JPS60178616A - 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ - Google Patents
分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダInfo
- Publication number
- JPS60178616A JPS60178616A JP59034209A JP3420984A JPS60178616A JP S60178616 A JPS60178616 A JP S60178616A JP 59034209 A JP59034209 A JP 59034209A JP 3420984 A JP3420984 A JP 3420984A JP S60178616 A JPS60178616 A JP S60178616A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- fixed shaft
- lead wire
- temperature
- heat
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/063—Heating of the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダに関す
る。
る。
以下、従来技術を図面を用いて説明する。第１図は本発
明で対象とする分子線エピタキシ装置の基板を保持１回
転させる試料回転ホルダの従来構造を示す図である。■
は基板（図示せず）を保持する基板保持部、２はこの基
板保持部１を回転させる回転軸、３は基板を加熱する加
熱機構を保持。
明で対象とする分子線エピタキシ装置の基板を保持１回
転させる試料回転ホルダの従来構造を示す図である。■
は基板（図示せず）を保持する基板保持部、２はこの基
板保持部１を回転させる回転軸、３は基板を加熱する加
熱機構を保持。
固定する固定軸、４は軸受、５は回転軸２に回転を伝達
するカサバ歯車、６は固定軸３を保持する保持板、７は
大気中より回転導入機構（図示せず）を通して超高真空
中にある試料回転ホルダに回転を伝達する軸である。本
機構は、エピタキシャル成長時に先端の基板保持部１を
回転させると同時に、基板の受渡し時に必要な位置まで
試料回転ホルダ全体を回転させる機能も有している。
するカサバ歯車、６は固定軸３を保持する保持板、７は
大気中より回転導入機構（図示せず）を通して超高真空
中にある試料回転ホルダに回転を伝達する軸である。本
機構は、エピタキシャル成長時に先端の基板保持部１を
回転させると同時に、基板の受渡し時に必要な位置まで
試料回転ホルダ全体を回転させる機能も有している。
一方、基板の温度はエピタキシャル成長シュ重大な影響
を及ぼし、例えばＧ ａ Ａ ｓ系では６００〜８００
℃に、またＳｔ系では１０００℃程度の高温に基板全面
を均一に保つことが必要である。加熱は、基板保持部ｌ
の直ぐ内面に設けたヒータ８からの輻射により行われる
。このヒータ８は絶縁材よりなるヒータベース９上に取
付けられており、ヒータベース９は支柱１０により固定
軸３に取付けられて、保持される。また、ヒータ８のリ
ード線８′は固定軸３の内側を通って、試料回転ホルダ
の外部に導かれる構造となっている。さらに、ヒータベ
ース９の背後には、複数の輻射シールド板１１が数句け
られており、ヒータ８からの熱の逃げを防いでいる。
を及ぼし、例えばＧ ａ Ａ ｓ系では６００〜８００
℃に、またＳｔ系では１０００℃程度の高温に基板全面
を均一に保つことが必要である。加熱は、基板保持部ｌ
の直ぐ内面に設けたヒータ８からの輻射により行われる
。このヒータ８は絶縁材よりなるヒータベース９上に取
付けられており、ヒータベース９は支柱１０により固定
軸３に取付けられて、保持される。また、ヒータ８のリ
ード線８′は固定軸３の内側を通って、試料回転ホルダ
の外部に導かれる構造となっている。さらに、ヒータベ
ース９の背後には、複数の輻射シールド板１１が数句け
られており、ヒータ８からの熱の逃げを防いでいる。
ところで、上述した従来構造の加熱機構は以下に述べる
欠点を有していた。すなわち、ヒータベース９を保持す
る支柱１０が直接固定軸３に取付けられているため、高
温のヒータベース９から熱伝導により固定軸３に熱が伝
達され、さらに固定軸３を介して軸受４に熱が伝達され
る。このために、軸受４部の温度が非常に高くなってい
た。さらに、ヒータ８の線自体がヒータのリード線８′
となって試料回転ホルダの外部に導かれているため、リ
ード線８′自体も発熱し、固定軸３の内側を通るリード
線８′の発熱のほとんどが固定軸３に伝達され、固定軸
３及び軸受４の温度を高くしていた。以上のことから、
軸受４の信頼性、及び寿命に著るしく悪影響を及ぼすと
いう欠点があった。
欠点を有していた。すなわち、ヒータベース９を保持す
る支柱１０が直接固定軸３に取付けられているため、高
温のヒータベース９から熱伝導により固定軸３に熱が伝
達され、さらに固定軸３を介して軸受４に熱が伝達され
る。このために、軸受４部の温度が非常に高くなってい
た。さらに、ヒータ８の線自体がヒータのリード線８′
となって試料回転ホルダの外部に導かれているため、リ
ード線８′自体も発熱し、固定軸３の内側を通るリード
線８′の発熱のほとんどが固定軸３に伝達され、固定軸
３及び軸受４の温度を高くしていた。以上のことから、
軸受４の信頼性、及び寿命に著るしく悪影響を及ぼすと
いう欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、軸受部の温度を著るしく低減し、分子
線エビタキ装置の信頼性ある試料回転ホルダを提供する
ことにある。
線エビタキ装置の信頼性ある試料回転ホルダを提供する
ことにある。
本発明は上記の目的を達成するために、ヒータベータ支
柱にヒータのリード線の役割を兼ねさせ、固定軸の軸受
側端部まで伸ばすことによって、高温のヒータベースか
らの熱伝導による熱の逃げを減少させるとともに、固定
軸内側でのヒータリード線の発熱を防ぎ、軸受部の温度
の著るしい低減をはかったものである。
柱にヒータのリード線の役割を兼ねさせ、固定軸の軸受
側端部まで伸ばすことによって、高温のヒータベースか
らの熱伝導による熱の逃げを減少させるとともに、固定
軸内側でのヒータリード線の発熱を防ぎ、軸受部の温度
の著るしい低減をはかったものである。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。第１
