WO2009081953A1 - スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置 - Google Patents

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rotating
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Franck Ernult
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Canon Anelva Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a sputtering apparatus, a sputtering film forming method, and an analysis apparatus.
  • Patent Document 1 In order to form a thin film with good film thickness uniformity, a technique of sputtering while rotating and revolving a substrate disposed facing a target has been used (Patent Document 1).
  • Patent Documents 3, 4 and 5 Japanese Patent Laid-Open No. 06-256940 JP 2000-265263 A Japanese Patent Laid-Open No. 06-213841 Japanese Patent Laid-Open No. 06-325717 Japanese Patent Laid-Open No. 08-220007
  • the magnetic anisotropy of the soft magnetic layer is caused by an external magnetic field supplied in a fixed direction or oblique sputtering during the formation of the thin film.
  • the angle formed by the substrate and the target greatly affects the magnetic anisotropy of the soft magnetic layer.
  • a stage having at least twice the width and length of the substrate is required to position the entire surface of the substrate at the beam irradiation position. It becomes. Therefore, the analysis chamber in which the stage is installed has to be large.
  • an object of the present invention is to maintain the direction of the substrate in a desired constant direction when viewed from a target placed at a position facing the substrate in the sputtering apparatus and the sputtering film forming method.
  • Another object of the present invention is to provide a compact analyzer.
  • a sputtering apparatus that achieves the above object is as follows: A first stage on which a substrate is placed and rotatable around a first rotation axis; and a second stage rotatable around a second rotation axis provided offset from the first rotation axis of the first stage; Rotation means for rotating the first stage about the first rotation axis, and revolving the first stage about the second rotation axis by rotating the second stage about the second rotation axis.
  • a substrate holder having a revolving motion means, and Magnetic field supply means for supplying a magnetic field in a specific direction to the substrate;
  • a target mounting table on which a target for film formation on the substrate is mounted.
  • the rotation movement means rotates the first stage in a direction opposite to the rotation of the revolution movement means, and supplies the magnetic field.
  • the first stage is rotated so as to maintain the specific direction of the magnetic field supplied from the means to the substrate.
  • the sputter film forming method according to the present invention for achieving the above object is a sputter film forming method for forming a film on the substrate by causing sputtered particles to enter the substrate, A first stage rotatable around a first rotation axis; a second stage rotatable around a second rotation axis provided offset from the first rotation axis of the first stage; and the first stage Autorotation motion means for rotating about a first rotation axis; and revolving motion means for revolving the first stage about the second rotation axis by rotating the second stage about the second rotation axis.
  • a control process for controlling the rotation of the first stage in the movement process It is characterized by having.
  • the analyzer according to the present invention for achieving the above object is A first stage on which a substrate is placed and rotatable about a first rotation axis; and a second stage rotatable about a second rotation axis provided offset from the first rotation axis of the first stage; Rotation means for rotating the first stage about the first rotation axis, and revolving the first stage about the second rotation axis by rotating the second stage about the second rotation axis.
  • a substrate holder having a revolving motion means, and A beam source for irradiating the substrate with a beam; Beam analysis means for detecting and analyzing a signal generated from the substrate with respect to the beam irradiated from the beam source, The measurement point on the substrate is positioned at the irradiation position of the beam source by the rotation of each of the rotation movement means and the revolution movement means.
  • the sputtering apparatus of the present invention since the direction of the substrate is kept constant with respect to the target, a thin film having high magnetic anisotropy can be produced.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing configurations of a first stage 1 and a second stage 2 included in the sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention. It is a typical sectional side view which shows the structure of the 1st stage 1 and the 2nd stage 2 which the sputtering device of the 1st Embodiment of this invention has. It is a typical sectional side view which shows the structure of the 1st stage 1 and the 2nd stage 2 which the sputtering device of the 2nd Embodiment of this invention has.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing configurations of a first stage 1 and a second stage 2 included in the sputtering apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • the disk-shaped first stage 1 on which the substrate is placed is placed on the disk-shaped second stage 2, and the diameter of the second stage 2 is It is designed to be larger than the diameter of one stage 1.
  • a cylindrical recess larger than the diameter of the first stage 1 is provided in the upper part of the second stage 2, and the first stage 1 is fitted in this recess.
  • the upper surface of the first stage 1 and the upper surface of the second stage 2 are the same height in the vertical direction. By doing so, the problem that the film adheres to the side surface of the first stage 1 and particles are generated can be solved.
  • providing the depression on the second stage is not an essential configuration of the present invention.
  • the second stage may be formed with a flat surface, and the first stage may be provided thereon.
  • the upper surface of the first stage 1 is made lower than the upper surface of the second stage 2, and the upper surface of the substrate and the upper surface of the second stage 2 are set to the same height. Also good.
  • the rotation axis C1 (first rotation axis) of the first stage 1 and the rotation axis C2 (second rotation axis) of the second stage 2 are installed eccentrically by a distance D.
  • the rotation direction ⁇ ⁇ b> 1 of the first stage 1 and the rotation direction ⁇ ⁇ b> 2 of the second stage 2 can be freely rotated in any direction, not limited to the rotation in the illustrated direction.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional side view showing the configuration of the first stage 1 and the second stage 2 of the present embodiment.
  • the first stage 1 has the same diameter as that of the substrate 220, and the rotating shaft 203 is joined to the center on the lower side thereof.
  • the rotating shaft 203 is freely supported by a plurality of bearings 205 attached to the inside of the first cylindrical space 210 and is connected to first driving means 201 such as a servo motor.
  • the first driving means 201 is fixed below the second stage 2 by a fixing member (not shown).
  • the rotation shaft 203 and the first drive unit 201 function as a rotation motion unit that rotates the first stage 1.
  • the first drive unit 201 is provided with a detection mechanism 251 configured by an encoder or the like, for example.
  • the detection mechanism 251 can detect the rotation angle as the position information of the first drive unit 201 and the rotation speed as the speed information.
  • Detection information (position information and speed information) detected by the detection mechanism 251 is input to a controller 253 that functions as a control unit. Based on the detection information (position information, speed information) input from the detection mechanism 251 (ford back), the controller 253 determines the rotation direction (clockwise, counterclockwise) and rotation angle of the first drive unit 201. Control (position control) and rotation speed control (speed control) can be performed.
  • the rotational motion of the first driving means 201 is transmitted to the first stage 1 via the rotational shaft 203 (first rotational shaft), and the first stage 1 is rotated by the rotational shaft 203 (first rotational shaft). Can be rotated in any direction at any angle.
  • the second stage 2 has a configuration in which a disk-like member and a cylindrical member are joined.
  • the diameter of the cylindrical member is smaller than the diameter of the disk-shaped member, and the central axis of the disk-shaped member is coincident with the central axis of the cylindrical member.
  • a second cylindrical space 211 having a diameter larger than the diameter of the fixed shaft 204 is formed at the center of the cylindrical member, and the upper portion of the second cylindrical space 211 does not penetrate the second stage 2.
  • the second cylindrical space 211 is a space having an opening only in the lower part.
  • a disk-shaped depression 209 having a diameter larger than the diameter of the first stage 1 is provided on the surface side of the second stage 2. The first stage 1 is fitted in the recess 209 and disposed.
  • the height of the recess 209 in the vertical direction (z direction) is set to be the same as the height of the first stage 1 in the vertical direction (z direction).
  • the upper surface of the first stage 1 and the upper surface of the second stage can be configured to be a horizontal flat surface.
  • a first cylindrical space 210 having a diameter larger than the diameter of the rotary shaft 203 is provided at the center of the disk-shaped depression 209 and penetrates to the lower part of the second stage 2.
  • the second stage 2 is installed so that the fixed shaft 204 is fitted in the second cylindrical space 211, and the second stage 2 is rotated by a plurality of bearings 206 attached to the inside of the second cylindrical space 211. It is supported freely.
  • the cylindrical member constituting the lower part of the second stage 2 is provided with a gear 207 at a position where it engages with the drive transmission shaft 208 connected to the second drive means 202.
  • the second drive unit 202 is provided with a detection mechanism 252 configured by, for example, an encoder.
  • the detection mechanism 252 can detect the rotation angle as the position information of the second drive unit 202 and the rotation speed as the speed information.
  • Detection information (position information and speed information) detected by the detection mechanism 252 is input to a controller 253 that functions as a control unit. Based on the detection information (position information, speed information) input from the detection mechanism 252 (ford back), the controller 253 determines the rotation direction (clockwise, counterclockwise) and the rotation angle of the second drive unit 202. Control (position control) and rotation speed control (speed control) can be performed.
  • the rotational movement of the second drive means 202 is transmitted to the drive transmission shaft 208 and the gear 207, and the second stage 2 is moved around the rotation shaft 204 (second rotation shaft) by the second drive means 202. , And can be rotated in an arbitrary direction at an arbitrary angle. At this time, the second stage 2 rotates to cause the first stage 1 to revolve around the rotating shaft 204 (second rotating shaft).
  • the gear 207, the drive transmission shaft 208, and the second drive unit 202 function as a revolving motion unit that revolves the first stage 1 around the rotation shaft 204 (second rotation shaft) by rotating the second stage 2. .
  • the controller 253 detects the substrate 220 placed on the first stage 1 with respect to the rotation of the second stage 2 based on the detection information (position information and speed information) respectively input from the detection mechanisms 251 and 252. It is possible to control the rotation (rotation direction, rotation angle, rotation speed, etc.) of the first stage so as to maintain the direction in a desired constant direction.
  • the sputtering apparatus having such a configuration, since the direction of the substrate is kept constant with respect to the target, a thin film having high magnetic anisotropy can be produced.
  • FIG. 3 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of the first stage 1 and the second stage 2 included in the sputtering apparatus of the present embodiment.
  • a cylindrical member 214 is provided between the fixed shaft 204 and the second columnar space 211.
  • the inner diameter of the cylindrical member 214 is larger than the diameter of the fixed shaft 204, and the outer diameter of the cylindrical member 214 is smaller than the inner diameter of the second columnar space 211.
  • the fixed shaft 204, the cylindrical member 214, and the second columnar space 211 are installed so as to be fitted in this order from the inside.
