JP6763321B2 - 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 - Google Patents

自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6763321B2
JP6763321B2 JP2017038740A JP2017038740A JP6763321B2 JP 6763321 B2 JP6763321 B2 JP 6763321B2 JP 2017038740 A JP2017038740 A JP 2017038740A JP 2017038740 A JP2017038740 A JP 2017038740A JP 6763321 B2 JP6763321 B2 JP 6763321B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rotation
rotary table
driven gear
rotary
mounting table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017038740A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018147939A (ja
Inventor
小林 健
健 小林
寿 加藤
寿 加藤
行雄 大泉
行雄 大泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017038740A priority Critical patent/JP6763321B2/ja
Priority to KR1020180019908A priority patent/KR102214965B1/ko
Priority to US15/900,836 priority patent/US11572625B2/en
Priority to TW107106295A priority patent/TWI703661B/zh
Priority to CN201810172436.7A priority patent/CN108534665B/zh
Publication of JP2018147939A publication Critical patent/JP2018147939A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6763321B2 publication Critical patent/JP6763321B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/30Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/401Oxides containing silicon
    • C23C16/402Silicon dioxide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を公転させながら自転させると共に、基板に処理ガスを供給して当該基板を処理する装置において、載置台の自転量を検出する技術に関する。
半導体装置の製造工程において、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)に対して成膜するにあたり、例えばALD(Atomic Layer Deposition)が行われている。上記のALDは、半導体装置の生産性を高くするために、複数のウエハを載置した回転テーブルを回転させることでウエハを公転させ、回転テーブルの径方向に沿うように配置される処理ガスの供給領域を繰り返し通過させる装置によって行われる場合がある。
ところで、成膜処理の後工程として実施するエッチング処理では、エッチングレートを同心円状に調整可能な場合がある。従って、成膜処理においても、ウエハに対して同心円状に均一性高く、つまりウエハの周方向に均一性高く成膜を行うことが求められている。しかし、上記のウエハを公転させる成膜装置においては、回転テーブルの径方向に沿って処理ガスが供給されることから、ウエハに形成される膜厚分布は、回転テーブルの中心側から周縁側に向かうに従って膜厚が変移する膜厚分布となる傾向がある。従って、上記の成膜装置において、ウエハを公転させると共に自転させることが必要となっている。
特許文献1及び特許文献2には、成膜処理中にウエハを公転させる成膜装置において、回転テーブルに載置されたウエハを自転させることにより、ウエハの周方向に沿って均一な成膜処理を行う技術が提案されている。特許文献1は、第1の歯車と第2の歯車を用い、当該第2の歯車をモータにより回転させてウエハを自転させるものであるが、第1の歯車と第2の歯車との接触によりパーティクルが発生するおそれがある。特許文献2では、ウエハの自転を、ウエハの載置領域に設けられた自転軸をモータにより回転させることにより行っているので、回転テーブルに複数の載置領域を設けた場合には、モータの数が増加し、制御が煩雑になる懸念がある。
このようなことから、本発明者らは、磁気ギア機構を利用して載置台を磁力により非接触にて自転させることを検討しており、載置台の自転量を正確にかつ容易に検出できる手法の開発が求められている。
特開2016−96220号公報 特開2016−92156号公報
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を公転させながら自転させると共に、基板に処理ガスを供給して基板処理を行うにあたって、載置台の自転量を検出することが可能な技術を提供することにある。
このため、本発明の自転検出用治具は、
処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置に用いられる治具であって、
前記載置台の自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと、
前記回転エレメントの回転角を検出し、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、
前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備え
前記エンコーダ本体は、回転エレメントに対して非接触で配置されていることを特徴とする。
他の発明の自転検出用治具は
処理容器内にて、回転テーブルの上面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置に用いられる治具であって、
前記載置台の自転軸を中心として回転するように前記載置台の上に配置される回転エレメントと、
前記回転エレメントの回転角を検出するために当該回転エレメントの上側に配置され、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、 前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備えたことを特徴とする。
また本発明の基板処理装置は、
処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置において、
前記回転テーブルと共に回転する部位に自転自在に設けられ、前記載置台を支持する自転軸と、
前記自転軸に設けられた従動ギアと、
前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、
前記載置台の自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと、
前記回転エレメントの回転角を検出し、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、
前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備え
前記エンコーダ本体は、回転エレメントに対して非接触で配置されていることを特徴とする。
さらに、本発明の基板処理装置の運転方法は、
処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置を運転する方法において、
前記載置台の自転軸に設けられた従動ギアと、前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、を用い、前記駆動ギアを動作させて前記従動ギアを自転させる工程と、