図と同一記号は同一部品を示す。
図と同一記号は同一部品を示す。
第２図で、１２はヒータベース９を保持、固定し、かつ
ヒータ８のリード線にもなっているヒータリード兼支柱
である。ヒータリード兼支柱１２は試料回転ホルダの外
部に突出しており、保持板６に取付けられた絶縁材から
なる電流導入端子板１３により固定、保持されている。
ヒータ８のリード線にもなっているヒータリード兼支柱
である。ヒータリード兼支柱１２は試料回転ホルダの外
部に突出しており、保持板６に取付けられた絶縁材から
なる電流導入端子板１３により固定、保持されている。
以上のように構成することにより、高温のヒータ８．あ
るいはヒータベース９からの熱はヒータリード兼支柱１
２を介して、電流導入端子板１３゜保持板６．さらに固
定軸３を経て軸受４に伝達される。しかし、ヒータリー
ド兼支柱１２の長さが非常に長いため大きな熱抵抗とな
り、電流導入端子１３部では十分に温度が下がっている
。また、ヒータリード兼支柱１２の太さが従来構造のヒ
ータリード線８′ （第１図）に比して十分に太いため
、この部分での発熱はほとんど無視することができ、し
たがって固定軸３が内面から熱せられることもない。こ
のため、軸受４の温度が著るしく低下し、十分な信頼性
をもって、長寿命で試料回転ホルダを運転することが可
能となる。
るいはヒータベース９からの熱はヒータリード兼支柱１
２を介して、電流導入端子板１３゜保持板６．さらに固
定軸３を経て軸受４に伝達される。しかし、ヒータリー
ド兼支柱１２の長さが非常に長いため大きな熱抵抗とな
り、電流導入端子１３部では十分に温度が下がっている
。また、ヒータリード兼支柱１２の太さが従来構造のヒ
ータリード線８′ （第１図）に比して十分に太いため
、この部分での発熱はほとんど無視することができ、し
たがって固定軸３が内面から熱せられることもない。こ
のため、軸受４の温度が著るしく低下し、十分な信頼性
をもって、長寿命で試料回転ホルダを運転することが可
能となる。
なお、必要ならばヒータリード兼支柱１２を支持するた
めに絶縁材でできた軸受１４を固定軸３に取付けてもよ
い。このとき、ヒータリード兼支柱１２と軸受１４とは
点接触させることにより。
めに絶縁材でできた軸受１４を固定軸３に取付けてもよ
い。このとき、ヒータリード兼支柱１２と軸受１４とは
点接触させることにより。
固定軸３への熱の逃げは無視である。
以上説明したように本発明によれば、ヒータ及びヒータ
ベースを保持する支柱とヒータのリード線を同一のもの
とし、ヒータから十分前れた場所で電流導入端子板に固
定したことにより、ヒータ及びヒータベースからの熱伝
導による熱の逃げを小さくすることができ、かつヒータ
リード部での発熱もないために固定軸が内面から熱せら
れることもなく、したがって軸受部の温度を著るしく低
下させるという効果がある。
ベースを保持する支柱とヒータのリード線を同一のもの
とし、ヒータから十分前れた場所で電流導入端子板に固
定したことにより、ヒータ及びヒータベースからの熱伝
導による熱の逃げを小さくすることができ、かつヒータ
リード部での発熱もないために固定軸が内面から熱せら
れることもなく、したがって軸受部の温度を著るしく低
下させるという効果がある。
、第１図は従来の試料回転ホルダの構造を示す平面図、
第２図は本発明になる試料回転ホルダの構造を示す一実
施例の平面図である。 ２・・・回転軸、３・・・固定軸、４・・・軸受、８・
・・ヒータ、８′・・・ヒータリード線、９・・・ヒー
タベース、１０・・・支柱、１２・・・ヒータリード兼
支柱、Ｉ３・・・電流導入端子板。 罰１図 巣 ２ ロ 第１頁の続き ＠発明者 山口 純男 国分寺市Ｊ 央研究所Ｐ ＠発明者 円相 直行 下松市東（ ■恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中タ
第２図は本発明になる試料回転ホルダの構造を示す一実
施例の平面図である。 ２・・・回転軸、３・・・固定軸、４・・・軸受、８・
・・ヒータ、８′・・・ヒータリード線、９・・・ヒー
タベース、１０・・・支柱、１２・・・ヒータリード兼
支柱、Ｉ３・・・電流導入端子板。 罰１図 巣 ２ ロ 第１頁の続き ＠発明者 山口 純男 国分寺市Ｊ 央研究所Ｐ ＠発明者 円相 直行 下松市東（ ■恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所中タ
Claims (1)
- 基板保持機構と基板回転機構と基板加熱機構より成る試
料回転ホルダにおいて、前記基板加熱機構のヒータのリ
ード線で前記基板加熱機構を保持し、前記リード線の端
部を固定軸先端に設けた電流導入端子板に固定したこと
を特徴とする試料回転ホルダ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034209A JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
| US06/706,184 US4580522A (en) | 1984-02-27 | 1985-02-27 | Rotary substrate holder of molecular beam epitaxy apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59034209A JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178616A true JPS60178616A (ja) | 1985-09-12 |
| JPH0138364B2 JPH0138364B2 (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12407764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59034209A Granted JPS60178616A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4580522A (ja) |
| JP (1) | JPS60178616A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61280610A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| US4733937A (en) * | 1986-10-17 | 1988-03-29 | Welch Allyn, Inc. | Illuminating system for endoscope or borescope |