  • the cylindrical member 214 is rotatably supported by a plurality of bearings 216 attached inside the second columnar space 211 and a plurality of bearings 206 attached inside the cylindrical member 214.
  • the belt 213 is installed in a space provided inside the second stage 2.
  • the belt 213 transmits the rotation of a gear (not shown) provided on the upper portion of the cylindrical member 214 to a gear (not shown) provided on the rotation shaft 203.
  • a gear 217 is provided below the cylindrical member 214, and a first drive means 201 such as a servo motor is joined via a drive transmission shaft 212.
  • the rotation operation of the first drive unit 201 is controlled by the controller 253 as in the first embodiment.
  • the rotational movement of the first drive means 201 is transmitted to the drive transmission shaft 212, the gear 217, the cylindrical member 214, the belt 213, and the rotation shaft 203.
  • the first stage 1 is rotated around the rotation shaft 203 (first rotation shaft) in an arbitrary direction at an arbitrary angle by the first driving unit 201.
  • the first drive unit 201, the drive transmission shaft 212, the gear 217, the cylindrical member 214, the belt 213, and the rotation shaft 203 function as a rotation motion unit that rotates the first stage 1.
  • the cylindrical member 214 constituting the lower part of the second stage 2 is provided with a gear 207 and is provided at a position where it engages with the drive transmission shaft 208 connected to the second drive means 202.
  • the rotation operation of the second drive unit 202 is controlled by the controller 253 as in the first embodiment.
  • the rotational movement of the second drive means 202 is transmitted to the drive transmission shaft 208 and the gear 207, and the second stage 2 is moved around the rotation shaft 204 (second rotation shaft) by the second drive means 202.
  • And can be rotated in an arbitrary direction at an arbitrary angle.
  • the second stage 2 rotates to cause the first stage 1 to revolve around the rotating shaft 204 (second rotating shaft).
  • the gear 207, the drive transmission shaft 208, and the second drive unit 202 function as a revolving motion unit that revolves the first stage 1 around the rotation shaft 204 (second rotation shaft) by rotating the second stage 2. .
  • the rotational motion of the first drive unit 201 is transmitted to the rotary shaft 203 by the gear and the belt 213, but the rotational motion transmission mechanism is limited to this example.
  • a rack and pinion system or the like can be used.
  • the controller 253 detects the substrate 220 placed on the first stage 1 with respect to the rotation of the second stage 2 based on the detection information (position information and speed information) respectively input from the detection mechanisms 251 and 252. It is possible to control the rotation of the first stage so as to maintain the direction in a desired constant direction.
  • the sputtering apparatus having such a configuration, since the direction of the substrate is kept constant with respect to the target, a thin film having high magnetic anisotropy can be produced.
  • FIG. 4 is a schematic side cross-sectional view showing the configuration of the first stage 1 and the second stage 2 included in the sputtering apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the configurations of the first stage 1 and the second stage 2 of the present embodiment in the AA ′ cross-sectional view of FIG.
  • the rotating shaft 203 does not penetrate the second stage 2.
  • the belt 213 is installed in a space provided inside the second stage 2, and connects a gear (not shown) provided on the fixed shaft 204 and a gear (not shown) provided on the rotary shaft 203.
  • the rotation shaft 203 of the first stage 1 meshing with the belt 213 is provided with a gear (not shown).
  • the fixed shaft 204 that meshes with the belt 213 is provided with a gear (not shown) so that the rotational motion of the belt 213 is transmitted.
  • the gear ratio (tooth ratio) between the gear provided on the rotary shaft 203 and the gear provided on the fixed shaft 204 is 1: 1.
  • the second drive means 202 such as a servo motor is provided with a drive transmission shaft 208, and the drive transmission shaft 208 is installed at a position that meshes with a gear 207 provided on a cylindrical member constituting the lower part of the second stage 2. ing.
  • the rotation operation of the second drive unit 202 is controlled by the controller 253 as in the first embodiment.
  • the rotating movement becomes the rotating movement of the second stage 2 via the drive transmission shaft 208 and the gear 207, and for example, the second stage 2 in the direction 510 shown in FIG. Is rotated.
  • the gear 207, the drive transmission shaft 208, and the second drive unit 202 rotate the second stage 2 to cause the first stage 1 to revolve around the rotation shaft 204 (second rotation shaft). Functions as an exercise means.
  • the lower end of the fixed shaft 204 inserted into the second cylindrical space 211 of the second stage 2 is fixed to a pedestal (not shown) that fixes the substrate holder 200 and does not rotate.
  • the rotation shaft 203 on which the belt 213 is hung is rotated in the direction 512 shown in FIG. 5 by the rotation of the belt 213 in the direction 511, and the first stage 1 fixed to the rotation shaft 203 is the same. Rotate in direction 512.
  • the rotating shaft 204, the gear, the belt 213, the rotating shaft 203, and the second driving means 202 serve as rotation motion means.
  • the first stage 1 and the second stage 2 rotate in directions opposite to each other.
  • the substrate 220 placed on the first stage 1 rotates on the second stage 2 rotating around the rotation axis 204 (second rotation axis) and the rotation axis 204 (second rotation) of the first stage 1. Revolving motion around the rotation axis).
  • the substrate 220 placed on the first stage 1 has a certain direction. While maintaining it, it will rotate and revolve.
  • the rotational motion of the second driving means 202 is transmitted to the rotational shaft 203 of the first stage 1 by the gear and the belt 213.
  • a rack and pinion method or the like can be used.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing a configuration in which a plurality of magnets 601 are arranged around the substrate holder.
  • a thin film with increased magnetic anisotropy can be formed by lines of magnetic force 602 generated by a plurality of magnets 601 (magnetic field supply means) installed around the substrate holder.
  • the direction of magnetic anisotropy 604 to be applied to the film formed on the substrate and the direction 603 where the sputtered particles enter the substrate are different There is.
  • the thin film with enhanced magnetic anisotropy can be formed by correcting the incident direction 603 of the sputtered particles to the magnetic anisotropy direction 604 so as to give it by the magnetic force lines 602.
  • the lines of magnetic force 602 generated by the plurality of magnets 601 are in the same direction as the direction of magnetic anisotropy 604 desired to be applied to the substrate over the entire range where the substrate rotates and revolves, that is, the entire second stage 2. Must do so. For that purpose, it is important to adjust the arrangement and magnetic force of the plurality of magnets 601.
  • the direction of the magnetic anisotropy to be applied to the substrate is the direction 604 depending on the film forming conditions such as pressure. May be different.
  • permanent magnets are used as the plurality of magnets 601, but in such a case, for example, it is desirable to use an electromagnet that can arbitrarily control the direction and strength of the magnetic force lines 602.
  • the controller 253 selects the direction of the substrate 220 placed on the first stage 1 with respect to the rotation of the second stage 2 based on the detection information (position information, speed information) input from the detection mechanism 252. It is possible to control the rotation of the first stage so as to maintain the constant direction.
  • the sputtering apparatus having such a configuration, since the direction of the substrate is kept constant with respect to the target, a thin film having high magnetic anisotropy can be produced.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional side view showing a configuration of a substrate processing chamber using a substrate holder as a fourth embodiment of the present invention.
  • a substrate holder 700 is installed below the vacuum chamber 720.
  • targets 710 and 711 are installed on a target mounting table of a sputtering cathode (not shown) in an inclined state with respect to the substrate mounting surface of the substrate holder 700, that is, in a non-parallel state. Yes.
  • the vacuum chamber 720 is provided with a gate valve for carrying in and out the substrate, vacuum exhaust means, gas introduction means, power supply means, substrate transport means, and the like, which are not shown. Further, the substrate holder 700 shown in FIG. 7 is basically the same as the substrate holder 200 shown in FIG.
  • the substrate 701 a is carried into the vacuum chamber 720 by the substrate transfer means and placed on the first stage 1.
  • a predetermined gas is controlled to a predetermined flow rate by the gas introduction means and introduced into the vacuum chamber 720.
  • the second stage 2 is rotated by a driving means 701b (corresponding to the second driving means 202) such as a servo motor.
  • a driving means 701b such as a servo motor.
  • the driving unit 701 b rotates the first stage 1
  • the substrate 701 a rotates and rotates around the rotation shaft 204.
  • the direction of the substrate 701a is maintained so as to be the same direction with respect to the target 710 during rotation and revolution, a thin film having high magnetic anisotropy can be formed. Moreover, the film quality of the thin film can be changed by adjusting the rotational speed of the driving means 701b.
  • the incident angle ⁇ of the sputtered particles is 45 ° or more.
  • the incident angle ⁇ is an angle formed between the normal line of the target 710 and the normal line of the substrate mounting surface of the substrate holder 700.
  • the substrate 701a periodically moves between a position far from the target 710 and a position close to the target 710 by a revolving motion.
  • the deposition rate at which the thin film is formed is slow at a position far from the target 710, and the deposition rate is fast at a position near the target 710.
  • the film thickness uniformity can be improved by alternately executing a film forming process at a low film forming speed and a film forming process at a high film forming speed by the revolving motion.
  • the diameter of the first stage 1 is smaller than the diameter of the second stage 2, and the ratio between the diameter of the first stage 1 and the diameter of the second stage 2 is set to improve film thickness uniformity over the entire substrate surface.
  • the larger one is desirable.
  • the magnetic anisotropy of the soft magnetic material may be oriented in any direction as long as it has an axial direction with magnetic anisotropy. For this reason, magnetic anisotropy can be obtained even if the sputtered particles are incident on the substrate 701a from directions different by 180 °.
  • the direction of the substrate 701a is rotated 180 ° at an arbitrary timing during the film forming process.
  • the film formation speed is slow at a position on the surface of the substrate 701 a far from the target 710, and the film formation speed is fast at a position close to the target 710.
  • the film forming process with a slow film forming speed and the film forming process with a high film forming speed are alternately executed, thereby improving the problem of non-uniform film thickness. can do.
  • the controller 253 includes a gear (not shown) connecting the rotation shaft 203 of the first stage 1 and the rotation shaft 204 of the second stage 2 and the belt 213.
  • a gear connection release means (not shown) that performs connection or release is controlled.