前記自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成し、前記回転テーブルを含む回転部位に前記回転エレメントに対して非接触の状態で固定部材を介して取り付けられたエンコーダ本体を用い、前記従動ギアの回転角を検出する工程と、を含むことを特徴とする。
さらにまた、本発明の基板処理装置の運転方法は、
処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置を運転する方法において、
載置台の上に配置されるべき回転エレメントを備えた本発明の自転検出用治具を、前記基板を処理する装置に取り付ける工程と、
前記載置台の自転軸に設けられた従動ギアと、前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、を用い、前記駆動ギアを動作させて前記従動ギアを自転させる工程と、
前記自転検出用治具を用いて前記従動ギアの回転角を検出する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、回転テーブルの回転により公転すると共に自転する載置台の自転量を検出するにあたり、回転エレメントを載置台の自転軸を中心として回転するように設け、回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体を用いて、回転エレメントの回転角を検出している。このため、載置台の自転量を正確かつ容易に検出することができる。
本発明の自転検出用冶具を備えた回転テーブルの一実施の形態を示す縦断側面図である。 回転テーブルを示す概略斜視図である。 載置台の下面に設けられた従動ギアを模式的に示す底面図である。 従動ギアと駆動ギアの一部を示す平面図である。 自転検出用冶具を備えた回転テーブルを示す平面図である。 自転検出用冶具の固定部材を示す斜視図である。 自転検出用冶具を示す構成図である。 本発明の自転検出用冶具を備えた回転テーブルの他の例を示す縦断側面図である。 本発明の基板処理装置を適用した成膜装置の一実施の形態を示す縦断側面図である。 成膜装置を示す横断平面図である。 成膜装置に設けられた制御部の一例を示す構成図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。 本発明の評価試験の結果を示す特性図である。
本発明は、処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して基板を処理する装置において、載置台の自転量を検出するものである。載置台の自転量は、載置台の自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体を用い、載置台の回転角を検出することにより検出している。以下に、載置台の自転量を検出する機構を備えた構成について、具体的に説明する。
先ず、載置台の自転量を検出するために用いられる自転検出用冶具の一実施の形態について、図1〜図6を参照して説明する。図1は、前記装置において回転テーブルに自転検出用冶具を取り付けた状態を示す縦断側面図である。回転テーブル2の構造について、図1〜図4を参照しながら説明する。図2は、自転検出用冶具が取り付けられる前の回転テーブル2の要部について概略的に示したものである。回転テーブル2の中心部には鉛直下方へ伸びる回転軸21が接続され、この回転軸21は公転用回転機構22に接続されている。公転用回転機構22を用いて回転軸21を回転させることにより、上面側から見たときに回転テーブル2は例えば時計回りに回転する。
回転テーブル2の上面側(一面側)には、回転テーブル2の回転により公転する載置台3が設けられている。載置台3は平面形状が円形に形成され、回転テーブル2の回転方向に沿って例えば5個設けられている。載置台3上面には凹部31が形成されており、凹部31内に基板であるウエハWが水平に収納される。なお、この回転テーブル2では載置台3を6個設けるようにしてもよい。
各載置台3の下面側中央部には、載置台3を支持する自転軸32が鉛直下方へ延出するように設けられている。自転軸32は例えば回転テーブル2の下面に筒状体33を介して固定された軸受けユニット34により支持されている。このため、自転軸32は回転テーブル2と共に自転自在に設けられ、載置台3は回転テーブル2の回転により公転するように構成されている。軸受けユニット34は、自転軸32を回転自在に保持するためのベアリングと、ベアリングからのパーティクルの飛散を防ぐための磁気シールと、を備えている(いずれも不図示)。自転軸32の下部側は、軸受けユニット34を貫通しており、その下端部には従動ギア4が設けられている。
図3は従動ギア4を下面側から見たものであり、この図では従動ギア4を模式的に示している。従動ギア4は円板状に構成され、自転軸32と互いに中心軸を一致させた状態で接続されている。従って、従動ギア4は自転軸32を介して載置台3に連結されていることとなり、従動ギア4は回転テーブル2の回転により公転する。軸受けユニット34は、自転軸32を回転自在に保持しているので、従動ギア4を周方向に回転させると、各載置台3が自転軸まわりに自転する。
従動ギア4の下面には、自転方向に沿って永久磁石よりなる磁極部であるN極部41及びS極部42が交互に配列されている。N極部41は、S極部42と区別するために斜線で表示している。この例では、従動ギア4の下面に露出するN極部41、S極部42は、夫々同じ形状の短冊状に形成され、従動ギア4の下面の中心部から横方向に放射状に延びるように、周方向に互いに間隔を開けて例えば18個配列されている。N極部41及びS極部42の長さは、例えば従動ギア4の底面の中心を越えないように、従動ギア4の半径より短く設定されている。
図1及び図2に示すように、従動ギア4の下方側には、駆動ギア5が配置されている。この駆動ギア5は、従動ギア4と磁気ギア機構を構成するものであり、従動ギア4の公転軌道に臨むように、かつ公転軌道の全周に沿って設けられている。この例の駆動ギア5は、その中央部に円形の開口部50を備えた円環状の板状体よりなり、駆動ギア5の開口部50の中心は、回転テーブル2の回転中心と揃うように配置されている。駆動ギア5の上面には、従動ギア4の公転軌道に沿って全周に亘って、永久磁石よりなる磁極部であるN極部51及びS極部52が交互に配列されている。
駆動ギア5の各磁極部であるN極部51及びS極部52は、従動ギア4の下面と対向する面に配列されている。図4は、1つの従動ギア4の磁極部(N極部41及びS極部42)と、その下方側の駆動ギア5の磁極部(N極部51及びS極部52)とを対応させて描いたものである。このように、例えば円環状の駆動ギア5の表面に露出するN極部51、S極部52は、当該表面に対向する従動ギア4の下面に形成されたN極部41、S極部42の形状と重なり合うように、例えば短冊状に形成されている。図4は、従動ギア4のN極部41と駆動ギア5のS極部52とが重なった状態を示している。例えば駆動ギア5の実際の例を挙げれば、N極部51とS極部52とが合計で300個前後配列される。
駆動ギア5の下面には、駆動ギア5を回転させるための例えば環状のダイレクトドライブモータ(DDモータ)よりなる自転用回転機構53が設けられており、この自転用回転機構53を回転させることにより、駆動ギア5が開口部50の中心を回転中心として回転するように構成されている。このため、駆動ギア5と回転テーブル2とは同じ回転軸まわりに回転することになる。この例では、回転テーブル2の回転軸21は、駆動ギア5の開口部50に設けられた公転用回転機構22に接続されている。但し、回転テーブル2と駆動ギア5とを回転中心を揃えて回転させる構成であれば、上述の構成には限らない。
次に、載置台3の公転と自転について説明する。従動ギア4は、従動ギア4の各磁極部(N極部41、S極部42)と駆動ギア5の各磁極部(N極部51、S極部52)との間の吸引力及び反発力の総合作用により決定される位置において停止する。従って、回転テーブル2と駆動ギア5とを同じ回転数(回転速度:rpm)で回転させた時には、従動ギア4は駆動ギア5に対して相対的に停止していることから、従動ギア4即ち載置台3は、自転することなく停止している。
載置台3は、駆動ギア5と回転テーブル2との回転数に差が生じたとき、即ち駆動ギア5の角速度と、回転テーブル2の回転による従動ギア4の角速度(いわば公転角速度)との間に速度差が発生したときに自転する。駆動ギア5の角速度が従動ギア4の角速度よりも大きいとき(駆動ギア5の角度度から従動ギア4の角速度を差し引いた速度差がプラスのとき)は、駆動ギア5に対向している従動ギア4のN極部41、S極部42の並びの下方を、駆動ギア5のN極部51、S極部52の配列が、図4で言えば左側から右側に移動していく。このため、従動ギア4に作用する駆動ギア5からの反発力と吸引力とが右側に移動し、これに伴い従動ギア4のN極部41、S極部42の並びも右に引き連れられることから、結果として従動ギア4が時計回りに自転することになる。
