JPH08236296A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH08236296A JPH08236296A JP7039498A JP3949895A JPH08236296A JP H08236296 A JPH08236296 A JP H08236296A JP 7039498 A JP7039498 A JP 7039498A JP 3949895 A JP3949895 A JP 3949895A JP H08236296 A JPH08236296 A JP H08236296A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】マイクロ波導波路となる誘電体線路２１と、こ
の誘電体線路２１に対向する面にマイクロ波導入口３が
開口された金属製の反応容器１とを有し、このマイクロ
波導入口３がマイクロ波導入板４で気密に封止されたプ
ラズマ装置において、上記マイクロ波導入板４の厚みが
マイクロ波の進行方向Ｘに対して漸増する。 【効果】装置構成を複雑にすることなく、しかも安定し
て、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基板を
十分な処理速度で均一にプラズマ処理することができ
る。
の誘電体線路２１に対向する面にマイクロ波導入口３が
開口された金属製の反応容器１とを有し、このマイクロ
波導入口３がマイクロ波導入板４で気密に封止されたプ
ラズマ装置において、上記マイクロ波導入板４の厚みが
マイクロ波の進行方向Ｘに対して漸増する。 【効果】装置構成を複雑にすることなく、しかも安定し
て、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基板を
十分な処理速度で均一にプラズマ処理することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子基板、液晶
ディスプレイ用ガラス基板等にプラズマを利用してエッ
チング、アッシング、およびＣＶＤ等の処理を施すのに
適したプラズマ装置に関する。
ディスプレイ用ガラス基板等にプラズマを利用してエッ
チング、アッシング、およびＣＶＤ等の処理を施すのに
適したプラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応ガスに外部からエネルギ−を与えた
際に発生するプラズマはＬＳＩ、ＬＣＤ等の製造プロセ
スにおいて広く用いられている。特にプラズマを用いた
ドライエッチング技術はこれらの製造プロセスにとって
不可欠の基本技術となっている。
際に発生するプラズマはＬＳＩ、ＬＣＤ等の製造プロセ
スにおいて広く用いられている。特にプラズマを用いた
ドライエッチング技術はこれらの製造プロセスにとって
不可欠の基本技術となっている。
【０００３】プラズマを発生させるための励起手段とし
て、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）が多く用いられ
ている。一方、低温で高密度のプラズマが得られ、また
装置の構成及び操作が簡単である等の利点があることか
ら、マイクロ波も用いられるようになってきている。し
かし、従来のマイクロ波を用いたプラズマ装置では、大
面積に均一なプラズマを発生させることが困難であるた
め、大口径の半導体基板、ＬＣＤ用ガラス基板を均一に
処理することが困難であった。
て、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）が多く用いられ
ている。一方、低温で高密度のプラズマが得られ、また
装置の構成及び操作が簡単である等の利点があることか
ら、マイクロ波も用いられるようになってきている。し
かし、従来のマイクロ波を用いたプラズマ装置では、大
面積に均一なプラズマを発生させることが困難であるた
め、大口径の半導体基板、ＬＣＤ用ガラス基板を均一に
処理することが困難であった。
【０００４】この点に関し、本出願人は大面積に均一に
マイクロ波プラズマを発生させることが可能なプラズマ
装置として、特開昭６２−５６００号公報、特開昭６２
