JPH10241891A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH10241891A JPH10241891A JP9037296A JP3729697A JPH10241891A JP H10241891 A JPH10241891 A JP H10241891A JP 9037296 A JP9037296 A JP 9037296A JP 3729697 A JP3729697 A JP 3729697A JP H10241891 A JPH10241891 A JP H10241891A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- microwave
- reaction chamber
- plasma processing
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大面積の試料を処理するときであっても、試料
を高速でプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供す
る。 【解決手段】マイクロ波導波路用の誘電体層（３２）、
誘電体層（３２）に対向して設けられているマイクロ波
導入窓（１４）およびこのマイクロ波導入窓（１４）に
対面するように内部に試料台（１５）が配置されている
反応室（１２）を備えるプラズマ処理装置であって、マ
イクロ波導入窓（１４）から５ｍｍ以内の位置に反応室
（１２）へのガスの導入口（１６ｇ）が開口しているプ
ラズマ処理装置。
を高速でプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供す
る。 【解決手段】マイクロ波導波路用の誘電体層（３２）、
誘電体層（３２）に対向して設けられているマイクロ波
導入窓（１４）およびこのマイクロ波導入窓（１４）に
対面するように内部に試料台（１５）が配置されている
反応室（１２）を備えるプラズマ処理装置であって、マ
イクロ波導入窓（１４）から５ｍｍ以内の位置に反応室
（１２）へのガスの導入口（１６ｇ）が開口しているプ
ラズマ処理装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子基板や
液晶ディスプレイ用ガラス基板等にプラズマを利用して
エッチング、アッシングおよびＣＶＤ等の処理を施すの
に適したプラズマ処理装置に関する。
液晶ディスプレイ用ガラス基板等にプラズマを利用して
エッチング、アッシングおよびＣＶＤ等の処理を施すの
に適したプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造プロセスでは、反応ガスに外
部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプ
ラズマを用いてエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処
理を施すことが広く行われている。特に、プラズマを用
いたドライエッチング技術はこのＬＳＩ製造プロセスに
とって不可欠な基本技術となっている。
部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプ
ラズマを用いてエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処
理を施すことが広く行われている。特に、プラズマを用
いたドライエッチング技術はこのＬＳＩ製造プロセスに
とって不可欠な基本技術となっている。
【０００３】近年、これらのプラズマ処理に、１３．５
６ＭＨｚ程度の高周波を用いた平行平板型プラズマ装置
以外に、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる装置
が用いられるようになってきている。マイクロ波を用い
る方が１３．５６ＭＨｚ前後の高周波を用いた平行平板
型プラズマ装置に比べて、高密度のプラズマを発生させ
ることが容易なためである。
６ＭＨｚ程度の高周波を用いた平行平板型プラズマ装置
以外に、マイクロ波を用いてプラズマを発生させる装置
が用いられるようになってきている。マイクロ波を用い
る方が１３．５６ＭＨｚ前後の高周波を用いた平行平板
型プラズマ装置に比べて、高密度のプラズマを発生させ
ることが容易なためである。
【０００４】しかし、一般にマイクロ波を用いたプラズ
マ処理装置では、広い領域に均一にプラズマを発生させ
ることが難しいという問題がある。そこで、この問題を
解決すべく、本出願人は誘電体層を用いたプラズマ処理