また、駆動ギア5の角速度が従動ギア4の角速度よりも小さいとき(駆動ギア5の角度度から従動ギア4の角速度を差し引いた速度差がマイナスのとき)は、駆動ギア5に対向している従動ギア4のN極部41、S極部42の並びの下方を、駆動ギア5のN極部51、S極部52の配列が、図4で言えば右側から左側に移動していく。このため、従動ギア4に作用する駆動ギア5からの反発力と吸引力とが左側に移動し、これに伴い従動ギア4のN極部41、S極部42の並びも左に引き連れられることから、結果として従動ギア4が反時計回りに自転することになる。
続いて、載置台3の自転量を検出する自転検出用冶具について、図1、図5及び図6を参照して説明する。各々の載置台3には、載置台3の自転軸32を中心として回転するように回転エレメント61が取り付けられる。この例の回転エレメント61は、図1に示すように、載置台3の一面側に、自転軸32の回転中心と、回転エレメント61の回転中心とが互いに揃うように設けられる。
例えば各載置台3には、回転エレメント61を固定するための複数の孔部が形成されており、回転エレメント61が前記孔部に例えばネジにより取り付けられる。前記載置台3の孔部は、載置台3の自転軸32の回転中心と回転エレメント61の回転中心とが互いに揃う位置に形成されており、この孔部を介して取り付けることで、載置台3の自転軸32の回転中心上にその中心を揃えた状態で回転エレメント61が固定される。
一方、この回転エレメント61の上方側には、エンコーダ本体62が固定部材7にて支持された状態で、回転エレメント61に対して非接触で配置されている。エンコーダ本体62は、回転エレメント61の回転角を検出し、当該回転エレメント61と共にロータリーエンコーダ6を構成するものである。
この例におけるロータリーエンコーダ6は、電磁結合により回転エレメント61の回転角を検出するように構成され、例えば回転エレメント61は共振コイルを備えている。また、エンコーダ本体62は、回転エレメント61の共振コイルを励磁させる励磁用コイルと、回転エレメント61内の共振コイルと電磁結合し、回転エレメント61の角度変化を電磁結合係数の変位として検出する検出用コイルと、を備えている。
固定部材7は、エンコーダ本体62を回転テーブル2に固定するためのものである。この例の固定部材7は、例えば図1、図5及び図6に示すように、例えば平面形状が長方形状の枠体71を備えており、この枠体71は例えばその4つの角部下面から下方側に伸びる足部72にて、回転テーブル2において載置台3の外側に固定されている。また、枠体71の略中央部には、例えばエンコーダ本体62の上部を支持するための支持部73が設けられている。こうして、エンコーダ本体62は載置台3に設けられた回転エレメント61の回転角を検出できる位置に、固定部材7により例えば支持部73に支持された状態で回転テーブル2に固定される。
また、例えば回転テーブル2の一面側の回転中心近傍には、保持部材74を介して、例えば第1のコントローラ75と、例えばバッテリーよりなる第1のコントローラ75の電力供給部76とが取り付けられる。なお、図1及び図5では、第1のコントローラ75及び電力供給部76をコントローラユニット77として一体に描いている。この例の第1のコントローラ75は、図7に示すように、エンコーダ本体62により検出した検出信号を処理する信号処理部751と通信部752とを備えており、エンコーダ本体62の検出信号に基づいて、例えば単位時間当たりの回転角を求め、求めた回転角を通信部752を介して外部の第2のコントローラ78に送信する機能を備えている。第2のコントローラ78は、例えば通信部781と表示部782を備えており、第1のコントローラ75から送信された単位時間当たりの回転角を表示部782に表示するように構成されている。
この例では、載置台3毎にロータリーエンコーダ6が取り付けられ、例えば第1のコントローラ75及び電力供給部76は、5つのロータリーエンコーダ6に共通に設けられている。各ロータリーエンコーダ6のエンコーダ本体62と第1のコントローラ75はケーブル79により接続されている。図1中731、741は、エンコーダ本体62の支持部73及びコントローラユニット77の保持部材74に夫々形成されたケーブル79用の開口部である。
続いて、載置台3の自転量の検出手法について説明するが、例えば自転量の検出は、回転テーブル2の製造時や、メンテナンス時等に実施される。先ず、回転テーブル2の各載置台3の一面側に、載置台3の図示しない孔部に回転エレメント61をネジ止めにより取り付けることにより、回転エレメント61を載置台3に、その自転軸32と回転中心を揃えた状態で固定する。一方、回転テーブル2に、各載置台3の回転エレメント61に対応するように、固定部材7を介してエンコーダ本体62を固定する。また、回転テーブル2の一面側に保持部材74を介してコントローラユニット77を取り付ける。そして、既述のように、公転用回転機構22及び自転用回転機構53(駆動ギア)を夫々回転させることにより、回転テーブル2の回転によって載置台3を公転させると共に、載置台3を自転させる。これにより、各載置台3では、載置台3の公転と共にエンコーダ本体62が公転し、載置台3の自転に伴い、回転エレメント61が回転する。また、コントローラユニット77も回転テーブル2の回転に伴い、回転する。
回転エレメント61が回転すると、電磁結合により、エンコーダ本体62において回転エレメント61の回転角を検出し、この検出信号に基づいて、既述のように第1のコントローラ75の信号処理部751が例えば単位時間当たりの回転角を求める。第1のコントローラ75は、5つの載置台3の各々のロータリーエンコーダ6からの検出値に基づいて夫々の回転角を求め、この回転角のデータを第2のコントローラ78に送信する。そして、第2のコントローラ78の表示部782では、載置台3毎に例えば単位時間当たりの回転角を表示する。
なお、この例では、載置台3に直接回転エレメント61を取り付けたが、ウエハWに回転エレメント61を取り付け、このウエハWを載置台3に載置して自転量の検出を行うようにしてもよい。この場合には、ウエハWの回転中心と回転エレメント61の回転中心とが互いに揃うように、ウエハWに回転エレメント61を取り付け、載置台3の自転軸32と、回転エレメント61の回転中心とが互いに揃うように、ウエハWを載置台3に載置して、既述のように自転量の検出が行われる。
上述の実施の形態によれば、載置台3の自転量を検出するにあたり、載置台3の自転軸32を中心として回転するように回転エレメント61を設け、回転エレメント61と共にロータリーエンコーダ6を構成し、回転エレメントの回転角を検出するエンコーダ本体62を固定部材7により回転テーブル2(回転部位)に固定している。また、回転テーブル2に、エンコーダ本体62により検出した検出信号を処理する信号処理部751を含む第1のコントローラ75を設けている。このため、載置台3の自転量を正確かつ容易に検出することができる。
例えば載置台3の自転量をビデオカメラで撮像し、この撮像結果に基づいて解析しようとすると、回転テーブル2の回転数を小さくした状態で撮像すると共に、目視により解析するため、非常に手間と時間がかかる。また、目視での確認作業となるため、載置台3の自転量を高い精度で検出することは困難である。これに対して、本発明の手法ではロータリーエンコーダ6により自転量が把握できるため、回転テーブル2の回転数が大きい場合であっても、正確に載置台3の回転角を検出することができ、短時間で精度の高い自転量検出が可能となる。
また、信号処理部751を回転テーブル2に設けているので、回転テーブル2の回転によりエンコーダ本体62と信号処理部751との位置関係が変化することがない。このため、エンコーダ本体62と信号処理751部とをケーブル79で接続しても、回転テーブル2の回転によりケーブル79が絡まるおそれはない。
さらに、載置台3毎にロータリーエンコーダ6を設けているので、複数の載置台3の自転量の検出を同時に行うことができ、トータルの検出時間を短縮することができる。さらにまた、エンコーダ本体62は回転エレメント61に対して非接触で配置されているので、摺動部品を使用せずに回転角を検出することができ、発塵を抑制することができる。また、載置台3の一面側(上面側)に回転エレメント61を設けているので、回転エレメント61やエンコーダ本体62の設置が容易である。