−９９４８１号公報において、誘電体線路を利用する方
式を提案している。
マイクロ波プラズマを発生させることが可能なプラズマ
装置として、特開昭６２−５６００号公報、特開昭６２
−９９４８１号公報において、誘電体線路を利用する方
式を提案している。
【０００５】図４はこの誘電体線路を利用する従来のプ
ラズマ装置を模式的に示した縦断面図である。図中１は
中空直方体の反応容器である。反応容器１はアルミニウ
ム（Ａｌ）等の金属で形成されている。反応容器１の周
囲壁の内部には冷却水通路１５が形成されている。反応
容器１の上部にはマイクロ波導入口３が開口してあり、
このマイクロ波導入口３はマイクロ波導入板４にて反応
容器１の上部壁との間にＯリング１１を挟持することに
より気密に封止されている。マイクロ波導入板４は、耐
熱性とマイクロ波透過性を有し、かつ誘電損失が小さい
誘電体で形成される。この種の誘電体として、石英ガラ
ス（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）等がある。
ラズマ装置を模式的に示した縦断面図である。図中１は
中空直方体の反応容器である。反応容器１はアルミニウ
ム（Ａｌ）等の金属で形成されている。反応容器１の周
囲壁の内部には冷却水通路１５が形成されている。反応
容器１の上部にはマイクロ波導入口３が開口してあり、
このマイクロ波導入口３はマイクロ波導入板４にて反応
容器１の上部壁との間にＯリング１１を挟持することに
より気密に封止されている。マイクロ波導入板４は、耐
熱性とマイクロ波透過性を有し、かつ誘電損失が小さい
誘電体で形成される。この種の誘電体として、石英ガラ
ス（ＳｉＯ2 ）、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）等がある。
【０００６】反応容器１の上方には、マイクロ波導入板
４と対向して、これを覆うように誘電体層２１ａと金属
板２１ｂからなる誘電体線路２１が形成されている。誘
電体層２１ａにはテフロン（登録商標）等のフッ素樹
脂、ポリスチレン、ポリエチレン等が用いられる。金属
板２１ｂとしてはアルミニウム等が用いられる。誘電体
線路２１の一端には、導波管２３を介してマイクロ波発
振器２４が連結されている。マイクロ波は発振器２４か
ら導波管２３を経て誘電体線路２１に導入され、ここか
ら反応容器１内に導入される。
４と対向して、これを覆うように誘電体層２１ａと金属
板２１ｂからなる誘電体線路２１が形成されている。誘
電体層２１ａにはテフロン（登録商標）等のフッ素樹
脂、ポリスチレン、ポリエチレン等が用いられる。金属
板２１ｂとしてはアルミニウム等が用いられる。誘電体
線路２１の一端には、導波管２３を介してマイクロ波発
振器２４が連結されている。マイクロ波は発振器２４か
ら導波管２３を経て誘電体線路２１に導入され、ここか
ら反応容器１内に導入される。
【０００７】反応室２内にはマイクロ波導入板４とは対
向する位置に、被処理物Ｓを載置する試料台１４が配設
されている。反応容器１の周囲壁には所要の反応ガスを
導入するためのガス導入孔１２が設けられている。また
反応容器１の下部壁には図示しない排気装置に接続され
る排気口１３が形成されており、ここから排気される。
向する位置に、被処理物Ｓを載置する試料台１４が配設
されている。反応容器１の周囲壁には所要の反応ガスを
導入するためのガス導入孔１２が設けられている。また
反応容器１の下部壁には図示しない排気装置に接続され
る排気口１３が形成されており、ここから排気される。
【０００８】この装置において試料台１４上に載置され
た被処理物Ｓの表面にプラズマ処理を施す場合について
説明する。まず冷却水を冷却水通路１５内に循環させ
る。排気口１３から排気を行って反応室２内を所要の圧
力まで排気した後、周囲壁に設けられたガス導入孔１２
から反応ガスを供給し反応室２内を所定の圧力とする。
た被処理物Ｓの表面にプラズマ処理を施す場合について
説明する。まず冷却水を冷却水通路１５内に循環させ
る。排気口１３から排気を行って反応室２内を所要の圧
力まで排気した後、周囲壁に設けられたガス導入孔１２
から反応ガスを供給し反応室２内を所定の圧力とする。