  • the gear connection release means temporarily releases the connection between the gear (not shown) and the belt 213 so that the rotation of the rotation shaft 204 is not transmitted to the rotation shaft 203. For this reason, the rotation motion of the first stage 1 on which the substrate 701a is placed is temporarily stopped.
  • the first stage 1 on which the substrate 701a is placed is further rotated by 180 ° by the revolving motion around the rotation shaft 204.
  • the gear (not shown) and the belt 213 are re-engaged by the gear connection release means.
  • the rotation of the rotation shaft 204 is transmitted to the rotation shaft 203, the rotation of the first stage 1 on which the substrate 701a is placed is resumed.
  • Such a process of reversing the direction of the substrate is repeated a predetermined number of times during the film forming process.
  • the configuration of the substrate holder that rotates the first stage 1 while maintaining the direction of the magnetic field supplied from the magnetic field supply means to the substrate is not limited to the configuration shown in FIG.
  • the controller 253 controls the first driving means 201 and the second driving means 202 so that the rotation direction of the rotation motion and the rotation direction of the revolution motion are reversed. Further, the controller 253 controls the rotation speed of the rotation motion and the rotation speed of the revolution motion so that the direction of the magnetic field supplied to the substrate is maintained by the magnet 601 (magnetic field supply means). Is also possible.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional side view showing the configuration of the analysis chamber using the substrate holder 800.
  • an electron beam source is used as the beam source, but the beam source is not limited to the electron beam source.
  • the beam source is not limited to the electron beam source.
  • the beam source by irradiating the surface of the substrate such as an X-ray beam source or an ion beam source and detecting signals such as secondary electrons and characteristic X-rays generated from the substrate by this irradiation, surface observation of the substrate and element Anything that can be analyzed is acceptable.
  • a substrate holder 800 is installed in the lower part of the vacuum chamber 880, and an electron beam source 860 and a beam analysis means 861 are installed in the upper part of the vacuum chamber 880. Further, the vacuum chamber 880 is provided with a gate valve for carrying in and out the substrate, a vacuum evacuation unit, a gas introduction unit, a power supply unit, a substrate transfer unit, etc., but these are not shown.
  • the basic configuration of the substrate holder 800 in the present embodiment is the same as that of the substrate holder 200 shown in FIG. Further, as the substrate holder of the present embodiment, for example, a substrate holder 200 shown in FIG. 3 can be adopted.
  • the substrate holder 800 is lowered to the lowest limit by the substrate holder vertical drive means 850.
  • the substrate 870 is carried into the vacuum chamber 880 by the substrate transfer means and placed on the first stage 1.
  • the substrate holder 800 located at the lowest limit is raised to the analysis position by the substrate holder vertical drive means 850.
  • the vacuum chamber 880 is evacuated by the evacuation means.
  • the second stage 2 is rotated by a predetermined angle by a driving means 802 such as a servo motor to cause the first stage 1 to revolve around the rotation shaft 204 and at the same time by a driving means 801 such as a servo motor.
  • the first stage 1 is rotated by a predetermined angle. In this way, the measurement point of the substrate 870 is positioned at the irradiation position of the electron beam source 860.
  • a beam is irradiated from the electron beam source 860, and signals such as secondary electrons and characteristic X-rays generated from the substrate 870 by this irradiation are analyzed by the beam analysis means 861, and the characteristics of the thin film formed on the surface of the substrate are analyzed. taking measurement.
  • the substrate 870 can be adjusted to a predetermined temperature by the substrate heating means 818 built in the first stage 1.
  • the ratio between the diameter of the first stage and the diameter of the second stage will be described with reference to FIGS. 9A and 9B to 11.
  • the diameter of the first stage 1 on which the substrate is placed and the diameter of the substrate are the same.
  • FIGS. 9A and 9B to 11 are schematic plan views showing a configuration for explaining the ratio between the diameter of the first stage 1 and the diameter of the second stage 2 in the fifth embodiment of the present invention.
  • the positional relationship between the substrate placed on the first stage 1 and the second stage 2 is as shown in FIG. 9A, and the locus 902 drawn by the rotation axis of the first stage 1 and the peripheral portion (outer peripheral portion) of the substrate. There are two points 905 and 906 that intersect.
  • the first stage 1 is rotated counterclockwise by an angle ⁇ 911 toward the paper surface, and is aligned with a point 905 (FIG. 9A).
  • the measurement point 904 can be aligned with the irradiation position 903 of the beam by revolving the second stage 2 in the clockwise direction toward the paper surface by an angle ⁇ 912 (FIG. 9B).
  • the rotation motion of the first stage 1 and the revolution motion based on the rotation of the second stage 2 around the rotation axis 901 may be performed simultaneously.
  • the positional relationship between the substrate placed on the first stage 1 and the second stage 2 is as shown in FIG. 10A.
  • the locus 902 drawn by the rotation axis of the first stage 1 by the rotation of the second stage and the periphery of the substrate The point (outer peripheral part) is in contact with only one point 905.
  • the first stage 1 is rotated counterclockwise by an angle ⁇ 911 toward the paper surface, and is aligned with a point 905 (FIG. 10A).
  • the second stage 2 is rotated counterclockwise (or clockwise) by an angle ⁇ 912 (180 °) toward the plane of the paper, whereby the measurement point 904 can be aligned with the beam irradiation position 903 (FIG. 10B). ). Note that the rotation of the first stage 1 and the rotation of the second stage 2 may be performed simultaneously.
  • the positional relationship between the substrate placed on the first stage 1 and the second stage 2 is as shown in FIG. 11, and the locus 902 drawn by the rotation axis of the first stage 1 intersects with the peripheral portion (outer peripheral portion) of the substrate. There is no point to do.
  • the measurement point 904 corresponding to the peripheral portion (outer peripheral portion) of the substrate cannot be aligned with the locus 902, and therefore cannot be aligned with the position of the beam irradiation position 903. It will be. Similarly, even when the measurement point 904 is in the internal region of the substrate, the measurement point 904 cannot be aligned with the beam irradiation position 903 if it is in the region 910 where the point intersecting the locus 902 does not exist.
  • the diameter of the second stage 2 must be 1.5 times the diameter of the substrate (first stage 1).
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing the positional relationship between the beam irradiation position and the trajectory drawn by the rotation axis of the first stage in the fifth embodiment of the present invention.
  • the beam irradiation position 1003 is at a position deviated from the locus 1002 drawn by the rotation axis 1004 of the first stage 1.
  • the beam irradiation position 1003 In order to eliminate the region 1005, it is necessary to match the beam irradiation position 1003 with the rotation axis 1004 of the first stage 1. In other words, when the first stage 1 revolves on the second stage 2, the beam irradiation position 1003 needs to be set to one point on the locus 1002 drawn by the rotation axis 1004 of the first stage 1.
  • FIG. 13 is a schematic side view showing a configuration of a substrate processing apparatus equipped with a processing chamber and an analysis chamber according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus shown in FIG. 13 is a cluster type and includes a plurality of processing chambers.
  • a vacuum transfer robot (not shown) for transferring the substrate is installed in the center of the core chamber 1111.
  • the core chamber 1111 is provided with load lock chambers 1112 and 1113.
  • the substrate is loaded into the substrate processing apparatus from the outside by the load lock chambers 1112 and 1113, and the substrate after the predetermined processing is unloaded from the substrate processing apparatus.
  • the load lock chambers 1112 and 1113 Between the core chamber 1111 and the load lock chambers 1112 and 1113, there are provided gate valves 1180g and 1180h which isolate both chambers and can be opened and closed as necessary. The reason for providing two load lock chambers is to increase productivity by using the two chambers alternately.
  • the following is provided around the core chamber 1111.
  • gate valves 1180a-f that isolate both chambers and can be opened and closed as necessary.
  • Each chamber is provided with vacuum evacuation means, gas introduction means, power supply means, etc., but these are not shown.
  • Each of the film formation chambers 1131, 1151, and 1171 of the substrate processing apparatus shown in FIG. 13 is a film formation chamber for continuously forming a predetermined magnetic thin film in the same chamber.
  • the film formation chamber 1171 is the substrate processing chamber shown in FIG. 7
  • the analysis chamber 1141 is the analysis chamber shown in FIG. 8, and the basic structure is the same as that shown in FIGS.
  • targets 1131a-d are respectively installed on the ceiling portion of the substrate 1133 arranged on the substrate holder 1132 at the center of the bottom of the chamber via a sputtering cathode (not shown).
  • the film formation chamber 1131 can also include a target 1131 e, and the target 1131 e can be appropriately used depending on the embodiment.
  • a gate valve 1180b that isolates both chambers and can be opened and closed as necessary.
  • targets 1151a-c are respectively installed on the ceiling via a sputtering cathode (not shown) with respect to the substrate 1153 disposed on the substrate holder 1152 at the center of the bottom of the chamber.
  • the targets 1151d and 1151e can be mounted on the film forming chamber 1151, and the targets 1151d and 1151e can be appropriately used according to the embodiment.
  • a gate valve 1180d that isolates both chambers and can be opened and closed as necessary.
  • the film forming chamber 1171 is a substrate processing chamber shown in FIG.
  • ion beam etching means and RF sputter etching means are provided for the substrate 1123 arranged on the substrate holder 1122 at the center of the bottom of the chamber.
  • the substrate before film formation is cleaned by physical etching.
  • a gate valve 1180a that isolates both chambers and can be opened and closed as necessary.
  • the oxidation processing chamber 1161 of the substrate processing apparatus shown in FIG. 13 is provided with oxygen introducing means for performing a surface chemical reaction for oxidizing the metal layer on the substrate 1163 disposed on the substrate holder 1162 at the center of the bottom of the chamber. Yes.
  • a procedure for forming a multilayered magnetic thin film in the substrate processing apparatus shown in FIG. 13 will be described.
  • a substrate is placed in the load lock chamber 1112 of the substrate processing apparatus shown in FIG.
  • the load lock chamber 1112 is evacuated to a vacuum.
  • the substrate is transferred from the load lock chamber 1112 to the cleaning chamber 1121 by the vacuum transfer robot. Thereafter, surface cleaning and planarization are performed by etching the substrate surface by an ion beam etching mechanism and an RF sputter etching mechanism.