装置を提案している（特開昭６２−５６００号公報）。
マ処理装置では、広い領域に均一にプラズマを発生させ
ることが難しいという問題がある。そこで、この問題を
解決すべく、本出願人は誘電体層を用いたプラズマ処理
装置を提案している（特開昭６２−５６００号公報）。
【０００５】図４は、従来の誘電体層を用いたプラズマ
処理装置を示す模式的断面図である。
処理装置を示す模式的断面図である。
【０００６】反応容器１１は、ガス導入機構が設けられ
ているガス導入部１６と容器本体部１７から構成され、
その内部は試料台１５が配置される反応室１２となって
いる。ガスは、ガス供給管２１から供給され、反応室１
２の内壁に沿って設けられたガス導入口１６ｇを通じて
反応室１２に導入されるようになっている。ガス導入口
１６ｇは、通常、マイクロ波導入窓１４から２０ｍｍ程
度の位置に設けられている。
ているガス導入部１６と容器本体部１７から構成され、
その内部は試料台１５が配置される反応室１２となって
いる。ガスは、ガス供給管２１から供給され、反応室１
２の内壁に沿って設けられたガス導入口１６ｇを通じて
反応室１２に導入されるようになっている。ガス導入口
１６ｇは、通常、マイクロ波導入窓１４から２０ｍｍ程
度の位置に設けられている。
【０００７】反応容器１１の上部には、マイクロ波導入
窓１４が試料台１５と対面するように設けられている。
そして、マイクロ波導入窓１４に対向して誘電体層３２
が設けられている。マイクロ波導入窓１４としては、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や石英ガラス（ＳｉＯ2 ）の平板が
用いられる。また、誘電体層３２としてはフッ素樹脂な
どが用いられる。
窓１４が試料台１５と対面するように設けられている。
そして、マイクロ波導入窓１４に対向して誘電体層３２
が設けられている。マイクロ波導入窓１４としては、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や石英ガラス（ＳｉＯ2 ）の平板が
用いられる。また、誘電体層３２としてはフッ素樹脂な
どが用いられる。
【０００８】マイクロ波発振器３５において発振された
マイクロ波は、導波管３４を介して誘電体層３２に導入
される。誘電体層３２を伝播するマイクロ波により誘電
体層３２の下方に電界が形成され、この電界がマイクロ
波導入窓１４を透過して反応室１２に導入される。この
電界によりガス供給管２１から導入されるガスが励起さ
れ、プラズマが生成され、試料Ｓの表面にエッチングな
どのプラズマ処理が施される。
マイクロ波は、導波管３４を介して誘電体層３２に導入
される。誘電体層３２を伝播するマイクロ波により誘電
体層３２の下方に電界が形成され、この電界がマイクロ
波導入窓１４を透過して反応室１２に導入される。この
電界によりガス供給管２１から導入されるガスが励起さ
れ、プラズマが生成され、試料Ｓの表面にエッチングな
どのプラズマ処理が施される。
【０００９】この装置は、マイクロ波導入窓１４および
誘電体層３２の面積を大きくすることにより、広い平面
領域に均一にプラズマを発生させることができるという
利点を備えている。
誘電体層３２の面積を大きくすることにより、広い平面
領域に均一にプラズマを発生させることができるという
利点を備えている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
誘電体層を用いたプラズマ処理装置においては、プラズ
マ処理速度の試料面内の均一性を確保するため、試料に
比べて広い領域でプラズマを発生させる構成としてい
る。そのため、試料の大面積化にあわせプラズマ発生領
域を広げるにつれて、試料のプラズマ処理速度の低下と
いう問題が大きくなってきた。
誘電体層を用いたプラズマ処理装置においては、プラズ
マ処理速度の試料面内の均一性を確保するため、試料に
比べて広い領域でプラズマを発生させる構成としてい
る。そのため、試料の大面積化にあわせプラズマ発生領
域を広げるにつれて、試料のプラズマ処理速度の低下と
いう問題が大きくなってきた。
【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、大面積の試料に対しても高速のプラ
ズマ処理を施すことが可能なプラズマ処理装置を提供す
ることを目的としている。
されたものであり、大面積の試料に対しても高速のプラ
ズマ処理を施すことが可能なプラズマ処理装置を提供す
ることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、マイクロ波導波路用の誘電体層、誘電体層に対向
して設けられているマイクロ波導入窓、およびこのマイ
クロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置され
ている反応室を備えるプラズマ処理装置であって、マイ
クロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に反応室へのガスの
導入口が開口していることを特徴としている。
置は、マイクロ波導波路用の誘電体層、誘電体層に対向
して設けられているマイクロ波導入窓、およびこのマイ
クロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置され
ている反応室を備えるプラズマ処理装置であって、マイ
クロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に反応室へのガスの
導入口が開口していることを特徴としている。
【００１３】本発明者は、誘電体層にマイクロ波を伝播
させ、この誘電体層から洩れてくるマイクロ波をマイク
ロ波導入窓を介して反応室に導入する上記構成の装置に
おいては、反応室内のマイクロ波の電界強度がマイクロ
波導入窓から離れるに従って、指数関数的に減少するこ
とに着目した。そして、ガスの導入位置を変えてプラズ
マを発生させる試験を行い、ガスの導入位置をマイクロ
波導入窓に近づけることによりプラズマを強く発生させ
ることができることを確認し、本発明を完成させた。
させ、この誘電体層から洩れてくるマイクロ波をマイク
ロ波導入窓を介して反応室に導入する上記構成の装置に
おいては、反応室内のマイクロ波の電界強度がマイクロ
波導入窓から離れるに従って、指数関数的に減少するこ
とに着目した。そして、ガスの導入位置を変えてプラズ
マを発生させる試験を行い、ガスの導入位置をマイクロ
波導入窓に近づけることによりプラズマを強く発生させ
ることができることを確認し、本発明を完成させた。
【００１４】すなわち、本発明のプラズマ処理装置で
は、ガスの導入位置を従来に比べてマイクロ波導入窓に
近づける、すなわちマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の
範囲としている。そのため、マイクロ波の電界強度の強
い領域にガスを導入するので、従来装置に比べて強くプ
ラズマを発生させることができる。その結果、試料のプ
ラズマ処理速度を向上させることができ、大面積の試料
に対しても高速のプラズマ処理を施すことが可能にな
る。
は、ガスの導入位置を従来に比べてマイクロ波導入窓に
近づける、すなわちマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の
範囲としている。そのため、マイクロ波の電界強度の強
い領域にガスを導入するので、従来装置に比べて強くプ
ラズマを発生させることができる。その結果、試料のプ
ラズマ処理速度を向上させることができ、大面積の試料
に対しても高速のプラズマ処理を施すことが可能にな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。
て図面に基づいて説明する。
【００１６】図１は、本発明のプラズマ処理装置の１例
を示す模式的縦断面図である。反応容器１１は、ガス導
入部を備えるガス導入部１６と容器本体部１７とから構
成されている。反応容器１１は中空直方体形状をしてお
り、その内部は反応室１２となっている。ガス導入部１
６および容器本体部１７は、ともにアルミニウムやステ
ンレス鋼などの金属で作製される。
を示す模式的縦断面図である。反応容器１１は、ガス導
入部を備えるガス導入部１６と容器本体部１７とから構
成されている。反応容器１１は中空直方体形状をしてお
り、その内部は反応室１２となっている。ガス導入部１
６および容器本体部１７は、ともにアルミニウムやステ
ンレス鋼などの金属で作製される。
【００１７】反応容器１１の上部には、マイクロ波導入
窓１４が配設されている。マイクロ波導入窓１４は、耐
熱性とマイクロ波透過性にすぐれ、かつ誘電損失が小さ
い誘電体、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）などで作製される。
窓１４が配設されている。マイクロ波導入窓１４は、耐
熱性とマイクロ波透過性にすぐれ、かつ誘電損失が小さ
い誘電体、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や石英ガラス
（ＳｉＯ2 ）などで作製される。
【００１８】マイクロ波導入窓１４の上方には、上部を
アルミニウムなどの金属板３３で覆われた誘電体層３２
が、マイクロ波導入窓１４と対向するようにして配設さ