さらにまた、この例では、第1のコントローラ75の信号処理部751にて検出された回転角を、第2のコントローラ78に送信し、第2のコントローラ78の表示部782にて表示している。このため、載置台3の自転量(回転角)をリアルタイムで把握することができる。また、無線でデータを送信することにより、載置台3が公転すると共に自転する場合であっても、ケーブルの絡まりなどの懸念がない。
また、自転検出用冶具は他の回転テーブル2にも取り付けることができるので、当該自転検出用冶具を用意することにより、複数の回転テーブル2に対して、当該回転テーブル2に設けられた載置台3の自転量を検出することができる。さらに、ロータリーエンコーダ6の回転エレメント61とエンコーダ本体62とは互いに非接触であることから、これらを軸により連結したエンコーダに対して、軸ずれなどによって付加される余分のトルクの発生がなく、精度の良い自転量検出を行うことができる。
続いて、自転検出用冶具の他の例について、図8を参照して説明する。この例では、載置台3の自転軸32の下端に回転エレメント61を取り付けると共に、この回転エレメント61の下方側にエンコーダ本体62を設けている。載置台3の自転軸32は、例えば従動ギア4を貫通して下方側に伸び、例えばその下端側に回転エレメント61が、自転軸32と回転中心を揃えた状態で設けられる。また、エンコーダ本体62は、固定部材63により回転テーブル2(回転部位)の下部に固定されている。さらに、回転テーブル2の下部側の例えば回転中心近傍には第1のコントローラ75及び電力供給部76を備えたコントローラユニット77が保持部材64を介して取り付けられる。
従動ギア4及び駆動ギア5の磁極部(N極部51及びS極部52)は、上述の実施形態と同様に構成されているが、駆動ギア5において、磁極部を支持する部位については、ロータリーエンコーダ6の設置領域を確保するように構成されている。第1のコントローラ75が信号処理部751や通信部752を備えること、外部の第2のコントローラ78が通信部781や表示部782を備えること等、その他の構成は上述の実施の形態と同様であり、同様の構成部分については同符号を付し、説明を省略する。
この例においても、載置台3の自転量の検出するときには、各載置台3の自転軸32の下端に回転エレメント61を取り付ける一方、回転テーブル2に、固定部材63を介してエンコーダ本体62を固定する。また、回転テーブル2の下面に保持部材64を介してコントローラユニット77を固定し、各載置台3のロータリーエンコーダ6とコントローラユニット77をケーブル79により接続する。そして、既述の手法にて載置台3を公転させると共に、載置台3を自転させ、回転エレメント61の回転角をエンコーダ本体62により検出し、この検出信号に基づいて、第1のコントローラ75の信号処理部751が例えば単位時間当たりの回転角を求める。そして、第2のコントローラ78の表示部782では、載置台3毎に例えば単位時間当たりの回転角を表示する。
この例においても、上述の実施の形態と同様に、回転テーブル2の回転により公転すると共に自転する載置台3の自転量を正確にかつ容易に検出することができる。また、複数の載置台3の自転量の検出を同時に行うこと、載置台3の自転量(回転角)について、発塵を抑制した状態でリアルタイムに把握できることなど同様の効果を得ることができる。さらに、回転テーブル2の下面側にロータリーエンコーダ6及びコントローラユニット77を設けているので、例えば載置台3にウエハWを載置した状態で載置台3の自転量を把握することができる。
なお、この例においては、回転エレメント61とエンコーダ本体62とを互いに接続して一体にして設けてロータリーエンコーダ6を構成し、このロータリーエンコーダ6を回転テーブル2に固定部材63により取り付けるようにしてもよい。
以上において、本発明の自転検出用冶具は、必ずしも全ての載置台3にロータリーエンコーダ6を取り付ける必要はない。例えば1つの載置台3にロータリーエンコーダ6を取り付けて、当該載置台3の自転量を検出し、次いで当該ロータリーエンコーダ6を外して他の載置台3に取り付け、この載置台3の自転量を検出するようにしてもよい。
続いて、本発明の基板処理装置の一実施形態として、ウエハWに成膜処理であるALDを実行する成膜装置1に載置台3の自転量を検出する機構を備えた構成について、図9〜図11を用いて説明する。図9に示すように、成膜装置1は、成膜処理が行われる処理容器をなす真空容器11を備え、この真空容器11は、真空容器11の側壁131及び底部132をなす容器本体13と、この容器本体13の上面側の開口を気密に塞ぐ天板12とにより構成されている。真空容器11内には、円板からなる回転テーブル2が設けられている。この例の回転テーブル2は、円板状の支持板24により下方側から支持されており、この支持板24は、載置台3を回転テーブル2から独立した状態で支持するように構成されている。
真空容器11には、底部132と対向するように、区画壁部133が形成され、この区画壁部133の上方側に回転テーブル2、区画壁部133の下方側に支持板24が夫々設けられている。区画壁部133にはヒータ14や冷媒流路15が設けられると共に、円環状のスリット16が形成されている。回転テーブル2の下面には、前記スリット16に対応する位置から鉛直下方に向けて延出するように、複数本の支柱25が周方向に設けられている。各支柱25は、スリット16を貫通し、支持板24に接続されている。支持板24の下面側中央部は、回転軸26を介して公転用回転機構27に接続されている。従って、回転軸26を回転させると、支持板24及び支柱25を介して回転テーブル2が鉛直軸回りに回転する。このように支持板24は、回転テーブルを含む回転部位に相当する。
載置台3の自転軸32は区画壁部133のスリット16及び支持板24の開口部241を貫通して下方側に延出し、支持板24の下方側に筒状体331を介して固定された軸受けユニット34に接続されている。載置台3、従動ギア4や駆動ギア5の磁極部の構成、駆動ギア5の開口部50の内側に公転用回転機構27が設けられることなどは、図1に示す自転検出用冶具と同様に構成されているが、駆動ギア5において、磁極部を支持する部位については、後述するロータリーエンコーダ6の設置領域を確保するように構成されている。
天板12の下面中央部には、平面視円形の中心領域形成部Cと、中心領域形成部Cから回転テーブル2の外側に向かって広がるように形成された平面視扇状の突出部17、17と、が形成されている。これら中心領域形成部C及び突出部17、17は、真空容器11の内部空間に、その外側領域に比べて低い天井面を形成している。中心領域形成部Cと回転テーブル2の中心部との隙間はNガスの流路18を構成している。
図10に示すように、真空容器11(容器本体13)の側壁面には、ゲートバルブ281により開閉自在に構成された搬入出部28が設けられている。外部の図示しない搬送機構に保持されたウエハWは、この搬入出部28を介して真空容器11内に搬入され、載置台3に受け渡される。載置台3と搬送機構との間のウエハWの受け渡しは、各載置台3に設けられた不図示の貫通孔を介して昇降自在に構成された昇降ピンを用いて行われるが、昇降ピンの記載は省略してある。
また、図9、図10に示すように、成膜装置1における回転テーブル2の上方側には、原料ガスノズル81、分離ガスノズル82、酸化ガスノズル83、改質ガスノズル84、分離ガスノズル85が、この順に、回転テーブル2の回転方向に間隔をおいて配設されている。各ガスノズル81〜85は、真空容器11の側壁から中心部に向かって、回転テーブル2の径方向に沿って水平に伸びる棒状に形成され、その長さ方向に沿って互いに間隔を開けて設けられた多数の吐出口86から、各種のガスを下方側に向けて吐出する。
原料ガスノズル81は例えばBTBASガスを吐出する。図10中87は、原料ガスノズル81を覆うノズルカバーであり、その下方におけるBTBASガスの濃度を高める役割を有する。また、酸化ガスノズル83は例えばOガスを吐出する。分離ガスノズル82、85は例えばNガスを吐出し、上面側から見て天板12の突出部17、17を各々周方向に分割する位置に配置されている。改質ガスノズル84は、例えばアルゴン(Ar)ガスと酸素(O)ガスとの混合ガスからなる改質ガスを吐出する。この例では、原料ガス、酸化ガス及び改質ガスが夫々処理ガスに相当する。
さらに、天板12には、改質ガスノズル84の上方側にプラズマ形成部9が設けられている。図10には、プラズマ形成部9が設けられる位置を一点鎖線で示している。石英などの誘電体からなる本体部91の上面側には、ファラデーシールド93、絶縁部材94を介して、金属線をコイル状に巻回したアンテナ95が設けられ、このアンテナ95には高周波電源96が接続されている。図10中97は電磁界の磁界成分を下方に向かわせるためのスリットである。