  • the substrate is transferred to one of the film forming chambers 1131, 1151, and 1171 to form a predetermined magnetic thin film on the substrate.
  • the oxidation treatment chamber 1161 is appropriately transported and subjected to oxidation treatment at a necessary timing.
  • the analysis chamber 1141 is appropriately transported at a necessary timing in order to analyze various characteristics of the thin film formed on the surface of the substrate.
  • the substrate is positioned at the irradiation position of the electron beam source by the above-described rotation movement means and revolution movement means, and the beam is irradiated.
  • Various characteristics of the substrate surface can be analyzed by analyzing signals such as secondary electrons and characteristic X-rays generated from the substrate by irradiation of the beam with a beam analyzing means.
  • the substrate on which the predetermined magnetic thin film is formed is transferred to the load lock chamber 1113 by the vacuum transfer robot, and is unloaded from here through an atmospheric transfer system (not shown).
  • the present invention can be used for a substrate processing chamber or an analysis chamber, and can be used for a substrate processing apparatus that needs to be equipped with a substrate holder that can arbitrarily determine the direction and position of the substrate.

Abstract

　スパッタ装置は、基板を載置し、かつ第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、第１ステージの第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸まわりに回転可能な第２ステージと、第１ステージを第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、第２ステージを第２回転軸回りに回転させることにより、第１ステージを第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダと、基板に対して、特定の方向の磁界を供給する磁界供給手段と、基板に成膜するためのターゲットを載置するターゲット載置台と、を備え、自転運動手段は、公転運動手段の回転に対して逆方向に前記第１ステージを回転させ、かつ前記磁界供給手段から基板に対して供給される磁界の特定の方向を維持するように第１ステージを回転させる。

Description

スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置
　本発明は、スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置に関する。
　近年までは、基板の表面に薄膜を形成する際、形成された薄膜には、膜厚均一性が良好であることが要求されてきた。
　この膜厚均一性の良好な薄膜を形成するためには、ターゲットに対向して配置された基板を自転運動及び公転運動させながらスパッタリングする技術が用いられてきた（特許文献１）。
　他の方法では、基板の表面に対して、ターゲットを斜めに傾け、基板を回転させながらスパッタリングを行う、いわゆる斜め回転スパッタリングが用いられてきた（特許文献２）。
　また、基板の表面に形成された薄膜の様々な特性を分析するために、以下の方法で基板の表面観察や元素分析を行う技術がある。それは、基板に電子ビームや 単色Ｘ線のビームを照射し、この照射によって基板から発生する２次電子や特性Ｘ線等の信号を検出することによって行うものである。
　この場合、基板の分析位置をビーム照射位置に位置決めするために、ｘｙ方向に独立して移動するｘ－ｙアクチュエーターを有したステージの上に基板を載置し、ビーム照射位置に基板を移動させる方法が取られてきた（特許文献３、４及び５）。
特開平０６－２５６９４０号公報 特開２０００－２６５２６３号公報 特開平０６－２１３８４１号公報 特開平０６－３２５７１７号公報 特開平０８－２２０００７号公報
　しかしながら、ハードディスクの書き込みヘッドに含まれる軟磁化層には、高い磁気異方性が要求されている。この軟磁化層の磁気異方性は、薄膜の形成中、 固定された方向に供給された外部磁場や、斜めスパッタリングによって引き起こされる。特に、基板とターゲットのなす角度は、軟磁性層の磁気異方性に大きな影響を与える。
　特許文献１又は２に開示されているスパッタリング方法を使用した薄膜の形成では、基板の回転運動によって、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が基板に入射する方向が絶えず変化してしまう。そのため、高い磁気異方性を得ることは困難であった。
　また、基板の表面に形成された薄膜の特性を分析するために、基板の全表面をビームの照射位置に位置決めするためには、少なくとも基板の２倍の幅と長さを持ったステージが必要となる。そのため、ステージを設置する分析チャンバも大きくならざるを得なかった。
　そこで、本発明は、スパッタ装置及びスパッタ成膜方法において、基板に対向する位置に設置されたターゲットから見て、基板の方向を所望の一定の方向に維持することを目的とする。
　さらに、本発明の別の目的は、コンパクトな分析装置を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成する本発明にかかるスパッタ装置は、
　基板を載置し、かつ第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸回りに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダと、
　前記基板に対して、特定の方向の磁界を供給する磁界供給手段と、
　前記基板に成膜するためのターゲットを載置するターゲット載置台と、を備え
　前記自転運動手段は、前記公転運動手段の回転に対して逆方向に前記第１ステージを回転させ、かつ前記磁界供給手段から前記基板に対して供給される磁界の前記特定の方向を維持するように前記第１ステージを回転させることを特徴とする。
　また、上記の目的を達成する本発明にかかるスパッタ成膜方法は、基板に対してスパッタ粒子を入射させて、当該基板に成膜するスパッタ成膜方法であって、
　第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸まわりに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダに前記基板を載置する載置工程と、
　前記基板ホルダに載置された前記基板に対して、特定の方向から磁界を供給する磁界供給工程と、
　前記基板ホルダに設けられている前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動工程と、
　前記基板ホルダに設けられている前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動工程と、
　前記公転運動工程での回転運動に対して逆方向に前記第１ステージを回転させ、かつ前記磁界供給工程において前記基板に対して供給される磁界の前記特定の方向を維持するように、前記自転運動工程における前記第１ステージの回転を制御する制御工程と、
　を有することを特徴とする。
　また、上記の目的を達成する本発明にかかる分析装置は、
　基板を載置し、かつ第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸まわりに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダと、
　前記基板にビームを照射するビーム源と、
　前記ビーム源から照射された前記ビームに対して、前記基板から発生した信号を検出し分析するビーム分析手段と、を備え、
　前記自転運動手段及び前記公転運動手段のそれぞれの回転によって、前記基板上の測定点を前記ビーム源の照射位置に位置決めすることを特徴とする。
　本発明のスパッタ装置によれば、ターゲットに対して、基板の方向が一定に維持されるため、高い磁気異方性を有する薄膜を作製できる。
　さらに、本発明の分析装置によれば、従来に比べて、コンパクトな構造を提供することができる。
　添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述を共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の第１の実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的平面図である。 本発明の第１の実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。 本発明の第２の実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。 本発明の第３の実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。 本発明の第３の実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的平面図である。 基板ホルダの周りに複数の磁石６０１が配置された構成を示す模式的平面図である。 本発明の第４の実施形態として基板ホルダを使用した基板処理チャンバの構成を示す模式的側断面図である。 本発明の第５の実施形態として基板ホルダを使用した分析チャンバの構成を示す模式的側断面図である。 本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径の比に関して説明するための模式的平面図である。 本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径の比に関して説明するための模式的平面図である。 本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径の比に関して説明するための模式的平面図である。 本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径の比に関して説明するための模式的平面図である。 本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径の比に関して説明するための模式的平面図である。 本発明の第５の実施形態におけるビーム照射位置と第１ステージの回転軸が描く軌道との位置関係を示す模式的平面図である。 本発明の第６の実施形態における処理チャンバと分析チャンバを搭載したマルチチャンバー装置の構成を示す模式的側面図である。
　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。ただし、この実施形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。
　［第１の実施形態］
　図１は、本発明の第１の実施形態にかかるスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２との構成を示す模式的平面図である。
　本実施形態にかかるスパッタ装置の基板ホルダでは、基板を載置する円板形状の第１ステージ１が、円板形状の第２ステージ２の上に設置され、第２ステージ２の直径は、第１ステージ１の直径より大きく設計されている。
