JP2014075453A - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェーハを載置するサセプタのザグリ深さとウェーハ表面温度の相関関係を求める(S1)。ザグリ底面がフラットな面からなる標準ザグリが形成された標準サセプタを用いて、エピタキシャル成長温度におけるウェーハ表面の温度分布を測定する(S2)。ウェーハ表面温度が相対的に低い低温ウェーハ領域に対する、ウェーハ表面温度が相対的に高い高温ウェーハ領域の温度上昇分を打ち消すザグリ深さを、得られた温度分布と相関関係とから求める(S3)。S2の温度分布に応じて部分的にザグリ深さが変わるように、S3で求めたザグリ深さとなるようにザグリ底面の形状を変更した形状変更サセプタを作製する(S3)。形状変更サセプタを用いて、エピタキシャル層を成膜する(S4)。
【選択図】図3
Description
エピタキシャル成長温度におけるウェーハの表面温度と、ウェーハ裏面とザグリ底面の間の距離であるザグリ深さの相関関係を取得する相関関係取得工程と、
ザグリ底面がフラットな面からなる前記ザグリが形成された第1のサセプタを用いて、エピタキシャル成長温度におけるウェーハ表面の温度分布を測定する温度分布測定工程と、
前記温度分布に応じて部分的にザグリ深さが変わるように、前記第1のサセプタの前記ザグリである標準ザグリに対してザグリ底面の形状を前記温度分布及び前記相関関係に応じた分だけ変更した第2のサセプタを作製するサセプタ作製工程と、
前記第2のサセプタを用いてウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、
を含むことを特徴とする。
前記サセプタ作製工程は、前記温度上昇分を打ち消す温度変化を与える前記標準ザグリ深さからの変化分を前記相関関係から求め、求めた変化分だけ、前記高温ザグリ領域を前記標準ザグリ深さよりも深くした前記第2のサセプタを作製する工程とすることができる。
T=100×(tmax−tmin)/(tmax+tmin) ・・・(式1)
110 ウェーハ中央領域(高温ウェーハ領域)
111 ウェーハ中間領域(高温ウェーハ領域)
112 ウェーハ外周領域(低温ウェーハ領域)
17 標準サセプタ(第1のサセプタ)
171 標準ザグリ
171c 標準サセプタのザグリ底面
24、25 加熱手段
200 近似直線(相関関係)
31 相関測定用サセプタ
311 相関測定用サセプタのザグリ
311c 相関測定用サセプタのザグリ底面
312 段差
32 形状変更サセプタ(第2のサセプタ)
321 形状変更サセプタのザグリ
322 形状変更サセプタのザグリ底面
322a ザグリ中央領域(高温ザグリ領域)
322b ザグリ中間領域(高温ザグリ領域)
322c ザグリ外周領域
323a ザグリ中間領域とザグリ外周領域の境界部分
323b ザグリ中央領域とザグリ中間領域の境界部分
Claims (6)
- ウェーハを載置するためのザグリであってウェーハ外周部を支持するとともにウェーハ裏面とザグリ底面の間に空間を有したザグリが形成されたサセプタと、そのサセプタに載置されたウェーハを少なくとも前記サセプタの下方から加熱する加熱手段とを備えた気相成長装置を用いて、ウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
エピタキシャル成長温度におけるウェーハの表面温度と、ウェーハ裏面とザグリ底面の間の距離であるザグリ深さの相関関係を取得する相関関係取得工程と、
ザグリ底面がフラットな面からなる前記ザグリが形成された第1のサセプタを用いて、エピタキシャル成長温度におけるウェーハ表面の温度分布を測定する温度分布測定工程と、
前記温度分布に応じて部分的にザグリ深さが変わるように、前記第1のサセプタの前記ザグリである標準ザグリに対してザグリ底面の形状を前記温度分布及び前記相関関係に応じた分だけ変更した第2のサセプタを作製するサセプタ作製工程と、
前記第2のサセプタを用いてウェーハ上にエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、
を含むことを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記サセプタ作製工程は、ウェーハ表面領域のうち前記温度分布で示される温度が他の領域に比べて相対的に高くなっている高温ウェーハ領域に対応するザグリ底面の領域である高温ザグリ領域を、前記標準ザグリのザグリ深さである標準ザグリ深さよりも前記温度分布及び前記相関関係に応じた分だけ深くした前記第2のサセプタを作製する工程であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記サセプタ作製工程は、ウェーハ表面領域のうち前記温度分布で示される温度が他の領域に比べて相対的に低くなっている低温ウェーハ領域に対する前記高温ウェーハ領域の温度上昇分を打ち消す温度変化を与えるザグリ深さを前記相関関係から求め、求めたザグリ深さとなるように、前記高温ザグリ領域を前記標準ザグリ深さよりも深くした前記第2のサセプタを作製する工程であることを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記相関関係取得工程は、前記標準ザグリ深さから深くする方向にザグリ深さを変化させたときのその変化分に対するウェーハ表面の温度変化を前記相関関係として取得する工程であり、
前記サセプタ作製工程は、前記温度上昇分を打ち消す温度変化を与える前記標準ザグリ深さからの変化分を前記相関関係から求め、求めた変化分だけ、前記高温ザグリ領域を前記標準ザグリ深さよりも深くした前記第2のサセプタを作製する工程であることを特徴とする請求項3に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記相関関係取得工程は、前記標準ザグリに対してザグリ深さをいくつか局所的に変えたサセプタを用いて前記相関関係を求める工程であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記サセプタ作製工程は、ザグリ深さが変わるザグリ底面の境界部分をテーパー状に形成した前記第2のサセプタを作製する工程であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106856183A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 监测基座温度均匀性的方法 |
CN106856181A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 监测基座温度均匀性的方法 |
JP2019204928A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 日機装株式会社 | サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置 |
CN113737151A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种pin开关器件用硅外延片的制备方法 |
CN113737276A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高硅外延生长速率的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151412A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-24 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2004052098A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ |
JP2007067394A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
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2012
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151412A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-24 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2004052098A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ |
JP2007067394A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106856183A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 监测基座温度均匀性的方法 |
CN106856181A (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-16 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 监测基座温度均匀性的方法 |
CN106856183B (zh) * | 2015-12-08 | 2019-09-17 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 监测基座温度均匀性的方法 |
JP2019204928A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 日機装株式会社 | サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置 |
CN113737151A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种pin开关器件用硅外延片的制备方法 |
CN113737276A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高硅外延生长速率的方法 |
CN113737276B (zh) * | 2021-08-30 | 2024-04-16 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种提高硅外延生长速率的方法 |
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