【０００９】次いで、マイクロ波発振器２４においてマ
イクロ波を発振させ、導波管２３を介して誘電体線路２
１に導入する。そうすると誘電体線路２１の下方に電界
が形成され、この電界がマイクロ波導入板４を透過して
反応室２内に供給されて、プラズマが生成する。このプ
ラズマによって被処理物Ｓ表面にプラズマ処理が施され
る。
イクロ波を発振させ、導波管２３を介して誘電体線路２
１に導入する。そうすると誘電体線路２１の下方に電界
が形成され、この電界がマイクロ波導入板４を透過して
反応室２内に供給されて、プラズマが生成する。このプ
ラズマによって被処理物Ｓ表面にプラズマ処理が施され
る。
【００１０】上述の誘電体線路を利用するプラズマ装置
ではマイクロ波の進行方向に沿って誘電体線路の下にプ
ラズマが生成するので、反応容器１の上部に開口されて
いるマイクロ波導入口３、それを封止するマイクロ波導
入板４、および誘電体線路２１を大きくすれば、容易に
大面積のマイクロ波プラズマを生成させることができ
る。
ではマイクロ波の進行方向に沿って誘電体線路の下にプ
ラズマが生成するので、反応容器１の上部に開口されて
いるマイクロ波導入口３、それを封止するマイクロ波導
入板４、および誘電体線路２１を大きくすれば、容易に
大面積のマイクロ波プラズマを生成させることができ
る。
【００１１】ただし、この誘電体線路を利用したプラズ
マ装置においては、マイクロ波の進行方向にしたがって
平行にプラズマが生成するため、プラズマ密度がマイク
ロ波の入射側が大きくなる傾向がある。このため、通常
は誘電体線路と反応容器すなわち誘電体線路とマイクロ
波導入板との間隔をあけて、誘電体線路を伝搬するマイ
クロ波と反応容器内に発生しているプラズマとの結合を
弱くしている。こうすることにより、誘電体線路を伝搬
するマイクロ波がマイクロ波の入射側でいきなりプラズ
マに供給されることを抑え、マイクロ波電力をマイクロ
波の進行方向に従って徐々にもらしてプラズマに供給し
て、マイクロ波の進行方向に均一なプラズマを発生させ
ることができる。
マ装置においては、マイクロ波の進行方向にしたがって
平行にプラズマが生成するため、プラズマ密度がマイク
ロ波の入射側が大きくなる傾向がある。このため、通常
は誘電体線路と反応容器すなわち誘電体線路とマイクロ
波導入板との間隔をあけて、誘電体線路を伝搬するマイ
クロ波と反応容器内に発生しているプラズマとの結合を
弱くしている。こうすることにより、誘電体線路を伝搬
するマイクロ波がマイクロ波の入射側でいきなりプラズ
マに供給されることを抑え、マイクロ波電力をマイクロ
波の進行方向に従って徐々にもらしてプラズマに供給し
て、マイクロ波の進行方向に均一なプラズマを発生させ
ることができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】近年液晶用のガラス基
板は次第に大きくなり、４００ｍｍ×４００ｍｍ以上の
ガラス基板を均一に処理できる装置の要求が高まってい
る。プラズマ処理を施すべき面積がこれぐらいの大きさ
になると、上述のプラズマ装置において、プラズマを均
一に発生させるためには、誘電体線路と反応容器との間
隔をより大きくする必要がある。しかしながら、誘電体
線路と反応容器との間隔をあまり大きくすると、反応容
器内のプラズマに供給されるマイクロ波の電界強度が弱
くなり、十分なプラズマ密度が得られなくなる。プラズ
マ密度の低下はプラズマ処理速度の低下等につながる。
板は次第に大きくなり、４００ｍｍ×４００ｍｍ以上の
ガラス基板を均一に処理できる装置の要求が高まってい
る。プラズマ処理を施すべき面積がこれぐらいの大きさ
になると、上述のプラズマ装置において、プラズマを均
一に発生させるためには、誘電体線路と反応容器との間
隔をより大きくする必要がある。しかしながら、誘電体
線路と反応容器との間隔をあまり大きくすると、反応容
器内のプラズマに供給されるマイクロ波の電界強度が弱
くなり、十分なプラズマ密度が得られなくなる。プラズ
マ密度の低下はプラズマ処理速度の低下等につながる。
【００１３】これに対して、プラズマの均一性を向上さ
せる別の方法として、本出願人は誘電体線路と反応容器