　第２ステージ２の上部には、第１ステージ１の直径より大きな円筒形状の窪みが設けられており、この窪みに第１ステージ１が嵌め込まれている。
　第１ステージ１の上面と第２ステージ２の上面は、垂直方向に同じ高さとなっている。こうすることにより、第１ステージ１の側面に膜が付着し、パーティクルが発生するという問題を解決することができる。しかしながら、必ずしも第２ステージに窪みを設けることは、本発明の必須の構成ではなく、例えば、第２ステージを平坦な表面により形成し、その上に第１ステージを設けても良い。
　あるいは、第１ステージ１に載置される基板の厚さによって、第１ステージ１の上面を第２ステージ２の上面より低くして、基板の上面と第２ステージ２の上面を同じ高さとしてもよい。
　第１ステージ１の回転軸Ｃ１（第１回転軸）と第２ステージ２の回転軸Ｃ２（第２回転軸）は、距離Ｄだけ偏心されて設置されている。第１ステージ１の回転方向ω１と第２ステージ２の回転方向ω２は、図示した方向の回転に限らず、任意の方向に自由に回転できる。
　次に、図２を使用して、本発明の第１の実施形態における自転運動手段と公転運動手段について説明する。図２は、本実施形態の第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。
　本実施の形態では、第１ステージ１は、基板２２０の直径と同じ直径であって、その下側の中心には、回転軸２０３が接合されている。回転軸２０３は、第１の円柱状空間２１０の内部に取り付けられた複数のベアリング２０５で回転自由に支えられるとともに、サーボモータ等の第１駆動手段２０１に接続される。第１駆動手段２０１は、不図示の固定部材によって、第２ステージ２の下方に固定されている。回転軸２０３と、第１駆動手段２０１とは、第１ステージ１を回転させる自転運動手段として機能する。ここで、第１駆動手段２０１には、例えば、エンコーダ等により構成される検出機構２５１が設けられている。検出機構２５１は、第１駆動手段２０１の位置情報として回転角度、速度情報として回転速度の検出が可能である。検出機構２５１により検出された検出情報（位置情報、速度情報）は、制御手段として機能するコントローラ２５３に入力される。コンローラ２５３は、検出機構２５１から入力された（フォードバックされた）検出情報（位置情報、速度情報）に基づいて、第１駆動手段２０１の回転方向（時計回り、反時計回り）、回転角度の制御（位置制御）、回転速度の制御（速度制御）を行うことが可能である。
　この構造によって、第１駆動手段２０１の回転運動が回転軸２０３（第１回転軸））を介して、第１ステージ１へ伝達され、第１ステージ１は、回転軸２０３（第１回転軸）のまわりを任意の方向へ任意の角度で自転運動させられる。
　第２ステージ２は、円板状部材と、円筒状部材とが接合された構成を有する。円筒状部材の径は、円板状部材の径より小さく、円板状部材の中心軸と、円筒状部材の中心軸とは、一致している。円筒状部材の中心には、固定軸２０４の直径より大きい径の第２の円柱状空間２１１が形成されており、第２の円柱状空間２１１の上部は第２ステージ２を貫通しておらず、第２の円柱状空間２１１の下部のみに開口部を持つ空間となっている。さらに、第２ステージ２の表面側には、第１ステージ１の直径より大きい直径の円板状の窪み２０９が設けられている。窪み２０９には、第１ステージ１が嵌め込まれて配置されている。窪み２０９の垂直方向（ｚ方向）の高さは、第１ステージ１の垂直方向（ｚ方向）の高さと同じになるように設定されている。こうすることにより、第１ステージ１の上面と第２ステージの上面とが水平な平坦面になるように構成することができる。
　さらに、円板状の窪み２０９の中心には、回転軸２０３の直径より大きい直径の第１の円柱状空間２１０が設けられており、第２ステージ２の下部まで貫通している。
　第２ステージ２は、第２の円柱状空間２１１に固定軸２０４を嵌め込むように設置され、第２の円柱状空間２１１の内部に取り付けられた複数のベアリング２０６で第２ステージ２は、回転自由に支えられている。
　また、第２ステージ２の下部を構成する円筒状部材には、ギア２０７が設けられていて、第２駆動手段２０２に接続された駆動伝達軸２０８と噛み合う位置に設けられている。第２駆動手段２０２には、例えば、エンコーダ等により構成される検出機構２５２が設けられている。検出機構２５２は、第２駆動手段２０２の位置情報として回転角度、速度情報として回転速度の検出が可能である。検出機構２５２により検出された検出情報（位置情報、速度情報）は、制御手段として機能するコントローラ２５３に入力される。コントローラ２５３は、検出機構２５２から入力された（フォードバックされた）検出情報（位置情報、速度情報）に基づいて、第２駆動手段２０２の回転方向（時計回り、反時計回り）、回転角度の制御（位置制御）、回転速度の制御（速度制御）を行うことが可能である。
　この構造によって、第２駆動手段２０２の回転運動が、駆動伝達軸２０８、ギア２０７と伝達され、第２ステージ２は、回転軸２０４（第２回転軸）のまわりを、第２駆動手段２０２によって、任意の方向へ任意の角度で回転運動させられる。このとき、第２ステージ２が回転することにより、第１ステージ１を回転軸２０４（第２回転軸）のまわりに公転させる。ギア２０７、駆動伝達軸２０８及び第２駆動手段２０２は、第２ステージ２を回転させることにより、回転軸２０４（第２回転軸）のまわりに第１ステージ１を公転させる公転運動手段として機能する。
　コントローラ２５３は、検出機構２５１、２５２からそれぞれ入力された検出情報（位置情報、速度情報）に基づいて、第２ステージ２の回転に対して、第１ステージ１に載置されている基板２２０の方向を所望の一定の方向に維持するように、第１ステージの回転（回転方向、回転角度、回転速度等）を制御することが可能である。
　かかる構成を有する本実施形態にかかるスパッタ装置に拠れば、ターゲットに対して、基板の方向が一定に維持されるため、高い磁気異方性を有する薄膜を作製できる。
　［第２の実施形態］
　次に、図３を使用して、本発明の第２の実施形態のスパッタ装置にかかる自転運動手段と公転運動手段とを説明する。
　図３は、本実施形態のスパッタ装置が有するの第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。
　第１の実施形態と同様の構成のものについては、同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１ステージ１の自転運動手段にあるので、この点に関して説明する。
　本実施形態では、固定軸２０４と第２の円柱状空間２１１の間に円筒状部材２１４が設けられている。円筒状部材２１４の内径は、固定軸２０４の径より大きく、円筒状部材２１４の外径は、第２の円柱状空間２１１の内径より小さくなっている。
　固定軸２０４、円筒状部材２１４及び第２の円柱状空間２１１は、内側からこの順で嵌め込むように設置される。
　第２の円柱状空間２１１の内部に取り付けられた複数のベアリング２１６及び円筒状部材２１４の内部に取り付けられた複数のベアリング２０６によって、円筒状部材２１４は回転自由に支えられている。
　ベルト２１３は、第２ステージ２の内部に設けられた空間内に設置されている。ベルト２１３は、円筒状部材２１４の上部に設けられた不図示のギアの回転を、回転軸２０３に設けられた不図示のギアに伝達する。
　円筒状部材２１４の下部には、ギア２１７が設けられており、サーボモータ等の第１駆動手段２０１が駆動伝達軸２１２を介して接合されている。第１駆動手段２０１の回転動作は、第１の実施形態と同様にコントローラ２５３により制御される。
　この構造によって、第１駆動手段２０１の回転運動が、駆動伝達軸２１２、ギア２１７、円筒状部材２１４、ベルト２１３、回転軸２０３と伝達される。第１ステージ１は、第１駆動手段２０１によって、回転軸２０３（第１回転軸）のまわりを任意の方向へ任意の角度で自転運動させられる。本実施形態において、第１駆動手段２０１、駆動伝達軸２１２、ギア２１７、円筒状部材２１４、ベルト２１３、及び回転軸２０３は、第１ステージ１を回転させる自転運動手段として機能する。
　また、第２ステージ２の下部を構成する円筒状部材２１４には、ギア２０７が設けられていて、第２駆動手段２０２に接続された駆動伝達軸２０８と噛み合う位置に設けられている。第２駆動手段２０２の回転動作は、第１の実施形態と同様にコントローラ２５３により制御される。この構造によって、第２駆動手段２０２の回転運動が、駆動伝達軸２０８及びギア２０７と伝達され、第２ステージ２は、回転軸２０４（第２回転軸）のまわりを、第２駆動手段２０２によって、任意の方向へ任意の角度で回転運動させられる。このとき、第２ステージ２が回転することにより、第１ステージ１を回転軸２０４（第２回転軸）のまわりに公転させる。ギア２０７、駆動伝達軸２０８及び第２駆動手段２０２は、第２ステージ２を回転させることにより、回転軸２０４（第２回転軸）のまわりに第１ステージ１を公転させる公転運動手段として機能する。
　なお、本実施形態にかかるスパッタ装置では、ギアとベルト２１３によって、第１駆動手段２０１の回転運動を回転軸２０３に伝達しているが、回転運動の伝達機構としては、この例に限定されるものではなく、例えば、ラックアンドピニオン方式などを用いることも可能である。
　コントローラ２５３は、検出機構２５１、２５２からそれぞれ入力された検出情報（位置情報、速度情報）に基づいて、第２ステージ２の回転に対して、第１ステージ１に載置されている基板２２０の方向を所望の一定の方向に維持するように、第１ステージの回転を制御することが可能である。
　かかる構成を有する本実施形態にかかるスパッタ装置に拠れば、ターゲットに対して、基板の方向が一定に維持されるため、高い磁気異方性を有する薄膜を作製できる。
　［第３の実施形態］
　次に、図４～図６を使用して、第３の実施形態のスパッタ装置にかかる自転運動手段と公転運動手段とを説明する。本実施形態は、例えば、ハードディスクの書き込みヘッドに含まれる軟磁化層に要求される高い磁気異方性を形成するのに好適である。
　第１の実施形態と同様の構成のものについては、同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１ステージ１の自転運動手段にあるので、この点に関して説明する。
　図４は、本実施形態のスパッタ装置が有する第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的側断面図である。図５は、図４のＡ－Ａ'断面図で本実施形態の第１ステージ１と第２ステージ２の構成を示す模式的平面図である。
　本実施形態では、回転軸２０３は、第２ステージ２を貫通していない。ベルト２１３は、第２ステージ２の内部に設けられた空間内に設置され、固定軸２０４上部に設けられた不図示のギアと回転軸２０３に設けられた不図示のギアとを接続する。
　このとき、ベルト２１３と噛み合う第１ステージ１の回転軸２０３には、不図示のギアが設けられている。また、ベルト２１３と噛み合う固定軸２０４には、不図示のギアが設けられていて、ベルト２１３の回転運動が伝達される構造となっている。この際、回転軸２０３に設けられたギアと固定軸 ２０４に設けられたギアとのギア比（歯数比）は１対１となっている。
　サーボモータ等の第２駆動手段２０２には駆動伝達軸２０８が設けられており、駆動伝達軸２０８は第２ステージ２の下部を構成する円筒状部材に設けられたギア２０７に噛み合う位置に設置されている。第２駆動手段２０２の回転動作は、第１の実施形態と同様にコントローラ２５３により制御される。
　第２駆動手段２０２が回転運動することによって、その回転運動が駆動伝達軸２０８とギア２０７を介して、第２ステージ２の回転運動となり、例えば、図５に示される方向５１０へ第２ステージ２は回転させられる。
　本実施形態では、ギア２０７、駆動伝達軸２０８及び第２駆動手段２０２は、第２ステージ２を回転させることにより、回転軸２０４（第２回転軸）のまわりに第１ステージ１を公転させる公転運動手段として機能する。
　このとき、第２ステージ２の第２の円柱状空間２１１に挿入された固定軸２０４の下端は、基板ホルダ２００を固定している不図示の台座等に固定させられており、回転しない。
　このため、第２ステージ２が方向５１０へ回転させられることによって、固定軸２０４に設けられたギアに掛けられたベルト２１３には、方向５１０と反対の方向５１１（図５を参照）へ回転するのと同じ作用（回転駆動力）が発生する。
　次に、ベルト２１３の方向５１１への回転によって、ベルト２１３が掛けられている回転軸２０３は、図５に示される方向５１２へ回転させられ、回転軸２０３に固定された第１ステージ１も同じ方向５１２へ回転する。
　本実施形態では、回転軸２０４、ギア、ベルト２１３、回転軸２０３、及び第２駆動手段２０２が、自転運動手段となる。結果として、第１ステージ１と第２ステージ２は、お互いに反対方向に回転することになる。第１ステージ１の上に載置された基板２２０は、回転軸２０４（第２回転軸）まわりに回転運動する第２ステージ２上において、第１ステージ１の自転運動と回転軸２０４（第２回転軸）まわりの公転運動とをさせられることになる。