回転テーブル2上において、原料ガスノズル81の下方領域は、BTBASガスの吸着が行われる吸着領域R1、酸化ガスノズル83の下方領域は、BTBASガスが酸化される酸化領域R2に相当する。また、プラズマ形成部9の下方領域は、プラズマによりSiO膜の改質が行われる改質領域R3、突出部17、17の下方領域は、分離ガスノズル82、85から吐出されるNガスにより、吸着領域R1と酸化領域R2とを互いに分離するための分離領域D1、D2を構成する。図中291、292は排気口である。
続いて、載置台3の自転量を検出する機構について説明する。この例では、載置台3の自転軸32の下端に回転エレメント61を設けると共に、この回転エレメント61の下方側にエンコーダ本体62を設けている。載置台3の自転軸32は、例えば従動ギア4を貫通して下方側に伸び、例えばその下端側に、自転軸32と回転中心を揃えた状態で回転エレメント61が設けられる。また、エンコーダ本体62は、固定部材65により回転部位である支持板24の下部に取り付けられている。さらに、支持板24の下部側の例えば回転中心近傍には第1のコントローラ75及び電力供給部76を備えたコントローラユニット77が保持部材66を介して設けられている。第1のコントローラ75は上述の実施の形態と同様に、信号処理部751や通信部752を備えており、例えば後述する制御部100に回転角データを送信するように構成されている。その他の構成は、図1に示す実施の形態と同様であり、同様の構成部分については同符号を付し、説明を省略する。
成膜装置1には、図11に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部100が設けられている。この制御部100は、CPU101、後述の成膜処理や自転量検出に係る成膜装置1の運転動作を実行するためのプログラム等を格納するプログラム格納部102、記憶部103、入力部104、データ処理部105、表示部106を備えている。図中110はバスであり、このバス110には、回転テーブル2の公転用回転機構27、載置台3の自転用回転機構53及びロータリーエンコーダ6が接続されている。
記憶部103は、例えば従動ギア4の自転速度と、従動ギア4の公転による角速度と駆動ギア5の角速度との速度差(Va−Vb)との関係を記憶するものである。本発明者らは、従動ギア4の公転による角速度と駆動ギア5の角速度との速度差と、従動ギア4の自転速度とは、速度差のある範囲において、ほぼ比例関係を維持することを把握している。例えば受動ギア5の角速度Vaと従動ギア4の公転による角速度Vbとの速度差(Va−Vb)がプラス((Va−Vb)>0)のときには、速度差が大きくなるほど右回りの自転速度が大きくなる。また速度差がマイナス((Va−Vb)<0)のときには、速度差が大きくなるほど左回りの自転速度が大きくなる。
入力部104は例えば操作画面よりなり、従動ギア4の自転速度や公転による角速度(回転テーブル2の回転数)を入力するためのものである。データ処理部105は、入力された従動ギア4の自転速度と、回転テーブル2の回転数と、前記記憶部103に記憶された前記関係とに基づいて、駆動ギア5の回転数を設定するためのものである。従動ギア4の自転速度や公転による角速度は、例えばメンテナンス時に入力できるように構成され、従動ギア4の自転速度及び角速度を入力すると、当該自転速度に基づいて、前記関係から従動ギア4の公転による角速度と駆動ギア5の角速度との速度差を把握し、駆動ギア5の回転数が設定される。表示部106は、例えば第1のコントローラ75の通信部751から送信された載置台3の自転量(回転角)の検出値を表示するものである。
以下、上述の構成を備えた成膜装置1の運転方法について説明する。先ず、成膜処理を行うときには、回転テーブル2を間欠的に回転させながら、各載置台3を搬入出口28に対向する位置に移動させ、図示しない搬送機構を用いて外部から真空容器11内にウエハWを搬入して載置台3に受け渡す。その後、真空容器11内が所定の圧力となるように排気口291、292を介して真空排気を実行する。また、分離ガスノズル82、85、中心領域形成部Cから回転テーブル2に対してNガスを供給すると共に、ヒータ14によるウエハWの加熱を開始し、例えばウエハWを例えば400℃に加熱する。
そして、公転用回転機構27により回転テーブル2を80rpm以上例えば120rpmの回転速度で回転させると共に、自転用回転機構53により駆動ギア5を回転させる。これにより、載置台3は公転すると共に自転する。一方、真空容器11内では、原料ガスノズル81、酸化ガスノズル83、改質ガスノズル84からの各処理ガスの供給と、高周波電源96からのアンテナ95への高周波の印加によるプラズマの形成とを開始する。
各ウエハWは、吸着領域R1、酸化領域R2、改質領域R3を順番に通過する。吸着領域R1ではBTBASガスがウエハWに吸着され、酸化領域R2では吸着されたBTBASガスがOガスにより酸化されて、SiOの分子層が1層あるいは複数層形成される。改質領域R3では、前記SiOの分子層が改質ガスのプラズマに曝されて改質される。そして、回転テーブル2の回転により、上述のサイクルが複数回、繰り返し実行されることにより、SiOの分子層が積層されてウエハW表面にSiO膜が形成される。
この成膜装置1においては、回転テーブル2の回転と載置台3の回転とが同期しないように、回転テーブル2の回転数と載置台3の自転速度が設定される。即ち、ウエハWが第1の向きに向いた状態で、回転テーブル2が開始ポイントから1回転し、再度開始ポイントに位置したときに、ウエハWが第1の向きとは異なる第2の向きに向けられるような自転速度でウエハWが自転するように設定される。このように、載置台3は回転テーブル2の回転と同期せずに自転するので、各載置台3上のウエハWは自転及び公転によって、原料ガスの吸着領域R1を様々な向きで通過することになり、ウエハWの周方向に見て、ウエハWに形成されるSiO膜の膜厚の偏りが抑えられる。
上述の動作により、SiOの分子層が順次積層され、予め設定されたサイクル数を実行したら、回転テーブル2の回転や各種のガスの供給、プラズマの形成、公転用回転機構27、自転用回転機構53の駆動を停止し、成膜処理を終了する。しかる後、真空容器11内の圧力調整を行い、ゲートバルブ281を開いて外部の搬送機構を侵入させ、搬入時とは反対の手順でウエハWを搬出する。
また、この成膜装置1においては、例えばメンテナンス時や、処理条件の最適化を行うときに、載置台3の自転量の検出が行われる。この場合には、既述の手法にて載置台3を公転させると共に、載置台3を自転させる工程と、載置台3(従動ギア4)の回転角を検出する工程と、を実施する。回転角を検出する工程は、既述の実施形態と同様に、載置台3の自転軸32を中心として回転する回転エレメント61の回転角をエンコーダ本体62により検出し、この検出信号に基づいて、載置台3毎に第1のコントローラ75の信号処理部751が例えば単位時間当たりの回転角を求めることにより行う。そして、通信部752を介して制御部100に回転角のデータを送信し、表示部106において、載置台3毎に例えば単位時間当たりの回転角を表示する工程を実施する。
この実施形態によっても、上述の実施の形態と同様に、回転テーブル2の回転により公転すると共に自転する載置台3の自転量を正確にかつ容易に検出することができる。また、複数の載置台3の自転量の検出を同時に行うこと、載置台3の自転量(回転角)を発塵を抑制した状態で、リアルタイムで把握できることなど同様の効果を得ることができる。さらに、成膜装置1に載置台3の自転量を検出する機構を設けているので、基板処理の状態と、載置台3の自転量との関係を把握することができ、装置のユーザーが基板処理の種別に応じて自転量の最適化を図ることができる。
なお、この例においても、回転エレメント61とエンコーダ本体62とを互いに接続して一体にして設けてロータリーエンコーダ6を構成し、このロータリーエンコーダ6を回転テーブル2に固定部材65により固定するようにしてもよい。
本発明では、載置台の自転軸に設けられた従動ギアと、従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、を用い、駆動ギアを動作させることにより従動ギアが自転する構成も含まれる。