との間隔をマイクロ波の進行方向に従って減少させるよ
うに誘電体線路または反応容器を傾斜させたり、誘電体
線路の誘電体の厚みをマイクロ波の進行方向に従って減
少させることを提案している（特開昭６２−９９４８１
号公報）。
せる別の方法として、本出願人は誘電体線路と反応容器
との間隔をマイクロ波の進行方向に従って減少させるよ
うに誘電体線路または反応容器を傾斜させたり、誘電体
線路の誘電体の厚みをマイクロ波の進行方向に従って減
少させることを提案している（特開昭６２−９９４８１
号公報）。
【００１４】しかしながら、誘電体線路や反応容器を傾
斜させることは、傾き角の調整や傾いた部品の固定等の
必要があり、装置構成を複雑化し装置の組立てが困難に
なる。
斜させることは、傾き角の調整や傾いた部品の固定等の
必要があり、装置構成を複雑化し装置の組立てが困難に
なる。
【００１５】また、誘電体の厚みを減少させると、プラ
ズマ発生時にマイクロ波が遮断領域に入る可能性が生じ
る。マイクロ波が遮断領域に入ると、マイクロ波が誘電
体線路の奥まで伝搬できなくなり、プラズマが発生しな
い部分ができる。
ズマ発生時にマイクロ波が遮断領域に入る可能性が生じ
る。マイクロ波が遮断領域に入ると、マイクロ波が誘電
体線路の奥まで伝搬できなくなり、プラズマが発生しな
い部分ができる。
【００１６】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、装置構成を複雑にすることなく、しかも安
定して、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基
板を十分な処理速度で均一にプラズマ処理できるプラズ
マ装置を提供することを目的としている。
ものであり、装置構成を複雑にすることなく、しかも安
定して、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基
板を十分な処理速度で均一にプラズマ処理できるプラズ
マ装置を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに、マイクロ波導波路となる誘電体線路２１と、この
誘電体線路２１に対向する面にマイクロ波導入口３が開
口された金属製の反応容器１とを有し、このマイクロ波
導入口３がマイクロ波導入板４で気密に封止されたプラ
ズマ装置において、上記マイクロ波導入板４の厚みがマ
イクロ波の進行方向Ｘに対して漸増することを特徴とす
るプラズマ装置を要旨とする。
うに、マイクロ波導波路となる誘電体線路２１と、この
誘電体線路２１に対向する面にマイクロ波導入口３が開
口された金属製の反応容器１とを有し、このマイクロ波
導入口３がマイクロ波導入板４で気密に封止されたプラ
ズマ装置において、上記マイクロ波導入板４の厚みがマ
イクロ波の進行方向Ｘに対して漸増することを特徴とす
るプラズマ装置を要旨とする。
【００１８】
【作用】図１または図４に示された誘電体線路を利用し
たプラズマ装置においてマイクロ波の伝搬および電界強
度について考える。この装置はプラズマ発生時、上から
順に金属板２１ｂ、誘電体層２１ａ（比誘電率εde1 ＞
１）、空気層２２（比誘電率εair ＝１）、マイクロ波
導入板４である誘電体層（比誘電率εde2 ＞１）、そし
て反応容器１内に発生したプラズマ層（比誘電率εpla
＝１−｛（ωp ／ω）2 ／（１−ｊν／ω）｝、ωp ：
プラズマ角周波数、ω：マイクロ波角周波数、ν：衝突
周波数）からなると考えることができる。
たプラズマ装置においてマイクロ波の伝搬および電界強
度について考える。この装置はプラズマ発生時、上から
順に金属板２１ｂ、誘電体層２１ａ（比誘電率εde1 ＞
１）、空気層２２（比誘電率εair ＝１）、マイクロ波
導入板４である誘電体層（比誘電率εde2 ＞１）、そし
て反応容器１内に発生したプラズマ層（比誘電率εpla
＝１−｛（ωp ／ω）2 ／（１−ｊν／ω）｝、ωp ：
プラズマ角周波数、ω：マイクロ波角周波数、ν：衝突
周波数）からなると考えることができる。
【００１９】この場合、誘電体層２１ａにマイクロ波が
Ｘ方向に導入されたとき、マイクロ波の電界強度は空気