れている。誘電体層３２は、導波管３４を介してマイク
ロ波発振器３５に連結されている。この誘電体層３２
は、例えばフッ素樹脂やポリエチレンやポリスチレンな
どの誘電損失の小さい材料で構成される。マイクロ波の
周波数としては、例えば２．４５ＧＨｚが用いられる。
アルミニウムなどの金属板３３で覆われた誘電体層３２
が、マイクロ波導入窓１４と対向するようにして配設さ
れている。誘電体層３２は、導波管３４を介してマイク
ロ波発振器３５に連結されている。この誘電体層３２
は、例えばフッ素樹脂やポリエチレンやポリスチレンな
どの誘電損失の小さい材料で構成される。マイクロ波の
周波数としては、例えば２．４５ＧＨｚが用いられる。
【００１９】反応室１２には、試料Ｓが載置される試料
台１５がマイクロ波導入窓１４と対面する位置に配設さ
れている。試料台１５には、試料Ｓを所定温度に保持す
るための恒温媒体循環機構（図示せず）などが備えられ
ている。
台１５がマイクロ波導入窓１４と対面する位置に配設さ
れている。試料台１５には、試料Ｓを所定温度に保持す
るための恒温媒体循環機構（図示せず）などが備えられ
ている。
【００２０】ガス導入部１６にはガス供給管２１が接続
されており、ガス導入部１６を介して反応室１２にガス
が導入される。また、反応容器１１の底部には排気口２
２が設けられており、プラズマ処理に使用されたガスが
排気される。
されており、ガス導入部１６を介して反応室１２にガス
が導入される。また、反応容器１１の底部には排気口２
２が設けられており、プラズマ処理に使用されたガスが
排気される。
【００２１】ガス導入部１６および反応室１２へのガス
の導入について説明する。
の導入について説明する。
【００２２】図２は、図１に示すＡ部の部分拡大図であ
る。
る。
【００２３】ガス導入部１６が容器本体部１７の上に配
設され、さらにマイクロ波導入窓１４がガス導入部１６
の上に配設されている。Ｏリング１９およびＯリング２
０により、反応室１２は気密に封止される。
設され、さらにマイクロ波導入窓１４がガス導入部１６
の上に配設されている。Ｏリング１９およびＯリング２
０により、反応室１２は気密に封止される。
【００２４】ガス導入部１６は、反応容器１１を構成す
る容器壁部１６ａと反応室１２へのガス導入口１６ｇを
形成する環状部１６ｂとから構成されている。この例で
は、さらにバッファ室１６ｄも設けられている。バッフ
ァ室１６ｄは反応室１２の周囲に沿って容器壁部１６ａ
を貫いて設けられ、ガス供給管２１から供給されたガス
を反応室１２の周囲に沿って均一化するものである。
る容器壁部１６ａと反応室１２へのガス導入口１６ｇを
形成する環状部１６ｂとから構成されている。この例で
は、さらにバッファ室１６ｄも設けられている。バッフ
ァ室１６ｄは反応室１２の周囲に沿って容器壁部１６ａ
を貫いて設けられ、ガス供給管２１から供給されたガス
を反応室１２の周囲に沿って均一化するものである。
【００２５】ガスは、図中に矢印で示すように、ガス供
給管２１から供給され、管１６ｃを経て、バッファ室１
６ｄで拡散混合されて均一化されて、反応室１２の内壁
に沿って設けられた複数の管１６ｅに供給される。そし
て反応室１２の内壁に沿う環状の経路１６ｆを経て、ガ
ス導入口１６ｇから反応室１２に導入される。
給管２１から供給され、管１６ｃを経て、バッファ室１
６ｄで拡散混合されて均一化されて、反応室１２の内壁
に沿って設けられた複数の管１６ｅに供給される。そし
て反応室１２の内壁に沿う環状の経路１６ｆを経て、ガ
ス導入口１６ｇから反応室１２に導入される。
【００２６】このガス導入口１６ｇが開口する位置は、
マイクロ波導入窓１４から５ｍｍ以内が良い。すなわ
ち、マイクロ波導入窓１４からガス導入口１６ｇまでの
距離ｄ≦５ｍｍとなるように環状部１６ｂが構成され
る。この構成とすることにより、マイクロ波導入窓１４
のすぐ下のマイクロ波電界の強い領域にガスを供給する
ことができる。
マイクロ波導入窓１４から５ｍｍ以内が良い。すなわ
ち、マイクロ波導入窓１４からガス導入口１６ｇまでの
距離ｄ≦５ｍｍとなるように環状部１６ｂが構成され
る。この構成とすることにより、マイクロ波導入窓１４
のすぐ下のマイクロ波電界の強い領域にガスを供給する
ことができる。
【００２７】このように構成されたプラズマ処理装置を
用いて、試料Ｓの表面にエッチングなどのプラズマ処理
を施す場合について、図１に基づき説明する。
用いて、試料Ｓの表面にエッチングなどのプラズマ処理
を施す場合について、図１に基づき説明する。
【００２８】反応室１２を排気口２２から排気する。
【００２９】ガス供給管２１から供給されたガスを、
ガス導入部１６を通じて反応室１２に導入する。