例えば、駆動ギアは、電磁石を回転テーブルの周方向に複数配列すると共に、例えば連続して並ぶ3個の電磁石を1組として各組ごとに三相交流信号を供給して磁極が回転テーブルの周方向に移動する(磁極の配列が時間的に変化する)ように構成されているものであってもよい。即ち駆動ギアは、既述の実施形態のように永久磁石を環状に配列したいわば太陽ギアを回転させる構成であってもよいし、静止している電磁石に供給する電流を制御して公転軌道に沿った磁極の配列が時間的に変化することにより、従動ギアとの間で作用する磁力を変化させて従動ギアを自転させる構成であってもよい。即ち、駆動ギアは、公転軌道上の静止位置から見て、公転軌道に沿った磁極の配列を時間的に変える構成であればよい。
このように、本発明は、公転軌道上の静止位置から見て、駆動ギアの公転軌道に沿った磁極の配列を時間的に変えることにより、従動ギアを自転させ、ロータリーエンコーダを用いて、従動ギア(載置台)の回転角を検出するものであればよい。載置台の回転角は、既述のように単位時間当たりの載置台の回転角であってもよいし、回転テーブルの1回転当たりの載置台の回転角であってもよい。
また、駆動ギアが環状に配列されている場合において、従動ギア、駆動ギアの一方だけが磁性体の場合も含まれる。また、従動ギアが、N極部、S極部の一方、またはN極部とS極部とが交互に配列されている場合であって、駆動ギアが磁性体よりなる場合も含まれる。さらに、駆動ギアが、N極部、S極部の一方、またはN極部とS極部とが交互に配列であって、従動ギアが磁性体よりなる場合も含まれる。
さらに、駆動ギアを動作することにより複数の従動ギアのうちの少なくとも1つの従動ギアが自転する構成であってもよい。例えば駆動ギアを、従動ギアの公転軌道の一部に臨むように設け、例えば回転テーブルにより従動ギアが駆動ギアに近付くときに、当該従動ギアを駆動ギアにより磁気ギア同士の反発力を利用して自転させるものであってもよい。
また、第1のコントローラに設けられる信号処理部は、検出信号に基づいて単位時間当たりの回転角を求めることに限らず、検出信号を通信用の信号に変換するように構成されていてもよく、この場合には、当該信号を受信した外部の第2のコントローラにより例えば単位時間当たりの回転角が求められる。さらに、第1のコントローラは、信号処理部により求めた例えば単位時間当たりの回転角あるいは回転角の時系列データを当該第1のコントローラに着脱自在に取り付けた外部メモリに記憶しておき、回転テーブルが停止した後、当該メモリを取り外して、メモリ内のデータをオペレータが解析するようにしてもよい。さらにまた、電力供給部は必ずしも回転テーブルを含む回転部位に設ける必要はなく、例えばスリップリングを用いて、第1のコントローラに電力を伝達するようにしてもよい。
続いて、評価試験について記載する。
(評価試験1)
図1に示す回転テーブル2において、駆動ギア5を300極の磁極部(N極部51及びS極部52)、従動ギア4を18極の磁極部(N極部41及びS極部42)により夫々構成し、駆動ギア5と従動ギア4との距離を5mmに設定した構成を用いて評価試験を行った。回転テーブル2に図1に示す自転検出用冶具(ロータリーエンコーダ6及びコントローラユニット77)を取り付け、回転テーブル2を時計回りに30rpmで回転させ、駆動ギア5の回転数を0.1度/秒(6度/分)進めた場合、駆動ギア5の回転数を0.1度/秒(6度/分)遅らせた場合について、夫々の載置台3の回転角を測定した。
5つの載置台5について同時に測定するため、夫々の載置台3における自転開始角度を異なる値に設定した。こうして、5つの載置台3の回転角を夫々のエンコーダ本体62により検出し、第1のコントローラ75の信号処理部751にて単位時間当たりの回転角を求めて、第2のコントローラ78の表示部782に表示し、夫々の回転角度の時間変化を求めた。
この測定結果について、駆動ギア5の回転数を回転テーブル2の回転数と同じ場合を図12に、回転数を進めた場合については図13に、回転数を遅らせた場合については図14に夫々示す。図12〜図14中横軸は時間(秒)、縦軸は回転角度(度)である。5つの載置台3のデータを、S1〜S5として夫々示している。図12により、駆動ギア5の回転数と回転テーブル2の回転数とが同じ場合には、各載置台3は自転が停止した状態であることが認められた。また、駆動ギア5の回転数を進めた場合には、時計回りに同時に5つの載置台3が自転すること、駆動ギア5の回転数を遅らせた場合には、反時計回りに同時に5つの載置台3が自転することが認められた。
図13、図14では、5つの載置台3のデータS1〜S5の傾きが揃っており、本発明の自転検出用冶具を用いることにより、5つの載置台3の自転量(回転角)が正確にかつ短時間で容易に検出できることが認められた。回転数を進めた場合には、回転テーブル2が1回転する間に、各載置台3は、夫々3.35度、3.34度、3.34度、3.34度、3.34度回転し、5つの載置台3がほぼ同様に夫々0.28rpmで時計回りに自転することが確認された。一方、回転数を遅らせた場合には、回転テーブル2が1回転する間に、各載置台3は、夫々3.32度、3.31度、3.32度、3.32度、3.31度回転し、5つの載置台3はほぼ同様に夫々0.28rpmで反時計回りに自転することが確認された。
(評価試験2)
評価試験1と同様の回転テーブル2に自転検出用冶具を取り付け、回転テーブル2を時計回りに30rpm、60rpm、120rpmで回転させ、駆動ギア5と回転テーブル2の回転速度差を−0.8度/秒〜0.8度/秒の間で変化させて各載置台3の自転量の評価を行った。回転速度差とは、既述のように、駆動ギア5の角速度と、回転テーブル2の回転による従動ギア4の角速度(公転角速度)との速度差である。
測定結果について、回転テーブル2の回転数が30rpmは図15に、60rpmは図16に、120rpmは図17に夫々示す。図15〜図17中、横軸は駆動ギアの回転数(rpm)、縦軸は5つのウエハWの平均自転速度(度/分)である。駆動ギア5の回転数から回転テーブル2の回転数を減じることにより、既述の回転速度差が求められるので、前記回転速度差と従動ギア4の自転速度とは互いに比例関係を維持することが認められた。また、回転テーブル2の回転数を30rpm、60rpm、120rpmと変えても、前記回転速度差と従動ギア4の自転速度とは同じ比例関係であることが確認され、本発明の自転検出用冶具を用いることにより、5つの載置台3の自転量(回転角)が正確に検出できることが認められた。
W ウエハ
1 成膜装置
11 真空容器
2 回転テーブル
21 回転軸
23、27 公転用回転機構
3 載置台
32 自転軸
34 軸受けユニット
4 従動ギア
5 駆動ギア
41、51 N極部
42、52 S極部
53 自転用回転機構
6 ロータリーエンコーダ
61 回転エレメント
62 エンコーダ本体
7、63 固定部材
75 第1のコントローラ
751 信号処理部
752 通信部
77 コントローラユニット
78 第2のコントローラ
781 通信部
782 表示部
100 制御部

Claims (10)

  1. 処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置に用いられる治具であって、
    前記載置台の自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと、
    前記回転エレメントの回転角を検出し、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
    前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、
    前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備え
    前記エンコーダ本体は、回転エレメントに対して非接触で配置されていることを特徴とする自転検出用治具。
  2. 処理容器内にて、回転テーブルの上面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置に用いられる治具であって、
    前記載置台の自転軸を中心として回転するように前記載置台の上に配置される回転エレメントと、
    前記回転エレメントの回転角を検出するために当該回転エレメントの上側に配置され、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
    前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、 前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備えたことを特徴とする自転検出用治具。