層２２ではマイクロ波の進行方向に垂直な方向Ｚに対し
て指数関数的に減衰し、誘電体層２１ａおよびマイクロ
波導入板４ではマイクロ波の進行方向に垂直な方向Ｚに
対して減衰しない。
Ｘ方向に導入されたとき、マイクロ波の電界強度は空気
層２２ではマイクロ波の進行方向に垂直な方向Ｚに対し
て指数関数的に減衰し、誘電体層２１ａおよびマイクロ
波導入板４ではマイクロ波の進行方向に垂直な方向Ｚに
対して減衰しない。
【００２０】そこで、図１に示すようにマイクロ波導入
板４の厚みをマイクロ波の進行方向Ｘに対して漸次厚く
なるようにし、マイクロ波の電界強度がマイクロ波の進
行方向に垂直な方向Ｚに対して指数関数的に減衰する空
気層２２の厚みを薄くしていく。こうすることにより、
プラズマ発生時に誘電体層２１ａを伝搬するマイクロ波
が進行方向Ｘに対して減衰しても、マイクロ波導入板４
直下のマイクロ波電界強度を一定に保つことができる。
こうして、マイクロ波の進行方向Ｘに対して均一なプラ
ズマを発生させることができる。また、こうすることに
より誘電体線路と反応容器との間隔をあまり大きくしな
くてもすむので、十分なプラズマ密度が得られ、十分な
プラズマ処理速度を得ることができる。
板４の厚みをマイクロ波の進行方向Ｘに対して漸次厚く
なるようにし、マイクロ波の電界強度がマイクロ波の進
行方向に垂直な方向Ｚに対して指数関数的に減衰する空
気層２２の厚みを薄くしていく。こうすることにより、
プラズマ発生時に誘電体層２１ａを伝搬するマイクロ波
が進行方向Ｘに対して減衰しても、マイクロ波導入板４
直下のマイクロ波電界強度を一定に保つことができる。
こうして、マイクロ波の進行方向Ｘに対して均一なプラ
ズマを発生させることができる。また、こうすることに
より誘電体線路と反応容器との間隔をあまり大きくしな
くてもすむので、十分なプラズマ密度が得られ、十分な
プラズマ処理速度を得ることができる。
【００２１】本発明の装置は、マイクロ波導入板４とし
てマイクロ波の進行方向Ｘに対して厚みを増加させたも
のを用意すれば良く、誘電体線路や反応容器を傾斜させ
るような複雑な装置構成は不要である。
てマイクロ波の進行方向Ｘに対して厚みを増加させたも
のを用意すれば良く、誘電体線路や反応容器を傾斜させ
るような複雑な装置構成は不要である。
【００２２】本発明の装置では、マイクロ波が主に伝搬
する誘電体層２１ａの厚みをマイクロ波の進行方向に対
して減少させる必要がない。したがって、プラズマ発生
時にマイクロ波が遮断領域に入り、マイクロ波が誘電体
線路の奥まで伝搬できなくなり、プラズマが発生しない
部分できる可能性をなくすことができ、安定してプラズ
マを発生できる。
する誘電体層２１ａの厚みをマイクロ波の進行方向に対
して減少させる必要がない。したがって、プラズマ発生
時にマイクロ波が遮断領域に入り、マイクロ波が誘電体
線路の奥まで伝搬できなくなり、プラズマが発生しない
部分できる可能性をなくすことができ、安定してプラズ
マを発生できる。
【００２３】マイクロ波導入板４の厚みの漸増のさせ方
について説明する。図２にマイクロ波導入板の厚み方向
断面の例を示す。（ａ）はマイクロ波導入板４の厚みを
直線（一次関数）的に単調に増加させたものである。
（ｂ）はマイクロ波導入板４の厚みを曲線的に単調に増
加させたものである。（ｃ）はマイクロ波導入板４の厚
みを階段的に単調に増加させたものである。マイクロ波
導入板４の厚みの漸増のさせ方はプラズマ発生の条件お
よび誘電体層２１ａとの間隔等を考慮して適宜設計すれ
ば良い。
について説明する。図２にマイクロ波導入板の厚み方向
断面の例を示す。（ａ）はマイクロ波導入板４の厚みを
直線（一次関数）的に単調に増加させたものである。
（ｂ）はマイクロ波導入板４の厚みを曲線的に単調に増
加させたものである。（ｃ）はマイクロ波導入板４の厚
みを階段的に単調に増加させたものである。マイクロ波
導入板４の厚みの漸増のさせ方はプラズマ発生の条件お
よび誘電体層２１ａとの間隔等を考慮して適宜設計すれ
ば良い。
【００２４】本発明のマイクロ波導入板４は１枚板であ
る必要はない。すなわち、マイクロ波導入板４が複数枚
からなる場合においても、全体としてマイクロ波導入板