　ここで、回転軸２０３に設けられたギアと固定軸２０４に設けられたギアのギア比は１対１であることから、第１ステージ１の上に載置された基板２２０は一定の方向を維持したまま、自転運動と公転運動をすることになる。
　なお、本実施形態にかかるスパッタ装置では、ギアとベルト２１３によって、第２駆動手段２０２の回転運動を第１ステージ１の回転軸２０３に伝達しているが、回転運動の伝達機構としては、この例に限定されるものではなく、例えば、ラックアンドピニオン方式などを用いることも可能である。
　図６は、基板ホルダの周りに複数の磁石６０１が配置された構成を示す模式的平面図である。
　基板ホルダの周りに設置された複数の磁石６０１（磁界供給手段）によって発生する磁力線６０２によって磁気異方性が強められた薄膜が形成できる。
　つまり、基板の成膜処理中、成膜条件によっては、基板に成膜される膜に対して、つけたい磁気異方性の方向６０４とスパッタ粒子が基板に入射する方向６０３が異なってしまう場合がある。
　このスパッタ粒子の入射する方向６０３を磁力線６０２によって、与えようと磁気異方性の方向６０４に補正することにより、磁気異方性が強められた薄膜が形成できる。
　この場合、複数の磁石６０１によって発生する磁力線６０２は、基板が自転及び公転運動する範囲、つまり、第２ステージ２の全体に渡って、基板につけたい磁気異方性の方向６０４と同じ方向になるようにしなければならない。そのためには、複数の磁石６０１の配置及び磁力を調整することが重要である。
　例えば、スパッタ粒子の入射する方向６０３を磁力線６０２によって、磁気異方性の方向６０４と同じ方向に合わせても、圧力などの成膜条件によっては、基板につけたい磁気異方性の方向が方向６０４と異なってしまう場合がある。
　本実施形態では、複数の磁石６０１として永久磁石を採用しているが、このような場合には、例えば、磁力線６０２の方向及び強度を任意に制御できる電磁石とすることが望ましい。
　コントローラ２５３は、検出機構２５２から入力された検出情報（位置情報、速度情報）に基づいて、第２ステージ２の回転に対して、第１ステージ１に載置されている基板２２０の方向を所望の一定の方向に維持するように、第１ステージの回転を制御することが可能である。
　かかる構成を有する本実施形態にかかるスパッタ装置に拠れば、ターゲットに対して、基板の方向が一定に維持されるため、高い磁気異方性を有する薄膜を作製できる。
　［第４の実施形態］
　次に、本発明の第４の実施形態として、基板ホルダを使用した基板処理チャンバについて、図７を使用して説明する。
　図７は、本発明の第４の実施形態として、基板ホルダを使用した基板処理チャンバの構成を示す模式的側断面図である。
　図７に示す基板処理チャンバでは、真空室７２０の下部に基板ホルダ７００が設置される。真空室７２０の上部には、基板ホルダ７００の基板載置面に対して、斜めに傾いた状態、すなわち非平行の状態でターゲット７１０及び７１１が不図示のスパッタリングカソードのターゲット載置台に設置されている。
　図７には、ターゲット７１０及び７１１のみが設置されているが、ターゲットの数は、二つに限定されるものではない。また、真空室７２０には、基板 の搬入並びに搬出用ゲートバルブ、真空排気手段、ガス導入手段、電力供給手段及び基板搬送手段等が付設されているが、それらの図示は省略されている。また、図７で示す基板ホルダ７００は、基本的に図４で示した基板ホルダ２００と同一であるので、具体的な説明は省略する。
　次に、薄膜を形成する工程について説明する。まず、基板７０１aが基板搬送手段によって、真空室７２０内に搬入され、第１ステージ１の上に載置される。
　次に、真空排気手段によって真空室７２０が真空排気された後、ガス導入手段によって、所定のガスが所定の流量に制御されて真空室７２０内に導入される。
　次に、サーボモータ等の駆動手段７０１ｂ（第２駆動手段２０２に対応する）によって、第２ステージ２を回転運動させる。駆動手段７０１ｂが第１ステージ１を回転させることにより、基板７０１aは自転運動を行うとともに、回転軸２０４のまわりに公転運動を行う。
　基板７０１aの自転運動と公転運動が開始された後、又は自転運動と公転運動の開始と同時に、電力供給手段によって、ターゲット７１０に電力が供給される。 そして、真空室７２０内にプラズマ放電が発生し、ターゲット７１０からスパッタされたスパッタ粒子が基板７０１aの表面に到達することによって薄膜が形成される。
　この際、基板７０１aの方向は、自転運動と公転運動中、ターゲット７１０に対して同じ方向となるように維持されているので、高い磁気異方性を持った薄膜が形成できる。また、駆動手段７０１ｂの回転速度を調整することによって、薄膜の膜質を変更することができる。
　好ましくは、スパッタ粒子の入射角θは、４５°以上である。ここで入射角度θとは、ターゲット７１０の法線と基板ホルダ７００の基板載置面の法線とのなす角度である。
　さらには、基板７０１aは、公転運動によって、ターゲット７１０から遠い位置と近い位置を周期的に移動することになる。この場合、ターゲット７１０から遠い位置では、薄膜が形成される成膜速度が遅く、ターゲット７１０に近い位置では成膜速度が速いことになる。公転運動により、遅い成膜速度の成膜処理と速い成膜速度の成膜処理を交互に実行されることによって、膜厚均一性を改善することができる。
　好ましくは、第１ステージ１の直径は第２ステージ２の直径よりも小さく、基板表面全体の膜厚均一性を改善するため、第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径との比率は、より大きい方が望ましい。
　また、軟磁性体の磁気異方性は、磁気異方性がついている軸方向であれば、磁化方向はどちらを向いていてもよい。このことから、基板７０１aに対して、スパッタ粒子を１８０°異なった方向から入射させても、磁気異方性を得られることになる。
　このことは、膜厚均一性の向上に利用することができる。つまり、成膜処理中、任意のタイミングで、基板７０１aの方向を１８０°回転させる。この基板７０１aの１８０°回転によって、基板７０１aの表面の位置で、ターゲット７１０から遠い位置では成膜速度が遅く、ターゲット７１０に近い位置では成膜速度が速くなる。更に基板７０１aの方向を１８０°回転させることにより、遅い成膜速度の成膜処理と速い成膜速度の成膜処理とが交互に実行されることによって、膜厚が不均一となる問題を改善することができる。
　特に、スパッタ粒子が一つのターゲットからのみスパッタされる場合に有効である。
　この基板７０１aの方向を１８０°反転させるために、コントローラ２５３は、第１ステージ１の回転軸２０３と第２ステージ２の回転軸２０４とを接続しているギア（不図示）とベルト２１３との接続または解放を行う不図示のギア接続解放手段を制御する。まず、ギア接続解放手段によって、回転軸２０４の回転が回転軸２０３に伝達されないようにギア（不図示）とベルト２１３との接続が一時的に解放される。このため、基板７０１aを載置した第１ステージ１の自転運動が一時的に停止する。
　その後、基板７０１aが載置された第１ステージ１が、回転軸２０４のまわりの公転運動により更に１８０°だけ回転したと同時に、ギア接続解放手段によって、ギア（不図示）とベルト２１３とが再接続され、回転軸２０４の回転が回転軸２０３に伝達されることにより、基板７０１aが載置された第１ステージ１の自転運動が再開される。このような基板の方向を反転させる工程が、成膜処理中、所定の回数、繰り返される。
　なお、磁界供給手段から基板に対して供給される磁界の方向を維持しながら、第１ステージ１を回転させる基板ホルダの構成は、図７の構成に限定されるものではない。例えば、図２、図３の基板ホルダ２００の構成で、自転運動の回転方向と公転運動の回転方向とが逆回転になるようにコントローラ２５３が第１駆動手段２０１、第２駆動手段２０２を制御し、さらに、磁石６０１（磁界供給手段）により、基板に対して供給される磁界の方向が維持されるように、自転運動の回転数と、公転運動の回転数とをコントローラ２５３が制御することも可能である。
　［第５の実施形態］
　次に、本発明の第５の実施形態として、基板ホルダを使用した分析チャンバについて、図８を使用して説明する。図８は、基板ホルダ８００を使用した分析チャンバの構成を示す模式的側断面図である。
　なお、本実施形態では、ビーム源として電子ビーム源を使用しているが、ビーム源としては、電子ビーム源に限定されるものではない。例えば、Ｘ線ビーム源、イオン ビーム源など、基板の表面にビームを照射し、この照射によって基板から発生する２次電子や特性Ｘ線等の信号を検出することによって、基板の表面観察や元素 分析できるものであればよい。
　図８に示す分析チャンバでは、真空室８８０の下部に基板ホルダ８００が設置され、真空室８８０の上部には、電子ビーム源８６０とビーム分析手段８６１が設置されている。さらに、真空室８８０には、基板を搬入並びに搬出用ゲートバルブ、真空排気手段、ガス導入手段、電力供給手段及び基板搬送手段等が付設されているが、それらの図示は省略されている。
　なお、本実施形態のおける基板ホルダ８００の基本的な構成は、図２に示す基板ホルダ２００と同様であるので、詳細な説明は省略する。また、本実施形態の基板ホルダとして、例えば、図３に示す基板ホルダ２００を採用することもできる。
　次に、基板の表面に形成された薄膜の特性を測定する工程について説明する。
　まず、基板ホルダ上下駆動手段８５０によって、基板ホルダ８００は、最下限に下降させられる。
　その後、基板搬送手段によって、基板８７０は、真空室８８０に搬入され、第１ステージ１上に載置される。
　次に、最下限に位置していた基板ホルダ８００は、基板ホルダ上下駆動手段８５０によって、分析位置まで上昇させられる。
　次に、真空排気手段によって真空室８８０が真空排気される。次に、サーボモータ等の駆動手段８０２によって、第２ステージ２を所定の角度だけ回転させることにより、第１ステージ１を回転軸２０４のまわりに公転運動させるとともに、サーボモータ等の駆動手段８０１によって、第１ステージ１を所定の角度だけ自転運動させる。このようにして、電子ビーム源８６０の照射位置に基板８７０の測定点を位置決めする。
　その後、電子ビーム源８６０からビームが照射され、この照射によって基板８７０から発生する２次電子や特性Ｘ線等の信号をビーム分析手段８６１によって分析し、基板の表面に形成された薄膜の特性を測定する。
　なお、この際、第１ステージ１に内蔵された基板加熱手段８１８によって基板８７０を所定の温度に調整することができる。
　次に、図９Ａ、図９B乃至図１１を使用して、第１ステージの直径と第２ステージの直径の比に関して説明する。ここで、基板が載置される第１ステージ１の直径と基板の直径とは同じである。
　以下、ビームの照射位置から最も遠い基板の周辺部の測定点をビームの照射位置に合わせることに関して説明する。
　図９Ａ、図９B乃至図１１は、本発明の第５の実施形態における第１ステージ１の直径と第２ステージ２の直径との比に関して説明するための構成を示す模式的平面図である。
　まず、図９Ａ及び図９Ｂを使用して、第２ステージ２の直径が基板の直径の２倍以上である場合、ビームの照射位置９０３に基板の測定点９０４を合わせる方法について説明する。
　第１ステージ１に載置されている基板と第２ステージ２との位置関係は、図９Ａのようになり、第１ステージ１の回転軸が描く軌跡９０２と基板の周辺部（外周部）とが交差する点は、点９０５、９０６の２点存在する。
　まず、第１ステージ１を角度ω９１１だけ紙面に向かって反時計方向に自転させ、点９０５に合わせる（図９Ａ）。
　次に、第２ステージ２を角度ω９１２だけ紙面に向かって時計方向に公転させることによって、測定点９０４をビームの照射位置９０３に合わせることができる（図９Ｂ）。なお、第１ステージ１の自転運動と、第２ステージ２の回転軸９０１まわりの回転に基づく公転運動とは、同時におこなってもよい。
　次に、図１０Ａ及び図１０Ｂを使用して、第２ステージ２の直径が基板の１．５倍である場合、ビームの照射位置９０３に基板の測定点９０４を合わせる方法について説明する。
　第１ステージ１に載置されている基板と第２ステージ２との位置関係は、図１０Ａのようになり、第１ステージ１の回転軸が第２ステージの回転により描く軌跡９０２と基板の周辺部（外周部）が接する点は、点９０５の１点のみである。
　まず、第１ステージ１を角度ω９１１だけ紙面に向かって反時計方向に自転させ、点９０５にあわせる（図１０Ａ）。
　次に、第２ステージ２を角度ω９１２（１８０°）だけ紙面に向かって反時計方向（または時計方向）に回転させることによって、測定点９０４をビームの照射位置９０３に合わせることができる（図１０Ｂ）。なお、第１ステージ１の回転と第２ステージ２の回転は、同時に行ってもよい。
　次に、図１１を使用して、第２ステージ２の直径が基板の１．５倍より小さい場合、ビームの照射位置９０３に基板の測定点９０４を合わせることができない領域が生じることを説明する。