ガス導入部１６を通じて反応室１２に導入する。
【００３０】マイクロ波発振器３５からマイクロ波を
発振させて、誘電体層３２にマイクロ波を導入する。誘
電体層３２から洩れてくるマイクロ波がマイクロ波導入
窓１４を透過し、反応室１２にプラズマを発生させる。
その結果、試料Ｓにエッチングなどのプラズマ処理が施
される。
発振させて、誘電体層３２にマイクロ波を導入する。誘
電体層３２から洩れてくるマイクロ波がマイクロ波導入
窓１４を透過し、反応室１２にプラズマを発生させる。
その結果、試料Ｓにエッチングなどのプラズマ処理が施
される。
【００３１】このとき、マイクロ波導入窓１４のすぐ下
のマイクロ波電界の強い領域にガスを供給するため、プ
ラズマを強く発生させることができ、その結果、試料Ｓ
のプラズマ処理速度を高めることができる。
のマイクロ波電界の強い領域にガスを供給するため、プ
ラズマを強く発生させることができ、その結果、試料Ｓ
のプラズマ処理速度を高めることができる。
【００３２】なお、ガス導入口の開口面は、マイクロ波
導入窓に平行である必要はない。この場合、反応室への
ガス導入口の開口部全体がマイクロ波導入窓から５ｍｍ
以内にあることが好ましいが、少なくとも一部がマイク
ロ波導入窓から５ｍｍ以内にあれば、プラズマを強く発
生させる所定の効果が得られることは言うまでもない。
導入窓に平行である必要はない。この場合、反応室への
ガス導入口の開口部全体がマイクロ波導入窓から５ｍｍ
以内にあることが好ましいが、少なくとも一部がマイク
ロ波導入窓から５ｍｍ以内にあれば、プラズマを強く発
生させる所定の効果が得られることは言うまでもない。
【００３３】また、プラズマ処理装置が反応室へのガス
導入口を複数箇所備えている場合は、すべてのガス導入
口をマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内に設けることが好
ましいが、少なくとも１つのガス導入口をマイクロ波導
入窓から５ｍｍ以内に設ければ良い。
導入口を複数箇所備えている場合は、すべてのガス導入
口をマイクロ波導入窓から５ｍｍ以内に設けることが好
ましいが、少なくとも１つのガス導入口をマイクロ波導
入窓から５ｍｍ以内に設ければ良い。
【００３４】
【実施例】本発明の実施例について説明する。本実施例
で用いたプラズマ処理装置は、図１および図２に示した
ものである。マイクロ波導入窓１４としてアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）板を用いた。また、マイクロ波の周波数は２．
４５ＧＨｚとした。
で用いたプラズマ処理装置は、図１および図２に示した
ものである。マイクロ波導入窓１４としてアルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）板を用いた。また、マイクロ波の周波数は２．
４５ＧＨｚとした。
【００３５】ガス導入口の位置がプラズマ処理に与える
効果を評価するため、図２に示すマイクロ波導入窓から
ガス導入口までの距離ｄを変化させて、アモルファスシ
リコンをエッチングし、エッチング速度を測定した。距
離ｄは、高さの異なる環状部１６ｂを用いて変化させ
た。変化させた距離ｄは、１ｍｍ（本発明例）、５ｍｍ
（本発明例）、１０ｍｍ（比較例）、２０ｍｍ（比較
例）は４つである。ガス導入口の幅（経路１６ｆの幅）
は２ｍｍである。用いた試料は、５００ｍｍ×４００ｍ
ｍのガラス基板上にプラズマＣＶＤによりアモルファス
シリコンを３００ｎｍ成膜したものである。エッチング
条件は、エッチングガス：ＣＦ4とＯ2の混合ガス、圧
力：３００mTorrおよびマイクロ波電力：３ｋＷとし
た。
効果を評価するため、図２に示すマイクロ波導入窓から
ガス導入口までの距離ｄを変化させて、アモルファスシ
リコンをエッチングし、エッチング速度を測定した。距
離ｄは、高さの異なる環状部１６ｂを用いて変化させ
た。変化させた距離ｄは、１ｍｍ（本発明例）、５ｍｍ
（本発明例）、１０ｍｍ（比較例）、２０ｍｍ（比較
例）は４つである。ガス導入口の幅（経路１６ｆの幅）
は２ｍｍである。用いた試料は、５００ｍｍ×４００ｍ
ｍのガラス基板上にプラズマＣＶＤによりアモルファス
シリコンを３００ｎｍ成膜したものである。エッチング
条件は、エッチングガス：ＣＦ4とＯ2の混合ガス、圧
力：３００mTorrおよびマイクロ波電力：３ｋＷとし
た。
【００３６】図３は、エッチング速度のガラス基板面内
の分布を示す図である。
の分布を示す図である。
【００３７】本発明例（ｄ＝１ｍｍおよびｄ＝５ｍｍ）
のエッチング速度は、比較例（ｄ＝１０ｍｍおよびｄ＝
２０ｍｍ）に比べて増加した。例えば、本発明例（ｄ＝
