JPH04181646A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
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- JPH04181646A JPH04181646A JP2310364A JP31036490A JPH04181646A JP H04181646 A JPH04181646 A JP H04181646A JP 2310364 A JP2310364 A JP 2310364A JP 31036490 A JP31036490 A JP 31036490A JP H04181646 A JPH04181646 A JP H04181646A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、マイクロ波プラズマ装置に関し、例えばエ
ツチング、ＣＶＤ等のプロセスプラズマを発生するマイ
クロ波プラズマ装置に関するものである。
ツチング、ＣＶＤ等のプロセスプラズマを発生するマイ
クロ波プラズマ装置に関するものである。
［従来の技術］
第６図は特開昭６１−１３１４５４号公報に示された従
来のマイクロ波放電を用いたマイクロ波プラズマ装置を
示す断面図である。図において、（１１）は導波管、（
１２）はマイクロ波の進む方向、（１３）は石英または
セラミックで作ったマイクロ波透過窓、（１４）は被加
工物で例えばウェハ、（１５）はステージ、（１５）は
図示しない公知の排気系に連結された排気口、（１７）
はガス導入口である。図中、矢印Ａはガスの流れ方向を
示す。
来のマイクロ波放電を用いたマイクロ波プラズマ装置を
示す断面図である。図において、（１１）は導波管、（
１２）はマイクロ波の進む方向、（１３）は石英または
セラミックで作ったマイクロ波透過窓、（１４）は被加
工物で例えばウェハ、（１５）はステージ、（１５）は
図示しない公知の排気系に連結された排気口、（１７）
はガス導入口である。図中、矢印Ａはガスの流れ方向を
示す。
次に動作について説明する。導波管（１１）を矢印（１
２）のように伝送されたマイクロ波は、マイクロ波の電
界方向に垂直に設けられたマイクロ波透過窓（１３）に
吸収され、真空容器内を放電し、プラズマを発生する。
２）のように伝送されたマイクロ波は、マイクロ波の電
界方向に垂直に設けられたマイクロ波透過窓（１３）に
吸収され、真空容器内を放電し、プラズマを発生する。
例えば放電ガスに０２を用いるとウェハ（Ｉ４）上のレ
ジストを剥離できる。
ジストを剥離できる。
［発明が解決しようとする課題］
従来のマイクロ波プラズマ装置は以上のように構成され
でいるので５近年のウェハサイズの大口？￥化に対応し
てプラズマ発生面積を太きくしようとすると、面内のプ
ラズマ分布が不均一になる傾向があった。即ち、マイク
ロ波とプラズマとの結合が強く５マイクロ波の進行方向
においてマイクロ波がプラズマに急速に吸収されて、プ
ラズマが広がらない。また、マイクロ波の進行方向と直
交する方向におけるプラズマ分布は、導波管（ｌｌ］の
長手方向の電界分布に相当するため、両端付近が弱く中
心が強い不均一な分布になるという問題点があった。
でいるので５近年のウェハサイズの大口？￥化に対応し
てプラズマ発生面積を太きくしようとすると、面内のプ
ラズマ分布が不均一になる傾向があった。即ち、マイク
ロ波とプラズマとの結合が強く５マイクロ波の進行方向
においてマイクロ波がプラズマに急速に吸収されて、プ
ラズマが広がらない。また、マイクロ波の進行方向と直
交する方向におけるプラズマ分布は、導波管（ｌｌ］の
長手方向の電界分布に相当するため、両端付近が弱く中
心が強い不均一な分布になるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、大面積でかつ、均一なプラズマを発生できる
マイクロ波プラズマ装置を得ることを目的とするもので
ある。
たもので、大面積でかつ、均一なプラズマを発生できる
マイクロ波プラズマ装置を得ることを目的とするもので
ある。
［課題を解決するための手段」
この発明の請求項１の発明に係るマイクロ波プラズマ装
置は、プラズマ発光媒体を封入した放電空間、この放電
空間の一面に形成された透光性の板状誘電体、及び板状
誘電体の長手方向の端部を囲じＪうするマイクロ波回路
を廂え、マイクロ波回路内の板状誘電体の厚み方向の電
界成分を有するマイクロ波を板状誘電体の端部の外周か
ら導入して板状誘電体中に結合し、放電空間にマイクロ
波電界を形成してプラズマを発生１−るように構成した
ものである。
置は、プラズマ発光媒体を封入した放電空間、この放電
空間の一面に形成された透光性の板状誘電体、及び板状
