JP2009206167A - 気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
排気系配管内への反応物の堆積を抑制することのできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して原料ガスを供給するガス供給手段と、前記サセプターと前記チャンバ内で対向し、又は前記サセプターを支持するステージと、前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有する構造体と、前記チャンバ内のガスの流れ方向から見て前記構造体の下流に設けられ、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。
【選択図】 図1
Description
原料ガスの平均濃度が高ければ反応副生成物も多く形成され、平均濃度が低ければ反応生成物の生成も少ないと考えられるため、上述の式(1)の減少率が大きいことは排気ポート8に入り込む反応副生成物の量が少なくなることを意味する。
Claims (10)
- 内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、
前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、
前記サセプター上の成長基板に対して原料ガスを供給するガス供給手段と、
前記サセプターと前記チャンバ内で対向し、又は前記サセプターを支持するステージと、
前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有する構造体と、
前記チャンバ内のガスの流れ方向から見て前記構造体の下流に設けられ、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段と
を有する気相成長装置。 - 前記構造体は、さらにその外縁部から前記排気ガスの流れ方向に沿って伸びる延伸部を有する請求項1記載の気相成長装置。
- 前記延伸部の長さLと、前記ステージの外縁部から前記チャンバの内壁までの距離S0との比L/S0が0.2以上である請求項1又は2記載の気相成長装置。
- 前記ステージの外縁部から前記チャンバの内壁までの距離S0と前記構造体の外縁部から前記チャンバの内壁までの距離Sとの比S/S0が0.8以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 前記チャンバ内の圧力が、5〜100kPaである請求項1〜4のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 前記ガス供給手段は、前記サセプターの略中央から原料ガスを供給し、かつ、前記サセプターの成長基板を設置する面に対して略平行方向へ原料ガスを流す請求項1〜5のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 前記ガス供給手段は、前記サセプターに対向する側から原料ガスを供給し、かつ、前記サセプターの成長基板を設置する面に対して略垂直方向へ原料ガスを吹き付ける請求項1〜6のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 前記延伸部は、前記サセプターの成長基板を設置する面に対して略垂直方向に伸び、該方向を延長した方向に前記排気手段が設けられる請求項3記載の気相成長装置。
- 内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、
前記チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内において、成長基板を設置するための面が略水平に設置され、かつ、回転軸で支持され、かつ、前記ガス供給部に対向して設置されたサセプターと、
前記チャンバ内において前記サセプターを支持するステージと、
前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有し、外縁部から略垂直下方向へ伸びる延伸部を有する構造体と、
前記構造体方向から流れてくる排気ガスを排出するために前記チャンバ内の前記構造体の下方に設けられた排気ポートと
を有する気相成長装置。 - 内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、
前記チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバ内において、成長基板を設置するための面が略水平に設置され、かつ、回転軸で支持され、かつ、前記ガス供給部を中心としてその周囲に設置されたサセプターと、
前記チャンバ内において前記サセプターと対向するステージと、
前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有し、外縁部から略垂直下方向へ伸びる延伸部を有する構造体と、
前記構造体方向から流れてくる排気ガスを排出するために前記チャンバ内の前記構造体の下方に設けられた排気ポートと
を有する気相成長装置。
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