　第１ステージ１に載置されている基板と第２ステージ２の位置関係は、図１１のようになり、第１ステージ１の回転軸が描く軌跡９０２と基板の周辺部（外周部）が交差する点は、存在しない。
　したがって、第１ステージ１を自転させても、基板の周辺部（外周部）に対応する測定点９０４を軌跡９０２の上に合わせることができないので、ビームの照射位置９０３の位置に合わせることもできないことになる。同様に、測定点９０４が基板の内部領域にある場合でも、軌跡９０２と交差する点が存在しない領域９１０内にある場合は、ビームの照射位置９０３に測定点９０４を合わせることができない。
　以上のことから、基板の全体を測定可能にするために、第２ステージ２の直径は、基板（第１ステージ１）の直径の１．５倍以上としなければならない。
　図１２は、本発明の第５の実施形態におけるビーム照射位置と第１ステージの回転軸が描く軌道との位置関係を示す模式的平面図である。
　図１２では、第１ステージ１が第２ステージ２上を公転する際、ビームの照射位置１００３が、第１ステージ１の回転軸１００４が描く軌跡１００２上から外れた位置にある。
　この際、測定点が領域１００５にある場合は、基板の自転運動、公転運動によって、測定点をビームの照射位置１００３に合わせることはできないことは明らかである。
　領域１００５を無くすためには、ビームの照射位置１００３と第１ステージ１の回転軸１００４とを一致させる必要がある。言い換えれば、ビームの照射位置１００３を第１ステージ１が第２ステージ２上を公転運動する際、第１ステージ１の回転軸１００４が描く軌跡１００２上の１点にする必要がある。
　［第６の実施形態］
　次に、第６実施形態として、本発明の基板処理チャンバと分析チャンバを搭載した基板処理装置について、図１３を使用して説明する。
　図１３は、本発明の第６の実施形態における処理チャンバと分析チャンバを搭載した基板処理装置の構成を示す模式的側面図である。図１３に示す基板処理装置はクラスタ型であり、複数の処理チャンバを備えている。コアチャンバ１１１１の中央には、基板を搬送するための不図示の真空搬送ロボットが設置されている。コアチャンバ１１１１には、ロードロックチャンバ１１１２及び１１１３が設けられている。
　ロードロックチャンバ１１１２及び１１１３によって、外部から基板処理装置に基板を搬入するとともに、所定の処理が終了した基板を基板処理装置から外部へ搬出する。コアチャンバ１１１１とロードロックチャンバ１１１２及び１１１３それぞれの間には、両チャンバを隔離し、かつ必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ｇ及び１１８０ｈが設けられている。ロードロックチャンバを二つ設けた理由は、二つのチャンバを交互に使い分けることにより、生産性を高めるためである。
　図１３に示す基板処理装置では、コアチャンバ１１１１の周囲に、以下のものが設けられている。三つの成膜チャンバ１１３１、１１５１及び１１７１と、一つの酸化処理チャンバ１１６１と、一つのクリーニングチャンバ１１２１と、一つの分析チャンバ１１４１とである。
　コアチャンバ１１１１と処理チャンバの間には、両チャンバを隔離し、かつ必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ａ－ｆがそれぞれ設けられている。なお、各チャンバには真空排気手段、ガス導入手段、電力供給手段等が付設されているが、それらの図示は省略されている。
　図１３に示す基板処理装置の成膜チャンバ１１３１、１１５１及び１１７１の各々は、所定の磁性薄膜を同じチャンバ内で連続して成膜するための成膜チャンバである。この内、成膜チャンバ１１７１が図７に示す基板処理チャンバであり、分析チャンバ１１４１が図８に示す分析チャンバであり、図７及び図８に示すものと基本的構造は同じである。
　成膜チャンバ１１３１では、チャンバ底部中央の基板ホルダ１１３２上に配置された基板１１３３に対し、天井部にターゲット１１３１ａ－ｄが各々図示しないスパッタリングカソードを介して設置されている。なお、成膜チャンバ１１３１は、図１３に示すように、ターゲット１１３１ｅも搭載可能であり、実施形態に応じて適宜ターゲット１１３１ｅを用いることも可能である。
　コアチャンバ１１１１と成膜チャンバ１１３１の間には、両チャンバを隔離し、必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ｂが設けられている。
　成膜チャンバ１１５１においてはチャンバ底部中央の基板ホルダ１１５２上に配置された基板１１５３に対し、天井部にターゲット１１５１ａ－ｃが各々図示しないスパッタリングカソードを介して設置されている。
　なお、成膜チャンバ１１５１は、図１３に示すように、ターゲット１１５１ｄ、１１５１ｅも搭載可能であり、実施形態に応じて適宜ターゲット１１５１ｄ、１１５１ｅを用いることも可能である。コアチャンバ１１１１と成膜チャンバ１１５１の間には、両チャンバを隔離し、必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ｄが設けられている。成膜チャンバ１１７１は、図７に示す基板処理チャンバであるので、説明は省略する。
　図１３に示す基板処理チャンバのクリーニングチャンバ１１２１には、チャンバ底部中央の基板ホルダ１１２２上に配置された基板１１２３に対し、イオンビームエッチング手段とＲＦスパッタエッチング手段が設けられる。物理的エッチングにより成膜前の基板のクリーニングが行なわれる。
　コアチャンバ１１１１とクリーニングチャンバ１１２１の間には、両チャンバを隔離し、かつ必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ａが設けられている。
　図１３に示す基板処理装置の酸化処理チャンバ１１６１には、チャンバ底部中央の基板ホルダ１１６２上に配置された基板１１６３に対し、金属層を酸化する表面化学反応が行われる酸素導入手段が設けられている。
　本実施形態では減圧下酸素雰囲気による自然酸化を使用した。コアチャンバ１１１１と酸化処理チャンバ１１６１の間には、両チャンバを隔離し、必要に応じて開閉自在なゲートバルブ１１８０ｅが設けられている。
　次に、図１３に示す基板処理装置において多層構造の磁性薄膜を作成する際の手順を説明する。まず、図１３に示す基板処理装置のロードロックチャンバ１１１２に、基板を設置する。次に、ロードロックチャンバ１１１２を真空に排気する。
　次に、真空搬送ロボットにより、当該基板をロードロックチャンバ１１１２よりクリーニングチャンバ１１２１に搬送される。その後、イオンビームエッチング機構とＲＦスパッタエッチング機構により基板表面をエッチングすることにより表面清浄化と平坦化が行なわれる。
　次に、基板は、成膜チャンバ１１３１、１１５１及び１１７１のいずれかに搬送され、基板上に所定の磁性薄膜を形成する。
　酸化処理チャンバ１１６１は、基板表面に形成された磁性薄膜を酸化する必要がある場合、必要なタイミングで適宜、搬送され、酸化処理される。
　分析チャンバ１１４１には、このようにして、基板の表面に形成された薄膜の様々な特性を分析するために、必要なタイミングで適宜搬送される。
　そして、上記した自転運動手段と公転運動手段によって、基板を電子ビーム源の照射位置に位置決めし、ビームが照射される。このビームの照射によって基板 から発生する２次電子や特性Ｘ線等の信号をビーム分析手段によって分析することによって、基板表面の様々な特性を分析することができる。
　所定の磁性薄膜が形成された基板は、真空搬送ロボットによって、ロードロックチャンバ１１１３へ移送され、ここから図示しない大気搬送系を介して搬出される。
　本発明は、基板処理チャンバや分析チャンバに利用可能であり、基板の方向及び位置を任意に決められる基板ホルダを搭載する必要のある基板処理装置に利用可能である。
　以上、本発明の好ましい実施形態を添付図面の参照により説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の記載から把握される技術的範囲において種々な形態に変更可能である。
　本願は、２００７年１２月２６日提出の日本国特許出願特願２００７－３３４２３６を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (9)

  1. 　スパッタ装置であって、
    　基板を載置し、かつ第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸回りに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダと、
    　前記基板に対して、特定の方向の磁界を供給する磁界供給手段と、
    　前記基板に成膜するためのターゲットを載置するターゲット載置台と、を備え
    　前記自転運動手段は、前記公転運動手段の回転に対して逆方向に前記第１ステージを回転させ、かつ前記磁界供給手段から前記基板に対して供給される磁界の前記特定の方向を維持するように前記第１ステージを回転させることを特徴とするスパッタ装置。
  2. 　前記自転運動手段の回転角度の情報を検出するための第１検出機構と、
    　前記公転運動手段の回転角度の情報を検出するための第２検出機構と、
    　前記第１検出機構及び前記第２検出機構のそれぞれによって検出された前記回転角度の情報に基づいて、前記自転運動手段の回転運動及び前記公転運動手段の回転運動を制御する制御手段と、を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  3. 　前記ターゲット載置台は、前記基板に対して、ターゲット粒子が斜めに入射するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  4. 　前記第２ステージは、当該第２ステージの面内に、前記第１ステージを嵌め込むための窪みが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  5. 　前記公転運動手段は、
    　前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させるための回転運動を生成する駆動手段と、
    　前記駆動手段に接続されている駆動伝達軸と、
    　前記駆動伝達軸と噛み合い、前記駆動手段の回転運動を前記第２ステージに伝達するための第１ギアを外周部に有する円筒状部材と、を備え、
    　前記自転運動手段は、
    　前記円筒部材の内部に設けられ、下端部が固定されている固定軸と、
    　前記固定軸の上端に設けられている第２ギアと、
    　前記第１回転軸に設けられている第３ギアと、
    　前記第２ギアと前記第３ギアとを接続して、前記駆動手段の回転運動に対して反対の方向の回転を前記第３ギアを介して前記第１回転軸に伝達するベルト部材と、を備え、
    　前記円筒部材は、ベアリングを介して、前記固定軸の回りを回転可能に支持されており、
    　前記第２ギアと前記第３ギアとの歯数比は、１：１であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ装置。
  6. 　基板に対してスパッタ粒子を入射させて、当該基板に成膜するスパッタ成膜方法であって、
    　第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸まわりに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダに前記基板を載置する載置工程と、
    　前記基板ホルダに載置された前記基板に対して、特定の方向から磁界を供給する磁界供給工程と、
    　前記基板ホルダに設けられている前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動工程と、
    　前記基板ホルダに設けられている前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動工程と、
    　前記公転運動工程での回転運動に対して逆方向に前記第１ステージを回転させ、かつ前記磁界供給工程において前記基板に対して供給される磁界の前記特定の方向を維持するように、前記自転運動工程における前記第１ステージの回転を制御する制御工程と、
    　を有することを特徴とするスパッタ成膜方法。
  7. 　分析装置であって、
    　基板を載置し、かつ第１回転軸回りに回転可能な第１ステージと、前記第１ステージの前記第１回転軸とずらして設けられた第２回転軸まわりに回転可能な第２ステージと、前記第１ステージを前記第１回転軸回りに回転させる自転運動手段と、前記第２ステージを前記第２回転軸回りに回転させることにより、前記第１ステージを前記第２回転軸回りに公転させる公転運動手段と、を有する基板ホルダと、
    　前記基板にビームを照射するビーム源と、
    　前記ビーム源から照射された前記ビームに対して、前記基板から発生した信号を検出し分析するビーム分析手段と、を備え、