４の厚みがマイクロ波の進行方向Ｘに対して漸増してい
れば良い。
る必要はない。すなわち、マイクロ波導入板４が複数枚
からなる場合においても、全体としてマイクロ波導入板
４の厚みがマイクロ波の進行方向Ｘに対して漸増してい
れば良い。
【００２５】
【実施例】本発明のプラズマ装置の一実施例を示す模式
的縦断面図を図１に示す。本実施例では、［作用］の欄
でも説明したようにマイクロ波導入板４の厚みをマイク
ロ波の進行方向に対して漸増させている。それ以外の装
置構成および使用方法は［従来技術］の欄で図４に基づ
き説明したプラズマ装置と同じであるので、説明を省略
する。
的縦断面図を図１に示す。本実施例では、［作用］の欄
でも説明したようにマイクロ波導入板４の厚みをマイク
ロ波の進行方向に対して漸増させている。それ以外の装
置構成および使用方法は［従来技術］の欄で図４に基づ
き説明したプラズマ装置と同じであるので、説明を省略
する。
【００２６】次に、プラズマ発生面積、マイクロ波導入
板４、誘電体線路２１について具体的に説明する。プラ
ズマ発生面積すなわち反応室２のマイクロ波導入口３の
面積を６００ｍｍ×６００ｍｍとした。マイクロ波導入
板４は、７００ｍｍ×７００ｍｍの面積で、その厚みが
Ａ点で１０ｍｍ、Ｂ点で２０ｍｍであり、図２（ａ）の
ように直線（一次関数）的に単調に増加する石英ガラス
板（比誘電率εde2 ＝３．６）とした。誘電体線路２１
の誘電体層２１ａは、マイクロ波進行方向の長さ６００
ｍｍ、幅４００ｍｍ、厚み２０ｍｍのテフロン板（登録
商標）（比誘電率εde1 ＝２．１）とした。誘電体線路
の金属板２１ｂは７００ｍｍ×７００ｍｍとした。
板４、誘電体線路２１について具体的に説明する。プラ
ズマ発生面積すなわち反応室２のマイクロ波導入口３の
面積を６００ｍｍ×６００ｍｍとした。マイクロ波導入
板４は、７００ｍｍ×７００ｍｍの面積で、その厚みが
Ａ点で１０ｍｍ、Ｂ点で２０ｍｍであり、図２（ａ）の
ように直線（一次関数）的に単調に増加する石英ガラス
板（比誘電率εde2 ＝３．６）とした。誘電体線路２１
の誘電体層２１ａは、マイクロ波進行方向の長さ６００
ｍｍ、幅４００ｍｍ、厚み２０ｍｍのテフロン板（登録
商標）（比誘電率εde1 ＝２．１）とした。誘電体線路
の金属板２１ｂは７００ｍｍ×７００ｍｍとした。
【００２７】この装置を用いてプラズマの均一性を評価
するため、イオン電流の分布を測定した。なお、比較例
として、マイクロ波導入板４として上記のものの代わり
に７００ｍｍ×７００ｍｍの面積で厚みが２０ｍｍで一
定の石英ガラス板を用いたものについて同様の測定を行
った。なお、ガスはＡｒを用い、圧力は１０mTorr 、マ
イクロ波電力１ｋＷでプラズマを発生させた。
するため、イオン電流の分布を測定した。なお、比較例
として、マイクロ波導入板４として上記のものの代わり
に７００ｍｍ×７００ｍｍの面積で厚みが２０ｍｍで一
定の石英ガラス板を用いたものについて同様の測定を行
った。なお、ガスはＡｒを用い、圧力は１０mTorr 、マ
イクロ波電力１ｋＷでプラズマを発生させた。
【００２８】マイクロ波の進行方向Ｘのイオン電流分布
を図３に示す。測定位置はマイクロ波導入板４の下６０
ｍｍの位置である。マイクロ波導入板４の厚みが一定で
ある比較例ではＸに対してイオン電流値が徐々に減少し
た。これに対し、マイクロ波導入板４の厚みを徐々に増
加させた本発明例の方はほぼ均一なイオン電流分布を得
ることができた。これにより、大面積にプラズマを均一
に生成できることが確認できた。
を図３に示す。測定位置はマイクロ波導入板４の下６０
ｍｍの位置である。マイクロ波導入板４の厚みが一定で
ある比較例ではＸに対してイオン電流値が徐々に減少し
た。これに対し、マイクロ波導入板４の厚みを徐々に増
加させた本発明例の方はほぼ均一なイオン電流分布を得
ることができた。これにより、大面積にプラズマを均一
に生成できることが確認できた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明装置にあっ
ては、装置構成を複雑にすることなく、しかも安定し
て、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基板を