誘電体の長手方向の端部を囲じＪうするマイクロ波回路
を廂え、マイクロ波回路内の板状誘電体の厚み方向の電
界成分を有するマイクロ波を板状誘電体の端部の外周か
ら導入して板状誘電体中に結合し、放電空間にマイクロ
波電界を形成してプラズマを発生１−るように構成した
ものである。
また、この発明の請求項２の発明に係るマイクロ波プラ
ズマ装置は、請求項１の発明に加え、マイクロ波回路を
矩形ｉ波管で構成し、この矩形導波管の壁面をマイクロ
波回路の終端としたものである。
ズマ装置は、請求項１の発明に加え、マイクロ波回路を
矩形ｉ波管で構成し、この矩形導波管の壁面をマイクロ
波回路の終端としたものである。
［作用］
この発明におけるマイクロ波回路は、板状誘電体の長手
方向の端面を囲しようする構成になっている。マイクロ
波回路内のマイクロ波は、板状誘電体の厚み方向の電界
成分を有する。このため、マイクロ波は板状誘電体の長
手方向の端部のほぼ全周から徐々に誘電体中に結合され
、板状誘電体中にマイクロ波電界を形成する。これと共
に、放電空間全体にマイクロ波を均一に結合し、プラズ
マを発生する。さらに、請求項２の発明ではマイクロ波
回路は矩形導波管であり５その壁面の一部はマイクロ波
回路の終端として作用する。
方向の端面を囲しようする構成になっている。マイクロ
波回路内のマイクロ波は、板状誘電体の厚み方向の電界
成分を有する。このため、マイクロ波は板状誘電体の長
手方向の端部のほぼ全周から徐々に誘電体中に結合され
、板状誘電体中にマイクロ波電界を形成する。これと共
に、放電空間全体にマイクロ波を均一に結合し、プラズ
マを発生する。さらに、請求項２の発明ではマイクロ波
回路は矩形導波管であり５その壁面の一部はマイクロ波
回路の終端として作用する。
［実施例」
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例によるマイクロ波プラズマ装置
を用いたプラズマ処理装置を示す断面図、第２図はその
斜視図である。第１図は第２図の１−■線断面を示して
いる。図において、ＦＩＩＯ）はマイクロ波の給電口、
（ＩＩＩ）はマイクロ波回路で、例えばリング状矩形導
波管、破線（１１２）はリング状矩形導波管（＋１１１
の終端となる終端板、（＋１３１ はリング状矩形導波
管（＋１１１のＥ面、＋１１４１ は板状誘電体であり
、例えば石英ガラス等からなり、形状は円形である。（
１１５＋はリング状矩形導波管（ｌ Ｉ １１ とマイ
クロ波的に接続された導体、（＋１６）は真空チャンバ
ー、１ｌ１７）はリング状矩形導波管（１１１１のマイ
クロ波の進行方向に設けられたスリット、１１１８＋は
板状誘電体ｆｌ＋４１の長毛方向の端部である。リング
状矩形導波管（Ｉ Ｉ ＋）は板状誘電体の長手方向の
端部（＋１８１ を囲じょうするように構成されている
。また、リング状矩形導波管のＥ面Ｆ１１３］ には板
状誘電体（１１４］ の端部ｆ１１８＋ と同じ厚み程
度のスリット（１１７１が設けられている。終端板＋１
１２＋はマイクロ波回路の終端部であると共にリング状
矩形４波管（１１１１の内俳ＩＥ面の一部を構成する。
図はこの発明の一実施例によるマイクロ波プラズマ装置
を用いたプラズマ処理装置を示す断面図、第２図はその
斜視図である。第１図は第２図の１−■線断面を示して
いる。図において、ＦＩＩＯ）はマイクロ波の給電口、
（ＩＩＩ）はマイクロ波回路で、例えばリング状矩形導
波管、破線（１１２）はリング状矩形導波管（＋１１１
の終端となる終端板、（＋１３１ はリング状矩形導波
管（＋１１１のＥ面、＋１１４１ は板状誘電体であり
、例えば石英ガラス等からなり、形状は円形である。（
１１５＋はリング状矩形導波管（ｌ Ｉ １１ とマイ
クロ波的に接続された導体、（＋１６）は真空チャンバ
ー、１ｌ１７）はリング状矩形導波管（１１１１のマイ
クロ波の進行方向に設けられたスリット、１１１８＋は
板状誘電体ｆｌ＋４１の長毛方向の端部である。リング
状矩形導波管（Ｉ Ｉ ＋）は板状誘電体の長手方向の
端部（＋１８１ を囲じょうするように構成されている
。また、リング状矩形導波管のＥ面Ｆ１１３］ には板
状誘電体（１１４］ の端部ｆ１１８＋ と同じ厚み程
度のスリット（１１７１が設けられている。終端板＋１
１２＋はマイクロ波回路の終端部であると共にリング状
矩形４波管（１１１１の内俳ＩＥ面の一部を構成する。
さらに、 （１１９）は基板台（１２０１に載置され
た基板、（１２＋１は真空チャンバー （１＋６］ と
板状誘電体［＋１４１で形成される放電空間であり、プ
ラズマ発生部分である。（＋２２１ はガス導入口、（
１２３１はガス排出口、（＋２４１は真空チャンバー（
＋１６］ とリング状矩形導波管（＋１１１内を真空的
