプラズマ処理装置は、図１および図２に示した
ものである。プラズマ発生面積（マイクロ波導入口１３
の面積）は３６０ｍｍ×４６０ｍｍとし、マイクロ波導
入窓１４として４００ｍｍ×５００ｍｍの大きさで厚さ
２０ｍｍのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）板を用いた。マイクロ
波導入窓の外周部を加熱する加熱手段３１としてラバー
ヒータを用いた。
【００３３】マイクロ波導入窓の外周部を加熱する場合
と加熱しない場合について、プラズマを発生させたとき
のマイクロ波導入窓の温度分布を測定し、さらにマイク
ロ波導入窓の耐久性を評価した。すなわち、ラバーヒー
タを１５０℃に加熱した場合（本発明例）と、ラバーヒ
ータに通電しない場合（比較例）のそれぞれについて、
マイクロ波の導入のオン−オフを２分ピッチで繰り返
し、プラズマを発生させた状態とプラズマを発生させな
い状態を繰り返し、評価を実施した。プラズマの発生
は、Ａｒガスを用い、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、マイクロ
波電力が３ｋＷの条件で行った。温度測定は、マイクロ
波導入窓の複数箇所にサーモラベルを貼布して行った。
と加熱しない場合について、プラズマを発生させたとき
のマイクロ波導入窓の温度分布を測定し、さらにマイク
ロ波導入窓の耐久性を評価した。すなわち、ラバーヒー
タを１５０℃に加熱した場合（本発明例）と、ラバーヒ
ータに通電しない場合（比較例）のそれぞれについて、
マイクロ波の導入のオン−オフを２分ピッチで繰り返
し、プラズマを発生させた状態とプラズマを発生させな
い状態を繰り返し、評価を実施した。プラズマの発生
は、Ａｒガスを用い、圧力が０．３Ｔｏｒｒ、マイクロ
波電力が３ｋＷの条件で行った。温度測定は、マイクロ
波導入窓の複数箇所にサーモラベルを貼布して行った。
【００３４】図３は、プラズマ発生時間が合計３０分の
ときのマイクロ波導入窓の大気側の温度分布の測定結果
を示す図であり、（ａ）はラバーヒータに通電し１５０
℃に加熱した場合（本発明例）であり、（ｂ）はラバー
ヒータに通電しない場合（比較例）である。なお、Ｙ方
向およびＺ方向は、図２に示すものである。
ときのマイクロ波導入窓の大気側の温度分布の測定結果
を示す図であり、（ａ）はラバーヒータに通電し１５０
℃に加熱した場合（本発明例）であり、（ｂ）はラバー
ヒータに通電しない場合（比較例）である。なお、Ｙ方
向およびＺ方向は、図２に示すものである。
【００３５】本発明例の場合、マイクロ波導入窓の中央
部の温度は約１６２℃、周辺部の温度は約１４６℃であ
り、温度差は２０℃以下であった。一方、比較例の場
合、マイクロ波導入窓の中央部の温度は約１６２℃、周
辺部の温度は約１０６℃程度であり、温度差は約６０℃
あった。マイクロ波導入窓の外周部を加熱することによ
り、マイクロ波導入窓の温度分布を均一化できることが
確認できた。
部の温度は約１６２℃、周辺部の温度は約１４６℃であ
り、温度差は２０℃以下であった。一方、比較例の場
合、マイクロ波導入窓の中央部の温度は約１６２℃、周
辺部の温度は約１０６℃程度であり、温度差は約６０℃
あった。マイクロ波導入窓の外周部を加熱することによ
り、マイクロ波導入窓の温度分布を均一化できることが
確認できた。
【００３６】さらにプラズマを発生させ続けると、比較
例の場合はマイクロ波導入窓が破損する場合があった。
一方、本発明例の場合、マイクロ波導入窓が破損するよ
うなことはなかった。
例の場合はマイクロ波導入窓が破損する場合があった。
一方、本発明例の場合、マイクロ波導入窓が破損するよ
うなことはなかった。
【００３７】また、本実施例の装置を用いたレジストの
アッシング処理において、マイクロ波導入窓の外周部を
加熱することにより、処理の均一性の悪化が従来に比べ
て抑制されていることが確認できた。
アッシング処理において、マイクロ波導入窓の外周部を
加熱することにより、処理の均一性の悪化が従来に比べ
て抑制されていることが確認できた。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のプラズマ
処理装置は、プラズマ処理中のマイクロ波導入窓の温度
分布を改善することができる。その結果、プラズマ処理
中にマイクロ波導入窓が破損するおそれを低減でき、ま
たプラズマ処理の均一性の悪化も抑制することができ
る。
処理装置は、プラズマ処理中のマイクロ波導入窓の温度
分布を改善することができる。その結果、プラズマ処理
中にマイクロ波導入窓が破損するおそれを低減でき、ま
たプラズマ処理の均一性の悪化も抑制することができ
る。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の１例を示す模式的
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置のマイクロ波導入窓
の部分を示す模式的平面図である。
の部分を示す模式的平面図である。
【図３】プラズマ発生時間が合計３０分のときのマイク
ロ波導入窓の大気側の温度分布の測定結果を示す図であ
り、（ａ）はラバーヒータに通電し１５０℃に加熱した
場合（本発明例）であり、（ｂ）はラバーヒータに通電
しない場合（比較例）である。
ロ波導入窓の大気側の温度分布の測定結果を示す図であ
り、（ａ）はラバーヒータに通電し１５０℃に加熱した
場合（本発明例）であり、（ｂ）はラバーヒータに通電
しない場合（比較例）である。
【図４】従来の誘電体層を用いたプラズマ処理装置を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【図５】従来の誘電体層を用いたプラズマ処理装置のマ
イクロ波導入窓の部分を示す模式的平面図である。
イクロ波導入窓の部分を示す模式的平面図である。
１１ 反応容器 １１ａ 反応容器の上部フランジ面 １２ 処理室 １３ マイクロ波導入口 １４ マイクロ波導入窓 １４ａ マイクロ波導入窓の外周部 １４ｂ マイクロ波導入窓の内部領域 １５ 試料台 １６ ガス導入管 １７ 排気口 １８ 冷却水通流路 １９ Ｏ−リング ２０ 金属容器 ２１ 誘電体層 ２２ 導波管 ２３ マイクロ波発振器 ３１ 加熱手段 ３２ 固定枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ (72)発明者 吉識 隆裕 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号住 友金属工業株式会社内 (72)発明者 飯尾 浩一 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号住 友金属工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波を供給する手段と、反応容器と
を備えたプラズマ処理装置であって、反応容器内にマイ
クロ波が導入されるマイクロ波導入窓の外周部を加熱す
る加熱手段を備えることを特徴とするプラズマ処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347022A JPH10189294A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8347022A JPH10189294A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189294A true JPH10189294A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18387396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8347022A Pending JPH10189294A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189294A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI463924B (zh) * | 2008-02-08 | 2014-12-01 | Tokyo Electron Ltd | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8347022A patent/JPH10189294A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI463924B (zh) * | 2008-02-08 | 2014-12-01 | Tokyo Electron Ltd | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
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