十分な処理速度で均一にプラズマ処理することができ
る。
ては、装置構成を複雑にすることなく、しかも安定し
て、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の大面積の基板を
十分な処理速度で均一にプラズマ処理することができ
る。
【図１】本発明のプラズマ装置の実施例の模式的縦断面
図である。
図である。
【図２】本発明のプラズマ装置のマイクロ波導入板の厚
み方向断面の例を示す図である。
み方向断面の例を示す図である。
【図３】イオン電流分布の測定結果を示すグラフであ
る。
る。
【図４】従来のプラズマ装置の模式的縦断面図である。
１ 反応容器 ２ 反応室 ３ マイクロ波導入口 ４ マイクロ波導入板 １１ Ｏリング １２ ガス導入孔 １３ 排気口 １４ 試料台 １５ 冷却水経路 ２１ 誘電体線路 ２１ａ 誘電体層 ２１ｂ 金属板 ２２ 空気層 ２３ 導波管 ２４ マイクロ波発振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 5/08 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波導波路となる誘電体線路と、こ
の誘電体線路に対向する面にマイクロ波導入口が開口さ
れた金属製の反応容器とを有し、このマイクロ波導入口
がマイクロ波導入板で気密に封止されたプラズマ装置に
おいて、前記マイクロ波導入板の厚みがマイクロ波の進
行方向に対して漸増することを特徴とするプラズマ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7039498A JP3042347B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7039498A JP3042347B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236296A true JPH08236296A (ja) | 1996-09-13 |
| JP3042347B2 JP3042347B2 (ja) | 2000-05-15 |
Family
ID=12554721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7039498A Expired - Lifetime JP3042347B2 (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042347B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091045A (en) * | 1996-03-28 | 2000-07-18 | Sumitomo Metal Industries, Inc. | Plasma processing apparatus utilizing a microwave window having a thinner inner area |
| JP2003264099A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP7039498A patent/JP3042347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091045A (en) * | 1996-03-28 | 2000-07-18 | Sumitomo Metal Industries, Inc. | Plasma processing apparatus utilizing a microwave window having a thinner inner area |
| JP2003264099A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042347B2 (ja) | 2000-05-15 |
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