に隔離するＯリングである。図中、矢印Ｂは電界の方向
を示す。
た基板、（１２＋１は真空チャンバー （１＋６］ と
板状誘電体［＋１４１で形成される放電空間であり、プ
ラズマ発生部分である。（＋２２１ はガス導入口、（
１２３１はガス排出口、（＋２４１は真空チャンバー（
＋１６］ とリング状矩形導波管（＋１１１内を真空的
に隔離するＯリングである。図中、矢印Ｂは電界の方向
を示す。
次に動作について説明する。マイクロ波回路Ｋ。
ｆｌｌＯ）から給電されたマイクロ波は、リング状矩形
導波管（ＩＩＩ＋内を伝送しながら板状誘電体（１１４
）の端面［＋１８１全周から誘電体（１１４１内に結合
される。ここでリング状矩形導波管（１１１１内のマイ
クロ波電界は矢印Ｂで示した方向に形成されている。こ
のようにリング状矩形導波管［＋１１１ 内の電界が板
状誘電体ｆ＋ １４１ の厚み方向と平行なため、板状
誘電体（１＋４）へのマイクロ波の結合が行われる。即
ち５マイクロ波がリング状４彼管＋Ｉ １１１内を進行
しながら板状誘電体（１１４＋に徐々に結合される。次
に板状誘電体（１１４１に結合されたマイクロ波は、放
電空間（＋２１１内のガスを放電する。この実施例にお
いて、マイクロ波はリング状矩形導波管（＋１１１内を
一周して伝送される間に、ス１ノット（１１７）から順
順に誘電体端面（１１８］ に結合されるため、板状誘
電体の長手方向の端面［１８＋の全周から中心に向かっ
て伝送されることになり、放電空間＋１２＋１内全体を
均一に放電する。ガス導入口（＋２２１ から導入ガス
としてエツチングガス、ＣＶＤガス等を導入すると、そ
れぞれウェハをエツチングしたり、ＣＶＤが可能になる
。具体例として、マイクロ波の周波数を２．４５ ｆＧ
Ｈｚ］ 、 リング状導波管の中心間の直径を約３５
（ｃｍｌ 、板状誘電体の直径を２５ （ｃｍｌ、０
２ガス（１，Ｉ （ＴＯＲＲ＋ で敢’ｔ サセタ場合
、直径２０（ｃｍ）の放電空間はぼ全域にプラズマを発
生することができた。このように大面積で均一なプラズ
マが生成できるので、大口径ウェハの処理が可能になる
。
導波管（ＩＩＩ＋内を伝送しながら板状誘電体（１１４
）の端面［＋１８１全周から誘電体（１１４１内に結合
される。ここでリング状矩形導波管（１１１１内のマイ
クロ波電界は矢印Ｂで示した方向に形成されている。こ
のようにリング状矩形導波管［＋１１１ 内の電界が板
状誘電体ｆ＋ １４１ の厚み方向と平行なため、板状
誘電体（１＋４）へのマイクロ波の結合が行われる。即
ち５マイクロ波がリング状４彼管＋Ｉ １１１内を進行
しながら板状誘電体（１１４＋に徐々に結合される。次
に板状誘電体（１１４１に結合されたマイクロ波は、放
電空間（＋２１１内のガスを放電する。この実施例にお
いて、マイクロ波はリング状矩形導波管（＋１１１内を
一周して伝送される間に、ス１ノット（１１７）から順
順に誘電体端面（１１８］ に結合されるため、板状誘
電体の長手方向の端面［１８＋の全周から中心に向かっ
て伝送されることになり、放電空間＋１２＋１内全体を
均一に放電する。ガス導入口（＋２２１ から導入ガス
としてエツチングガス、ＣＶＤガス等を導入すると、そ
れぞれウェハをエツチングしたり、ＣＶＤが可能になる
。具体例として、マイクロ波の周波数を２．４５ ｆＧ
Ｈｚ］ 、 リング状導波管の中心間の直径を約３５
（ｃｍｌ 、板状誘電体の直径を２５ （ｃｍｌ、０
２ガス（１，Ｉ （ＴＯＲＲ＋ で敢’ｔ サセタ場合
、直径２０（ｃｍ）の放電空間はぼ全域にプラズマを発
生することができた。このように大面積で均一なプラズ
マが生成できるので、大口径ウェハの処理が可能になる
。
なお、上記実施例ではマイクロ波の導入方向をリング状
矩形導波管内のマイクロ波伝送方向に−。
矩形導波管内のマイクロ波伝送方向に−。
致させたが、第３図に示すように直交方向のマイクロ波
給電口（１３０１でもよく、この実施例の場合は平面方
向にコンパクトになる利点かある。この場合、リング状
矩形導波管（１１１１の終端となる終端板は矩形導波管
（ＩＩＩ）のＨ面を用いることができる。
給電口（１３０１でもよく、この実施例の場合は平面方
向にコンパクトになる利点かある。この場合、リング状
矩形導波管（１１１１の終端となる終端板は矩形導波管
（ＩＩＩ）のＨ面を用いることができる。
また、マイクロ波伝送回路に矩形導波管を用いたが、板
状誘電体に結合するマイクロ波電界を強めるため、第４
図に示す模型導波管（１３１１を用いることができる。
状誘電体に結合するマイクロ波電界を強めるため、第４
図に示す模型導波管（１３１１を用いることができる。
さらに、上記実施例では導波管の形状をリング状のもの
について示したが、第５図に示すように導波管（＋４１
１を角形に配置してもよい。この場合板状誘電体の形状