| US5198034A (en) * | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US4821674A (en) * | 1987-03-31 | 1989-04-18 | Deboer Wiebe B | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| JPH0680605B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | 電子部品チップ保持治具および電子部品チップのメタライズ面への金属コーティング方法 |
| US5044943A (en) * | 1990-08-16 | 1991-09-03 | Applied Materials, Inc. | Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus |
| US6506252B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-01-14 | Emcore Corporation | Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition |
| US8514278B2 (en) * | 2006-12-29 | 2013-08-20 | Ge Inspection Technologies Lp | Inspection apparatus having illumination assembly |
| US10224182B2 (en) | 2011-10-17 | 2019-03-05 | Novellus Systems, Inc. | Mechanical suppression of parasitic plasma in substrate processing chamber |
| US10177014B2 (en) * | 2012-12-14 | 2019-01-08 | Applied Materials, Inc. | Thermal radiation barrier for substrate processing chamber components |
| WO2014159367A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-10-02 | The Timken Company | Rotating vacuum chamber coupling assembly |
| EP3100298B1 (en) | 2014-01-27 | 2020-07-15 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2398382A (en) * | 1942-11-17 | 1946-04-16 | Dean A Lyon | Method for coating optical elements |
| US3424628A (en) * | 1966-01-24 | 1969-01-28 | Western Electric Co | Methods and apparatus for treating semi-conductive materials with gases |
| US3751310A (en) * | 1971-03-25 | 1973-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method |
| US3824955A (en) * | 1972-05-15 | 1974-07-23 | A Marks | Apparatus for coating television viewing tubes |
| US4181544A (en) * | 1976-12-30 | 1980-01-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Molecular beam method for processing a plurality of substrates |
| US4207836A (en) * | 1977-07-01 | 1980-06-17 | Hitachi, Ltd. | Vacuum vapor-deposition apparatus |
| US4201152A (en) * | 1978-02-27 | 1980-05-06 | Varian Associates, Inc. | Transfer and temperature monitoring apparatus |
| DE100206T1 (de) * | 1982-07-22 | 1985-02-14 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc., New York, N.Y. | Vorrichtung zum behandeln eines gegenstandes in einer vakuumkammer. |
| US4514250A (en) * | 1982-10-18 | 1985-04-30 | At&T Bell Laboratories | Method of substrate heating for deposition processes |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59034209A patent/JPS60178616A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-27 US US06/706,184 patent/US4580522A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4580522A (en) | 1986-04-08 |
| JPH0138364B2 (ja) | 1989-08-14 |
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