  3. 前記載置台は、回転テーブルの周方向に沿って複数設けられ、
    前記ロータリーエンコーダは、前記載置台毎に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の自転検出用治具。
  4. 処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置において、
    前記回転テーブルと共に回転する部位に自転自在に設けられ、前記載置台を支持する自転軸と、
    前記自転軸に設けられた従動ギアと、
    前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、
    前記載置台の自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと、
    前記回転エレメントの回転角を検出し、当該回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成するエンコーダ本体と、
    前記エンコーダ本体を回転テーブルを含む回転部位に取り付けるための固定部材と、
    前記回転部位に設けられ、前記エンコーダ本体により検出した検出信号を処理する信号処理部と、を備え
    前記エンコーダ本体は、回転エレメントに対して非接触で配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  5. 前記従動ギアは、自転方向に沿ってN極部及びS極部が交互に配列され、
    前記駆動ギアは、前記公転軌道に沿って全周に亘ってN極部及びS極部が交互に配列され、
    前記駆動ギアを回転させるための回転機構を備えたことを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  6. 前記載置台は、回転テーブルの周方向に沿って複数設けられ、
    前記ロータリーエンコーダは、前記載置台毎に設けられていることを特徴とする請求項または記載の基板処理装置。
  7. 処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置を運転する方法において、
    前記載置台の自転軸に設けられた従動ギアと、前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、を用い、前記駆動ギアを動作させて前記従動ギアを自転させる工程と、
    前記自転軸を中心として回転するように設けられる回転エレメントと共にロータリーエンコーダを構成し、前記回転テーブルを含む回転部位に前記回転エレメントに対して非接触の状態で固定部材を介して取り付けられたエンコーダ本体を用い、前記従動ギアの回転角を検出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置の運転方法。
  8. 処理容器内にて、回転テーブルの一面側に設けられた基板の載置台を当該回転テーブルの回転により公転させながら自転させると共に、載置台が通過する領域に処理ガスを供給して前記基板を処理する装置を運転する方法において、
    請求項2に記載の自転検出用治具を、前記基板を処理する装置に取り付ける工程と、
    前記載置台の自転軸に設けられた従動ギアと、前記従動ギアの公転軌道に臨むように設けられ、前記従動ギアと磁気ギア機構を構成する駆動ギアと、を用い、前記駆動ギアを動作させて前記従動ギアを自転させる工程と、
    前記自転検出用治具を用いて前記従動ギアの回転角を検出する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置の運転方法。
  9. 前記駆動ギアは、前記公転軌道の全周に沿って設けられ、
    前記従動ギアを自転させる工程は、前記公転軌道上の静止位置から見て、駆動ギアの公転軌道に沿った磁極の配列を変えることにより行われることを特徴とする請求項7または8記載の基板処理装置の運転方法。
  10. 前記工程で検出された従動ギアの回転角に基づいて、単位時間当たりの載置台の回転角及び回転テーブルの1回転当たりの載置台の回転角のうちの少なくとも一方を表示する工程を含むことを特徴とする請求項7ないし9のいずれか一項に記載の基板処理装置の運転方法。
JP2017038740A 2017-03-01 2017-03-01 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 Active JP6763321B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017038740A JP6763321B2 (ja) 2017-03-01 2017-03-01 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
KR1020180019908A KR102214965B1 (ko) 2017-03-01 2018-02-20 자전 검출용 지그, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운전 방법
US15/900,836 US11572625B2 (en) 2017-03-01 2018-02-21 Rotation detection jig, substrate processing apparatus and method of operating the substrate processing apparatus
TW107106295A TWI703661B (zh) 2017-03-01 2018-02-26 自轉檢測用治具、基板處理裝置及基板處理裝置之運轉方法
CN201810172436.7A CN108534665B (zh) 2017-03-01 2018-03-01 自转检测用治具、基板处理装置及其运转方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017038740A JP6763321B2 (ja) 2017-03-01 2017-03-01 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018147939A JP2018147939A (ja) 2018-09-20
JP6763321B2 true JP6763321B2 (ja) 2020-09-30

Family

ID=63357276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017038740A Active JP6763321B2 (ja) 2017-03-01 2017-03-01 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11572625B2 (ja)
JP (1) JP6763321B2 (ja)
KR (1) KR102214965B1 (ja)
CN (1) CN108534665B (ja)
TW (1) TWI703661B (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6507953B2 (ja) * 2015-09-08 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN107022754B (zh) * 2016-02-02 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP6777055B2 (ja) * 2017-01-11 2020-10-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TW201946214A (zh) * 2018-04-28 2019-12-01 美商應用材料股份有限公司 用於旋轉料架處理腔室的原位晶圓旋轉
JP7080152B2 (ja) * 2018-10-11 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 回転角度検出装置及び回転角度検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
CN109077517A (zh) * 2018-10-25 2018-12-25 安徽昊盛木业有限公司 一种储物沙发
KR102111095B1 (ko) * 2018-11-09 2020-05-15 (주)에이앤아이 전력전달유닛을 포함하는 무선 로터리 검사장치