は角形になる。
について示したが、第５図に示すように導波管（＋４１
１を角形に配置してもよい。この場合板状誘電体の形状
は角形になる。
また、上記実施例では板状誘電体に石英ガラスを用いた
ものについて示したが、アルミナセラミクスを用いても
よい。
ものについて示したが、アルミナセラミクスを用いても
よい。
さらに、上記実施例ではＥ面下部に板状誘電体の端面に
対応してスリット（１１７）を設けたが、Ｅ面の任意の
位置でよい。
対応してスリット（１１７）を設けたが、Ｅ面の任意の
位置でよい。
また、上記実施例ではマイクロ波回路を板状誘電体の長
手方向の端面の全周を囲しようするように構成し、さら
に矩形導波管の壁面をマイクロ波回路の終端部となるよ
うにしているが、これに限るものではなく、矩形導波管
の壁面とは別に終端板を設けてもよい。この場合にはマ
イクロ波回路は板状誘電体の端面の全周を囲じようする
のではなく一部分となるが、囲しようの割合の程度によ
り、上記実施例と同様の効果を奏することができる。
手方向の端面の全周を囲しようするように構成し、さら
に矩形導波管の壁面をマイクロ波回路の終端部となるよ
うにしているが、これに限るものではなく、矩形導波管
の壁面とは別に終端板を設けてもよい。この場合にはマ
イクロ波回路は板状誘電体の端面の全周を囲じようする
のではなく一部分となるが、囲しようの割合の程度によ
り、上記実施例と同様の効果を奏することができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明の請求項１の発明によれば、プ
ラズマ発光媒体を１・１人した放電空間、この放電空間
の一面に形成された透光性の板状−；体、及び板状誘電
体の長手方向の端面を囲しようするマイクロ波回路を備
え、マイクロ波回路内の板状誘電体の厚み方向の電界成
分を有するマイクロ波を板状誘電体の端面の外周から導
入して板状誘電体中に結合し、放電空間にマイクロ波電
界を形成してプラズマを発生するように構成したことに
より、大面積且つ、均一なプラズマを発生できるマイク
ロ波プラズマ装置が得られる。
ラズマ発光媒体を１・１人した放電空間、この放電空間
の一面に形成された透光性の板状−；体、及び板状誘電
体の長手方向の端面を囲しようするマイクロ波回路を備
え、マイクロ波回路内の板状誘電体の厚み方向の電界成
分を有するマイクロ波を板状誘電体の端面の外周から導
入して板状誘電体中に結合し、放電空間にマイクロ波電
界を形成してプラズマを発生するように構成したことに
より、大面積且つ、均一なプラズマを発生できるマイク
ロ波プラズマ装置が得られる。
また、この発明の請求項２の発明によれば、請求項１の
発明に加え、マイクロ波回路を矩形導波管で構成し、そ
の壁面の一部をマイクロ波回路の終端部としで用いるの
で、部品数が少なくできるマイクロ波プラズマ装置が得
られる。
発明に加え、マイクロ波回路を矩形導波管で構成し、そ
の壁面の一部をマイクロ波回路の終端部としで用いるの
で、部品数が少なくできるマイクロ波プラズマ装置が得
られる。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロ波プラズマ
装置を示す断面図、第２図は第１図のマイクロ波プラズ
マ装置の斜視図５第３図はこの発明の他の実施例による
マイクロ波プラズマ装置を示す斜視図、第４図はこの発
明のさらに他の実施例によるマイクロ波プラズマ装置を
示す断面図、第５図はこの発明のさらに他の実施例によ
るマイクロ波プラズマ装置を示す斜視図、第６図は従来
のマイクロ波プラズマ装置を示す断面図である。 （ＩＩＩ） ・・・リング状矩形導波管、（１１２）
・・・終端板、（１１４１・・・板状誘電体、（＋
１６１ ・・・真空チャンバー、（１１７） ・・
・スリット、（１１８） ・・・板状誘電体の壁面、（
＋２１１ ・・・放電空間６ なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第３図
１１５
装置を示す断面図、第２図は第１図のマイクロ波プラズ
マ装置の斜視図５第３図はこの発明の他の実施例による
マイクロ波プラズマ装置を示す斜視図、第４図はこの発
明のさらに他の実施例によるマイクロ波プラズマ装置を
示す断面図、第５図はこの発明のさらに他の実施例によ
るマイクロ波プラズマ装置を示す斜視図、第６図は従来
のマイクロ波プラズマ装置を示す断面図である。 （ＩＩＩ） ・・・リング状矩形導波管、（１１２）
・・・終端板、（１１４１・・・板状誘電体、（＋
１６１ ・・・真空チャンバー、（１１７） ・・
・スリット、（１１８） ・・・板状誘電体の壁面、（
＋２１１ ・・・放電空間６ なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第３図