    　前記自転運動手段及び前記公転運動手段のそれぞれの回転によって、前記基板上の測定点を前記ビーム源の照射位置に位置決めすることを特徴とする分析装置。
  8. 　前記第１ステージ及び前記第２ステージはそれぞれ円板形状であり、
    　前記第２ステージの直径は、前記第１ステージの直径の１．５倍以上であることを特徴とする請求項７に記載の分析装置。
  9. 　前記基板に前記ビームを照射する位置は、前記第１ステージ及び前記第２ステージが回転する際、前記第１ステージの前記第１回転軸が描く軌跡上の１点であることを特徴とする請求項７に記載の分析装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130105298A1 (en) * 2010-06-25 2013-05-02 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus, film deposition method, and control device
JP2021086950A (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 自転駆動機構及び自転駆動方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5259626B2 (ja) * 2007-12-26 2013-08-07 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置、スパッタ成膜方法
JP6042196B2 (ja) * 2011-12-22 2016-12-14 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置、スパッタ装置の制御装置、および成膜方法
KR102399075B1 (ko) * 2014-12-16 2022-05-18 주성엔지니어링(주) 공정챔버 내부에 배치되는 기판 가공장치
JP6763321B2 (ja) 2017-03-01 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
CN109151113B (zh) * 2018-08-28 2020-10-09 安徽徽昂光电科技有限公司 一种手机玻璃盖板的制作工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365069A (ja) * 1986-09-08 1988-03-23 Hitachi Ltd スパツタ装置
JPH02272350A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Shimadzu Corp 表面分析装置
JPH03266239A (ja) * 1990-03-14 1991-11-27 Fujitsu Ltd 光磁気ディスクのスパッタリング方法
JPH08296042A (ja) * 1995-04-17 1996-11-12 Read Rite Corp 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法
JP2002243672A (ja) * 2001-02-14 2002-08-28 Jeol Ltd Ｘ線分析装置
JP2005500644A (ja) * 2001-08-20 2005-01-06 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 磁気フィルムを堆積させる方法および装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03232964A (ja) * 1990-02-07 1991-10-16 Fujitsu Ltd スパッタリング装置
JPH06213841A (ja) 1993-01-13 1994-08-05 Shimadzu Corp 示差熱分析装置
JP3378043B2 (ja) 1993-03-05 2003-02-17 同和鉱業株式会社 スパッタリング装置
JPH06325717A (ja) 1993-05-18 1994-11-25 Shimadzu Corp 電子線分析装置
JP3280531B2 (ja) 1995-02-14 2002-05-13 三菱電機株式会社 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
US7294242B1 (en) * 1998-08-24 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Collimated and long throw magnetron sputtering of nickel/iron films for magnetic recording head applications
JP4223614B2 (ja) 1999-01-12 2009-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法
JP4205294B2 (ja) * 2000-08-01 2009-01-07 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び方法
US6985956B2 (en) * 2000-11-02 2006-01-10 Sun Microsystems, Inc. Switching system
US7162600B2 (en) * 2005-03-29 2007-01-09 Hitachi, Ltd. Data copying method and apparatus in a thin provisioned system
CN1575350A (zh) * 2001-08-24 2005-02-02 纳米纳克斯公司 用于在溅射薄膜中产生均匀、各向同性应力的方法和装置
US6986015B2 (en) * 2001-12-10 2006-01-10 Incipient, Inc. Fast path caching
US7013379B1 (en) * 2001-12-10 2006-03-14 Incipient, Inc. I/O primitives
US6973549B1 (en) * 2001-12-10 2005-12-06 Incipient, Inc. Locking technique for control and synchronization
US6959373B2 (en) * 2001-12-10 2005-10-25 Incipient, Inc. Dynamic and variable length extents
US7599360B2 (en) * 2001-12-26 2009-10-06 Cisco Technology, Inc. Methods and apparatus for encapsulating a frame for transmission in a storage area network
US20030126132A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-03 Kavuri Ravi K. Virtual volume management system and method
US20030217129A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-20 Lucent Technologies Inc. Self-organizing intelligent network architecture and methodology
US7379990B2 (en) * 2002-08-12 2008-05-27 Tsao Sheng Ted Tai Distributed virtual SAN
US20050138184A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Sanrad Ltd. Efficient method for sharing data between independent clusters of virtualization switches
US7818515B1 (en) * 2004-08-10 2010-10-19 Symantec Operating Corporation System and method for enforcing device grouping rules for storage virtualization
US7409495B1 (en) * 2004-12-22 2008-08-05 Symantec Operating Corporation Method and apparatus for providing a temporal storage appliance with block virtualization in storage networks
US7130960B1 (en) * 2005-04-21 2006-10-31 Hitachi, Ltd. System and method for managing disk space in a thin-provisioned storage subsystem
JP5057656B2 (ja) * 2005-05-24 2012-10-24 株式会社日立製作所 ストレージシステム及びストレージシステムの運用方法
JP2007308758A (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Denso Corp 成膜装置及び成膜方法
JP5259626B2 (ja) * 2007-12-26 2013-08-07 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置、スパッタ成膜方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6365069A (ja) * 1986-09-08 1988-03-23 Hitachi Ltd スパツタ装置
JPH02272350A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Shimadzu Corp 表面分析装置
JPH03266239A (ja) * 1990-03-14 1991-11-27 Fujitsu Ltd 光磁気ディスクのスパッタリング方法
JPH08296042A (ja) * 1995-04-17 1996-11-12 Read Rite Corp 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法
JP2002243672A (ja) * 2001-02-14 2002-08-28 Jeol Ltd Ｘ線分析装置
JP2005500644A (ja) * 2001-08-20 2005-01-06 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 磁気フィルムを堆積させる方法および装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130105298A1 (en) * 2010-06-25 2013-05-02 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus, film deposition method, and control device
US9991102B2 (en) 2010-06-25 2018-06-05 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus, film deposition method, and control device
US10636634B2 (en) 2010-06-25 2020-04-28 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus, film deposition method, and control device
JP2021086950A (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 自転駆動機構及び自転駆動方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
JP7257941B2 (ja) 2019-11-28 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 自転駆動機構及び自転駆動方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法

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