JP7296732B2 (ja) * 2019-01-18 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP7290988B2 (ja) * 2019-04-26 2023-06-14 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法
BR112021022306A2 (pt) * 2019-05-07 2021-12-28 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Dispositivo transportador de peça de trabalho e sistema de tratamento de superfície
JP7325313B2 (ja) * 2019-12-11 2023-08-14 東京エレクトロン株式会社 回転駆動装置、基板処理装置及び回転駆動方法
CN114216660B (zh) * 2021-09-26 2023-09-29 安徽聚源昕锐精密机械有限公司 一种液压夹具抽检负载检测系统及其使用方法
CN114774876B (zh) * 2022-05-11 2024-08-20 纳峰真空镀膜(上海)有限公司 一种镀膜转架
CN115555290A (zh) * 2022-10-20 2023-01-03 四川大学 一种基于深度学习的玻璃盖板细微缺陷检测设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050809A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Anelva Corp 基板処理装置及び方法
JP4537566B2 (ja) * 2000-12-07 2010-09-01 大陽日酸株式会社 基板回転機構を備えた成膜装置
US7828929B2 (en) * 2004-12-30 2010-11-09 Research Electro-Optics, Inc. Methods and devices for monitoring and controlling thin film processing
JP5147213B2 (ja) 2006-10-11 2013-02-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 インダクタンス式回転角度検出装置及びそれを備えたモータ駆動式の絞り弁制御装置
US7633070B2 (en) * 2006-12-18 2009-12-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Substrate processing apparatus and method
WO2009081953A1 (ja) * 2007-12-26 2009-07-02 Canon Anelva Corporation スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置
JP5436043B2 (ja) * 2009-05-22 2014-03-05 大陽日酸株式会社 気相成長装置
JP5533335B2 (ja) * 2009-07-22 2014-06-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びその動作方法
JP5524139B2 (ja) * 2010-09-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板位置検出装置、これを備える成膜装置、および基板位置検出方法
KR101380179B1 (ko) * 2011-09-30 2014-03-31 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 성막 장치 및 성막 방법
WO2015099709A1 (en) * 2013-12-24 2015-07-02 Halliburton Energy Services, Inc. Real-time monitoring of fabrication of integrated computational elements
JP6330623B2 (ja) * 2014-10-31 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP6330630B2 (ja) * 2014-11-13 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR20160148157A (ko) 2015-06-16 2016-12-26 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 처리장치 및 그 작동방법
JP6507953B2 (ja) * 2015-09-08 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN107022754B (zh) * 2016-02-02 2020-06-02 东京毅力科创株式会社 基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108534665B (zh) 2021-01-15
US11572625B2 (en) 2023-02-07
KR20180100477A (ko) 2018-09-11
US20180251892A1 (en) 2018-09-06
TWI703661B (zh) 2020-09-01
CN108534665A (zh) 2018-09-14
JP2018147939A (ja) 2018-09-20
KR102214965B1 (ko) 2021-02-09
TW201842612A (zh) 2018-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6763321B2 (ja) 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
JP6777055B2 (ja) 基板処理装置
JP6922408B2 (ja) 基板処理装置
US10584416B2 (en) Substrate processing apparatus
US10246775B2 (en) Film forming apparatus, method of forming film, and storage medium
JP6935741B2 (ja) 成膜装置
JP2001524259A (ja) マイクロエレクトロニクス製造装置用プログラマブル超クリーン電磁サブストレート回転装置及び方法
TWI695907B (zh) 基板處理裝置
TW201816174A (zh) 成膜裝置、成膜方法及記憶媒體
JP4847136B2 (ja) 真空処理装置
CN115106900B (zh) 磨削装置
CN105980594B (zh) 薄膜涂覆方法及实施该方法的生产线
CN110177898A (zh) 溅射装置及成膜方法
KR102490783B1 (ko) 회전 각도 검출 장치 및 회전 각도 검출 방법, 그리고 이들을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102594420B1 (ko) 자기 구동 장치, 착자 방법 및 자기 구동 장치의 제조 방법
JPS63114210A (ja) 真空槽内における基板ホルダ−などのクリ−ニング方法及び装置
JP2003289050A (ja) 基板処理装置
KR20040000593A (ko) 갭가열수단을 구비한 보트회전장치

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20180508

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200331

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200824

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6763321

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250