１１５
Claims (2)
- （１）プラズマ発光媒体を封入した放電空間、この放電
空間の一面に形成された透光性の板状誘電体、及び上記
板状誘電体の長手方向の端面を囲じょうするマイクロ波
回路を備え、上記マイクロ波回路内の上記板状誘電体の
厚み方向の電界成分を有するマイクロ波を上記板状誘電
体の端面の外周から導入して上記板状誘電体中に結合し
、上記放電空間にマイクロ波電界を形成してプラズマを
発生するように構成したことを特徴とするマイクロ波プ
ラズマ装置。 - （２）マイクロ波回路を矩形導波管で構成し、この矩形
導波管の壁面を上記マイクロ波回路の終端としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波プラ
ズマ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310364A JP2808888B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | マイクロ波プラズマ装置 |
| US07/778,569 US5359177A (en) | 1990-11-14 | 1991-10-17 | Microwave plasma apparatus for generating a uniform plasma |
| DE4134900A DE4134900C2 (de) | 1990-11-14 | 1991-10-18 | Mikrowellenplasmagerät und Mikrowellen-Entladungslichtquellengerät damit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2310364A JP2808888B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181646A true JPH04181646A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2808888B2 JP2808888B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=18004355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2310364A Expired - Fee Related JP2808888B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808888B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1082569C (zh) * | 1996-03-01 | 2002-04-10 | 佳能株式会社 | 微波等离子体处理装置及其处理方法 |
| WO2012147771A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 東海ゴム工業株式会社 | マイクロ波プラズマ生成装置、およびそれを用いたマグネトロンスパッタ成膜装置 |
| JP2012234643A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Tokai Rubber Ind Ltd | マイクロ波プラズマ生成装置、およびそれを用いたマグネトロンスパッタ成膜装置 |
| WO2013073443A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 東海ゴム工業株式会社 | プラズマ改質成膜装置 |
| JP2014070236A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokai Rubber Ind Ltd | マグネトロンスパッタ成膜装置、マグネトロンスパッタ成膜方法、およびそれを用いて製造されるフィルム部材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01100896A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2310364A patent/JP2808888B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2808888B2 (ja) | 1998-10-08 |
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