１ｍｍ）のエッチング速度は、比較例（ｄ＝２０ｍｍ）
のエッチング速度の約１．５倍であった。また、エッチ
ング速度の基板面内の均一性は、本発明例および比較例
ともにそれほど変わらなかった。
のエッチング速度は、比較例（ｄ＝１０ｍｍおよびｄ＝
２０ｍｍ）に比べて増加した。例えば、本発明例（ｄ＝
１ｍｍ）のエッチング速度は、比較例（ｄ＝２０ｍｍ）
のエッチング速度の約１．５倍であった。また、エッチ
ング速度の基板面内の均一性は、本発明例および比較例
ともにそれほど変わらなかった。
【００３８】すなわち、マイクロ波導入窓からガス導入
口までの距離ｄを小さくすることにより、エッチング速
度を増加させることができることを確認できた。
口までの距離ｄを小さくすることにより、エッチング速
度を増加させることができることを確認できた。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のプラズマ
処理装置にあっては、プラズマを強く発生させることが
できるので、大面積の試料に対しても、高速のプラズマ
処理を施すことが可能である。
処理装置にあっては、プラズマを強く発生させることが
できるので、大面積の試料に対しても、高速のプラズマ
処理を施すことが可能である。
【図１】本発明のプラズマ処理装置の１例を示す模式的
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１に示すＡ部の部分拡大図である。
【図３】エッチング速度の基板面内の分布を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の誘電体層を用いたプラズマ処理装置を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
１１ 反応容器 １２ 反応室 １４ マイクロ波導入窓 １５ 試料台 １６ ガス導入部 １６ａ 容器壁部 １６ｂ 環状部 １６ｃ 管 １６ｄ バッファ室 １６ｅ 管 １６ｆ ガス経路 １６ｇ ガス導入口 １７ 容器本体部 １９ Ｏリング ２０ Ｏリング ２１ ガス供給管 ２２ 排気口 ３１ 中空部 ３２ 誘電体層 ３３ 金属板 ３４ 導波管 ３５ マイクロ波発振器 Ｓ 試料（ガラス基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】マイクロ波導波路用の誘電体層、誘電体層
に対向して設けられているマイクロ波導入窓、およびこ
のマイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配
置されている反応室を備えるプラズマ処理装置であっ
て、マイクロ波導入窓から５ｍｍ以内の位置に反応室へ
のガスの導入口が開口していることを特徴とするプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037296A JPH10241891A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9037296A JPH10241891A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241891A true JPH10241891A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12493750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9037296A Pending JPH10241891A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241891A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091571A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびガス供給管パーツの製造方法 |
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1997
- 1997-02-21 JP JP9037296A patent/JPH10241891A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091571A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびガス供給管パーツの製造方法 |
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